EMI电磁屏蔽原理导论
EMC理论基础知识——电磁屏蔽理论
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EMC理论基础知识——电磁屏蔽理论1、屏蔽效能的感念屏蔽是利用屏蔽体来阻挡或减小电磁能传输的一种技术,是抑制电磁干扰的重要手段之一。
屏蔽有两个目的,一是限值内部辐射的电磁能量泄漏出该内部区域,二是防止外来的辐射干扰进入某一区域。
电磁场通过金属材料隔离时,电磁场的强度将明显降低,这种现象就是金属材料的屏蔽作用。
我们可以用同一位置无屏蔽体时电磁场的强度与加屏蔽体之后电磁场的强度之比来表征金属材料的屏蔽作用,定义屏蔽效能(Shielding EffecTIveness,简称SE):2、屏蔽体上孔缝的影响实际上,屏蔽体上面不可避免地存在各种缝隙、开孔以及进出电缆等各种缺陷,这些缺陷将对屏蔽体的屏蔽效能有急剧的劣化作用。
上节中分析的理想屏蔽体在30MHz 以上的屏蔽效能已经足够高,远远超过工程实际的需要。
真正决定实际屏蔽体的屏蔽效能的因素是各种电气不连续缺陷,包括:缝隙、开孔、电缆穿透等。
屏蔽体上面的缝隙十分常见,特别是目前机柜、插箱均是采用拼装方式,其缝隙十分多,如果处理不妥,缝隙将急剧劣化屏蔽体的屏蔽效能。
3、孔缝屏蔽的总体设计思想根据小孔耦合理论,决定孔缝泄漏量的因素主要有两个:孔缝面积和孔缝最大线度尺寸。
两者皆大,则泄漏最为严重;面积小而最大线度尺寸大则电磁泄漏仍然较大。
如图所示为一典型机柜示意图,上面的孔缝主要分为四类:(1)机箱(机柜)接缝该类缝虽然面积不大,但其最大线度尺寸即缝长却非常大,由于维修、开启等限制,致使该类缝成为电子设备中屏蔽难度最大的一类孔缝,采用导电衬垫等特殊屏蔽材料可以有效地抑制电磁泄漏。
该类孔缝屏蔽设计的关键在于:合理地选择导电衬垫材料并进行适当的变形控制。
(2)通风孔该类孔面积和最大线度尺寸较大,通风孔设计的关键在于通风部件的选择与装配结构的设计。
在满足通风性能的条件下,应尽可能选用屏效较高的屏蔽通风部件。
(3)观察孔与显示孔该类型孔面积和最大线度尺寸较大,其设计的关键在于屏蔽透光材料的选择与装配结构的设计。
电磁屏蔽原理
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电磁屏蔽原理电磁屏蔽是指采取一定的措施,使电磁辐射或电磁波无法穿透到屏蔽结构内部或从屏蔽结构内部泄漏出来,达到隔绝或减弱电磁辐射或电磁波的目的。
电磁屏蔽原理是指实现电磁屏蔽的基本原理,它是电磁兼容技术的重要内容之一。
电磁屏蔽原理的研究对于提高电磁兼容性、保障电子设备的正常工作、提高电子设备的抗干扰能力以及保障人体健康都具有十分重要的意义。
电磁屏蔽原理主要包括电磁波的传播特性、电磁波与物质相互作用的基本原理以及电磁屏蔽结构的设计原理等内容。
首先,电磁波的传播特性是电磁屏蔽原理的基础。
电磁波在空间中传播时会受到传播介质、传播距离、频率等因素的影响,了解电磁波的传播特性有助于选择合适的屏蔽材料和设计合理的屏蔽结构。
其次,电磁波与物质相互作用的基本原理是电磁屏蔽原理的重要内容。
电磁波在与物质相互作用时会发生反射、透射、吸收等现象,不同的材料对电磁波的作用方式各不相同,因此在设计电磁屏蔽结构时需要根据具体的应用场景选择合适的屏蔽材料。
最后,电磁屏蔽结构的设计原理是实现电磁屏蔽的关键。
合理的屏蔽结构设计能够有效地隔离电磁波,减少电磁辐射对周围环境和设备的影响,保障设备的正常工作和人体的健康。
在实际的电磁屏蔽设计中,需要根据具体的应用场景和要求选择合适的屏蔽材料和设计合理的屏蔽结构。
常见的电磁屏蔽材料包括金属材料、导电涂料、导电纤维布等,而常见的屏蔽结构包括屏蔽罩、屏蔽膜、屏蔽房等。
在选择屏蔽材料时需要考虑其导电性能、机械性能、加工性能等因素,而在设计屏蔽结构时需要考虑其尺寸、形状、安装方式等因素。
通过合理选择屏蔽材料和设计合理的屏蔽结构,可以有效地实现电磁屏蔽的目的,保障设备的正常工作和人体的健康。
总之,电磁屏蔽原理是实现电磁屏蔽的基础和关键,它涉及到电磁波的传播特性、电磁波与物质相互作用的基本原理以及电磁屏蔽结构的设计原理等内容。
通过深入研究电磁屏蔽原理,可以更好地理解电磁屏蔽技术的要点和关键,为实际的电磁屏蔽设计提供理论指导和技术支持。
EMI屏蔽究竟是怎么回事?一文一探究竟
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EMI屏蔽究竟是怎么回事?一文一探究竟来源:All about circuits作者:Ignacio deMendizábal编译:付斌身为电子工程师,噪声和辐射无处不在,作为电子设计师必须掌握EMI电磁屏蔽相关知识,而这些知识和解决方案将广泛用于改善设备免于受到外部电磁干扰。
干扰辐射的来源麦克斯韦方程显示,每当电流经流导体时,都会产生磁场,而磁场将会产生电场。
电场和磁场的辐射特性被称之为辐射发射。
这些辐射发射将会在电路或整个印刷电路板(PCB)中引发一些问题。
在理想电路之中,电路本身发射的信号只包括电流和电压,而在现实世界中,噪音是绕不开的问题。
当电路信号受到任何干扰时,就会发生这种情况。
由于电磁信号的性质,并不能避免噪声的存在,但是可以大大降低其影响。
需要注意的是,设备在运行时不会受到其他设备的影响,正如设备不会受到其他设备影响一样,电磁敏感性是电路系统受到干扰仍然保持正常工作的能力。
这种敏感性将取决于施加的噪声水平,而不同的应用诸如车载、医疗、军事等领域,拥有不同的程度磁化率。
每个电路、设备或系统都必须经过适当的设计,尽可能减少辐射水平,来达到只对高水平的电磁场敏感。
EMC认证电磁兼容性(EMC)认证是任何产品上市必须经过的步骤,每个产品都必须通过EMC测试,以确保安装时不会影响任何其他设备(例如辐射测试),并且即使周围存在其他系统(例如,敏感性测试)。
EMC测试在消声室内进行,图片来源于Hermon Laboratories提供通常来说,电子设备都会安装在外壳内,金属外壳非常擅长限制电磁屏蔽,但相对来说并不完美。
PCB和外壳之间的结合处会出现孔或槽,并且电磁场可以穿过它们,简言之EMI屏蔽就是要覆盖这些孔或槽。
此外,许多产品设计中存在一个普遍问题:仅在设计周期的最新阶段才去考虑EMC认证的问题,在此情况下,整体的设计就被冻结到了这个阶段,EMC工程师并没有空间去修改产品设计解决电磁相关的问题。
电磁屏蔽原理及材料分析
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电磁屏蔽原理及材料分析电子设备工作时,会受到各种电磁干扰(Electro—magnetic Interference),包括自身的干扰和来自其它设备的干扰,同时也会对其它设备产生电磁干扰电磁干扰若超过了设备的允许值,就会影响设备的正常工作电磁屏蔽有2个目的,一方面能防止干扰源对设备或系统内部产生有害影响,另一方面也可以防止设备或系统内有害的电磁辐射向外传播(一)电磁屏蔽原理电磁屏蔽是电磁兼容技术的主要措施之一即用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来使其外部电磁场强度低于允许值的一种措施;或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施电磁屏蔽效能是在电磁场中同一地点无屏蔽时的电磁场强度与加屏蔽体后的电磁场强度之比常用分贝数(dB)表示屏蔽效能SE又包括吸收损失A反射损失R和多次反射损失B组成如下图所示:即SE=A R B根据屏蔽的工作原理可将屏蔽分为以下3大类:电场屏蔽磁场屏蔽及电磁场屏蔽(1)电场屏蔽当干扰源产生的干扰是以电压形式出现时干扰源与电子设备之间就存在容性电场耦合可将其视为分布电容间的耦合为消除或抑制这种干扰要进行电场屏蔽其设计应遵从的原则是:屏蔽体要尽量靠近受保护物而且屏蔽体的接地必须良好;屏蔽效果的好坏与屏蔽体的形状有着最直接的关系屏蔽体如果能够做成全封闭的金属盒最好,但在工程实践中还需要根据实际情况而定;屏蔽体的材料要以良导体为好,对厚度没有严格的要求,只要有足够的强度即可(2)磁场屏蔽当干扰源以电流的形式出现时.此电流所产生的磁场通过互感耦合对邻近信号形成干扰此时,为了抑制干扰,要施行磁场屏蔽磁场屏蔽机理主要是依靠高导磁材料所具有的低磁阻对磁通起着分路的作用,从而使得屏蔽体内部的磁场大为减弱总之,对于磁场屏蔽来讲:当电磁场干扰源的频率较高时,利用高电导率低电阻率的金属材料中产生的涡流反向磁场形成对外来电磁波的抵消作用,从而达到屏蔽的效果当电磁场干扰源的频率较低时,要采用高磁导率的材料,构成低磁阻通路,从而使磁力线限制在屏蔽体内部,防止扩散到屏蔽的空间去,使大部分磁场被集中在屏蔽体内在某些场合下,如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时,往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体(3)电磁场屏蔽单纯的电场或磁场干扰源是很少见的,通常所说的电磁干扰是指电场和磁场同时存在的高频电磁场干扰电磁场屏蔽用于抑制干扰源和敏感设备距离较远时通过电磁场耦合产生的干扰,它必须同时屏蔽电场和磁场,通常采用电阻率小的良导体材料,空间干扰电磁波在入射到金属体表面时会产生反射和吸收电磁能量被衰减从而起到屏蔽作用静电屏蔽与静磁屏蔽很容易采取良导体材料实现但在交变电磁场中电场和磁场总是同时存在于同一空间的,因此必须同时考虑电场和磁场的屏蔽然而,由于频率的不同,交变电磁场的干扰效应区也不同,实际中应区别对待(二)新型电磁屏蔽材料为了满足这些设备对电磁干扰屏蔽的需要.在过去的几年中人们开发了大批新的改良的产品,此外还有一些仍在设计中的产品几乎每种屏蔽材料都已经发生了显著的变化(1)高性能抗压通风板这种材料是在需要有效通风时用于电磁干扰屏蔽的金属蜂窝通风板的一种替代品它是一种节省成本的创新方法,在增加了通风量的同时提供电磁干扰防护它是一种镍铜镀层的塑料蜂窝材料.周边围绕着导电泡沫带这种金属化的聚合物蜂窝设计无需昂贵的框架和其他连接件,可节省大量的装配工作这种无框架设计使得单位表面积的通风量比等效的框架通风板大较之有框架的通风板.可增加有效通风面积10%~20%这种改善的通风量对许多目前被设计成密集填满的屏蔽罩的降温是至关重要的(2)高纵横比点胶工艺(FIP)新的旋转头点涂技术增加了另一种导电橡胶原位成形技术的选择现在,除了标准的半圆衬垫,还有各种形状的衬垫可供使用旋转喷头技术提供第四轴点涂能力.使得高度大于宽度的衬垫一遍即被完成而在以前,为了实现这种宽度比可能需要两遍或三遍在这个过程中使用喷头绕Z 轴旋转的点胶分发器专用的新型的分发针来产生想要的最终衬垫形状(3)超软模塑织物泡沫利用塑料制造屏蔽罩的趋势以及严酷的环境要求,特别在欧洲,已经在织物泡沫产品(FOF)方面的引起了一场革命无溴超软模塑织物泡沫是一种新型符合UL94VO规定的织物泡沫屏蔽产品相对于传统FOF产品来说,它具有较高的压缩形变值在许多情况下,模塑织物泡沫产品比传统产品既在压缩应力指标上有所提高.又在抗压缩形变能力上提高了50%。
EMI屏蔽(kepuwenzhang)
![EMI屏蔽(kepuwenzhang)](https://img.taocdn.com/s3/m/49a19c0e6c85ec3a87c2c596.png)
电磁兼容性(Electromagnetic Compatibility)缩写EMC,就是指某电子设备既不干扰其它设备,同时也不受其它设备的影响。
电磁兼容性和我们所熟悉的安全性一样,是产品质量最重要的指标之一。
安全性涉及人身和财产,而电磁兼容性则涉及人身和环境保护。
电磁波会与电子元件作用,产生干扰现象,称为EMI(Electromagnetic Interference)。
例如,TV荧光屏上常见的“雪花”,便表示接受到的讯号被干扰。
屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔离,以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。
具体讲,就是用屏蔽体将元部件、电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来,防止干扰电磁场向外扩散;用屏蔽体将接收电路、设备或系统包围起来,防止它们受到外界电磁场的影响。
因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波均起着吸收能量(涡流损耗)、反射能量(电磁波在屏蔽体上的界面反射)和抵消能量(电磁感应在屏蔽层上产生反向电磁场,可抵消部分干扰电磁波)的作用,所以屏蔽体具有减弱干扰的功能。
(1)当干扰电磁场的频率较高时,利用低电阻率的金属材料中产生的涡流,形成对外来电磁波的抵消作用,从而达到屏蔽的效果。
(2)当干扰电磁波的频率较低时,要采用高导磁率的材料,从而使磁力线限制在屏蔽体内部,防止扩散到屏蔽的空间去。
(3)在某些场合下,如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时,往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体。
许多人不了解电磁屏蔽的原理,认为只要用金属做一个箱子,然后将箱子接地,就能够起到电磁屏蔽的作用。
在这种概念指导下结果是失败。
因为,电磁屏蔽与屏蔽体接地与否并没有关系。
真正影响屏蔽体屏蔽效能的只有两个因素:一个是整个屏蔽体表面必须是导电连续的,另一个是不能有直接穿透屏蔽体的导体。
屏蔽体上有很多导电不连续点,最主要的一类是屏蔽体不同部分结合处形成的不导电缝隙。
电磁干扰抑制技术概述EMI
![电磁干扰抑制技术概述EMI](https://img.taocdn.com/s3/m/5e92c7a0c67da26925c52cc58bd63186bceb9224.png)
电磁干扰抑制技术概述EMI电磁干扰抑制技术概述主题词:电磁兼容性(emc)、电磁干扰(emi)、抑制技术。
全文:本文紧紧围绕电磁干扰三要素,了解了各种相同的电磁干扰遏制技术以及电磁兼容设计思路,特别强调了电子产品在设计初即展开emc研究的重要性。
提起电磁干扰(emi)这个词,人们或许还感陌生,但emi的影响却是几乎每个人都曾身经历过的。
例如,观看电视时,附近有人使用电钻、电吹风等电器,会使电视画面出现雪花点,所声器里发出剌耳的噪声……这类现象人们早已司空见惯、习以为常了,但是电磁干扰的危害却远不止如此。
事实上,电磁干扰已使民航系统失效、通信不畅、计算机运行错误、自控设备误动作等,甚至危及人身安全。
因此,加强电磁容性(emc)知识的普及,提高emi抑制技术,已成为当务之急。
所谓电磁兼容性就是指电子线路、系统相互不影响,在电磁方面相互相容的状态。
对于emc技术的研究,国外从本世纪三十年代已经开始的,一些国家和国际非政府例如美国联邦通信委员会(fcc),德国电气电子工程师协会(vde)、国际无线电阻碍特别委员会(cispr)等先后制订了一些指导性文件和规程,目前已构成一套较完整的体系,并获得严格遵守,美国计算机业即为全面继续执行fcc规程。
我国电磁兼容性工作起步较晚,有关标准自八十年代才陆续颁布,应用领域方面则由于缺乏经验和技术而停步艰困。
如何尽快赶上国际一流水平,并使我国电子产品能够满足用户日益紧迫的国内市场需求并在国际市场占到一席之地,已沦为为大家关心的关键性课题。
本文愿意就电磁干扰遏制技术谈论一点浅见,抛砖引玉,与各位共同互相切磋。
电磁干扰的定义,是指由外部噪声和无用电磁波在接收中所造成的骚扰。
一个系统或系统内某一线路受电磁干扰程度可以表示为如下关系式:n=g×c/ig:噪声源强度;c:噪声通过某种途径传至受到阻碍处的耦合因素;i:受干扰电路的敏感程度。
g、c、i这三者形成电磁干扰三要素。
光伏逆变器_emi原理_概述说明以及概述
![光伏逆变器_emi原理_概述说明以及概述](https://img.taocdn.com/s3/m/3b8569cf8662caaedd3383c4bb4cf7ec4afeb606.png)
光伏逆变器emi原理概述说明以及概述1. 引言1.1 概述光伏逆变器作为太阳能发电系统中的核心设备,被广泛应用于各种规模的光伏发电项目中。
它负责将太阳能电池板所产生的直流电转换成交流电,并将其输送到实际用电设备中。
然而,在逆变过程中,会产生一种被称为电磁干扰(EMI)的现象。
这种干扰可能对其他电子设备、通信系统和无线网络造成负面影响,因此需要对光伏逆变器的EMI原理进行深入的了解。
1.2 文章结构本文将围绕光伏逆变器EMI原理展开探讨。
首先,将介绍光伏逆变器的基本概念和作用,以及EMI产生的相关背景知识。
随后,详细阐述EMI原理及其重要性,并分析其对设备和系统性能的潜在影响。
接着,将着重讨论光伏逆变器在EMI方面存在的主要问题,并提出解决这些问题的方法和技术。
最后,在结论部分对全文进行总结,并展望未来在该领域的研究方向。
1.3 目的本文旨在为读者提供一个全面和深入理解光伏逆变器EMI原理的指南。
通过对EMI产生机制、影响因素以及解决方法进行详细阐述,读者将能够更好地理解光伏逆变器在实际应用中所面临的问题,并学习到如何有效减少或抑制EMI的技术手段。
同时,本文也将强调光伏逆变器EMI问题的重要性,并展望未来在该领域的研究方向,以期为相关研究和实践提供有价值的参考和借鉴。
2. 光伏逆变器EMI原理概述2.1 光伏逆变器介绍光伏逆变器是将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电的设备。
它在光伏发电系统中起着至关重要的作用,将直流电转换为交流电以供给家庭和商业用途。
然而,光伏逆变器在工作过程中会产生电磁干扰,也称为EMI(Electromagnetic Interference),对其他电子设备和通信设备造成干扰。
因此,了解光伏逆变器的EMI原理对我们提高系统性能、减少干扰至关重要。
2.2 EMI概念和影响EMI指的是在一个系统中出现的电磁辐射或者通过传导方式引入到其他系统中的不希望的信号。
光伏逆变器所产生的EMI会对附近的通信设备、无线网络以及其他敏感设备造成干扰,甚至可能导致其正常运行受阻。
电磁干扰(EMI)
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电磁干扰(EMI)所谓的电磁干扰,广义来说,一切进入信道或通信系统的非有用信号,均称之为电磁干扰。
电磁干扰已经深入到我们日常的生活。
例如,观看电视时,附近有人使用电钻、电吹风等电器,会使电视画面出现雪花点,所声器里发出剌耳的噪声……等等。
这类现象人们早已司空见惯、习以为常了,但是电磁干扰的危害却远不止如此。
事实上,电磁干扰已使民航系统失效、通信不畅、计算机运行错误、自控设备误动作等,甚至危及人身安全。
因此如何有效的抑制电磁干扰成为模拟工程师必须具备和考虑的因素,在这里小编为大家详述了什么是电磁干扰,如何有效的抑制电磁干扰。
电子线路与电磁干扰的分析现代的电子产品,功能越来越强大,电子线路也越来越复杂,电磁干扰(EMI)和电磁兼容性问题变成了主要问题,电路设计对设计师的技术水平要求也越来越高。
电磁干扰一般都分为两种,传导干扰和辐射干扰。
传导干扰是指通过导电介质把一个电网络上的信号耦合(干扰)到另一个电网络。
辐射干扰是指干扰源通过空间把其信号耦合(干扰)到另一个电网络。
因此对EMC问题的研究就是对干扰源、耦合途径、敏感设备三者之间关系的研究。
美国联邦通讯委员会在1990年、欧盟在1992提出了对商业数码产品的有关规章,这些规章要求各个公司确保他们的产品符合严格的磁化系数和发射准则。
符合这些规章的产品称为具有电磁兼容性。
目前全球各地区基本都设置了EMC相应的市场准入认证,用以保护本地区的电磁环境和本土产品的竞争优势。
如:北美的FCC、NEBC认证、欧盟的CE认证、日本的VCCEI认证、澳洲的C-tick人证、台湾地区的BSMI认证、中国的3C认证等都是进入这些市场的“通行证”。
电磁感应与电磁干扰很多人从事电子线路设计的时候,都是从认识电子元器件开始,但从事电磁兼容设计实际上应从电磁场理论开始,即从电磁感应认识开始。
一般电子线路都是由电阻器、电容器、电感器、变压器、有源器件和导线组成,当电路中有电压存在的时候,在所有带电的元器件周围都会产生电场,当电路中有电流流过的时候,在所有载流体的周围都存在磁场。
电磁屏蔽基本原理介绍
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之阳早格格创做正在电子设备及电子产品中,电磁搞扰(Electromagnetic Interference)能量通过传导性耦合战辐射性耦合去举止传输.为谦脚电磁兼容性央供,对付传导性耦合需采与滤波技能,即采与EMI滤波器件加以压制;对付辐射性耦合则需采与屏蔽技能加以压制.正在目前电磁频谱日趋聚集、单位体积内电磁功率稀度慢遽减少、下矮电仄器件大概设备洪量混同使用等果素而引导设备及系统电磁环境日益逆转的情况下,其要害性便隐得更为超过.屏蔽是通过由金属制成的壳、盒、板等屏蔽体,将电磁波限制于某一天区内的一种要领.由于辐射源分为近区的电场源、磁场源战近区的仄里波,果此屏蔽体的屏蔽本能依据辐射源的分歧,正在资料采用、结构形状战对付孔缝揭收统制等圆里皆有所分歧.正在安排中要达到所需的屏蔽本能,则需最先决定辐射源,精确频次范畴,再根据各个频段的典型揭收结构,决定统制果素,从而采用妥当的屏蔽资料,安排屏蔽壳体.屏蔽体对付辐射搞扰的压制本领用屏蔽效能SE(Shielding Effectiveness)去衡量,屏蔽效能的定义:不屏蔽体时,从辐射搞扰源传输到空间某一面(P)的场强1(1)战加进屏蔽体后,辐射搞扰源传输到空间共一面(P)的场强2(2)之比,用dB(分贝)表示.图1 屏蔽效能定义示企图屏蔽效能表白式为 (dB) 大概(dB)工程中,本量的辐射搞扰源大概分为二类:类似于对付称振子天线的非关合载流导线辐射源战类似于变压器绕组的关合载流导线辐射源.由于电奇极子战磁奇极子是上述二类源的最基础形式,本量的辐射源正在空间某面爆收的场,均可由若搞个基基础的场叠加而成(图2).果此通过对付电奇极子战磁奇极子所爆收的场举止分解,便可得出本量辐射源的近近场及波阻抗战近、近场的场个性,从而为屏蔽分类提供劣良的表里依据.图2 二类基基础正在空间所爆收的叠加场近近场的区分是根据二类基基础的场随1/r(场面至源面的距离)的变更而决定的,为近近场的分界面,二类源正在近近场的场个性及传播个性均有所分歧.表1 二类源的场与传播个性场源典型近场()近场( )场个性传播个性场个性传播个性电奇极子非仄里波以衰减仄里波以衰减磁奇极子非仄里波以衰减仄里波以衰减波阻抗为空间某面电场强度与磁场强度之比,场源分歧、近近场分歧,则波阻抗也有所分歧,表2与图3分别用图表给出了的波阻抗个性.表2 二类源的波阻抗波阻抗(Ω)场源典型近场()近场()电奇极子120π120π磁奇极子120π120π能量稀度包罗电场分量能量稀度战磁场分量能量稀度,通过对付由共一场源所爆收的电场、磁场分量的能量稀度举止比较,不妨决定场源正在分歧天区内何种分量占主要成份,以便决定简曲的屏蔽分类.能量稀度的表白式由下列公式给出:电场分量能量稀度磁场分量能量稀度场源总能量稀度表3 二类源的能量稀度能量稀度比较场源典型近场()近场()电奇极子磁奇极子表3给出了二种场源正在近、近场的能量稀度.从表中不妨瞅出,二类源的近场有很大的辨别,电奇极子的近场能量主要为电场分量,可忽略磁场分量;磁奇极子的近场能量主要为磁场分量,可忽略电场分量;二类源正在近场时,电场、磁场分量均必须共时思量.屏蔽典型依据上述分解不妨举止以下分类:表4 屏蔽分类场源典型近场()近场()电奇极子(非关合载流导线)电屏蔽(包罗静电屏蔽)电磁屏蔽磁奇极子(关合载流导线)磁屏蔽(包罗恒定磁场屏蔽)电磁屏蔽电屏蔽的真量是减小二个设备(大概二个电路、组件、元件)间电场感触的效用.电屏蔽的本理是正在包管劣良交天的条件下,将搞扰源所爆收的搞扰末止于由良导机制成的屏蔽体.果此,交天劣良及采用良导体搞为屏蔽体是电屏蔽是可起效用的二个关键果素.磁屏蔽的本理是由屏蔽体对付搞扰磁场提供矮磁阻的磁通路,从而对付搞扰磁场举止分流,果而采用钢、铁、坡莫合金等下磁导率的资料战安排盒、壳等启关壳体成为磁屏蔽的二个关键果素.电磁屏蔽的本理是由金属屏蔽体通过对付电磁波的反射战吸支去屏蔽辐射搞扰源的近区场,即共时屏蔽场源所爆收的电场战磁场分量.由于随着频次的删下,波少变得与屏蔽体上孔缝的尺寸相称,从而引导屏蔽体的孔缝揭收成为电磁屏蔽最关键的统制果素.屏蔽体的揭收耦合结构与所需压制的电磁波频次稀切相关,三类屏蔽所波及的频次范畴及统制果素如表5所示:表5 揭收耦合结构与统制果素本量屏蔽体上共时存留多个揭收耦合结构(n个),设机箱交缝、透气孔、屏蔽体壁板等各揭收耦合结构的单独屏蔽效能(如只思量交缝)为SEi(i=1,2,…,n),则屏蔽体总的屏蔽效能由上式不妨瞅出,屏蔽体的屏蔽效能是由各个揭收耦合结构中爆收最大揭收耦合的结构所决断的,即由屏蔽最单薄的关节所决断的.果此举止屏蔽安排时,精确分歧频段的揭收耦合结构,决定最大揭收耦合果素是其主要的安排准则.正在三类屏蔽中,磁屏蔽战电磁屏蔽的易度较大.更加是电磁屏蔽安排中的孔缝揭收压制最为关键,成为屏蔽安排中应沉面思量的主要果素.图4 典型机柜结构示企图根据孔耦合表里,决断孔缝揭收量的果素主要有二个:孔缝里积战孔缝最大线度尺寸.二者皆大,则揭收最为宽沉;里积小而最大线度尺寸大则电磁揭收仍旧较大.图4所示为一典型机柜示企图,上头的孔缝主要分为四类:●机箱(机柜)交缝该类缝虽然里积不大,然而其最大线度尺寸即缝少却非常大,由于维建、开开等节制,以致该类缝成为电子设备中屏蔽易度最大的一类孔缝,采与导电衬垫等特殊屏蔽资料不妨灵验天压制电磁揭收.该类孔缝屏蔽安排的关键正在于:合理天采用导电衬垫资料并举止适合的变形统制.●透气孔该类孔里积战最大线度尺寸较大,透气孔安排的关键正在于透气部件的采用与拆置结构的安排.正在谦脚透气本能的条件下,应尽大概采用屏效较下的屏蔽透气部件.●瞅察孔与隐现孔该典型孔里积战最大线度尺寸较大,其安排的关键正在于屏蔽透光资料的采用与拆置结构的安排.●连交器与机箱交缝那类缝的里积与最大线度尺寸均不大,然而由于正在下频时引导连交器与机箱的交触阻抗慢遽删大,从而使得屏蔽电缆的共模传导收射变大,往往引导所有设备的辐射收射出现超标,为此应采与导电橡胶等连交器导电衬垫.综上所述,孔缝压制的安排重心归纳为:●合理采用屏蔽资料;●合理安排拆置互连结构.电磁屏蔽电磁屏蔽是办理电磁兼容问题的要害脚法之一.大部分电磁兼容问题皆不妨通过电磁屏蔽去办理.用电磁屏蔽的要领去办理电磁搞扰问题的最大用处是不会效用电路的仄常处事,果此不需要对付电路搞所有建改.1 采用屏蔽资料屏蔽体的灵验性用屏蔽效能去度量.屏蔽效能是不屏蔽时空间某个位子的场强E1与有屏蔽时该位子的场强E2的比值,它表征了屏蔽体对付电磁波的衰减程度.用于电磁兼容脚法的屏蔽体常常能将电磁波的强度衰减到本去的百分之一至百万分之一,果此通时常使用分贝去表述屏蔽效能,那时屏蔽效能的定义公式为:SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB) 用那个定义式只可尝试屏蔽资料的屏蔽效能,而无法决定该当使用什么资料搞屏蔽体.要决定使用什么资料制制屏蔽体,需要相识资料的屏蔽效能与资料的什么个性参数有关.工程中真用的表征资料屏蔽效能的公式为:SE = A + R (dB) 式中的A称为屏蔽资料的吸支耗费,是电磁波正在屏蔽资料中传播时爆收的,估计公式为:A=3.34t(fμrσr)(dB) t = 资料的薄度,μr = 资料的磁导率,σr = 资料的电导率,对付于特定的资料,那些皆是已知的.f = 被屏蔽电磁波的频次.式中的R称为屏蔽资料的反射耗费,是当电磁波进射到分歧媒量的分界里时爆收的,估计公式为:R=20lg(ZW/ZS)(dB) 式中,Zw=电磁波的波阻抗,Zs=屏蔽资料的个性阻抗.电磁波的波阻抗定义为电场分量与磁场分量的比值:Zw = E / H.正在距离辐射源较近(<λ/2π,称为近场区)时,波阻抗的值与决于辐射源的本量、瞅测面到源的距离、介量个性等.若辐射源为大电流、矮电压(辐射源电路的阻抗较矮),则爆收的电磁波的波阻抗小于377,称为矮阻抗波,大概磁场波.若辐射源为下电压,小电流(辐射源电路的阻抗较下),则波阻抗大于377,称为下阻抗波大概电场波.关于近场区内波阻抗的简曲估计公式本文不予叙述,免得冲浓中心,感兴趣的读者不妨参照有关电磁场圆里的参照书籍.当距离辐射源较近(>λ/2π,称为近场区)时,波波阻抗仅与电场波传播介量有关,其数值等于介量的个性阻抗,气氛为377Ω.屏蔽资料的阻抗估计要领为:|ZS|=3.68×107(fμr/σr) (Ω) f=进射电磁波的频次(Hz),μr=相对付磁导率,σr=相对付电导率从上头几个公式,便不妨估计出百般屏蔽资料的屏蔽效能了,为了便当安排,底下给出一些定性的论断.●正在近场区安排屏蔽时,要分别思量电场波战磁场波的情况;●屏蔽电场波时,使用导电性好的资料,屏蔽磁场波时,使用导磁性好的资料;●共一种屏蔽资料,对付于分歧的电磁波,屏蔽效能使分歧的,对付电场波的屏蔽效能最下,对付磁场波的屏蔽效能最矮,也便是道,电场波最简单屏蔽,磁场波最易屏蔽;●普遍情况下,资料的导电性战导磁性越好,屏蔽效能越下;●屏蔽电场波时,屏蔽体尽管靠拢辐射源,屏蔽磁场源时,屏蔽体尽管近离磁场源;有一种情况需要特天注意,那便是1kHz以下的磁场波.那种磁场波普遍由大电流辐射源爆收,比圆,传输大电流的电力线,大功率的变压器等.对付于那种频次很矮的磁场,只可采与下导磁率的资料举止屏蔽,时常使用的资料是含镍80%安排的坡莫合金.2 孔洞战漏洞的电磁揭收与对付策普遍除了矮频磁场中,大部分金属资料不妨提供100dB 以上的屏蔽效能.然而正在本量中,罕睹的情况是金属搞成的屏蔽体,并不那样下的屏蔽效能,以至险些不屏蔽效能.那是果为许多安排人员不相识电磁屏蔽的关键.最先,需要相识的是电磁屏蔽与屏蔽体交天与可并不关系.那与静电场的屏蔽分歧,正在静电中,只消将屏蔽体交天,便不妨灵验天屏蔽静电场.而电磁屏蔽却与屏蔽体交天与可无关,那是必须精确的.电磁屏蔽的关键面有二个,一个是包管屏蔽体的导电连绝性,即所有屏蔽体必须是一个完备的、连绝的导电体.另一面是不克不迭有脱过机箱的导体.对付于一个本量的机箱,那二面真止起去皆非常艰易.最先,一个真用的机箱上会有很多孔洞战孔缝:透气心、隐现心、拆置百般安排杆的开心、分歧部分分离的漏洞等.屏蔽安排的主要真量便是怎么样妥擅处理那些孔缝,共时不会效用机箱的其余本能(好瞅、可维性、稳当性).其次,机箱上经常会有电缆脱出(进),起码会有一条电源电缆.那些电缆会极天里妨害屏蔽体,使屏蔽体的屏蔽效能落矮数格中贝.妥擅处理那些电缆是屏蔽安排中的要害真量之一(脱过屏蔽体的导体的妨害奇尔比孔缝的妨害更大).当电磁波进射到一个孔洞时,其效用相称于一个奇极天线(图1),当孔洞的少度达到λ/2时,其辐射效用最下(与孔洞的宽度无关),也便是道,它不妨将激励孔洞的局部能量辐射进去.对付于一个薄度为0资料上的孔洞,正在近场区中,最坏情况下(制成最大揭收的极化目标)的屏蔽效能(本量情况下屏蔽效能大概会更大一些)估计公式为:SE=100 20lgL 20lg f + 20lg [1 + 2.3lg(L/H)] (dB) 若L ≥λ/2,SE = 0 (dB) 式中各量:L = 漏洞的少度(mm),H = 漏洞的宽度(mm),f = 进射电磁波的频次(MHz).正在近场区,孔洞的揭收还与辐射源的个性有关.当辐射源是电场源时,孔洞的揭收比近场时小(屏蔽效能下),而当辐射源是磁场源时,孔洞的揭收比近场时要大(屏蔽效能矮).近场区,孔洞的电磁屏蔽估计公式为:若ZC >(7.9/D·f):SE = 48 + 20lg ZC 20lgL·f+ 20lg [1 + 2.3lg (L/H) ] 若Zc<(7.9/D·f):SE = 20lg [ (D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ]式中:Zc=辐射源电路的阻抗(Ω),D = 孔洞到辐射源的距离(m),L、H = 孔洞少、宽(mm),f = 电磁波的频次(MHz)证明:● 正在第二个公式中,屏蔽效能与电磁波的频次不关系.● 大普遍情况下,电路谦脚第一个公式的条件,那时的屏蔽效能大于第二中条件下的屏蔽效能.● 第二个条件中,假设辐射源是杂磁场源,果此不妨认为是一种正在最坏条件下,对付屏蔽效能的守旧估计.● 对付于磁场源,屏蔽效能与孔洞到辐射源的距离有关,距离越近,则揭收越大.那面正在安排时一定要注意,磁场辐射源一定要尽管近离孔洞.多个孔洞的情况当N个尺寸相共的孔洞排列正在所有,而且相距很近(距离小于λ/2)时,制成的屏蔽效能下落为20lgN1/2.正在分歧里上的孔洞不会减少揭收,果为其辐射目标分歧,那个个性不妨正在安排中用去预防某一个里的辐射过强.除了使孔洞的尺寸近小于电磁波的波少,用辐射源尽管近离孔洞等要领减小孔洞揭收以中,减少孔洞的深度也不妨减小孔洞的揭收,那便是停止波导的本理.普遍情况下,屏蔽机箱上分歧部分的分离处不可能真足交触,只可正在某些面交触上,那形成了一个孔洞阵列.漏洞是制成屏蔽机箱屏蔽效能落级的主要本果之一.减小漏洞揭收的要领有:● 减少导电交触面、减小漏洞的宽度,比圆使用板滞加工的脚法(如用铣床加工交触表面)去减少交触里的仄坦度,减少紧固件(螺钉、铆钉)的稀度;● 加大二块金属板之间的沉叠里积;● 使用电磁稀启衬垫,电磁稀启衬垫是一种弹性的导电资料.如果正在漏洞处拆置上连绝的电磁稀启衬垫,那么,对付于电磁波而止,便如共正在液体容器的盖子上使用了橡胶稀启衬垫后不会爆收液体揭收一般,不会爆收电磁波的揭收.3 脱过屏蔽体的导体的处理制成屏蔽体做废的另一个主要本果是脱过屏蔽体的导体.正在本量中,很多结构上很周到的屏蔽机箱(机柜)便是由于有导体曲交脱过屏蔽箱而引导电磁兼容考查波折,那是缺累电磁兼容体味的安排师感触狐疑的典型问题之一.推断那种问题的要领是将设备上正在考查中不需要连交的电缆拔下,如果电磁兼容问题消得,证明电缆是引导问题的果素.办理那个问题有二个要领:● 对付于传输频次较矮的旗号的电缆,正在电缆的端心处使用矮通滤波器,滤除电缆上不需要的下频频次身分,减小电缆爆收的电磁辐射(果为下频电流最简单辐射).那共样也能预防电缆上感触到的环境噪声传进设备内的电路.● 对付于传输频次较下的旗号的电缆,矮通滤波器大概会引导旗号得真,那时只可采与屏蔽的要领.然而要注意屏蔽电缆的屏蔽层要360°拆交,那往往是很易的.正在电缆端心拆置矮通滤波器有二个要领● 拆置正在线路板上,那种要领的便宜是经济,缺面是下频滤波效验短好.隐然,那个缺面对付于那种用途的滤波器是格中致命的,果为,咱们使用滤波器的脚法便是滤除简单引导辐射的下频旗号,大概者空间的下频电磁波正在电缆上感触的电流.● 拆置正在里板上,那种滤波器曲交拆置正在屏蔽机箱的金属里板上,如馈通滤波器、滤波阵列板、滤波连交器等.由于曲交拆置正在金属里板上,滤波器的输进、输出之间真足断绝,交天劣良,导线上的搞扰正在机箱端心上被滤除,果此滤波效验格中理念.缺面是拆置需要一定的结构协共,那必须正在安排初期举止思量.由于新颖电子设备的处事频次越去越下,对付付的电磁搞扰频次也越去越下,果此正在里板上拆置搞扰滤波器成为一种趋势.一种使用格中便当、本能格中劣良的器件便是滤波连交器.滤波连交器的形状与一般连交器的形状真足相共,不妨曲交替换.它的每根插针大概孔上有一个矮通滤波器.矮通滤波器不妨是简朴的单电容电路,也不妨是较搀杂的电路.办理电缆上搞扰的一个格中简朴的要领是正在电缆上套一个铁氧体磁环,那个要领虽然往往灵验,然而是有一些条件.许多人对付铁氧体寄予了过下憧憬,只消一逢到电缆辐射的问题,便正在电缆上套铁氧体,往往会得视.铁氧体磁环的效验预测公式为:共模辐射革新 =20lg(加磁环后的共模环路阻抗/加磁环前的共模环路阻抗)比圆,如果出加铁氧体时的共模环路阻抗为100Ω,加了铁氧体以去为1000Ω,则共模辐射革新为20dB.证明:奇尔套上铁氧体后,电磁辐射并不明隐的革新,那本去纷歧定是铁氧体不起效用,而大概是除了那根电缆以中,另有其余辐射源.正在电缆上使用铁氧体磁环时,要注意下列一些问题:● 磁环的内径尽管小● 磁环的壁尽管薄● 磁环尽管少● 磁环尽管拆置正在电缆的端头处金属屏蔽效用可用屏蔽效用(SE)对付屏蔽罩的适用性举止评估,其单位是分贝,估计公式为SEdB=A+R+B 其中A:吸支耗费(dB) R:反射耗费(dB) B:矫正果子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存留多个反射的情况)一个简朴的屏蔽罩会使所爆收的电磁场强度落至最初的格中之一,即SE 等于20dB;而有些场合大概会央供将场强落至为最初的十万分之一,即SE要等于100dB. 吸支耗费是指电磁波脱过屏蔽罩时能量耗费的数量,吸支耗费估计式为AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t其中f:频次(MHz) μ:铜的导磁率σ:铜的导电率t:屏蔽罩薄度反射耗费(近场)的大小与决于电磁波爆收源的本量以及与波源的距离.对付于杆状大概曲线形收射天线而止,离波源越近波阻越下,而后随着与波源距离的减少而下落,然而仄里波阻则无变更(恒为377). 差异,如果波源是一个小型线圈,则此时将以磁场为主,离波源越近波阻越矮.波阻随着与波源距离的减少而减少,然而当距离超出波少的六分之一时,波阻不再变更,恒定正在377处.反射耗费随波阻与屏蔽阻抗的比率变更,果此它不然而与决于波的典型,而且与决于屏蔽罩与波源之间的距离.那种情况适用于小型戴屏蔽的设备. 近场反射耗费可按下式估计R(电)dB=321.8(20×lg r)(30×lg f)[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(μ/σ)]其中r:波源与屏蔽之间的距离. SE算式末尾一项是矫正果子B,其估计公式为B=20lg[exp(2t/σ)]此式仅适用于近磁场环境而且吸支耗费小于10dB的情况.由于屏蔽物吸功效用不下,其里里的再反射会使脱过屏蔽层另部分的能量减少,所以矫正果子是个背数,表示屏蔽效用的下落情况.EMI压制战术惟犹如金属战铁之类导磁率下的资料才搞正在极矮频次下达到较下屏蔽效用.那些资料的导磁率会随着频次减少而落矮,其余如果初初磁场较强也会使导磁率落矮,另有便是采与板滞要领将屏蔽罩做成确定形状共样会落矮导磁率.综上所述,采用用于屏蔽的下导磁性资料非常搀杂,常常要背EMI屏蔽资料供应商以及有关接洽机构觅供办理规划. 正在下频电场下,采与薄层金属动做中壳大概内衬资料可达到劣良的屏蔽效验,然而条件是屏蔽必须连绝,并将敏感部分真足覆挡住,不缺心大概漏洞(产死一个法推第笼).然而正在本量中要制制一个无交缝及缺心的屏蔽罩是不可能的,由于屏蔽罩要分成多个部分举止创制,果此便会有漏洞需要交合,其余常常还得正在屏蔽罩上挨孔以便拆置与插卡大概拆置组件的连线.安排屏蔽罩的艰易正在于制制历程中不可预防会爆收孔隙,而且设备运止历程中还会需要用到那些孔隙.制制、里板连线、透气心、中部监测窗心以及里板拆置组件等皆需要正在屏蔽罩上挨孔,从而大大落矮了屏蔽本能.纵然沟槽战漏洞不可预防,然而正在屏蔽安排中对付与电路处事频次波少有关的沟槽少度做小心思量是很有用处的. 任一频次电磁波的波少为: 波少(λ)=光速(C)/频次(Hz) 当漏洞少度为波少(停止频次)的一半时,RF波开初以20dB/10倍频(1/10停止频次)大概6dB/8倍频(1/2停止频次)的速率衰减.常常RF收射频次越下衰减越宽沉,果为它的波少越短.当波及到最下频次时,必须要思量大概会出现的所有谐波,不过本量上只需思量一次及二次谐波即可.一朝相识了屏蔽罩内RF辐射的频次及强度,便可估计出屏蔽罩的最大允许漏洞战沟槽.比圆如果需要对付1GHz(波少为300mm)的辐射衰减26dB,则150mm的漏洞将会开初爆收衰减,果此当存留小于150mm的漏洞时,1GHz辐射便会被衰减.所以对付1GHz频次去道,若需要衰减20dB,则漏洞应小于15 mm(150mm的1/10),需要衰减26dB时,漏洞应小于7.5 mm(15mm的1/2以上),需要衰减32dB 时,漏洞应小于 3.75 mm(7.5mm的1/2以上).可采与符合的导电衬垫使漏洞大小规定正在确定尺寸内,从而真止那种衰减效验. 定正在确定尺寸内,从而真止那种衰减效验.。
EMI测试原理
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• 2.电磁骚扰传播途径 电磁干扰传播途径一般也分为两种:即传导耦合方式和辐射耦合 方式。 任何电磁干扰的发生都必然存在干扰能量的传输和传输途径(或传输通 道)。通常认为电磁干扰传输有两种方式:一种是传导传输方式;另一 种是辐射传输方式。因此从被干扰的敏感器来看,干扰耦合可分为传导 耦合和辐射耦合两大类。 传导传输必须在干扰源和敏感器之间有完整的电路连接,干扰信 号沿着这个连接电路传递到敏感器,发生干扰现象。这个传输电路可包 括导线,设备的导电构件、供电电源、公共阻抗、接地平板、电阻、电 感、电容和互感元件等。 辐射传输是通过介质以电磁波的形式传播,干扰能量按电磁场的 规律向周围空间发射。常见的辐射耦合由三种:1. 甲天线发射的电磁波 被乙天线意外接受,称为天线对天线耦合;2. 空间电磁场经导线感应而 耦合,称为场对线的耦合;3.两根平行导线之间的高频信号感应,称为 线对线的感应耦合。 在实际工程中,两个设备之间发生干扰通常包含着许多种途径的 耦合。正因为多种途径的耦合同时存在,反复交叉耦合,共同产生干扰, 才使电磁干扰变得难以控制。 • 3、敏感设备 敏感设备是对干扰对象总称,它可以是一个很小的元件或一个电 路板组件,也可以是一个单独的用电设备甚至可以是一个大型系统。
印刷电路板、时钟电路、振荡器、数字电路和处理 器也会成为电路内部 EMI 源。对电流执行开关操作的一些 机电装置,在关键操作期间会产生 EMI。这些 EMI 信号不 一定会对其他电子设备产生负面影响。EMI 信号的频谱成 分和强度,决定了它是否会对敏感型电路产生意想不到的 影响。 您可以将某个数字信号的频谱成分简化为其频率和 升时间。时钟或者系统频率建立电路的时间基准,但其边 缘率形成干扰谐波。图 1 显示了一个 10 MHz 方波的频谱 成分。该 10 MHz 信号的边缘率为 10 ns。请注意,图 1 中 这些谐波的量级随频率降低。一般而言,这种信号的潜在 EMI 为: fMAX = 1/(πx tRISE) 方程式 1
电磁屏蔽理论简单分析
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电磁屏蔽理论分析随着现代科学技术的发展,各种电子电气设备为人们的日常生活及社会建设提供了很大帮助,同时由此产生的电磁辐射与干扰问题又制约着人们的生产和生活,它不仅影响通讯甚至直接威胁到人类的健康及我们赖以生存的自然环境,因此有关电磁屏蔽问题受到人们的极大关注。
所谓电磁屏蔽就是利用导电或导磁材料将电磁辐射限制在某一规定的空间X围内,按其原理可以分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁屏蔽。
一、静电屏蔽1、外电场屏蔽下图1为利用导体空腔屏蔽外部静电场的原理示意图。
A 为需要屏蔽的物体,S为导体屏蔽空腔,在静电平衡条件下空腔外表面两侧感应出等量异号的电荷,电力线终止于导体外表面上,整个腔为等位体,腔内无电力线,因而实现腔内物体不受外电场影响的目的。
图12、内电场的屏蔽当屏蔽带电体的电场时,除了要用导体空腔将带电体屏蔽起来外,还必须将屏蔽空腔接地。
图2为屏蔽腔不接地状态下的电力线分布情况,屏蔽腔的内表面感应出于带电体等量的负电荷,外表面感应出等量的正电荷。
若将屏蔽腔接地,如图3所示屏蔽空腔外表面所感应的电荷将通过接地线流入大地,外部电场消失,电力线被限制在屏蔽空腔内部起到屏蔽作用。
图2 图3二、稳横磁场的屏蔽静磁屏蔽的目的是防止外界的静磁场和低频电流的磁场进入到某个需要保护的区域,其依据的原理是利用高导磁材料所具有的低磁阻特性,使磁感线大部分从磁性介质中穿过,从而导致磁场在磁性介质中明显加强, 而在磁性介质所包围的区域内则明显减弱,起到屏蔽作用。
如图4所示。
图4定量分析如下图n为界面法线单位矢量,从介质1指向介质2,由边界条件12u u>>(1)()21n B B⋅-=(2)其中sJ为面电流密度,对于稳恒磁场,sJ=0()12n H H⨯-=(3)由(2)(3),得2211sin sinH Hθθ=(4)分界面n2u1u22H B2θ1θ11H B2211cos cos B B θθ=(5)又BH u=,得 212121sin sin B Bu u θθ= (6) 由(5)(6)得1122tan tan u u θθ= (7) 由(7)可知当12u u >>时,得12θθ>>,从而由1221cos cos B B θθ=得12B B >>。
电磁干扰的屏蔽方法知识
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电磁干扰的屏蔽方法EMC问题常常是制约中国电子产品出口的一个原因,本文主要论述EMI的来源及一些非常具体的抑制方法。
电磁兼容性(EMC是指一种器件、设备或系统的性能,它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其他设备产生强烈电磁干扰(IEEEC63.12-1987。
) ”对于无线收发设备来说,采用非连续频谱可部分实现EMC 性能,但是很多有关的例子也表明EMC并不总是能够做到。
例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之间以及蜂窝电话和医疗仪器之间等都具有高频干扰,我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。
EMC问题来源所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化,有时变化速率还相当快,这样会导致在不同频率内或一个频带间产生电磁能量,而相应的电路则会将这种能量发射到周围的环境中。
EMI 有两条途径离开或进入一个电路:辐射和传导。
信号辐射是通过外壳的缝、槽、开孔或其他缺口泄漏出去;而信号传导则通过耦合到电源、信号和控制线上离开外壳,在开放的空间中自由辐射,从而产生干扰。
很多EMI 抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来实现,大多数时候下面这些简单原则可以有助于实现EMI屏蔽:从源头处降低干扰;通过屏蔽、过滤或接地将干扰产生电路隔离以及增强敏感电路的抗干扰能力等。
EMI抑制性、隔离性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标,这些性能在设计阶段的早期就应完成。
对设计工程师而言,采用屏蔽材料是一种有效降低EMI 的方法。
如今已有多种外壳屏蔽材料得到广泛使用,从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层(如导电漆及锌线喷涂等)。
无论是金属还是涂有导电层的塑料,一旦设计人员确定作为外壳材料之后,就可着手开始选择衬垫。
金属屏蔽效率可用屏蔽效率(SE对屏蔽罩的适用性进行评估,其单位是分贝,计算公式为SEdB=A+R+B一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一,即SE等于20dB;而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一,即SE要等于100dB。
电磁屏蔽的原理
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电磁屏蔽的原理
电磁屏蔽是一种减少电磁干扰的技术,它利用一系列的电磁屏蔽材料来隔离电磁波的传播和接收,用于保护电子设备的正常运作和减少对人体的影响。
电磁屏蔽的原理主要涉及电磁波的传播和反射、电磁波的辐射以及材料的导电性等因素。
在电磁场中,电磁波会在介质中传播,并被介质表面反射、透射、衍射等。
电磁屏蔽的主要原理是通过使用一系列的屏蔽材料,将电磁波的传播路径限制在材料的界面上。
电磁波传播时会相互干扰和干扰其他设备。
通过使用电磁屏蔽材料,可以减少电磁波的传播和干扰,从而有效保护设备的正常运作。
电磁波的辐射是电磁屏蔽的另一个重要原理。
通过采用各种屏蔽材料来减少电磁波的辐射,这些材料能够将电磁波吸收并将其转化为热能或者其他形式的能量。
这些材料能够有效地限制电磁辐射的范围,从而减少对其他设备的干扰和对人体的影响。
材料的导电性也是电磁屏蔽的基本原理之一。
通过使用导电材料,可以将电磁波的能量导入材料中,并将其吸收周围的环境中。
这些导电材料可以有效地吸收电磁波的能量,从而消除干扰和辐射。
综上所述,电磁屏蔽的原理主要包括电磁波的传播和反射、电磁波的辐射以及材料的导电性等因素。
通过使用一系列不同的电磁屏蔽材料,可以有效地减少电磁
干扰和辐射,从而保护电子设备的正常运作和减少对人体的影响。
电磁干扰的屏蔽方法知识
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电磁干扰的屏蔽方法EMC问题常常是制约中国电子产品出口的一个原因,本文主要论述EMI的来源及一些非常具体的抑制方法。
电磁兼容性(EMC)是指“一种器件、设备或系统的性能,它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其他设备产生强烈电磁干扰(IEEE C63.12-1987)。
〞对于无线收发设备来说,采用非连续频谱可局部实现EMC性能,但是很多有关的例子也说明EMC并不总是能够做到。
例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之间以及蜂窝和医疗仪器之间等都具有高频干扰,我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。
EMC问题来源所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化,有时变化速率还相当快,这样会导致在不同频率内或一个频带间产生电磁能量,而相应的电路那么会将这种能量发射到周围的环境中。
EMI有两条途径离开或进入一个电路:辐射和传导。
信号辐射是通过外壳的缝、槽、开孔或其他缺口泄漏出去;而信号传导那么通过耦合到电源、信号和控制线上离开外壳,在开放的空间中自由辐射,从而产生干扰。
很多EMI抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来实现,大多数时候下面这些简单原那么可以有助于实现EMI屏蔽:从源头处降低干扰;通过屏蔽、过滤或接地将干扰产生电路隔离以及增强敏感电路的抗干扰能力等。
EMI抑制性、隔离性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标,这些性能在设计阶段的早期就应完成。
对设计工程师而言,采用屏蔽材料是一种有效降低EMI的方法。
如今已有多种外壳屏蔽材料得到广泛使用,从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层(如导电漆及锌线喷涂等)。
无论是金属还是涂有导电层的塑料,一旦设计人员确定作为外壳材料之后,就可着手开始选择衬垫。
金属屏蔽效率可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性进行评估,其单位是分贝,计算公式为SEdB=A+R+B其中A:吸收损耗(dB) R:反射损耗(dB) B:校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一,即SE等于20dB;而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一,即SE要等于100dB。
电磁屏蔽技术原理概述(doc 12页)
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电磁屏蔽技术探讨摘要:讨论了电磁屏蔽技术,包括电磁屏蔽的技术原理、屏蔽材料的性能和应用场合、屏蔽技术的注意事项、屏蔽效能的检测以及特殊部位的屏蔽措施。
关键词:电磁屏蔽;屏蔽材料;屏蔽效能引言近几年来,随着电磁兼容工作的开展,电磁屏蔽技术应用得越来越广泛。
为了对电磁屏蔽技术有更深入的理解,应当对屏蔽材料的性能和应用场合、屏蔽技术的注意事项、屏蔽效能的检测以及特殊部位的屏蔽措施等进行更深入的探讨。
1 电磁屏蔽的技术原理电磁屏蔽是电磁兼容技术的主要措施之一。
即用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来,使其外部电磁场强度低于允许值的一种措施;或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来,使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施。
1.1 静电屏蔽用完整的金属屏蔽体将带正电导体包围起来,在屏蔽体的内侧将感应出与带电导体等量的负电荷,外侧出现与带电导体等量的正电荷,如果将金属屏蔽体接地,则外侧的正电荷将流入大地,外侧将不会有电场存在,即带正电导体的电场被屏蔽在金属屏蔽体内。
1.2 交变电场屏蔽为降低交变电场对敏感电路的耦合干扰电压,可以在干扰源和敏感电路之间设置导电性好的金属屏蔽体,并将金属屏蔽体接地。
交变电场对敏感电路的耦合干扰电压大小取决于交变电场电压、耦合电容和金属屏蔽体接地电阻之积。
只要设法使金属屏蔽体良好接地,就能使交变电场对敏感电路的耦合干扰电压变得很小。
电场屏蔽以反射为主,因此屏蔽体的厚度不必过大,而以结构强度为主要考虑因素。
1.3 交变磁场屏蔽交变磁场屏蔽有高频和低频之分。
低频磁场屏蔽是利用高磁导率的材料构成低磁阻通路,使大部分磁场被集中在屏蔽体内。
屏蔽体的磁导率越高,厚度越大,磁阻越小,磁场屏蔽的效果越好。
当然要与设备的重量相协调。
高频磁场的屏蔽是利用高电导率的材料产生的涡流的反向磁场来抵消干扰磁场而实现的。
1.4 交变电磁场屏蔽一般采用电导率高的材料作屏蔽体,并将屏蔽体接地。
它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰,又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。
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在电子设备及电子产品中,电磁干扰(Electromagnetic Interference)能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。
为满足电磁兼容性要求,对传导性耦合需采用滤波技术,即采用EMI滤波器件加以抑制;对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。
在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下,其重要性就显得更为突出。
屏蔽是通过由金属制成的壳、盒、板等屏蔽体,将电磁波局限于某一区域内的一种方法。
由于辐射源分为近区的电场源、磁场源和远区的平面波,因此屏蔽体的屏蔽性能依据辐射源的不同,在材料选择、结构形状和对孔缝泄漏控制等方面都有所不同。
在设计中要达到所需的屏蔽性能,则需首先确定辐射源,明确频率范围,再根据各个频段的典型泄漏结构,确定控制要素,进而选择恰当的屏蔽材料,设计屏蔽壳体。
屏蔽体对辐射干扰的抑制能力用屏蔽效能SE(Shielding Effectiveness)来衡量,屏蔽效
能的定义:没有屏蔽体时,从辐射干扰源传输到空间某一点(P)的场强1(1)和加入屏
蔽体后,辐射干扰源传输到空间同一点(P)的场强2(2)之比,用dB(分贝)表示。
图1 屏蔽效能定义示意图
屏蔽效能表达式为(dB) 或(dB)工程中,实际的辐射干扰源大致分为两类:类似于对称振子天线的非闭合载流导线辐射源和类似于变压器绕组的闭合载流导线辐射源。
由于电偶极子和磁偶极子是上述两类源的最基本形式,实际的辐射源在空间某点产生的场,均可由若干个基本源的场叠加而成(图2)。
因此通过对电偶极子和磁偶极子所产生的场进行分析,就可得出实际辐射源的远近场及波阻抗和远、近场的场特性,从而为屏蔽分类提供良好的理论依据。
图2 两类基本源在空间所产生的叠加场
远近场的划分是根据两类基本源的场随1/r(场点至源点的距离)的变化而确定的,
为远近场的分界点,两类源在远近场的场特征及传播特性均有所不同。
表1 两类源的场与传播特性
波阻抗为空间某点电场强度与磁场强度之比,场源不同、远近场不同,则波阻抗
也有所不同,表2与图3分别用图表给出了的波阻抗特性。
表2 两类源的波阻抗
(
能量密度包括电场分量能量密度和磁场分量能量密度,通过对由同一场源所产生的电场、磁场分量的能量密度进行比较,可以确定场源在不同区域内何种分量占主要成份,以便确定具体的屏蔽分类。
能量密度的表达式由下列公式给出:
电场分量能量密度
磁场分量能量密度
场源总能量密度
表3 两类源的能量密度
表3给出了两种场源在远、近场的能量密度。
从表中可以看出,两类源的近场有很大的
区别,电偶极子的近场能量主要为电场分量,可忽略磁场分量;磁偶极子的近场能量主要为磁场分量,可忽略电场分量;两类源在远场时,电场、磁场分量均必须同时考虑。
屏蔽类型依据上述分析可以进行以下分类:
表4 屏蔽分类
电屏蔽的实质是减小两个设备(或两个电路、组件、元件)间电场感应的影响。
电屏蔽的原理是在保证良好接地的条件下,将干扰源所产生的干扰终止于由良导体制成的屏蔽体。
因此,接地良好及选择良导体做为屏蔽体是电屏蔽能否起作用的两个关键因素。
磁屏蔽的原理是由屏蔽体对干扰磁场提供低磁阻的磁通路,从而对干扰磁场进行分流,因而选择钢、铁、坡莫合金等高磁导率的材料和设计盒、壳等封闭壳体成为磁屏蔽的两个关键因素。
电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场,即同时屏蔽场源所产生的电场和磁场分量。
由于随着频率的增高,波长变得与屏蔽体上孔缝的尺寸相当,从而导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素。
屏蔽体的泄漏耦合结构与所需抑制的电磁波频率密切相关,三类屏蔽所涉及的频率范围及控制要素如表5所示:
表5 泄漏耦合结构与控制要素
实际屏蔽体上同时存在多个泄漏耦合结构(n个),设机箱接缝、通风孔、屏蔽体壁板等各泄漏耦合结构的单独屏蔽效能(如只考虑接缝)为SEi(i=1,2,…,n),则屏蔽体总的屏蔽效能
由上式可以看出,屏蔽体的屏蔽效能是由各个泄漏耦合结构中产生最大泄漏耦合的结构所决定的,即由屏蔽最薄弱的环节所决定的。
因此进行屏蔽设计时,明确不同频段的泄漏耦。