FLASH的黑片与白片,SLC与MLC

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MLC与SLC对比

SLC MLCSLC 和MLC分别是是Single Layer Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写，SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。

MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。

不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

1SLC和MLC存储单元分为两类：SLC（Single Level Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。

此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。

此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存是劣品，只有SLC架构的NAND闪存才能在质量上有保障。

我们先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发展状况再来给这个假设做定论吧。

MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。

第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND 闪存更是如虎添翼。

三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于 MLC，但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。

三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料，但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。

固态硬盘芯片类型

固态硬盘芯片类型固态硬盘（Solid State Drive，SSD）作为一种新型存储设备，相对于传统机械硬盘具有更高的速度，更可靠的性能和更低的功耗。

其中，固态硬盘芯片类型是固态硬盘的核心组件，决定了其性能和稳定性。

本文将介绍一些常见的固态硬盘芯片类型。

1. NAND FlashNAND Flash是目前最常见的固态硬盘芯片类型。

它是一种非易失性的存储芯片，具有快速读写速度、低功耗、较高的可靠性和较长的寿命等特点。

根据NAND Flash的不同构造，可以分为SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）三种不同的存储单元。

SLC：SLC芯片使用较少的存储单元，每个存储单元只存储一个比特的数据，因此具有更快的读写速度、更高的耐用性和更长的寿命，但价格也相对较高。

MLC：MLC芯片每个存储单元可以存储两个比特的数据，存储密度更高，成本更低，但相对于SLC来说，读写速度稍慢，寿命也相对较短。

TLC：TLC芯片每个存储单元可以存储三个比特的数据，存储密度更高，成本更低，但相对于MLC来说，读写速度更慢，寿命也相对更短。

2. 3D NAND3D NAND是一种新型的NAND Flash技术，与传统的2D nand 不同，3D NAND采用立体多层的结构，将存储单元叠在一起，大大提高了存储密度和容量。

3D NAND具有更高的读写速度、较低的功耗和更长的寿命，还能够提供更大的容量，让用户可以存储更多的数据。

3. SLC LiteSLC Lite是一种基于MLC芯片的技术改进，通过减少存储单元的数量，将MLC芯片模拟成SLC芯片，以提高固态硬盘的性能和可靠性。

SLC Lite芯片具有较快的读写速度、较高的耐用性和较长的寿命，相对于普通的MLC芯片来说，更适合需要高性能和高可靠性的用户。

4. TLC 3DTLC 3D是一种结合了3D NAND和TLC技术的芯片类型。

FLASH的基本知识,

•
FLASH类型
• TSOP (12*20)最常用的；TSOP(14*18)L85常见； BGA152(14*18,12*18);BGA132(14*18,12*18)；
BGA224(14*18);BGA100(12*20);LGA52(14*18,12*20);LGA60(14*18 ,12*20);TF（micrSD)卡类（3*7,4*6,5*6点位）；M2卡类（3*6点位）；
通用，因此要重新做一次坏块扫描的动作。就是我们常说
的“低格”。
.
15
• 黑片
凡是不符合正规品规格的Flash都会降低即被称为 Downgrade Flash,这一部分产品不论Samsung、Hynix还是Micron，哪个品牌都会存在。Downgrade Flash是生产中出现的不良，有些是容量不足，有些是读写测试不通过，有些是温度环境测试有问题，还有电流不正常，老化实验不通过等等。Downgrade Flash产生的原因主要有：
• 白片
正规的测试流程是很费时，因此提高了成本，买到裸片的
厂家，同时为省钱减少测试项目，致使一些本来在半导体
厂不能通过的die用在了最终的产品中，造成产品质量的
不稳定。白片虽然也存有坏块信息表。但是这个坏块表是
用某一个方案重新扫描建立远没有正品的精度高，并且每
个方案块坏表的存放地址不一样，不同的方案基本上没法
.
9
Hynix
ห้องสมุดไป่ตู้
.
10
三星镁光
东芝英特尔
现代
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SLC MLC与TLC
• 什么是SLC、MLC和TLC • 什么是SLC? • SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，代表1个存储器储存单元可存放1位元,SLC架构是0和1两个

来认识一下U盘里的组件

来认识一下U盘里的组件外包装外壳USB头PCBA板（PCB板主控芯片FLASH芯片电容电阻LDO(稳压器) 晶振）PCB板：印刷电路板。

电子零件都是镶在PCB上的，除了固定零件作用外，PCB的主要功能是提供上头各项零件的相互电流连接。

板子本身是由绝缘隔热、并不易弯曲的材质所制作成。

在表面可以看到的细小线路材料是铜箔，原本铜箔是覆盖在整个板子上的，而在制造过程中部份被蚀刻处理掉，留下来的部份就变成网状的细小线路了。

这些线路被称作导线或称布线，并用来提供PCB上零件的电路连接。

通常PCB的颜色都是绿色或是棕色，这是阻焊漆的颜色。

是绝缘的防护层，可以保护铜线，也可以防止零件被焊到不正确的地方。

晶振：晶体振荡器，简称晶振。

通过加电压，产生一个时钟振动频率，在电脑来说，频率越高，电脑在单位时间内处理的速度越快。

（也可以简单理解为灯管的起辉器）晶振在U盘中比较容易损坏，在U盘检测中发现不亮灯的情况下首先要检查是否晶振损坏。

主控：U盘的大脑，主要控制芯片。

常用种类有芯邦（2090E，2091）我想科技（5128,5127）安国（6980 6983）还有6208 UT163 UT165 3S等主控型号。

主控的作用：由于电脑的硬盘和FLASH的存储方式不一样，就像一个讲英文，一个讲中文。

主控第一个作用就像一个翻译机，把电脑里的数据翻译成FLASH能够识别的数据类型，这样才能保存。

第2个作用就是通过量产软件和其中特定的检测级别来检测FLASH能够有多少可以正常使用的空间（空间或者称作存储单元或者页面），并做标记，把不能够使用的空间屏蔽起来，在将来使用的时候，不会将数据拷贝在错误的空间上导致数据不能读写辨识，就像一个本子有一页脏了，不能写字了，主控把这个页面标记起来，要写字的时候提示这个页是不能使用的，不会把字写上去，否则以后这篇字就无法看清是什么了。

量产软件的级别设定可以让主控具有容错和纠错能力。

容错就是容许这个空间里有百分之多少是可以用的就默认为这个页面是可以正常使用的，纠错就是在这个有瑕疵的空间里把不能正常使用的部分通过软件的作用最大程度的变为可以使用的空间。

天硕教你看透内存卡芯片SLC、MLC、TLC三者的本质区别

天硕教你看透内存卡芯片SLC、MLC、TLC三者的本质区别前一段时间朋友圈掀起了一股“气质风”。

做人看气质，那买内存卡又该如何看气质？今天我们就来谈论一下内存卡的气质。

其实说起内存卡，其本质也就是卡中的内存芯片而已，所以首先，让我们来看看内存芯片有哪些种类。

拍摄时间-型号-焦距-光圈-快门速度-ISO -曝光补偿0EVGPS -Design XinBeta内存技术最早是应用在军事、航天等重要领域上的，所以保障长时间工作顺利运作，成了内存卡设计的唯一指标。

所以，军工级SLC 芯片,也是第一代内存技术（SLC即是Single-LevelCell，单层单元的英文缩写）就在这个技术背景下诞生了。

这种技术以低耗、高效、耐用著称，平均擦写寿命达到10万次。

同时要注意的是，这种卓越性能是以昂贵的造价和繁杂的制作工艺来换取的。

随着社会的发展，商业服务器、移动终端（手机、便携电脑）、数码器材等民用领域开始对内存技术产生大量需求。

由于应用面积和需求数量的迅速扩大，加上商业开发的要求，繁杂和昂贵的SLC技术显然不符合要求，于是企业级、商用级、一般消费级及低端消费级等民用内存技术产品被开发、使用。

其中，廉价、生产简易的MLC和TLC迅速占领了手机、数码相机领域，成了最大赢家。

在手机、数码相机刚起步阶段，MLC和TLC还能应付得绰绰有余，随着数码技术的不断发展，MLC和TLC的内存技术已经开始左右支绌。

数据丢失、保存不完整、无法读写、无故写保护………这些都是MLC 和TLC在应付大容量时露出的技术短板。

当然，如果不是对高速连拍和4K视频录制有要求的专业摄影师，MLC和TLC还是可以勉强应付的。

虽然MLC和TLC的存储上限比SLC提高了很多，但使用寿命也直线下降，平均擦写只有500-1000次。

随着影像技术的发展，MLC 和TLC仍会逐渐陷入性能泥潭，直至被新一代廉价内存技术取代。

那SLC芯片是不是就彻底告别了民用领域？没有。

固态硬盘闪存种类介绍

固态硬盘闪存种类介绍
1.SLC
SLC全称是单层式储存（Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。

而且因为一组电压即可驱动，所以其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。

2.MLC
MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。

作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。

不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。

3.TLC
SLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低。

FLASH之SLC MLC TLC QLC芯片的区别与使用寿命

mA
1.8V 100mA
3.3V 200mA
3.3V 500mA
价格
rmb280/4G(WBG)
坛友30块
同市场2012-4-2
rmb75/2G(WAG)
rmb66/16G
rmb60/16G
收的8G
其他
TLC= Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命；
QLC= Quad Level Cell，即4bit/cell。
本表只总结正片
SLC
MLC
TLC
QLC
SLC、MLC、TLC、QLC芯片的区别与使用寿命
SLC= Single-Level Cell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命；
MLC= Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，约3000-10000次擦写寿命；
不总结黑片
5Xnm
3Xnm
2Xnm
5Xnm
3Xnm
2Xnm
工业级
5Xnm
3Xnm2Xnm写寿命源自次10万10万
1万
5千
3千
3万
2.5千
1.2千
750
133
读寿命
次
无限
无限
无限
写速度
M/S
25
15
8
4
1.5

SLC、MLC和TLC三者的区别及网友的讨论

SLC、MLC和TLC三者的区别及网友的讨论内容提要SLC、MLC和TLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。

2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。

如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。

TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。

2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。

FLASH芯片种类与区别

FLASH芯片种类与区别1. NOR FlashNOR Flash是一种并行存储器，其结构类似于传统的ROM。

它具有快速读取速度和高可靠性，适合于存储大量的程序代码和数据。

NOR Flash可以被直接访问，支持随机读取和编程操作。

但是，NOR Flash的写入速度较慢且价格较高，逐渐被NAND Flash所替代。

2. NAND FlashNAND Flash是一种序列存储器，其结构是按行（Page）和块（Block）组织的。

NAND Flash拥有高密度、低成本和快速写入速度的特点，广泛应用于存储容量较大的数据。

它主要用于存储媒体文件、大型应用程序和操作系统。

然而，相比NOR Flash，NAND Flash的读取速度较慢且对于随机读取操作性能较差。

3. SLC FlashSLC（Single Level Cell）Flash是一种基于单元内只存储一个数据位的闪存技术。

它具有较长的寿命、较高的耐用性和较低的读取和写入延迟。

SLC Flash的价格相对较高，但在一些对可靠性和性能要求较高的应用中得到广泛使用，如军事设备、嵌入式系统等。

4. MLC FlashMLC（Multi Level Cell）Flash是一种基于单元内存储多个数据位的闪存技术。

它将SLC Flash的寿命和性能进行了牺牲，以更高的存储密度为代价获得更低的操作成本。

MLC Flash相对于SLC Flash来说容易出现位翻转和写入耗损等问题，但在普通电子设备中广泛应用，如智能手机、平板电脑等。

5. TLC FlashTLC（Triple Level Cell）Flash是一种比MLC Flash更高密度的闪存技术，它能够存储更多的数据位于单个存储单元内。

TLC Flash的存储密度非常高，价格更低，但在性能和寿命方面受到更大的限制。

由于TLC Flash存储单元内的电荷水平更复杂，因此更容易发生数据的位移和错误。

6. 3D V-NAND Flash3D V-NAND Flash是一种新型闪存技术，它采用垂直堆积的结构，通过将存储单元堆叠在一起来提高存储密度。

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储设备，被广泛应用于各种数字设备中，如手机、相机、固态硬盘等。

它具有高速读写、低功耗、抗震抗摔等优点，成为了存储领域的重要组成部分。

本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。

1. 存储单元Flash存储芯片的基本单元是存储单元，也称为存储单元或存储单元。

每个存储单元可以存储一个或多个二进制位的数据。

常见的存储单元有SLC（Single-Level Cell）和MLC（Multi-Level Cell）两种类型。

SLC存储单元每个单元只能存储一个二进制位的数据，而MLC存储单元则可以存储多个二进制位的数据，这使得MLC存储单元的存储密度更高，但其读写速度和寿命相对较低。

2. 位线和字线Flash存储芯片中的存储单元通过位线和字线进行读写操作。

位线是连接存储单元的线路，用于传输数据。

字线是用于选择存储单元的线路。

通过控制位线和字线的电压，可以实现对存储单元的读取和写入操作。

3. 读取操作在读取数据时，首先需要选择要读取的存储单元，这通过控制字线来实现。

当选择了存储单元后，通过控制位线的电压，将存储单元中的数据读取到位线上。

读取的数据经过放大和解码处理后，传递给外部设备。

4. 写入操作在写入数据时，首先需要选择要写入的存储单元，这通过控制字线来实现。

当选择了存储单元后，通过控制位线的电压，将要写入的数据写入到存储单元中。

写入操作是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。

对于SLC存储单元，只需要改变一个二进制位的电荷状态即可；而对于MLC存储单元，需要改变多个二进制位的电荷状态。

5. 擦除操作Flash存储芯片的存储单元是有限的，当需要将存储单元中的数据清除时，就需要进行擦除操作。

擦除操作是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。

对于SLC存储单元，只需要将电荷状态改变为初始状态即可；而对于MLC存储单元，需要将多个二进制位的电荷状态都改变为初始状态。

flash memory分类以及使用方法。

Flash Memory分类及使用方法一、引言在数字化时代，我们所使用的各种电子设备中，都离不开存储设备，其中一种常见的存储设备就是Flash Memory。

Flash Memory因其高速读写、便携性和高存储密度而备受青睐，广泛应用于闪存卡、固态硬盘、移动设备等领域。

本文将对Flash Memory进行全面评估，并探讨其分类和使用方法，以便读者能全面、深刻、灵活地理解这一主题。

二、Flash Memory分类1. 按照存储介质分类Flash Memory根据其存储介质不同可分为两类：NAND Flash和NOR Flash。

NAND Flash主要用于大容量数据存储，如固态硬盘；而NOR Flash则用于小容量数据存储，如闪存卡。

2. 按照接口分类根据接口的不同，Flash Memory可分为SATA接口、PCIe接口和USB接口。

其中，SATA接口适用于固态硬盘，PCIe接口适用于高性能存储设备，USB接口适用于便携性较强的闪存盘和移动设备。

3. 按照存储类型分类根据存储类型的不同，Flash Memory可分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）。

SLC 存储密度低，但读写速度快，寿命长；MLC存储密度中等，价格适中；TLC存储密度高，价格低廉，但寿命相对较短。

三、Flash Memory的使用方法1. 选择适合的存储介质根据实际需求，选择NAND Flash或NOR Flash，以满足不同的存储需求。

2. 根据设备接口选择Flash Memory在选购Flash Memory时，要根据设备的接口来选购，确保Flash Memory能够与设备兼容并发挥最佳性能。

3. 注意数据传输速度和读写次数在使用过程中，要注意Flash Memory的数据传输速度和读写次数，避免因频繁读写导致存储器老化。

4. 合理使用存储空间在使用Flash Memory时，要合理利用存储空间，避免存储碎片和浪费存储资源。

存储芯片猫腻多：原片,白片,黑片都是什么

存储芯片猫腻多：原片，白片，黑片都是什么硬盘，拿来存储数据，存储单元绝对是核心元件。

在固态硬盘内部，NAND即闪存颗粒是一种非易失性存储器，即断电后仍能保存数据，被大范围运用。

它几乎占据了整个SSD制造成本的70%以上。

先梳理一下SLC、MLC及TLC三种闪存差异：根据闪存颗粒中单元存储密度的差异，闪存又分为SLC、MLC及TLC三种类型，SLC单层式存储，存储密度最低、写入数据时电压变化区间小，寿命最长，稳定性最好，多数应用高端企业级产品。

MLC闪存，多层式存储，双层存储电子结构，存储密度高于SLC，寿命在3000-5000次，应用民用中高端SSD上。

而TLC 闪存，也是目前最流行闪存芯片，存储密度是MLC的1.5倍，成本最低，使用寿命也最短，在1000-1500次，稳定性也是三者中最差的。

MLC与TLC差价可以理解，那么同是MLC或TLC 差价那么大？现在电商平台上，SSD的售价差异很大，比如同MLC与TLC，差价200-300元，很大部分是闪存决定的售价。

但是不同品牌之间的MLC SSD或者是TLC SSD，售价也有差异，当然除了品牌溢价、售后服务质量等方面外，里面的闪存也是有“猫腻”。

这，还要从一片完整的晶圆说起……上图为Intel的25nm NAND Wafer。

名词解释：wafer 即为图片所示的晶圆，由纯矽（Si）构成。

一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基於这个wafer上生产出来的。

Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。

那晶圆是怎么切割成晶片的呢？一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。

那麼，在wafer上剩余的，要不就是不稳定，要不就是部分损坏所以不足容量，要不就是完全损坏。

原厂考虑到质量保证，会将这种die宣布死亡，严格定义为废品全部报废处理。

SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史

SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。

即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。

Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U 盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。

Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。

SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。

而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。

而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。

SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。

然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价格比SLC低很多的原因。

通常情况下相同容量的MLC 和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。

2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。

SLC闪存：即单层式储存(Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及东芝都是此技术使用者MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；MBC）。

MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2bits的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。

FLASH芯片种类与区别

Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。

IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。

有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。

SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。

NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。

常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPI NorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WS ON8，US0N8，QFN8、BGA24等。

slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒哪个好？有什么区别？

slc、mlc、tlc闪存芯⽚颗粒哪个好？有什么区别？在选购U盘、SSD固态硬盘甚⾄是智能⼿机中，我们经常会提及SLC、MLC、TLC三种闪存芯⽚，不同闪存芯⽚的产品，在读取速度、寿命、价格上有所不同。

那么slc、mlc、tlc闪存芯⽚颗粒哪个好?有什么区别？下⾯⼩编为⼤家通俗易懂的介绍下。

在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯⽚颗粒是核⼼，其关乎产品成本、寿命以及速度。

闪存芯⽚颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下。

slc、mlc、tlc闪存芯⽚颗粒区别介绍SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度⼀般寿命⼀般，价格⼀般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash⼚家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

MLC和TLC特性⽐较结论：SLC > MLC > TLC⽬前⼤多数U盘都是采⽤TCL芯⽚颗粒，其优点是价格便宜，不过速度⼀般，寿命相对较短。

⽽SSD固态硬盘中，⽬前MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，⽽低价SSD固态硬盘普遍采⽤的是TCL芯⽚颗粒，⼤家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，如下图所⽰。

SLC颗粒固态⽬前主要在⼀些⾼端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚⾄更贵。

智能⼿机⽅⾯，⽬前多数智能⼿机存储也是采⽤TCL芯⽚存储，⽽苹果iPhone6部分产品采⽤的TCL芯⽚，另外还有部分采⽤的是MCL芯⽚颗粒，感兴趣的朋友，可以阅读下【】。

总的来说，MCL闪存芯⽚颗粒是时下主流，产品在速度、寿命以及价格上适中，⽐较适合推荐。

以上就是关于slc、mlc、tlc闪存芯⽚颗粒的区别介绍，现在⼤家是不是有所了解了，希望这篇⽂章对⼤家有所帮助，谢谢阅读！。

小源科普SLC、MLC、TLC、QLC究竟是什么意思？固态硬盘颗粒介绍

小源科普SLC、MLC、TLC、QLC究竟是什么意思？固态硬盘颗粒介绍更新时间：2021-07-30我们都知道固态硬盘的数据是储存在NAND闪存中的，我们的资料、媒体、程序等等均以二进制的0和1储存在NAND闪存中。

我们再微观一点去看每一个Cell是如何储存数据的。

在SLC中（Single Level Cell）中，一个Cell可以有两个电位，即每个电位都可以表达0或者1，即1bit信息。

而在MLC（Multi Level Cell）中单个Cell则可以储存更多的数据，即00、01、10、11四种，即2bit信息。

而在TLC（Triple Level Cell）中则可以储存3bit信息，以此类推QLC （Quadruple Level Cell）则是单个Cell可以储存4Bit的信息。

而随着晶体管制造工艺的提升PLC在某个时间节点也一定会到来。

从SLC到目前普及开来的TLC，单个Cell储存密度的提升带来一个显而易见的好处，就是固态价格大幅下降，准确点说是每G价格的大幅下降。

在2013年的时候，一块120G的固态硬盘往往就需要600-700元的价格。

那个时候大家还只是将系统和一些必要软件装在固态里面，像把大型单机装在固态里面还属于“土豪”行为，而今一块1TB的固态也仅仅需要不到700元。

相信大家日常使用中，固态会全方位得到应用，机械硬盘反而将成为了比较少见的硬件。

但是随着密度的逐步提升，寿命也成为了大家非常关心的问题。

了解固态的朋友应该都知道，NAND芯片是存在理论寿命的。

以SLC 颗粒为例，它的擦除（P/E）寿命大概是1万-10万次全盘，而MLC则是3000-5000次。

TLC则下降到了1000-3000次。

但是大家需要了解的一点是，在日常使用中，大多是读取的操作，比如我安装了一个游戏，然后我在玩游戏的过程中实际上是读取硬盘中的游戏，而这个过程对寿命几乎没有影响！而且现在主控都有自己的均衡策略，即保障硬盘所有的NAND芯片使用雨露均沾，避免某一个NAND芯片提前损坏！在算法的加持下，其实正常使用固态的寿命是根本用不完的！另外随着工艺的提升，或许未来密度大寿命低的问题也将持续得到改进。

NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别

NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别SLC和MLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。

SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。

它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MCL的数据密度要比SLC大一倍。

MLC的优势密度要大，成本上来说，MLC也具有很大的优势。

据了解，不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程，今年8月，三星正式从SLC转向MLC，今年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。

目前三星采用的芯片编号为K9G****** K9L*****的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU**** HYUV***芯片也是MLC芯片。

不过尽管MLC有其自身的优势，但是也掩饰不了其缺点。

1、读写效能较差相比SLC闪存，MLC的读写效能要差，SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。

2、读写速度较慢在相同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大约只有2M左右。

3、能耗较高在相同使用条件下，MLC能耗比SLC高，要多15％左右的电流消耗。

这些原因，很大程度上是取决于MLC制式改变，需要新的控制芯片支持，而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计，MLC就会带来各种问题，包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。

今年大批量SD卡被招回的风波，就是因为转用MLC 芯片，没有新的主控芯片支持惹的祸，造成了很大的影响。

随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。

读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。

SLC和MLC区别总结

SLC和MLC区别总结什么是通常所说的SLC与MLCMLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floa ti ng Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2 bits 的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits 的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。

另外这里要提及的是3星还有3值存储的MLC（3-Level MLC NAND Flash Memory ）读写速度上有很大提高。

同理可知，所谓SLC就是每一个存储单元只存储1bit的信息。

即浮动中，只区分“有”或“无”电子两种状态。

这里提及一点，很多专业人员认为SLC并非一个规范的名称，因为，SLC与MLC的对应，Single Level Cell 对应于Multi Level Cell，而很显然的，SLC并非single level，而是2-level，所以也有人称binary flash的。

（也许应该缩写为BLC？）SLC与MLC的比较从上面可以看出，MLC并非单纯的在浮动栅中储存电荷，而是要精确控制储存电荷的多少，这就不可避免的造成了误码率高于SLC，相应的读写机构也更复杂，于是限制了读写速度。

增加了耗电量（相同生产工艺下）同样的，买一个存储单元都会经历老化失效的过程，MLC 的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分辨出来，这就造成了在同样的老化程度下，SLC的单元可以“坚持”工作，而MLC的存储单元则会出现错误。

SLC与MLC相比下的优势，以及缺点的克服，就是很多资料归结出来的3点：1．擦写寿命问题。

SLC每个单元承受擦写次数是MLC单元的10倍2．传输速度问题。

固态硬盘闪存大揭秘：白片、黑片、划线片、拆机片

固态硬盘闪存大揭秘：白片、黑片、划线片、拆机片我们在选择SSD的时候，最为关注的除了SSD主控，便是SSD 的闪存了。

SSD的闪存类型和闪存芯片级别是SSD性能的根本。

SSD的闪存类型，市场上主流的无非四种：TLC、3D TLC、MLC、3D MLC（按照闪存性能从低到高排列）。

准确的说是三种，据我所知采用3D MLC NAND的，目前市面上好像只有阿斯加特AN Series M.2 SSD 256G这一款。

据说是因为全球首发，打开销量才这样不惜血本。

SSD闪存类型没什么好说。

我们今天要讲的是，SSD闪存的芯片级别。

闪存的芯片级别分为：正片：正片闪存通过了全部产品测试，然后激光打标了产品信息。

白片：白片是在测试时部分测试未通过的闪存芯片。

这些闪存芯片再经过一些测试后，如果不影响使用，就打标并和正片一样流向市场。

由于全球晶圆紧缺，闪存价格飞涨，正片供不应求。

正片做SSD 成本高昂，而且还没货。

因此市面上主流的SSD基本上都是使用的白片闪存。

白片闪存相对正片在价格上有优势，做成SSD同样有价格优势。

在性能上，好的白片性能与正片相差无几。

白片SSD可以说是物美价廉。

既然市面上白片很普遍。

那怎样去识别白片呢？我们拿镁光的白片来说。

镁光白片，网友称之为大S或者小S。

不是徐熙媛，也不是徐熙娣，是SpecTek。

SpecTek是镁光旗下的一个子公司。

镁光的白片就是交给它来进行各种测试，在测试完毕后上市的。

测试完以后SpecT ek会给白片闪存一个物料编号。

下面是SpecTek的物料编码规则。

对于这个编码规则，大家不用了解太多。

我们稍微讲一些重点问题。

镁光的SpecTek闪存芯片，物料编码前两位只能是FN/FT/FB/FX，如果不是，可能你就遇到黑片了。

由于上面说到，镁光的白片几乎都经过SpecTek才出货的，所以我们通过识别闪存物料号的前两位，也基本上能够识别出镁光的白片和黑片了。

镁光的SpecTek闪存芯片第4位是显示闪存的类型。