电磁兼容性弹片结构
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《电磁兼容原理》PPT课件_OK
解得A2=67。在该段内线性化特性为S(△f)=67lg(△f/△B2)。 在2MHz<△f≤4MHz内,△B3=2MHz,当△f3=4MHz时S(△f)=60dB △f2=2MHz时,特性常数项S(△B3)=20dB,代入式(5.9)中，
60=20+A3lg(△f/△B3)，解得A3=133。在该段内线性化特性为 S(△f)=20+133 lg(△f/△B3)。 如果△f=3MHz，代入上式得S(△f)=43dB。
30 MHz~300 MHz
一54 —68 —78 —86 —92 —97 —102 —106 —110
大于300 MHz
—55-一64 —70 一75 — 79 —82 —85 —88 —90
17
谐波辐射信号的功率频谱特性
谐波辐射信号的功率频谱特性也采用调制包络曲来描述。 谐波信号的调制包络特性的形状与基波调制包络特性相似，按特性形状通常可
1
5．1 天线对天线的干扰分析
5．1．1无线电发射机的辐射特性 图5—1 调频广播和电视发射的频谱特性
2
无论发射机产生的有用信号和无用
信号，对于其他接收机来说都是潜
工作频段
在的干扰源
无意发射信号
基波信号
谐波信号
图5—2 发射机输出频谱特性
3
发射机的输出作为干扰源
• 只关注它所产生的电磁能量的时间分布、空间分布和频谱特性 • 干扰辐射能量的时间分布主要取决于发射机的工作制式 • 干扰辐射能量的空间分布主要取决于发射功率和发射天线的方向性 • 基波辐射信号是最主要的干扰源
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定向辐射天线的立体方向图
由于立体图形画起来困难，常用两个平面的图形来表征
34
平面方向图
60=20+A3lg(△f/△B3)，解得A3=133。在该段内线性化特性为 S(△f)=20+133 lg(△f/△B3)。 如果△f=3MHz，代入上式得S(△f)=43dB。
30 MHz~300 MHz
一54 —68 —78 —86 —92 —97 —102 —106 —110
大于300 MHz
—55-一64 —70 一75 — 79 —82 —85 —88 —90
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谐波辐射信号的功率频谱特性
谐波辐射信号的功率频谱特性也采用调制包络曲来描述。 谐波信号的调制包络特性的形状与基波调制包络特性相似，按特性形状通常可
1
5．1 天线对天线的干扰分析
5．1．1无线电发射机的辐射特性 图5—1 调频广播和电视发射的频谱特性
2
无论发射机产生的有用信号和无用
信号，对于其他接收机来说都是潜
工作频段
在的干扰源
无意发射信号
基波信号
谐波信号
图5—2 发射机输出频谱特性
3
发射机的输出作为干扰源
• 只关注它所产生的电磁能量的时间分布、空间分布和频谱特性 • 干扰辐射能量的时间分布主要取决于发射机的工作制式 • 干扰辐射能量的空间分布主要取决于发射功率和发射天线的方向性 • 基波辐射信号是最主要的干扰源
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定向辐射天线的立体方向图
由于立体图形画起来困难，常用两个平面的图形来表征
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平面方向图
产品结构设计中的电磁兼容问题详解-精
电磁兼容——屏蔽
穿孔屏蔽： 最影响开孔金属板屏蔽效能的是开孔的最大尺寸，其次
是孔深，影响最小的孔间距。 在可能的情况下尽可能开很密的通风孔，有利于散热。 可以使用截止波导通风板。
电磁兼容——屏蔽
穿孔电缆：
电缆直接穿透屏蔽体会降低屏蔽性能，因为屏蔽机箱内是 干扰通过空间感应到电缆上，在电缆上产生电流，这个电 流流到机箱外部，并产生二次辐射，导致设备产生超标辐 射发射。 机箱外部的电磁波干扰感应到电缆上，在电缆上产生的电 流流进机箱，产生二次辐射，对机箱内电路产生干扰。 电缆成了一根高效的电磁波接收和发射天线。
屏蔽体可靠连接。 滤波连接器转接，出线时加一个穿心电容。
电磁兼容——屏蔽
穿孔电缆的电磁屏蔽： 直接出线。电缆直接出屏蔽体，必须保证电缆在屏蔽体
的一侧足够短，避免干扰信号的耦合和发射。一般要求 电缆在屏蔽体一侧的长度小于80mm.
电磁兼容——屏蔽
穿孔电缆的电磁屏蔽： 电源滤波器转接。电源线进出屏蔽体一般均是通过EMI
电布、簧片。 通风孔屏蔽：金属丝网、穿孔金属板、截止波导通风板 尽量避免局部开孔，局部开孔直径应小于15mm.
电磁兼容——屏蔽
塑胶件的电磁屏蔽： 在塑胶件内部或者外部喷导电导磁屏蔽膜。 涂覆导电导磁涂料、喷漆导电漆、真空镀铝、电镀或者
化学镀、粘贴金属箔。 增加涂料的厚度有助提高屏蔽效果。 塑料间接缝技术：直接接触（简单不可靠）、点导电胶
效果。
电磁兼容——屏蔽
屏蔽方案的选择： 减小坚固点之间的距离，增加板材之间的贴合程度。 采用双排螺钉。 尽量使板材与型村或者折弯件之间连接。
电磁兼容——屏蔽
屏蔽方案的选择： 增加缝隙深度。 板材上打凸包。板材之间是凸点接触，利用反射损耗，
电磁兼容课件
Zs = 3.68 ×10-7 ( f r /r )1/2
在远场：电磁波的波阻抗为377。
f = 入射电磁波的频率（Hz）， r = 相对磁导率，r =相对电导率 在近场：电场波和磁场波的波阻抗是不同的，因此做近场屏蔽时，要分 别考虑电场波和磁场波的情况。由于电场波的波阻抗较高，因此反射损 耗较大。磁场波的波阻抗较低，往往反射损耗较小。 电场波：屏蔽体距离辐射源越近，反射损耗越大。 磁场波：屏蔽体距离辐射源越远，反射损耗越大。
H1
R0
旁路作用的计算： H1 = H0 RS / （RS + R0） 根据屏蔽效能的定义： 屏蔽效能 = H0 / H1 =（RS + R0）/ RS = 1 + R0 / RS 磁阻的计算： R = S /（ A ） 式中： S = 屏蔽体中磁路的长度， A = 屏蔽体中穿过磁力线的截面面积， = 0 r 。
好处：用较小的坐标可以描述很宽的范围。
用分贝表示的其它物理量：
电压增益 分贝数 = 20lg（V2 / V1） 电流增益分贝数 = 20lg（I2 / I1） 这些定义仅当在同样阻抗上测量时，才正确。 用分贝表示的物理量绝对数值：表示这个物理量与 某一个参考数值的比较。当以“1”为参考值时，各 个物理量的单位就变成用分贝表示的形式。下面是 一些常用的物理量单位： dB dB
（2） 屏蔽效能的计算
入射波
SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B
SE ＝ 20lgA＋20lgB+20lgR dB
B 场强
吸收损耗A
R
B
距离
电磁波在穿过屏蔽体时发生衰减是因为能量有了损耗， 这种损耗可以分为两部分：反射损耗和吸收损耗。