稀磁半导体论文：Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》范文
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言随着科技的飞速发展，稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质在电子器件、光电技术等领域展现出了广泛的应用前景。
在众多稀磁半导体材料中，3D过渡金属掺杂的In2O3材料因其具有优良的导电性、光学性质和磁学性能而备受关注。
本文将重点介绍3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备方法、材料性能及其应用前景。
二、制备方法1. 材料选择与准备制备3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料，首先需要选择合适的原材料。
本实验选用高纯度的In2O3粉末和不同种类的过渡金属氧化物作为掺杂剂。
2. 制备过程（1）将选定的过渡金属氧化物按照一定比例与In2O3粉末混合，充分研磨以确保掺杂均匀。
（2）将混合粉末置于高温炉中，在氧气气氛下进行烧结，以促进原子间的扩散和反应。
（3）烧结完成后，对样品进行研磨、退火等后处理，以提高材料的结晶度和纯度。
三、材料性能研究1. 结构表征通过X射线衍射（XRD）技术对制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料进行结构表征，确定材料的晶体结构和晶格参数。
2. 光学性能利用紫外-可见光谱技术分析材料的光学性能，包括光吸收、光反射等特性。
同时，通过光致发光光谱研究材料的光学带隙和发光性能。
3. 磁学性能通过磁性测量技术，如超导量子干涉仪（SQUID）等设备，研究材料的磁学性能，包括饱和磁化强度、磁导率等参数。
四、应用前景1. 电子器件领域由于3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料具有优良的导电性和磁学性能，可应用于制备高性能的电子器件，如场效应晶体管、自旋电子器件等。
2. 光电技术领域该材料具有优异的光学性能，可应用于光催化、光电器件等领域，如光解水制氢、光电传感器等。
五、结论本文成功制备了3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料，并对其结构、光学和磁学性能进行了深入研究。
实验结果表明，该材料具有优良的导电性、光学性能和磁学性能，在电子器件、光电技术等领域具有广泛的应用前景。
In2O3薄膜／锡掺杂玻璃光波导元件及其气敏性研究
生变化 。而 薄膜 光波 导对导 波 层表面 的折 射率 变化非 常 敏感 。所 以 ，在具 有 气敏性 半 导体 金属氧 化物 中 筛选 出高折射率 的材料 ，就 能够 设计并 研究 出新 型高 灵敏度（ 纳米 ） 膜光波 导敏 感元 件 薄
。
本文利 用溶 胶・ 胶法 （ ｌ ｅ 制 备 Ｉ２ 纳 米薄膜 做敏 感层 利 用光 波导 传感 器技 术检 测 了挥发性 有机 凝 ｓ— １ ｏｇ ） ｎ０３
胶 法制备 了 Ｉ２ ３ ｎ０ 粉末并用 ｘ一 衍射对样品进行表 征。采用提拉 法在锡掺杂玻璃光波导表 面制备 ｌ２ ｎ０ 薄膜 ，研制 了 Ｉ２ ３ ｎ０ 薄膜／ 杂玻璃 光波导传感元件 ，并对挥 发性有机 蒸汽进行检测 。实验结果表 明该元件对二 甲苯具有较 锡掺
好 的气 敏 性 ， 在 常 ， ｉ０ 感 元 件 对 于浓度 为 １ １ 体 积 分 数 ） 二 甲苯 蒸 汽有 比较 明显 响 应 。 ｇＴ ￥ ￣ ×０（ 的
传播 。通过 在玻 璃载玻 片表 面掺入锡 离－ Ｓ 和 ｓ ４ ，可以形 成折射 率 ｆ１ ３） 高于基 板的锡 掺杂 ￣（ｎ ｎ＋ ） ＝ ． ０略 ：５ 导波 层¨ 。当一束单 色光 从覆盖 层入射 到 覆盖层一 导波 层交界 面时 ， 射 角 ０不 同 ，光在平 面光 波导 中的传 入
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与上述 相 同方法所得 到 的氧化铟 粉末 通过 ｘ 射线衍 射进 行表 征 ，结 果如 图 １ － 所示 ，其 ＸＲ 图形 符合 Ｄ ＪＰ Ｃ ＤＳ标 准卡 ６４ ６ ０ １，表 明所 得到 的粉体 为具 有 纯的 多晶态 方铁锰 型结构 的 Ｉ２ ３ 料 。 ｎＯ 材
Fe掺杂In2O3薄膜的微结构与磁、输运性能
第 ３期
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２１ ０ ２年 ６月
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Ｉ ， 稀磁 半 导 体 的 磁性 起 源 和实 现 室 温 铁 磁 性 ｎＯ 基 具有 重要 的意 义．
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图 １ 未掺杂和 ５ ８ ｔ Ｆ 掺杂 Ｉ２ 薄膜在室温下的 ． ａ％ ｅ ｎ０３
ｘ 射 线 衍 射 图 ， 图 为 （２ ） 射 峰 的放 大 图 插 ２２ 衍
半 径约 为 ０ ０ ０ｎ 而 Ｆ 半 径 为 ０ ０ ８ ａ Ｆ ． ８ ｍ， ｅ ． ７ ｍ， ｅ 半 径为 ０ ０ ４ ｎ 这 表 明 Ｆ ．６ ｍ， ｅ离 子 以 替 位 形 式 掺 入
稀磁半导体的室温铁磁性研究进展
稀磁半导体的室温铁磁性研究进展摘要:由于具有室温铁磁性和在与电子自旋相关的电子器件上的潜在应用,稀磁半导体氧化物的研究引起了人们的高度关注。
实验上已经成功地制备了一系列具有室温铁磁性的氧化物稀磁半导体,其磁性特别是居里温度和磁性离子的磁矩与实验条件、制备方法、衬底选择等有密切的关系。
随着实验上稀磁半导体的制备成功,人们对其磁性机制也进行了大量的理论(计算)研究,然而至今也没有得出统一的结论。
稀磁半导体的铁磁性机制还需要大量的理论研究和实验论证,一旦投入应用,必将引发微电子革命,创造未来更加绚丽多彩的数字新生活。
1引入当前和未来是信息时代,今后对信息的处理、传输和存储的速度和规模的要求越来越高。
在信息处理和传输中扮演着重要角色是以半导体材料为支撑的大规模集成电路和高频率器件,在这些技术中它们都极大地利用了电子的电荷属性;而信息技术中另一个不可缺少的方面——信息存储(如磁带、光盘、硬盘等)则是由磁性材料来完成的,它们极大地利用了电子的自旋属性。
然而人们对于电子电荷与自旋属性的研究和应用是平行发展的,彼此之间相互独立。
这是因为在传统的电子线路中电子是自旋简并的,自旋向上和自旋向下的电流是相等的,因而无法把电子的电荷和自旋属性区分开来并加以利用。
在一些铁磁性物质中,交换劈裂使得费米面处自旋向上和自旋向下的电子态密度不相等,导致两种自旋电流的大小不等而出现总的自旋极化电流。
操纵和利用这种自旋电流的设想开辟了物理学研究的新领域:自旋电子学(Spintronics)。
它是研究自旋极化电子的输运特性(包括自旋极化、自旋相关散射与自旋驰豫)以及基于这些独特性质来设计、开发新型电子器件的一门新兴的交叉学科。
由于自旋电子学同时利用了电子的电荷和自旋属性,这无疑将会给未来的信息技术带来巨大的变革。
与传统的半导体器件相比,自旋电子器件具有速度快、体积小、能耗低、非易失性、功能强等优点。
常见的半导体材料具有带隙却不具有自旋劈裂和磁性,而常见的磁性材料有自旋劈裂和磁性却不具有半导体的带隙。
Sn、Cr掺杂In2O3薄膜的制备及光敏性质研究的开题报告
Sn、Cr掺杂In2O3薄膜的制备及光敏性质研究的开题报告一、研究背景无机半导体氧化物材料由于其优异的光电性能和化学稳定性，在光电器件、电化学传感器、环境检测等领域都有广泛应用。
其中，掺杂是提高氧化物材料性能、调控其能带结构、改善其电学、光学等性能的有效手段之一。
Sn、Cr是常用的掺杂元素，它们分别可以引入n型、p型杂质能级，改变半导体材料的导电性质。
同时，In2O3是一种优良的n型氧化物半导体材料，具有高导电率、宽带隙、透明度高等特点，因此被广泛应用于太阳能电池、光电探测器等器件中。
本研究将制备Sn、Cr掺杂In2O3薄膜，并研究其光敏性质，旨在探究掺杂对In2O3材料光电性能的影响，为其在器件制备中的应用提供理论基础。
二、研究内容1. 制备Sn、Cr掺杂In2O3薄膜：采用化学气相沉积法（CVD）在玻璃衬底上制备Sn、Cr掺杂In2O3薄膜，掺杂浓度分别为1%、3%、5%。
2. 表征薄膜结构和组成：采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线荧光光谱（XRF）等技术对薄膜的结构和组成进行分析。
3. 测试薄膜光学性能：采用透射率和反射率测试仪测试薄膜的透过率和反射率，得到薄膜的透明性能和光学带隙。
4. 测试薄膜电学性能：采用四探针电阻测试仪测试薄膜的电阻率和载流子浓度，进一步分析薄膜的导电性质。
5. 测试薄膜光敏性能：采用光电流测试仪测试薄膜的光敏性能，探究不同掺杂浓度对其光敏性能的影响。
三、研究意义本研究将制备Sn、Cr掺杂In2O3薄膜，并研究其光敏性质，为探究掺杂对In2O3材料光电性能的影响提供理论基础。
同时，通过对薄膜的光学性质、电学性质、光敏性质的研究，为其在光电器件、太阳能电池、光电探测器等领域的应用提供支持。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》范文
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言稀磁半导体材料作为当前科技研究的热点领域，其独特的磁学和电学性质在自旋电子学、量子计算等领域具有广泛的应用前景。
其中，3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料因其优异的性能和潜在的应用价值，受到了科研人员的广泛关注。
本文旨在探讨此类材料的制备工艺及其相关性质研究。
二、材料制备制备3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的关键在于选择合适的掺杂元素和制备工艺。
目前，常用的制备方法包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、溅射法等。
本文采用溶胶-凝胶法进行制备。
1. 实验材料准备：选取适量的In(NO3)3·xH2O、掺杂元素的前驱体溶液（如Fe(NO3)3等）、乙二胺四乙酸（EDTA）等作为原料。
2. 溶胶-凝胶过程：将原料按一定比例混合，在一定的温度和pH值条件下进行水解、缩聚反应，形成凝胶。
3. 干燥与烧结：将凝胶在干燥箱中干燥，然后在高温下进行烧结，得到所需材料。
三、材料性质研究对于制备得到的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料，我们主要从以下几个方面进行性质研究：1. 结构分析：利用X射线衍射（XRD）技术对材料的晶体结构进行分析，确定其晶格常数、晶胞参数等。
2. 形貌分析：通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察材料的形貌、颗粒大小及分布等。
3. 磁学性质研究：利用振动样品磁强计（VSM）等设备对材料的磁学性质进行研究，如饱和磁化强度、矫顽力等。
4. 电学性质研究：通过霍尔效应测试等手段研究材料的电导率、载流子浓度等电学性质。
四、结果与讨论经过一系列的实验和测试，我们得到了以下结果：1. 结构分析表明，掺杂的过渡金属元素成功进入了In2O3的晶格中，形成了稳定的固溶体。
2. 形貌分析显示，制备得到的材料具有均匀的颗粒分布和良好的形貌。
3. 磁学性质研究表明，掺杂的过渡金属元素使材料具有了明显的磁性，且磁性可调。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》范文
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言稀磁半导体材料是现代电子科学的重要研究方向之一，而其中以3D过渡金属掺杂的In2O3材料为最具潜力的研究领域之一。
本文将重点讨论这一类型材料的制备过程，以及在研究过程中所取得的主要发现。
通过研究此类材料，我们可以深入了解其独特的物理性质，进而拓展其在光电子器件、自旋电子器件以及磁性存储等领域的应用。
二、制备方法对于3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备，我们主要采用溶胶-凝胶法。
该方法包括以下步骤：1. 准备原料：首先，我们需要准备In(NO3)3·xH2O、过渡金属盐（如Fe、Co、Ni等）以及适当的溶剂。
2. 溶胶制备：将原料溶解在溶剂中，通过化学反应生成溶胶。
3. 凝胶化：将溶胶在一定的温度和湿度条件下进行凝胶化处理。
4. 烧结：将凝胶在高温下进行烧结，得到所需的In2O3掺杂过渡金属的稀磁半导体材料。
三、材料研究在制备出3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料后，我们对其进行了详细的研究。
主要的研究方向包括材料的结构、光学性质、电学性质以及磁学性质。
1. 结构研究：通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段，我们研究了材料的晶体结构和微观形貌。
2. 光学性质：利用紫外-可见光谱和光致发光光谱等技术，我们研究了材料的光吸收、光发射等光学性质。
3. 电学性质：通过霍尔效应和电阻率测试，我们研究了材料的电导率和磁电性能。
4. 磁学性质：利用磁性测量系统，我们研究了材料的磁化强度、居里温度等磁学性质。
四、实验结果与讨论经过实验，我们得到了以下主要结果：1. 通过溶胶-凝胶法成功制备出了3D过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体材料，且材料的结构稳定、结晶度良好。
2. 材料的光学性质研究表明，其具有较好的光吸收能力和光发射性能。
3. 电学性质和磁学性质的研究表明，通过合理选择过渡金属和调整掺杂浓度，可以实现材料的磁电性能调控。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》范文
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言随着科技的飞速发展，稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质在电子器件、光电子器件以及自旋电子学等领域展现出巨大的应用潜力。
其中，3D过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体材料因其优异的电学、磁学以及光学性能而备受关注。
本文旨在探讨3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备方法，分析其物理性质及潜在应用。
二、制备方法In2O3稀磁半导体材料的制备通常涉及几个关键步骤。
首先，选择合适的原料，如In2O3粉末和过渡金属盐。
然后，通过溶胶-凝胶法、共沉淀法或熔融法等方法进行混合和反应。
接下来，进行热处理或退火处理以获得所需的晶体结构。
最后，通过球磨、压片、烧结等工艺制备出所需的样品。
在本文中，我们采用溶胶-凝胶法结合退火处理的方法制备了3D过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体材料。
具体步骤如下：1. 将In2O3粉末和过渡金属盐溶解在适当的溶剂中，形成均匀的溶液。
2. 通过加入络合剂和催化剂，使溶液发生溶胶-凝胶转化。
3. 将凝胶进行热处理和退火处理，以获得所需的晶体结构。
4. 对样品进行球磨、压片、烧结等工艺，制备出所需的稀磁半导体材料。
三、物理性质分析通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDS）以及磁性测量等手段，对制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料进行物理性质分析。
XRD结果表明，掺杂的过渡金属成功进入了In2O3的晶格，并形成了稳定的化合物。
SEM和EDS分析显示，样品具有均匀的颗粒尺寸和元素分布。
此外，磁性测量表明，该材料具有显著的磁学性能，为自旋电子学等领域的应用提供了可能。
四、潜在应用3D过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体材料在多个领域具有潜在的应用价值。
首先，在自旋电子学领域，由于其优异的磁学性能，可用于制备自旋电子器件，如自旋阀、自旋场效应晶体管等。
其次，在光电子器件领域，该材料具有优异的光电性能和稳定性，可用于制备光电器件如太阳能电池、光电二极管等。
《稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备及其光电性能研究》
《稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备及其光电性能研究》一、引言随着科技的飞速发展，稀土掺杂的半导体材料因其独特的物理和化学性质在光电领域得到了广泛的应用。
其中，Al1-xInxN 薄膜因其具有优良的电子传输性能和光学特性，在光电子器件、太阳能电池等领域具有巨大的应用潜力。
本文旨在研究稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备工艺及其光电性能，以期为相关领域的研究和应用提供理论依据。
二、制备方法本实验采用磁控溅射法制备稀土掺杂Al1-xInxN薄膜。
首先，将高纯度的Al、In和稀土元素靶材放置在溅射设备中，通过调节溅射功率、气体流量等参数，实现薄膜的制备。
在制备过程中，通过控制Al和In的摩尔比，可以获得不同组分的Al1-xInxN薄膜。
同时，通过掺入稀土元素，可以改善薄膜的光电性能。
三、薄膜性能分析（一）结构分析采用X射线衍射（XRD）技术对制备的稀土掺杂Al1-xInxN 薄膜进行结构分析。
通过分析XRD图谱，可以确定薄膜的晶体结构、晶格常数等信息。
结果表明，随着稀土元素的掺入，薄膜的晶体结构发生了一定程度的变化，这有助于提高薄膜的光电性能。
（二）光学性能分析利用紫外-可见光谱（UV-Vis）和光致发光光谱（PL）对薄膜的光学性能进行分析。
UV-Vis光谱可以反映薄膜的光吸收特性，而PL光谱则可以反映薄膜的光发射特性。
实验结果表明，稀土掺杂可以有效提高Al1-xInxN薄膜的光吸收和光发射性能，从而增强其光电转换效率。
（三）电学性能分析通过霍尔效应测量法对薄膜的电学性能进行分析。
实验结果表明，稀土掺杂可以改善Al1-xInxN薄膜的导电性能，降低电阻率。
此外，掺杂还可以提高薄膜的载流子迁移率和寿命，进一步优化其电学性能。
四、结果与讨论（一）稀土掺杂对Al1-xInxN薄膜结构的影响实验结果表明，稀土元素的掺入使得Al1-xInxN薄膜的晶体结构发生了一定程度的变化。
这可能是由于稀土元素与Al、In元素之间的相互作用，导致晶格常数和晶体结构发生变化。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言近年来，稀磁半导体材料在电子和自旋电子器件中的应用前景日益突出。
特别地，3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质，成为了当前研究的热点。
这种材料在光电器件、自旋电子学以及量子计算等领域有着广泛的应用潜力。
本文将详细介绍3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备方法、性能特点及其在科研领域的应用研究。
二、材料制备1. 材料选择与准备首先，需要选择合适的In2O3基体和过渡金属元素。
In2O3因其高导电性和良好的化学稳定性被广泛用作基体材料。
而过渡金属元素的选择则需考虑其与In2O3的兼容性以及其对材料性能的改善程度。
此外，还需准备其他必要的实验设备和试剂。
2. 制备方法本文采用溶胶-凝胶法结合高温退火技术制备3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料。
具体步骤包括：将In源、过渡金属源和适当的溶剂混合，形成均匀的溶胶；通过凝胶化过程使溶胶转变为凝胶；经过干燥、高温退火等步骤，最终得到所需的掺杂材料。
三、材料性能特点1. 结构特性通过X射线衍射、透射电子显微镜等手段对制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料进行结构分析。
结果表明，材料具有较好的结晶度和均匀的微观结构。
2. 磁学性能利用磁学测量仪器对材料的磁学性能进行测试。
结果表明，过渡金属的掺杂可以有效提高材料的磁化强度和磁导率，使其具有较好的磁学性能。
3. 光学性能通过紫外-可见光谱、光致发光等手段对材料的光学性能进行测试。
结果表明，掺杂后的In2O3具有较好的光学带隙和光吸收性能，以及较高的光致发光效率。
四、应用研究1. 在光电器件中的应用由于具有优异的光学和磁学性能，3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料在光电器件领域具有广泛的应用前景。
例如，可应用于光催化、光电探测器、太阳能电池等领域。
2. 在自旋电子学中的应用由于过渡金属的掺杂，该材料在自旋电子学领域也具有潜在的应用价值。
稀磁半导体的研究
稀磁半导体的研究第一篇：稀磁半导体的研究稀磁半导体的研究摘要：稀磁半导体因兼具有磁性材料的信息存储功能和半导体材料的信息处理功能，使其成为微电子学研究的热点。
本文将就稀磁半导体的性质和应用，以及研究现状和发展趋势等做一简单介绍。
关键词：稀磁半导体自旋电子学半导体物理学1.引言信息的海量存储和高速互联，把人们带入了信息时代。
目前支撑信息技术存在和发展的两大决定性因素分别是信息的存储和信息的处理。
信息的存储是利用了磁性材料中电子的自旋属性，而信息的处理则依靠半导体芯片中电子的电荷属性得以实现。
而随着近年来制作工艺水平的迅速提高，这种电荷和自旋彼此孤立的微电子学器件也即将达到物理极限[1]。
因此一直以来，研究人员有个自然的想法：能否构造将磁、电集于一体的半导体器件。
同时利用自旋和电荷自由度最为成功的的电子器件是由多层铁磁金属膜制备的磁盘读写头,而几乎所有的半导体[2]器件都是利用载流子的电荷来完成其功能的。
这是因为通常半导体材料如硅、砷化镓等都是非磁性材料。
长期以来，人们试图将少量的磁性原子掺入非磁性半导体材料中,期待得到磁性半导体材料,制备出集磁、光、电于一体的,低功耗的新型半导体电子器件。
2.稀磁半导体简介稀磁半导体（DMS）又称半磁半导体，是指在非磁性半导体材料基体中通过掺入少量磁性过渡族金属元素或稀土金属元素使其获得铁磁性能的一类新型功能材料[3]。
因稀磁半导体既利用了电子的自旋属性和电荷属性，所以稀磁半导体制作的器件既具有磁性材料器件的信息存储功能，又具有半导体器件的信息处理功能。
常用的制备方法有离子注入法（Ion implantation）、分子束外延法（MBE）、金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）等多种工艺[4]。
3.稀磁半导体的性质稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，如巨塞曼效应、巨法拉第旋转、自旋共振隧穿和自旋霍尔效应等．这些效应为人们研究制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础[5]。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言随着科技的飞速发展，稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质在电子、光电及磁学领域中具有广泛的应用前景。
其中，3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料因其良好的导电性、磁学性能及光学特性备受关注。
本文旨在探讨此类材料的制备方法、性能研究及其潜在应用。
二、材料制备1. 材料选择与准备本实验选择In2O3作为基体材料，3D过渡金属（如Fe、Co、Ni等）作为掺杂元素。
实验前需准备好高纯度的In2O3粉末和过渡金属盐（如硝酸盐）。
2. 制备方法采用溶胶凝胶法结合高温固相反应法制备3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料。
具体步骤包括：将过渡金属盐与In2O3粉末混合，加入适量的溶剂，搅拌至形成均匀的溶胶；然后通过热处理使溶胶凝胶化，再经过高温固相反应，最终得到掺杂的In2O3稀磁半导体材料。
三、性能研究1. 结构表征利用X射线衍射（XRD）技术对制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料进行结构表征，分析其晶体结构、晶格常数及掺杂元素在基体中的存在状态。
2. 光学性能研究通过紫外-可见光谱（UV-Vis）和光致发光（PL）光谱技术，研究掺杂前后In2O3的光学性能，包括带隙、光吸收、发光特性等。
3. 磁学性能研究利用振动样品磁强计（VSM）对材料的磁学性能进行测试，分析掺杂元素对In2O3基体磁学性能的影响，探讨其磁性起源及掺杂浓度对磁性能的影响规律。
四、结果与讨论1. 结构分析结果XRD结果表明，3D过渡金属掺杂后，In2O3的晶体结构发生了一定程度的改变，掺杂元素成功进入了In2O3的晶格中。
随着掺杂浓度的增加，晶格常数发生相应变化。
2. 光学性能分析结果UV-Vis和PL光谱分析表明，掺杂过渡金属后，In2O3的光学性能得到显著改善，带隙变宽，光吸收和发光特性增强。
这主要归因于掺杂元素引入的能级对光子的吸收和发射过程产生了影响。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言随着科技的发展，稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质，在自旋电子学、量子计算、光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
其中，3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料因其优异的电学、磁学及光学性能而备受关注。
本文将重点介绍这种材料的制备方法，并对其性能进行研究。
二、制备方法1. 材料选择与准备首先，选择高质量的In2O3基底材料和适当的过渡金属元素作为掺杂剂。
这些元素应具有良好的化学稳定性和与In2O3基底的兼容性。
2. 制备过程（1）将In2O3基底材料进行预处理，如清洗、干燥、研磨等，以提高其表面活性。
（2）将过渡金属元素以适当的方式（如溶液法、气相法等）掺入In2O3基底材料中。
（3）通过高温热处理或化学气相沉积等方法使材料烧结，形成致密的薄膜结构。
（4）最后对材料进行退火处理，以优化其晶体结构和性能。
三、材料性能研究1. 结构分析利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等技术对制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料进行结构分析。
通过XRD分析材料的晶体结构，SEM观察材料的形貌和微观结构。
2. 电学性能研究通过霍尔效应测试、电阻率测试等方法研究材料的电学性能。
分析过渡金属掺杂对In2O3基底材料电导率、载流子浓度等的影响。
3. 磁学性能研究利用磁学测量系统（SQUID）等设备对材料的磁学性能进行研究。
分析过渡金属掺杂对材料磁化强度、矫顽力等的影响。
四、结果与讨论经过实验制备出多种不同过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体材料，对其结构、电学和磁学性能进行了系统研究。
实验结果表明：1. 通过合适的制备方法，可以成功将过渡金属元素掺入In2O3基底材料中，形成致密的薄膜结构。
2. 过渡金属掺杂可以显著提高In2O3基底材料的电导率和载流子浓度，降低电阻率。
同时，掺杂的过渡金属元素还可以改变材料的磁学性能，使其具有较高的磁化强度和较低的矫顽力。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言随着科技的进步，稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质在电子、光电子、自旋电子学等领域中得到了广泛的应用。
其中，3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料因其优异的性能而备受关注。
本文将详细介绍此类材料的制备方法、性质及其应用前景。
二、制备方法制备3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的主要步骤包括：材料选择、掺杂元素的确定、制备过程的控制等。
1. 材料选择：选择合适的In2O3基底材料是制备此类材料的关键。
In2O3具有良好的光学和电学性能，是制备稀磁半导体材料的理想基底。
2. 掺杂元素的确定：选择适当的过渡金属元素进行掺杂，如铁、钴、镍等。
这些元素能够有效地改变In2O3的电子结构和磁性能。
3. 制备过程的控制：通过溶胶-凝胶法、共沉淀法、化学气相沉积法等方法，控制掺杂元素的含量、分布及材料的微观结构。
在制备过程中，需要严格控制温度、压力、时间等参数，以保证材料的性能。
三、材料性质研究1. 结构分析：通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段，对材料的晶体结构、微观形貌及元素分布进行分析。
2. 光学性质：利用紫外-可见光谱、光致发光谱等手段，研究材料的光吸收、光发射等光学性质。
3. 电学性质：通过霍尔效应、电阻率测量等方法，研究材料的电导率、载流子浓度等电学性质。
4. 磁学性质：利用超导量子干涉仪（SQUID）等手段，研究材料的磁化强度、磁各向异性等磁学性质。
四、应用前景3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料具有优异的物理和化学性质，在自旋电子学、光电器件、传感器等领域具有广阔的应用前景。
例如，可以用于制备高灵敏度的磁场传感器、自旋电子器件等。
此外，还可以应用于生物医学领域，如生物分子的检测和分离等。
五、结论本文详细介绍了3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备方法、性质及其应用前景。
In_2O_3：W薄膜的制备及光电性能研究
In_2O_3：W薄膜的制备及光电性能研究李渊;王文文;张俊英【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2011(042)008【摘要】采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（In2O3：W,IWO）薄膜,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和光电性能的影响。
结果表明薄膜的表面形貌与其光电性能有着紧密联系。
氧分压显著影响薄膜的表面形貌进而对薄膜的光电性能产生影响,同时溅射时间的变化也显著影响薄膜的光电性能：随着氧分压以及溅射时间的升高,薄膜的电阻率均呈现先减小后增大的变化规律,在氧分压为2.4×10-1Pa条件下,制备样品的表面晶粒排布最细密,其电阻率达到6.3×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.9×1020cm-3,载流子迁移率为34cm2/（V.【总页数】4页(P1457-1460)【作者】李渊;王文文;张俊英【作者单位】北京航空航天大学物理科学与核能工程学院材料物理与化学研究中心,北京100191;北京航空航天大学物理科学与核能工程学院材料物理与化学研究中心,北京100191;北京航空航天大学物理科学与核能工程学院材料物理与化学研究中心,北京100191【正文语种】中文【中图分类】TN304.21【相关文献】1.氧化铪薄膜的制备及光电性能研究进展 [J], 万燕飞;李赛;杨培志2.透明导电ZTGO薄膜的制备及其光电性能研究 [J], 钟志有;田雨;朱雅3.二维Bi_(2) Se_(3) 薄膜的制备及光电性能研究 [J], 荣泽坤;罗斯玮;钟建新4.镁铝共掺杂氧化锌薄膜的制备与光电性能研究 [J], 陈冬;张漫虹;钟美桃;梁铨斌;陈星源;罗国平;胡素梅5.镁铝共掺杂氧化锌薄膜的制备与光电性能研究 [J], 陈冬;张漫虹;钟美桃;梁铨斌;陈星源;罗国平;胡素梅因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
In2O3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能的开题报告
In2O3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能的开题报告标题：In2O3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能背景：In2O3作为一种重要的氧化物半导体，在微电子学、光电子学以及储能器件等领域具有广泛的应用前景。
近年来，研究人员发现在一定条件下，In2O3具有稀磁性质，这为其在自旋电子学领域的应用提供了新的思路。
但是目前对于In2O3稀磁性质的来源和本质尚不清楚，这限制了其在应用中的进一步发展。
因此，对In2O3稀磁性质的深入研究具有重要的科学价值和应用前景。
目的：本研究旨在探究In2O3稀磁性质的来源和本质，揭示其局域结构与磁、输运性能的关系。
通过理论模拟和实验测量相结合的方法，研究In2O3稀磁性质的机理和特征，为其在自旋电子学领域的应用提供理论和实验基础。
方法：本研究将通过下列方法探究In2O3稀磁性质的机理和特征：1. 理论模拟：采用第一性原理计算方法，研究In2O3的局域结构和电子结构，揭示稀磁性质的来源和本质。
2. 实验测量：通过X射线吸收光谱、磁性测量和输运性能测量等方法，验证理论模拟的结果，并研究稀磁性质对In2O3电子和热输运性能的影响。
预期结果：本研究的预期结果包括：1. 揭示In2O3稀磁性质的来源和本质，探究其局域结构与磁、输运性能的关系。
2. 提供理论和实验基础，为In2O3在自旋电子学领域的应用提供支持。
3. 对于稀磁氧化物半导体的基础研究具有重要的科学价值和应用前景。
结论：本研究将深入研究In2O3稀磁性质的机理和特征，揭示其局域结构与磁、输运性能的关系。
预计结果将为In2O3在自旋电子学领域的应用提供理论和实验基础，对于稀磁氧化物半导体的基础研究具有重要的科学价值和应用前景。
稀磁性半导体薄膜之研究与发展
III-V稀磁性半導體薄膜之研究與發展文/胡裕民結合磁學與電子學兩大領域的自旋電子學以及自旋電子元件的研究與應用，將是未來科學發展的主流之一，而稀磁性半導體薄膜為目前廣為研究的自旋電子材料。
本文將針對已被廣泛地使用在高速電子元件以及光電元件中的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，說明III-V稀磁性半導體薄膜研究之歷史背景與現況、鐵磁性之由來機制以及作為自旋電子元件的應用。
一、前言長久以來，磁性材料與半導體材料分別在各自的領域中受到重視與廣泛研究，並且在元件應用上有著亮麗的成果以及不可取代的地位。
磁性元件[包括：磁感應器(magnetic sensor)、磁阻讀取頭(Magneto-Resistance read head)以及磁光紀錄元件(Magneto-Optical recording device)等]以及半導體元件[包括：積體電路(Integrated Circuits)、電晶體(transistor)、雷射(laser)以及發光二極體(Light Emitting Diode)等]乃分別利用電子的自旋(spin)與電荷(charge)特性來操作。
在資料儲存的領域中，以非短暫(non-volatile)記憶的磁性材料扮演重要的角色，記憶資料的磁矩基本源自於電子的自旋。
另一方面，隨著半導體材料及元件的技術開發，使得積體電路(integrated circuit)具有高集積度、高訊號處理速度以及極佳的可靠度。
積體電路的運作乃利用載子(carrier,包含電子與電洞)的電荷性質，藉由外加電場來控制半導體中載子的流動。
然而，積體電路為達到更快速更密集的需求時，奈米級尺寸的元件開發勢在必行，此時載子間自旋有關的交換交互作用(exchange interaction)必須加以考量，因而電子的自旋特性將更為重要。
因此，奈米結構下的電子元件若能同時運用電子的電荷與自旋兩種特性，將可發展出新一代多功能的自旋電子元件。
In_2O_3的掺杂及气敏性能研究
1
掺杂金属氧化物作用机理
气敏传感器都是 由很 多小 晶粒 组成 的多 晶烧 结体 或多 晶
薄膜。传感器工作时 , 电子由 一个晶 粒运动 到另一个 晶粒需 要 克服由于晶粒表面的 氧离 子吸 附形 成的 表面 耗尽 层和 面势 垒 的影响 , 其模型主要分两种 : 一是 晶界势 垒控制 模型 , 二是颈 部 沟道控制模型。器件响应 的灵敏 度与 晶粒尺 寸 D 和 德拜长 度 * 河南省自然科学基金资助项目 ( 0424270073) 牛新书 : 男 , 1954 年生 , 教授 , 主要从事无机纳米材料研究
2 金属氧化物掺杂 In2 O3 的制备及其气敏性能
2. 1 CdO 掺杂
侯长平等 [ 3] 以 I n2 O3 和 Cd( NO 3 ) 3 为原料 , 以 ( N H 4 ) 2 CO3 和氨水为沉淀剂 通过 化学 共沉 淀法 制得 CdO In 2 O 3 纳米 敏感 材料的旁热 式 气 敏 传感 器。 实验 通 过 对 CdO 掺 杂 摩尔 比 为 2% 、 4% 、 8% 的对比 , 得出只有当 CdO 的摩尔百分比不大于 2% 时 , 才 能与 In2 O 3 形成 固溶体 单相。同时 发现纯 In 2 O3 的 平均 晶粒粒径为 18. 9nm, 而当 CdO 掺杂为 2% 时的平均晶粒粒径为 18. 3nm, 说明 CdO 有抑制 In 2 O 3 晶粒长大 的作用。在 183 工 作温度下 x ( CdO ) 为 2% 的 In 2 O3 元件对 C 2 H 5 O H 的灵敏 度高 达 276, 是相同浓度 汽油 灵敏 度的 4 倍 , 响 应 恢 复时 间分 别是 3s 和 180s, 说明元件对 C2 H 5 O H 有良好的气敏效应。
葛秀涛等 [ 12] 以 In 2 O 3 和 M g ( N O 3 ) 2 为原料 , 按照不 同配比 采用化学共沉淀 的方 法制 备了 M g 2+ 掺杂 的 I n2 O3 纳 米粉 体 , 结果 表 明 , M g O 和 In 2 O3 间 可 形 成 有 限 固 溶 体 In2- x M gx O3 ( 0 # x # 0. 40) , 900 下热处理 4h 所得的 n( M g2+ ) ∃ n( In 3+ ) = 12。样品在 320 下对 45 mol/ L C 2 H 5 OH 的灵敏度达 102. 5, 即 使对 4. 5 mo l/ L C 2 H 5 O H 的 灵 敏 度 仍 为 29. 1, 为 高 浓 度 ( 45 mo l/ L ) 干扰气体 Petr ol 灵敏度的 3. 6 倍多 ; 在 320~ 370 时 , 对 C2 H 5 OH 有较高的灵敏 度和 良好的 选择 性 , 且灵敏 度 S 与 C 2 H 5 O H 和 Petr ol 浓度呈良好的线性关系。 张俊等 [ 13] 在 In2 O 3 材料 中 加入 质量 分 数为 3. 0% 的 M g O 置于玛瑙球磨机中碾磨 24 h 以后制得所需的敏感 材料 , 制成元 件后在加热电压为 5. 0V、 气体体积分数为 0. 005 的条件下进行 测试 , 发现于 600 煅烧的 敏感材 料对乙醇 的灵敏 度高 达 114, 同时还对其它 气体 ( 乙醇、 丁 烷、汽油、 CO、 N H3 、 甲 烷等 ) 有一 定的分辨率。
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》
《3d过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备与研究》篇一一、引言随着科技的发展，稀磁半导体材料因其独特的物理和化学性质，在电子器件、光电器件以及自旋电子学等领域展现出巨大的应用潜力。
In2O3作为一种重要的n型半导体材料，其掺杂过渡金属元素后，可以形成稀磁半导体，具有优异的磁学、电学以及光学性能。
本文将重点探讨3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料的制备方法及其性能研究。
二、材料制备1. 材料选择与准备本实验选用高纯度的In2O3粉末作为基体材料，同时选择3D 过渡金属元素（如Fe、Co、Ni等）作为掺杂元素。
所有材料均经过严格的筛选和清洗，以确保实验的准确性。
2. 制备方法采用溶胶凝胶法结合高温固相反应制备3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料。
具体步骤包括：将In2O3粉末与过渡金属盐溶液混合，经过溶胶凝胶过程形成凝胶体，再通过高温固相反应使凝胶体晶化，最终得到掺杂的In2O3稀磁半导体材料。
三、性能研究1. 结构表征通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料进行结构表征。
XRD 可以分析材料的晶体结构，SEM则可以观察材料的形貌和微观结构。
2. 磁学性能研究利用振动样品磁强计（VSM）对材料的磁学性能进行测试。
通过改变掺杂元素的种类和浓度，研究掺杂对In2O3稀磁半导体材料磁学性能的影响。
3. 电学性能研究采用霍尔效应测试和电导率测试等方法，研究掺杂对In2O3稀磁半导体材料电学性能的影响。
同时，通过温度依赖性测试，分析材料的电学性能与温度之间的关系。
四、结果与讨论1. 结构表征结果XRD和SEM结果表明，制备的3D过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体材料具有较好的结晶性和形貌。
掺杂元素成功掺入In2O3晶格中，形成固溶体。
2. 磁学性能分析VSM测试结果表明，掺杂过渡金属元素后，In2O3稀磁半导体材料的磁学性能得到显著提高。
不同种类的掺杂元素和不同浓度的掺杂对材料的磁学性能具有不同的影响。
铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究的开题报告
铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究的开题报告题目：铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究一、研究背景与意义氧化铟（In2O3）是一种具有广泛应用前景的透明导电材料，已经被广泛应用于显示器、太阳能电池、可见光通信、传感器等领域。
近年来，随着对铁磁性材料的需求不断增加，铁掺杂的氧化铟材料也越来越受到研究者的重视。
铁掺杂氧化铟材料具有优异的磁电性能，在磁存储、磁敏感器、自旋电子学等领域有着广泛的应用前景。
目前，对铁掺杂氧化铟材料的研究主要集中在粉末材料和单晶材料上，而对薄膜材料的研究相对较少。
薄膜材料可以制备成非常薄的薄膜，具有较高的表面积和界面能量，因此在微电子、传感器等领域有着重要的应用价值。
本研究旨在通过磁控溅射技术制备铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜，并探究其结构、磁电性质和光电性能等方面的特性，为铁掺杂氧化铟材料在磁电子学等领域的应用提供理论和实验基础。
二、研究内容和方法1. 薄膜生长方法采用磁控溅射技术在高纯氧气氛下生长铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜。
通过改变沉积条件和掺杂浓度等参数，探究对薄膜的结构和性质的影响。
2. 结构和物性分析采用 X 射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等仪器对薄膜的结构和表面形貌进行表征。
利用霍尔效应测量装置和超导量子干涉仪测量薄膜的磁电性质和光电性能。
3. 数据处理和分析对实验数据进行处理和分析，得出薄膜的物性参数，如铁磁性、电学性质等。
同时，将实验结果与理论模型进行对比分析，探究铁掺杂氧化铟薄膜的磁电性质和光电性能的本质机制。
三、预期成果本研究预期可以成功制备出铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜，并探究其结构和性质。
在铁掺杂氧化铟薄膜的磁电性质、光电性能等方面，本研究可以得出一些新的发现和结果。
同时，本研究还将为铁掺杂氧化铟材料在磁电子学等领域的应用提供理论和实验基础。
四、进度计划第一年：完成研究背景和意义的调研，建立铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长实验体系，并开展薄膜的结构和性质方面的研究。
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稀磁半导体论文：Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究
【中文摘要】稀磁半导体材料因其同时具有自旋和电荷两种自由度而成为近年来的研究热点。
通过掺杂过渡金属元素,In203基半导体会具有良好的电磁光性能,而且易于和多种半导体材料实现集成化,在下一代多功能器件中必将有极大的应用前景。
本文中采用高温固相烧结的方法,制备了Mo掺杂In203稀释磁性半导体块体,并对固相烧结的特征阶段和原理进行了简单介绍。
后用制得的块体作为蒸镀源材料,采用玻璃片作为基底材料,用电子束真空蒸镀的方法,通过改变基底温度、蒸镀时间、蒸镀气氛、Mo掺杂量等参数制备出了一系列的Mo掺杂In203稀磁半导体薄膜,并采用x射线衍射仪、场发射扫描电镜、四探针电阻测试仪、霍尔效应测试系统、振动样品磁强计、紫外-可见光分光光度计分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、电输运性能、磁性能、光性能进行了表征和分析。
主要结论如下：(1)采用高温固相法制备得到的Mo掺杂In203块体,用真空蒸镀的方法制备得到薄膜样品,在Mo掺杂浓度为1%、2%、3%时具有了室温铁磁性。
(2)随着Mo掺入量的变化,薄膜样品的结构和磁性能均发生了较大的变化。
当Mo掺入量为1%-3%时,获得样品的晶体结构与立方晶系In2O3相一致,...
【英文摘要】Dilute magnetic semiconductors have been the frontier research objects in recent years because of the possibility of assembling charge and spin degrees of freedom
in single substance. In2O3 based semiconductors will have good optoelectrical and magnetic properties by doping transition metals.There will be a great application prospect in the next generation of multi-function device due to integrating various semiconductor materials easily.In this research,Mo doped In2O3 diluted magnetic semiconductor bul...
【关键词】稀磁半导体氧化铟真空蒸镀法结构性能
【索购全文找】1.3.9.9.3.8.8.4.81.3.8.1.1.3.7.2.1
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【英文关键词】diluted magnetic semiconductor In_2O_3 vacuum evaporation structure property
【目录】Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究摘要
4-6Abstract6-7第一章绪论11-23 1.1 稀磁半导体研究概况11-17 1.1.1 稀磁半导体研究背景
11-12 1.1.2 稀磁半导体简介12-13 1.1.3 稀磁半导
体磁性来源理论模型13-17 1.1.3.1 双交换理论
13-14 1.1.3.2 超交换理论14 1.1.3.3 RKKY理论
14-15 1.1.3.4 平行场理论15-16 1.1.3.5 BMP理论
16-17 1.2 稀磁半导体薄膜制备方法17-20 1.2.1 溶
胶-凝胶法(Sol-Gel)17 1.2.2 分子束外延法
(MBE)17-18 1.2.3 脉冲激光沉积法(PLD)18-19 1.2.4 化学气相沉积法(CVD)19 1.2.5 溅射技术19-20 1.2.6
蒸发技术20 1.3 稀磁半导体薄膜的应用前景
20-21 1.4 本论文研究的意义及创新点21-22 1.4.1 本论文研究的意义21-22 1.4.2 研究内容及创新点
22 1.5 本章小结22-23第二章实验部分
23-35 2.1 Mo掺杂In_2O_3块体的固相烧结制备
23-25 2.1.1 固相烧结简介23-24 2.1.2 实验药品和设备24-25 2.1.2.1 实验药品25 2.1.2.2 实验设备25 2.1.2.3 靶材制备25 2.2 电子束真空蒸镀制备Mo 掺杂In_2O_3薄膜25-28 2.2.1 电子束真空蒸镀方法介绍
25-27 2.2.2 实验原料和设备27-28 2.2.2.1 实验原料27 2.2.2.2 实验设备27 2.2.2.3 薄膜制备
27-28 2.3 样品的表征28-34 2.3.1 X射线衍射(XRD)28-29 2.3.2 场发射扫描电镜29-30 2.3.3 膜厚测试仪30-31 2.3.4 四探针电阻测试仪31-32 2.3.5 霍尔效应测试系统32 2.3.6 振动样品磁强计
32-33 2.3.7 紫外-可见分光光度仪33-34 2.4 本章小结34-35第三章 Mo掺杂In_2O_3单相性薄膜的制备
35-44 3.1 掺杂浓度35-37 3.1.1 掺杂浓度对结构的影响35-36 3.1.2 掺杂浓度对表面形貌的影响
36-37 3.2 基底温度37-39 3.2.1 基底温度对结构的影响37-38 3.2.2 基底温度对表面形貌的影响
38-39 3.3 气氛39-41 3.3.1 气氛对结构的影响
39-40 3.3.2 气氛对表面形貌的影响40-41 3.4 蒸镀时间41-43 3.4.1 蒸镀时间对结构的影响41-42 3.4.2 蒸镀时间对表面形貌的影响42-43 3.5 本章小结
43-44第四章 Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究
44-56 4.1 基底温度44-46 4.1.1 基底温度对电性能的影响44-45 4.1.2 基底温度对磁性能的影响
45-46 4.2 气氛46-49 4.2.1 气氛对电性能的影响
46-47 4.2.2 气氛对磁性能的影响47-48 4.2.3 气氛对光性能的影响48-49 4.3 蒸镀时间49-52 4.3.1 蒸镀时间对电输运性能的影响49-50 4.3.2 蒸镀时间对磁性能的影响50-51 4.3.3 蒸镀时间对光性能的影响
51-52 4.4 掺杂浓度52-54 4.4.1 掺杂浓度对电输运性能的影响53 4.4.2 掺杂浓度对磁性能的影响
53-54 4.5 磁性能分析54-55 4.6 本章小结
55-56第五章结论与展望56-58 5.1 结论
56 5.2 展望56-58参考文献58-61致谢61。