一种高功率发光二极管结构[实用新型专利]

专利名称：一种高功率发光二极管结构专利类型：实用新型专利
发明人：林俊诚,张汉锜,许胜佳,黄彦翔申请号：CN200720126544.8
申请日：20070813
公开号：CN201112407Y
公开日：
20080910
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型是有关于一种高功率发光二极管结构，其包含发光晶粒、主体、两第一电极引脚、第二电极引脚、以及至少一散热片。

其中主体中央具有一凹坑，而发光晶粒是设置于凹坑中。

此外，两第一电极引脚则连接于主体的一侧，并与发光晶粒电性连接。

至于两第二电极引脚则相对于第一电极引脚，以一预设距离设置于主体的另一侧。

此外，两第二电极引脚是分别与两第一电极引脚两两相对，并且亦与发光晶粒电性连接。

而散热片则连接于第一电极引脚与第二电极引脚间的主体处。

本实用新型可大幅提高高功率发光二极管于运作时的散热效果，使发光晶粒得以维持较低的温度，进而延长提升产品的使用寿命。

申请人：亿光电子工业股份有限公司
地址：中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号
国籍：CN
代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司
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