电力电子技术(填空题)

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电力电子技术试卷及答案

电力电子技术试卷及答案

一、填空题(每空1分,34分)1、实现有源逆变的条件为和。

2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流,一般采用αβ状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。

三、选择题(10分)1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。

A 、180度; B、60度; C、360度; D、120度;2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。

A、0度;B、60度; C 、30度; D、120度;3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压;B、控制电压;C、脉冲变压器变比;4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。

A、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题(每题9分,18分)1、什么是逆变失败形成的原因是什么2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求五、分析、计算题:(每题9分,18分)1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y—5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。

《电力电子技术》题库含答案

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。

3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。

电力电子技术试卷及答案

电力电子技术试卷及答案

一、填空题(每空1分,34分)1、实现有源逆变的条件为和。

2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流,一般采用αβ状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小.8、造成逆变失败的原因有、、、等几种.9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断.三、选择题(10分)1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。

A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度;2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态.A、0度;B、60度; C 、30度;D、120度;3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压;B、控制电压;C、脉冲变压器变比;4、可实现有源逆变的电路为.A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。

A、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题(每题9分,18分)1、什么是逆变失败?形成的原因是什么?2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求?五、分析、计算题:(每题9分,18分)1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y-5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。

电力电子技术试题及答案王兆安十

电力电子技术试题及答案王兆安十

考试试卷十一、填空题:(本题共8小题,每空1分,共20分)1、同一晶闸管,维持电流I H 与掣住电流I L 在数值大小上有I L ______I H 。

2、常用的晶闸管有 式、 式两种。

3、单相半控桥整流电路,带大电感性负载,晶闸管在______时刻换流,二极管则在 时刻换流。

4、过电压产生的原因 、 ,可采取 、 、保护。

5、变频电路所采取的换流方式 、 、 。

6、门极可关断晶闸管主要参数有 、 、 。

7、电力变换通常分为四大类,即 、 、 、 。

8、斩波器是在接在恒定直流电源和负载电路之间,用于 。

二、选择题:(本题共5小题,每小题2分,共10分)1、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定2、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )A.90°B.120°C.150°D.180°3、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( ) A.222U B.22U C.222U D. 26U4、在下列可控整流电路中,不能实现有源逆变的是 ( )A 、单相全控桥整流电路B 、单相双半波整流电路C 、单相半控桥整流电路D 、三相全控桥整流电路5.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机三、简答题:(本题共6小题,每小题5分,共30分)1、晶闸管实现导通的条件是什么?关断的条件及如何实现关断?2、什么叫逆变失败?逆变失败的原因是什么?3、简述对触发电路的三点要求。

4、什么叫过电流?过电流产生的原因是什么?5、IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?。

6、试说明PWM控制的基本原理。

四、计算题:(本题共4小题,每小题10分,共40分)30时,1、单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=20Ω,L 值极大α=︒要求:①作出Ud、Id、和I2的波形;②求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2;③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

电力电子技术试题库

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电力电子技术试题库一、填空题(每空格1分,共110分)1.晶闸管是硅晶闸管的缩写。

常用的有螺栓式和螺栓式。

2.晶闸管和二极管一样,具有可控特性。

3.为了保证晶闸管可靠与迅速地关断,通常在管子阳极电压下降为零之后,加一段时间的____电压。

4.所选晶闸管的额定电压应大于实际运行中最大电压的倍,以使其具有一定的电压裕度。

5.选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以_______。

6.螺栓晶闸管上螺栓的一端为极。

7.单相半波可控整流电路,当电感性负载接续流二极管时,控制角的移相范围为_______。

8.在反电动势负载的情况下,只有当的瞬时值大于负载的反电动势时,整流桥中的晶闸管才能触发以正电压导通。

9.把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为_______。

10._______可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。

11.三相半波可控整流电路,带大电感负载时的移相范围为_______。

12.采用晶闸管共阳极接法的缺点是:要求三个触发电路的输出线圈_____。

13.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法,目前采用较多的是_____触发方法。

14.由于电路的公共阴极和公共阳极组的换向点被60°隔开,因此每60°有一次。

15.三相桥式整流电路控制角α的起算点,如α=30o,在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为_______。

16.双窄脉冲触发是指当某个晶闸管被触发时,触发电路将同时向1号晶闸管补充一个脉冲。

17.在三相可控整流电路中,α=0o的地方(自然换相点)为相邻线电压的交点,它距对应线电压波形的原点为_______。

18.在三相半波可控整流电路中,当控制角为时,电流是连续的。

19.在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角_______时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二级管。

20.三相桥式全控整流电路,电阻负载,当控制角为时,电流接通续。

电力电子技术试题及答案

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一、填空题(29分)1、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。

I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。

Ⅲ+触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接正 电压;门极G 接正电压,T2接 负 电压。

Ⅲ-触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接 正电压;门极G 接 负电压,T2接 正 电压。

2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫(脉冲)换流。

3、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。

4、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK 快速晶闸管 ; 200表示表示 200A ,9表示 900V 。

5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲;主要用于驱动 小 功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲;可以触发 大 功率的晶闸管。

6、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V ,流过晶闸管的大电流有效值为15A ,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-;晶闸管的额定电流可选为A 57.115)35.1(倍-。

1、普通晶闸管的图形符号是 电极分别是 阳极A , 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ;关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时,导通的晶闸管关断 。

2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 。

3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0º—180º 变化,在阻感性负载时移相范围在 φ—180º 变化。

5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案
IT =1.66) 。 Id
I=1.66Id=1.66×30=50A 为最大值 ITM 50 ∴ IT(AV)=2× =2× =64A 取 100A 1.57 1.57 又 Uyn=2UTM=2× 2 ×220=624V 取 700V
解:① 单向半波可控整流电路的 1 COS UL=0.45U2 2 当 UL=50V 时
阳”接法。 (×) 9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 (×) 10、 增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平 均值会增大。 (×) 11、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安 全。 (√) 12、 为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并 接压敏电阻。 (×) 13、 雷 击 过 电 压 可 以 用 RC 吸 收 回 路 来 抑 制 。 (×) 14、 硒 堆 发 生 过 电 压 击 穿 后 就 不 能 再 使 用 了 。 (×) 15、 晶 闸 管 串 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ”。 (√) 16、 为防止过电流,只须在晶闸管电路中接入快速熔断器 即可。 (×) 17、 快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。 (√) 18、 晶 闸 管 并 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ”。 (×) 22、在电路中接入单结晶体管时,若把 b1、b2 接反了, 就会烧坏管子。 (×) 23、 单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电 路中。 (√) 24 、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
15 、 在 晶 闸 管 两 端 并 联 的 RC 回 路 是 用 来 防 止 损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的 一次线圈两端并接一个 或 。 16、硒堆、压敏电阻。 16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 。 16、快速熔断器。 二、

电力电子技术试题及标准答案王兆安九

电力电子技术试题及标准答案王兆安九

试试卷九一、填空题(本题共7小题,每空1分,共20分)1、晶闸管除了在门极触发下可能导通之外,在以下几种情况下也可能被触发导通:阳极电压升高至相当高的数值造成效应;阳极电压过高;结温较高和光触发。

但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。

对于其它几种情况,在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。

2、在PWM控制电路中,根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为__________调制和_______调制,______调制方法克服了以上二者的缺点。

3、设DC/DC变换器的Boost电路中,E=10V,α=0.5,则U o=________。

4、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是________ 、______、_____ _、。

5、换流的方式有____________、_____________、____________、____________,全控型器件用_______________方式换流6、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有:、、。

7、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是。

二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分)1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为()A、157AB、100AC、80AD、246.5A2、下列全控器件中,属于电流控制型的器件是()。

A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT3、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器4、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波,使之成为鞍形波的目的在于()A、消除谐波分量B、包含幅值更大的基波分量C、减少开关次数D、削弱直流分量5、带反电动势负载的电路,当晶闸管关断时负载上的电压U d为()A、U d=0B、U d=EC、U d=E/2D、U d= – E6、若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值,可采用的控制方法是()A、减小三角波频率B、减小三角波幅值C、减小输入正弦波控制电压幅值D、减小输入正弦波控制电压频率7、三相半波可控整流电路的自然换相点是()A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD、比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来()A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9、可实现有源逆变的电路为()。

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第2章电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在开关状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。

3.电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三类。

5、电力二极管的工作特性概括为单向导通。

6.电力二极管的主要类型有普通、快速恢复、肖特基。

7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。

10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDRM小于Ubo。

11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的阴极和门极并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为击穿。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。

18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。

25.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、
电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO ,GTR, MOSFET, IGBT;属于单极型电力电子器件的有MOSFET,属于双极型器件的有GTO, GTR ,电力二极管,晶闸管,属于复合型电力电子器件得有IGBT;在可控的器件中,容量最大的是GTR,工作频率最高的是MOSFET,属于电压驱动的是MOSFET,IGBT,属于电流驱动的是GTO,GTR。

第3章整流电路
1.电阻负载的特点是电压与电流成正比,两者波形相同,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是180°。

2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是180°,其承受的最大正反向电压均为√2U2,续流二极管承受的最大反向电压为√2U2(设U2为相电压有效值)。

4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角d时,晶闸管的导通角q =180°; 当控制角a小于不导电角d 时,晶闸管的导通角q=180°。

5.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与单相全控桥的波形基本相同,只是后者适用于低输出电压的场合。

6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于√2U2,晶闸管控制角α的最大移相范围是0°~150,使负载电流连续的条件为α≤30°(U2为相电压有效值)。

7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°,当它带阻感负载时,a的移相范围为0°~90°。

8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最大的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最小的相电压;这种电路a 角的移相范围是0~120°,ud波形连续得条件是α≤60°。

11.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流id 断续和连续的临界条件是WRC=√3,电路中的二极管承受的最大反向电压为√6U2。

15.多重化整流电路可以提高功率因素,其中移相多重联结有并联多重联接和串联多重联结两大类。

16.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为有源逆变电路,欲实现有源逆变,只能采用全控电路,当控制角0< a < p /2 时,电路工作在整流状态;p /2< a < p 时,电路工作在逆变状态。

第4章逆变电路
1.把直流电变成交流电的电路称为逆变电路,当交流侧有电源时称为有源电路,当交流侧无电源时称为无源电路。

2.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可以分为两类,即外部换流和自换相,进一步划分,前者又包括电网换流和负载换流两种换流方式,后者包括器件换流和强迫换流两种换流方式。

3.适用于全控型器件的换流方式是器件换流,由换流电路内电容直接提供换流电压的换流方式称为直接耦合式强迫换流。

4.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为电压型逆变电路,当直流侧为电流源时,称此电路为电流型逆变电路。

5.半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为0.5Ud ,全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1Ud 。

7.电压型逆变电路一般采用全控型器件,换流方式为器件换流;电流型逆变电路中,较多采用半控型器件,换流方式有的采用负载换流,有的采用强迫换流。

第5章直流-直流变流电路
1.直流斩波电路完成得是直流到直流的变换。

2.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路。

3.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制、_频率调制或调整_和混合调制。

4.升压斩波电路的典型应用有_直流电动机转动和单功率因素校正电路等。

5.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为__0.5<a<1_。

第7章脉宽调制(PWM)技术
1.PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是__等效直流波形,SPWM波得到的是等效正弦波形。

2.PWM逆变电路也可分为电压型和电流型两种,实际应用的几乎都是电压型电路,得到PWM波形的方法一般有两种,即计算法_和调整法,实际中主要采用调制法。

3.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称单极性PWM控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用双极性控制方式。

4.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为同步调制和异步调制。

一般为综合两种方法的优点,在低频输出时采用异步调制方法,在高频输出时采用同步调制方法。

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