DSON-10封装ESD静电二极管产品型号
优恩半导体ESD静电保护器目录表
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
ESD保护器件特性及应用
ESD 保护器件特性及应用
概述
ESD 脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。
NXP 提供
一个新系列的ESD 保护二极管, 非常适用于对抗ESD 及其他电压突变脉冲。
这些器件最多可以保护18 个数据通道，最大可抵抗30kV 的尖峰脉冲. 其引
脚容抗仅为10pF，非常适合保护高速或高频（可达200MHz 以上）数据线，
由于他们的小体积及非常小的漏电流，他们非常适用于一些对空间及功耗要
求严格的场合，如电池供电及手持设备。
PSED3V3L2UM 及PESD5V0L2UM 为市场中最先推出的无引脚封装的ESD 保护器件, 超小的SOT883 封装, 支持15kV 的保护级别, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm 体积使其支持更高的保护级别, 体积相比SOT23 缩小了90%.。
DIODES 齐纳二极管常用型号
AZ23C13 AZ23C15 AZ23C16 AZ23C18 AZ23C18W AZ23C20 AZ23C22 AZ23C24 AZ23C27 AZ23C2V7 AZ23C30 AZ23C33 AZ23C36 AZ23C39 AZ23C3V0 AZ23C3V3 AZ23C3V6 AZ23C3V9 AZ23C43 AZ23C47 AZ23C4V3 AZ23C4V7 AZ23C51 AZ23C5V1 AZ23C5V6 AZ23C5V6W AZ23C6V2 AZ23C6V8 AZ23C6V8W AZ23C7V5 AZ23C8V2 AZ23C9V1 BZT52B15LP BZT52C10 BZT52C10LP BZT52C10S BZT52C10T BZT52C10TQ BZT52C11 BZT52C11LP BZT52C11S BZT52C11T BZT52C11TQ BZT52C12 BZT52C12LP BZT52C12S BZT52C12T BZT52C12TQ BZT52C13 BZT52C13LP BZT52C13LPQ BZT52C13S BZT52C13T BZT52C13TQ BZT52C15 BZT52C15LP BZT52C15LPQ BZT52C15S BZT52C15T
深圳市捷比信实业有限公司将DIODES美台齐纳二极管产品型号整理如下： 1SMB5913B 1SMB5914B 1SMB5915B 1SMB5916B 1SMB5917B 1SMB5920B 1SMB5921B 1SMB5922B 1SMB5923B 1SMB5924B 1SMB5925B 1SMB5926B 1SMB5927B 1SMB5928B 1SMB5929B 1SMB5930B 1SMB5931B 1SMB5932B 1SMB5933B 1SMB5934B 1SMB5935B 1SMB5936B 1SMB5937B 1SMB5938B 1SMB5939B 1SMB5940B 1SMB5941B 1SMB5942B 1SMB5943B 1SMB5944B 1SMB5945B 1SMB5946B 1SMB5947B 1SMB5948B 1SMB5949B 1SMB5950B 1SMB5951B 1SMB5952B 1SMB5953B 1SMB5954B 1SMB5955B 1SMB5956B AZ23C10 AZ23C10W AZ23C11 AZ23C12
防静电ESDTVS二极管的关键参数详解
用于电子电路保护的元件较多，先和大家分享一下瞬变电压抑制器（TVS）的关键参数：TVS二极管以其卓越的钳位功能、极低的击穿电压，极小的封装，电气特性在生命周期内比较稳定而得到越来越广泛的应用。
它最显著的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于低电压回路环境。
另外对TVS二极管设计的改进使其具有更低的漏电流和结电容，因而在处理高速率传导回路的静电冲击时有更理想的性能表现。
最小击穿电压VBR：VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。
当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。
按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5%和10%两种。
额定反向关断电压VWM： VWM这是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。
最大箝位电压VC：当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。
电容量：电容量是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。
大小与TVS的电流承受能力成正比，太大将使信号衰减。
因此，结电容是数据接口电路选用TVS的重要参数。
注：TVS二极管的选型最大箝位电压VC要小于电路允许的最大安全电压。
截止电压VRWM大于电路的最大工作电压，一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的最大工作电压。
额定的最大脉冲功率（TVS参数中给出） PM要大于最大瞬态浪涌功率。
-------浪拓电子技术防雷保护事业部FAE供稿。
Amazing晶焱代理 ESD TVS静电抑制器 电路保护管 详细参数选型
SOD-323
AZ1603-02S Bi-direction
SOT23-6L
AZ1605-01L Bi-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD and Surge
SOD-323
AZ1613-01L Bi-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD and Surge
AZ1065-06F Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O DFN4120P10E
AZ1065-06Q Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O MSOP-8L
AZ1045-04SU Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O SOT23-6L
AZ1045-08F Uni-direction Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed Data DFN3810P9E
SOD-523
AZ2015-02S Uni-direction
Transient Voltage Suppressing Array For ESD/Transient
SOT23-3L
AZ2015-05R Uni-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD/Transient
ESD8101防静电ESD二极管厂家DCY品牌推荐
2
C (pF)
TYPICAL CHARACTERISTICS
ESD8101, ESD8111
1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
0 −3.5 −2.5 −1.5 −0.5 0.5 1.5 2.5 3.5
VBIAS (V) Figure 1. ESD8101 CV Characteristics
10,000 / Tape & Reel
ESD8111FCT5G
WLCSP2 (Pb−Free)
10,000 / Tape & Reel
ESD8111PFCT5G
WLCSP2 Side wall Isolated 0201 (Pb−Free)
10,000 / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.
20
10
18
16
8
14
12
6
10
8
4
6
4
2
2
0
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
VC, VOLTAGE (V)
Figure 7. ESD8101 Positive TLP I−V Curve
VIEC, EQUIVALENT (kV)
TLP CURRENT (A)
esd二极管符号
esd二极管符号（原创版）目录1.ESD 二极管的概述2.ESD 二极管的符号表示3.ESD 二极管的应用领域4.ESD 二极管的优点与局限性正文【1.ESD 二极管的概述】ESD 二极管（Electrostatic Discharge Diode），即静电放电二极管，是一种用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害的半导体元件。
静电放电是指在接触或接近过程中，由于电荷积累或电荷转移而产生的高电压放电现象。
ESD 二极管能够在瞬间承受高电压，并将其分散到地面，从而保护电子设备免受损坏。
【2.ESD 二极管的符号表示】ESD 二极管的符号表示通常为一个带有箭头的圆形，箭头表示二极管的正极。
在电路图中，ESD 二极管通常用一个带有箭头的斜线表示。
箭头方向表示电流的流动方向，即从正极流向负极。
【3.ESD 二极管的应用领域】ESD 二极管广泛应用于各种电子设备中，如计算机、通信设备、家电产品等。
主要应用于以下领域：（1）防静电保护：ESD 二极管用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害。
（2）电路保护：ESD 二极管可用于保护电路免受过电压、过电流等异常电压的损害。
（3）电源保护：ESD 二极管可用于保护电源设备免受静电放电或雷击等突发电压的损害。
（4）信号传输：ESD 二极管可用于保护高速信号传输线免受静电放电干扰。
【4.ESD 二极管的优点与局限性】优点：（1）高速响应：ESD 二极管能够在纳秒级时间内响应并分担静电放电的电压。
（2）高能承受能力：ESD 二极管能够承受高达数十至数百焦耳的能量。
（3）低动态阻抗：ESD 二极管在分担电压时，其阻抗较小，有利于电流的分流。
局限性：（1）仅能承受单向电压：ESD 二极管只能在一个方向上承受高电压，对于反向电压无保护作用。
（2）容易老化：ESD 二极管在多次承受高电压后，性能会逐渐降低，甚至失效。
esd二极管符号
esd二极管符号
摘要：
1.简介
2.esd 二极管的定义和作用
3.esd 二极管的符号表示
4.esd 二极管在电路中的应用
5.esd 二极管的特性与参数
6.总结
正文：
1.简介
esd 二极管，即静电放电二极管，是一种用于保护电子设备防止静电放电损害的元件。
它具有响应速度快、吸收能量高等特点，广泛应用于各种电子设备中。
2.esd 二极管的定义和作用
esd 二极管，也叫静电放电保护元件，是一种半导体材料制成的元件。
当设备受到静电放电时，它能迅速导通，将静电释放掉，从而保护设备免受损害。
3.esd 二极管的符号表示
在电路图中，esd 二极管通常用一个带有箭头的直线表示，箭头指向保护的方向。
在符号上方或下方可能还会标注其电压和电流参数。
4.esd 二极管在电路中的应用
esd 二极管广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、通信设备等，用以保护设备免受静电放电的损害。
5.esd 二极管的特性与参数
esd 二极管的主要特性有响应速度、箝位电压、漏电流等。
其中，响应速度是指二极管从导通到截止的时间，通常以纳秒（ns）为单位。
箝位电压是指二极管导通时的电压，漏电流是指二极管未导通时的电流。
6.总结
esd 二极管是电子设备中不可或缺的元件，它能有效保护设备免受静电放电的损害。