14nm、10nm、7nm工艺竞争白热化,谁领先谁落后？

14nm、10nm、7nm 工艺竞争白热化，谁领先
谁落后？
最近，IBM 公布了其在7nm 制程上取得的重大进展，这篇文章将梳理一下
在14nm、10nm 和7nm 节点上，各个主要厂商的进展，以及先进工艺对这些厂商究竟意味着什么。

14nm 多年以来，在纯逻辑制程方面，英特尔都可以理直气壮地声称其工艺领
先所有竞争对手。

2007 年英特尔在45nm 节点导入HKMG 工艺（High-K 绝缘
层+金属栅极），直到2010 年左右，HKMG 才在整个半导体业界普及。

2011 年
英特尔在22nm 节点引入FinFET 工艺，直到2014 年大部分竞争对手才实现了FinFET 工艺。

从22nm 推进到14nm，英特尔理应比其他厂商更顺利一些，因为英特尔只需要缩小工艺尺寸，而其他厂商既要导入FinFET 工艺，又要缩减尺寸，但是英特尔在14nm 上却栽了大跟头。

英特尔在2007、2009 和2011 年分别进入45nm、32nm 和22nm 工艺节点，14nm 工艺按计划应该在2013 年推出，但是英特尔直到2014 年才推出14nm 工艺，比计划晚了好几个季度。

三星则跳过了20nm，在2014 年底直接进入14nm 工艺，只比英特尔晚了一点点。

三星最早的14nm 工艺被称为14LPE，在14LPE 之后，三星将推出提升性
能的14LPP 工艺。

三星也将14nm 工艺授权给GlobalFoundries，从而使IC 设计公司有更多的14nm 工艺选择。

台积电对抗14nm 工艺的制程被其称为16FF，这种16nm FinFET 工艺在2014 年末引入，2015 年量产。

2015 年下半年台积电还将量产一款提高性能的16FF+。