8050、8550 (直插和贴片) 晶体三极管
8050与8550三极管功放电路图
8050与8550三极管功放电路图
摘要：这里介绍一个根据8050与8550制作而成晶体管小功放电路图，改变而成线路简单但性能不错的三管音频放大器。
其电路见附图。
这里介绍一个根据8050与8550制作而成三极管小功放电路图，改变而成的三管音频放大器。
原理分析：
电路如图所示，输入极（9014）的基极工作电压等于两输出极三极管三极管的中点电压，一三极管般为电源电压的一半，这个电压的稳定由输出三极管三极管的基极的两个二极管二极管控制。
3.3 欧姆电三极管二极管阻串联在输出三极管三极管的发射极上，以稳定偏流。
以减小环境温度、不同器件（如二极管二极管、输三极管二极管出三极管）参数区别对电路的影响。
当偏流增加时，输出三极管发射极与基极间电压会减小，以减小偏流。
此电路输入阻抗为500 欧姆，在使用8 欧姆扬声器扬声器时，电压增益为5。
附图如下。
电路在不失真输出50mW 的功率时，扬声器上有约2V 左右的电压摆动。
增加电源电扬声器压可提高输出功率，但此时应注意输出晶体管散热问题。
在9V 电源电压时，电路耗电约30mA。
制作时要注意两个输出功率管放大倍数应接近。
其它器件参数可以参考图示选择。
此电路适合于制作成耳机放大器放大器或其它小功率放大器放大器用。
由于它是一个很典型的功放电路，放大器所以非常适合初学者学习功放电路原理之余，动手实践制作时的参考电路。
用8550和8050制作的晶体管小功放电路图
用8550和8050制作的晶体管小功放电路图
这里介绍一个设计小巧、线路简单但性能不错的三管音频放大器。
其电路见附图。
也许你在一些袖珍晶体管收音机可以看到一些与此类似的电路。
原理分析：
电路如图所示，输入极（9014）的基极工作电压等于两输出极三极管的中点电压，一般为电源电压的一半，这个电压的稳定由输出三极管的基极的两个二极管控制。
3.3欧姆电阻串联在输出三极管的发射极上，以稳定偏流。
以减小环境温度、不同器件（如二极管、输出三极管）参数区别对电路的影响。
当偏流增加时，输出三极管发射极与基极间电压会减小，以减小偏流。
此电路输入阻抗为500欧姆，在使用8欧姆扬声器时，电压增益为5。
电路在不失真输出50mW的功率时，扬声器上有约2V左右的电压摆动。
增加电源电压可提高输出功率，但此时应注意输出晶体管散热问题。
在9V电源电压时，电路耗电约30mA。
制作时要注意两个输出功率管放大倍数应接近。
其它器件参数可以参考图示选择。
此电路适合于制作成耳机放大器或其它小功率放大器用。
由于它是一个很典型的功放电路，所以非常适合初学者学习功放电路原理之余，动手实践制作时的参考电路。
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解(一) 系列三极管S9011、9012、9013、9014、9015、9018、8050、8550系列三极管是小功率三极管。
大部分是NpN型管，只有9012、9015丶8550是PNP型三极管。
这里值得注意的是: 一般地，在三极管前面如果加ss，那么这个三极管是原装进口的; 而只帶一个s，那么应是国产的。
例如: ss8050是进口的，而s8050是国产的。
(二)系列三极管如图①，图②，图③，图④，图⑤图① s9013系列三极管图② s8050、8550三极管图③ s9013系列三极管引脚图④ NPN、PNP三极管符号图⑤ 单管驱动继电器(二) 系列三极管技术参数:9011NpN低噪放大，50Ⅴ0.3A.0.4w;9012pNp低噪放大，50v0.5A.0.625w;9013NpN低频放大，50v0.5A.0.625w;9014NpN低噪放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9015pNp低躁放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9018NpN高频放大，30v.0.05A.0.4w;8050NpN高频放大，40v.1.5A.1w;8550pNp高频放大，40v1.5A.1w。
(三) 它们的主要作用.用途:以上系列三极管，是半导体基本元器件之一，具有开关和电流放大作用;它们作为音频放大和收音机推挽1w输出及电子玩具、灯具放大和开关等电路。
(四) 三极管应用电路2例:图① NpN、PNP单管驱动发光管图② P NP、NpN三管推挽电路以上s9011一9018，s8050、8550系列三极管是目前市场上和产品上常用和使用最多的元器件，广泛应用于各种小功率电路产品中，很受欢迎。
S8550 S8050代换文档
S8550 S8050代换三极管要特别注意放大倍数注意8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图一TO-92封装图二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档上面这几种8050 8550一定要注意放大倍数及引脚排列。
8550和8050开关电路
8550和8050开关电路8550和8050是两种常用的晶体管型号，它们在电子开关电路中有着广泛的应用。
本文将分别介绍8550和8050晶体管的特性和使用方法，以及它们在开关电路中的应用。
8550和8050晶体管都属于NPN型晶体管，具有三个引脚：基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
它们的外观相似，但电性能有所不同。
8550晶体管的参数如下：- 最大集电极电流（IC）为600mA；- 最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V；- 最大功耗（PD）为625mW；- 最大集电极-基极电压（VCBO）为40V；- 最大集电极-发射极电压（VBE）为5V。
8050晶体管的参数如下：- 最大集电极电流（IC）为700mA；- 最大集电极-发射极电压（VCEO）为25V；- 最大功耗（PD）为625mW；- 最大集电极-基极电压（VCBO）为30V；- 最大集电极-发射极电压（VBE）为5V。
8550和8050晶体管广泛应用于开关电路中，常用于电压放大、电流放大和开关控制等功能。
下面将分别介绍它们在开关电路中的应用。
8550晶体管在开关电路中的应用：1. 8550作为开关管：在开关电路中，8550可以作为开关管，通过控制基极电流来控制集电极电流的开关状态。
当给定基极电流时，8550晶体管的集电极电流将遵循开关规律，从而实现对电路的开关控制。
2. 8550作为电流放大器：8550晶体管还可用作电流放大器，通过控制基极电流的变化来放大输入信号。
其基极电流的变化将导致集电极电流的变化，并在负载电阻上产生对应的输出电压信号。
8050晶体管在开关电路中的应用：1. 8050作为开关管：与8550类似，8050也可作为开关管使用。
通过控制基极电流，8050晶体管可以实现对电路的开关控制，从而实现电路的开关功能。
2. 8050作为电压放大器：8050晶体管也可用作电压放大器，通过控制基极电流的变化来放大输入信号。
其基极电流的变化将导致集电极电流的变化，并在负载电阻上产生对应的输出电压信号。
三极管8550和8050封装定义及参数
三极管8550和8050封装定义及参数三极管（Transistor）是一种广泛应用于电子设备中的重要半导体器件，它有多种不同的封装类型，其中8550和8050是两种常见的封装类型。
本文将依次介绍这两种封装类型的定义和参数。
8550型三极管封装定义及参数：8550型三极管是一种NPN型晶体管，其封装类型采用TO-92封装。
TO-92是一种常见的小功率晶体管封装形式，它具有三个引脚用于连接电路。
以下是8550型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8550型三极管的电流增益是其一个重要参数，它代表了输入电流和输出电流之间的倍数关系。
其典型值通常在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。
2.最大集电电流（Ic）：8550型三极管的最大集电电流是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大电流值。
一般而言，其最大集电电流在0.15A至0.625A之间。
3.最大耗散功率（Pd）：8550型三极管的最大耗散功率是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大功率值。
一般而言，其最大耗散功率大约为0.625W。
8050型三极管封装定义及参数：8050型三极管是一种PNP型晶体管，其封装类型同样采用TO-92封装。
以下是8050型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8050型三极管的电流增益一般在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。
2.最大集电电流（Ic）：8050型三极管的最大集电电流一般在0.15A 至0.625A之间。
3.最大耗散功率（Pd）：8050型三极管的最大耗散功率大约为0.625W。
总结：8550和8050型三极管都是常见的TO-92封装类型，它们在尺寸和引脚连接方面相似。
不同之处在于8550是NPN型三极管，而8050是PNP型三极管，这意味着它们在电流流动方向上存在差异。
8550和8050型三极管的重要参数包括电流增益、最大集电电流和最大耗散功率。
这些参数对于正确选择和使用这些三极管至关重要，可以根据具体的应用需求进行选择。
三极管的主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
三极管8550、8050的区别及区分
基极高电压，集电极与发射极开路(不工作)。
基极低电位，集电极与发射极短路。
VC > VB > VE
VC<VB<VE
E最终都是接到地板（直接或间接），
C最终都是接到天花板（直接或间接）。
C最终都是接到地板（直接或间接），
E最终都是接到天花板（直接或间接）。
红表笔放在左下基极位置，黑表笔分别触碰另外两极，分别得到两组相差不大的读数，由于生产厂家不同可能略有差异，一般两组读数都在600左右，300-800之间为正常。
三极管8550、8050的区别及区分
类别
S8050
S8550
NPN管
PNP管
用B→E的电流（IB）控制C→E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高。
用E→B的电流（IB）控制E→C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低。
基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路(不工作)。
黑表笔放在左下基极位置Байду номын сангаас红表笔分别触碰另外两极，分别得到两组相差不大的读数，由于生产厂家不同可能略有差异，一般两组读数都在600左右，300-800之间为正常。
输入一个高电平，而输出需要一个低电平时；
输入一个低电平，而输出需要一个高电平时。
输入一个低电平，而输出需要一个低电平时；
输入一个高电平，而输出需要一个高电平时。
8050-8550三极管引脚图与管脚识别
9011,9012,9013,9014,9015,9016,9017,9018,8050,8550三极管引脚图与管脚识别(含贴片)s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册首页可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。
9012,9013,9014,9015,8050,8550三极管的区别
9018 结构：NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构：NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构：PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-发射极电压 -25V
集电极-基电压 -45V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 -1.5A
耗散功率 1W
结温 150℃
特怔频率 最小 100MHZ
工作温度： -55℃ to +150℃
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
8050和8550组合电路原理
8050和8550组合电路原理首先，让我们了解一下8050和8550的基本特性。
8050是一款NPN型晶体管，它的结构由两部分组成：一个P型的基区域，以及两个N型的发射极和集电极区域。
在正向偏置时，电子从发射极流入基区，然后再流入集电极。
8050具有较高的放大系数和频率响应，因此适用于低功率的放大和开关电路。
8550是一款PNP型晶体管，它的结构也由两部分组成：一个N型的基区域，以及两个P型的发射极和集电极区域。
在正向偏置时，电子从集电极流入基区，然后再流入发射极。
8550也具有较高的放大系数和频率响应，因此适用于低功率的放大和开关电路。
接下来，让我们看看8050和8550的组合电路原理图。
一种常用的组合电路是使用它们构建一个放大电路。
在这种电路中，8050被用作输入信号的放大器，8550被用作输出信号的放大器。
输入信号从8050的基极输入，然后得到放大。
放大后的信号再通过8550的基极输入，然后进一步放大，最终得到输出信号。
这种放大电路可以用于音频放大器、功率放大器等应用中。
另一种常见的组合电路是使用它们构建一个开关控制电路。
在这种电路中，8050和8550被用作开关管，控制电流的通断。
当控制信号加入到8050的基极时，8050会导通，形成通路，将电流传递给8550，从而使8550导通。
反之，当控制信号移出8050的基极时，8050会截止，切断电流传递给8550，使8550截止。
这种开关控制电路常用于触发器、计数器等应用中。
综上所述，8050和8550组合电路在电子工程中具有广泛的应用。
无论是放大电路还是开关控制电路，它们都在不同的应用中发挥着重要的作用。
通过合理地选择和组合这两种晶体管，可以满足不同电子设备的需求，从而实现更加精确和高效的电路设计。
8050和8550组合电路原理
8050和8550组合电路原理8050和8550是两种常用的NPN和PNP型三极管。
它们可以结合使用，构建多种电路，如放大电路、开关电路、稳压电路等。
下面将分别介绍8050和8550三极管的基本特性，并通过几个典型的组合电路来说明其原理。
一、8050三极管特性：8050是一种NPN型三极管，其基本特性如下：1.最大耐压：电压一般在35V左右。
2.最大耐流：电流一般在500mA左右。
3. 饱和压降：Vce(Sat)一般为0.15V。
4.DC电流放大倍数：一般在120-800之间。
二、8550三极管特性：8550是一种PNP型三极管，其基本特性如下：1.最大耐压：电压一般在25V左右。
2.最大耐流：电流一般在600mA左右。
3. 饱和压降：Vce(Sat)一般为0.3V。
4.DC电流放大倍数：一般在120-800之间。
三、8050和8550组合电路原理：1.放大电路：将8050作为输入级放大管，8550作为输出级放大管。
当输入信号加到8050的基极时，8050内部的电路会根据输入信号的变化产生相应的电流，进而控制8550输出相应的电流，并对输出信号进行放大。
这样就能实现对输入信号的放大。
2.开关电路：将8050作为开关管，8550作为输出管。
当输入信号到达一定电平时，8050的基极电流会使得它进入饱和区，导通输出电流，从而实现开关的闭合。
当输入信号低于一定电平时，8050不导通，输出电流断开，从而实现开关的断开。
3.稳压电路：通过连接8050和8550的引脚，可以实现稳压电路。
通过控制8050的电流，可以从输出端（即8550）实现稳定的输出电压。
当输入电压波动时，通过调节8050的电流，可以使输出电压保持稳定。
这些只是8050和8550组合电路的几个示例，实际应用中还有更多的组合方式。
8050和8550可以配合使用，相辅相成，能够实现更多电路的功能。
同时，它们的特性结构简单，价格低廉，在实际应用中广泛使用。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
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FEATURESPower dissipationP CM : 0.625 W （Tamb=25℃） Collector currentI CM : 0.5 A Collector-base voltageV (BR)CBO: 40 V ELECTRICAL CHARACTERISTICS （Tamb=25℃ unless otherwise specified ）ParameterSymbol Test conditions MINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA , I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 0.1 mA ， I B =025 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = 100μA ， I C =05VCollector cut-off current I CBO V CB = 40 V , I E =00.1μA Collector cut-off current I CEO V CE = 20 V , I B =00.1μA Emitter cut-off currentI EBO V EB = 5 V ， I C =00.1μAH FE （1）V CE = 1 V, I C = 50mA85300DC current gain(note)H FE （2）V CE = 1 V, I C = 500mA 50Collector-emitter saturation voltage V CE (sat)I C = 500mA, I B = 50 mA 0.6 V Base-emitter saturation voltage V BE (sat)I C = 500mA, I B = 50 mA 1.2 V Base-emitter voltageV BEI E = 100mA1.4VTransition frequencyf TV CE = 6 V, I C = 20mAf = 30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank B C D Range85-160120-200160-300TO-921. EMITTER2. BASE3. COLLECTOR1 2 3TRANSISTOR (NPN)S8050LT1 TRANSISTOR （ NPN ）FEATURESPower dissipationP CM : 0.3 W （Tamb=25℃） Collector currentI CM : 0.5 A Collector-base voltageV (BR)CBO: 40 VELECTRICAL CHARACTERISTICS （Tamb=25℃ unless otherwise specified ）ParameterSymbol Test conditions MIN TYPMAXUNIT Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO Ic= 100μA ， I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO Ic= 0.1mA ， I B =025 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA ， I C =05VCollector cut-off current I CBO V CB =40 V , I E =00.1μA Collector cut-off current I CEO V CB =20V , I E =00.1μA Emitter cut-off currentI EBO V EB = 5V , I C =00.1μAH FE(1)V CE =1V, I C = 50mA120 350DC current gain(note)H FE(2)V CE =1V, I C = 500mA 50Collector-emitter saturation voltage V CE (sat)I C =500 mA, I B = 50mA 0.6 V Base-emitter saturation voltage V CE (sat)I C =500 mA, I B = 50mA 1.2 VBase-emitter voltageV BEI E = 100mA 1.4Transition frequencyf TV CE =6V, I C = 20mAf=30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank L H Range100-200200-350DEVICE MARKING : S8050LT1=J3YSOT —231. BASE2. EMITTER3. COLLECTORS8050LT1PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORSFEATURES Power dissipationP CM : 0.625 W （Tamb=25℃） Collector currentI CM : 0.5 A Collector-base voltageV (BR)CBO : 40 V ELECTRICAL CHARACTERISTICS （Tamb=25℃ unless otherwise specified ）ParameterSymbol Test conditionsMINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA , I E =0 40 VCollector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 0.1 mA ， I B =025V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = 100μA ， I C =05VCollector cut-off current I CBO V CB = 40 V , I E =00.1μA Collector cut-off current I CEOV CE = 20 V , I B =00.2μAEmitter cut-off currentI EBO V EB = 3 V ， I C =0 0.1 μA H FE （1）V CE = 1 V, I C = 50mA 85300DC current gain(note)H FE （2）V CE = 1 V, I C = 500mA 50Collector-emitter saturation voltage V CE (sat)I C = 500mA, I B = 50 mA 0.6V Base-emitter saturation voltage V BE (sat)I C = 500mA, I B = 50 mA 1.2V Base-emitter voltageV BEI E = 100mA1.4VTransition frequencyf TV CE = 6 V, I C = 20mAf = 30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank B C D Range85-160120-200160-3001 2 3TO-921. EMITTER2. BASE3. COLLECTORTRANSISTOR (PNP)-----------------------HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP) FEATURESDie Size0.44*0.44mm Power dissipationP CM : 225mW （Tamb=25℃）Collector currentI CM : 0.5ACollector-base voltageV (BR)CBO : 40VELECTRICAL CHARACTERISTICS （Tamb=25℃ unless otherwise specified ）CLASSIFICATION OF H FE(1)Rank B9CB9DB9ERange120-200160-300280-400SOT —231. BASE2. EMITTER3. COLLECTORS8550LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORS“电子爱好者”网站是一个面向广大电子爱好者、大专院校学生、中小型企业工程技术人员的电子技术应用、推广专业网站。
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