电子技术基础课件

《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
三、三极管的特性曲线 1．输人特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压 VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。
当输入电压vBE较小时，基极电流iB很
小，通常近似为零。
当vBE大于三极管的死区电压vth后，iC
开始上升。
第二章 晶体三极管及基本放大电路
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第一节 晶体三极管
晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件，它由两个PN 结构成，在电路中主要作为放大和开关元件使用。
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四、三极管器件手册的使用
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三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主
要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。
结。
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第二章 晶体三极管及基本放大电路
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3.分类
三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： 按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定， 因此在自动控制设备中常用硅管。
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三极管各电极电流关系的测量电路
三极管电流分配关系：IE=IC+IB 三极管电流放大倍数：β = Δ IC /ΔIB
当ΔIB有一微小变化，就能引起ΔIC较大的变化，这种现象称为三极管的电流 放大作用。
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第二章 晶体三极管及基本放大电路
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在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方 式。
共集电极接法
共发射极接法
共基极接法
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2.结构
三极管的核心是两个互相联系的PN结，按两个PN结的组合方式不同，可分为 NPN型和PNP型两类。
NPN型三极管
PNP型三极管
三极管内部有发射区、基区和集电区，引出电极分别为发射极e、基极b、集
电极c。发射区与基区之间的PN结称为发射结，集电区与基区之间的PN结称为集电
一、结构与分类
1．外形
近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率三极管多采用金属封 装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管制成螺栓形状。
塑料封装小功率管 装大功率管
塑料封装中功率管
第二章 晶体三极管及基本放大电路
金属封装小功率管
金பைடு நூலகம்封
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三极管正常导通时，硅管VBE约为0.7V，
锗管约为0.3V，此时的VBE值称为三极管工作时 的发射结正向压降。
输人特性曲线
第二章 晶体三极管及基本放大电路
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2．输出特性曲线
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按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。
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二、三极管的电流放大作用
1．三极管放大条件
要使三极管能够正常放大信号，发射结应加正向电压，集电结应加反向电压。
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输出特性曲线是反映三极管输出回路电压与电流关系的曲线，是指基极电
流IB为某一定值时，集电极电流IC与集电极电压VCE对应关系的曲线。
截止区 习惯把IB=0曲线以下的区域称为截止区，三极管处于截止状态，
相当于三极管内部各极开路。在截止区，三极管发射结反偏或零偏，集电结反偏。
放大区 它是三极管发射结正偏、
NPN管偏置电路
PNP管偏置电路
电源VCC通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置，RC阻值小于Rb阻值，所以集电 结处于反向偏置。
第二章 晶体三极管及基本放大电路
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2．三极管的电流放大作用
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第二章 晶体三极管及基本放大电路
晶体三极管 三极管基本放大电路 放大电路的分析方法 静态工作点稳定的放大电路 多级放大电路 本章小结
晶体三极管是具有放大作用的半导体器 件，由三极管组成的放大电路广泛应用于各 种电子设备中，例如收音机、扩音机、测量 仪器及自动控制装置等。本章介绍三极管应 用的必备知识及由它构成的基本放大电路的 工作原理和一般分析方法。
第二部分是用拼音字母表示管子的材料
和极性。
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A——PNP锗材料，B——NPN锗材料，
按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。目前我国制造的硅管
多为NPN型(也有少量PNP型)，锗管多为PNP型。
按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作
频率在3MHz以下为低频管。
按功率可分为：小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功
率大于1W为大功率管。
集电结反偏时的工作区域。最主要特点是IC 受IB控制，具有电流放大作用。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管
的发射结和集电结都处于正偏，此时IC已不 再受IB控制。此时管子的集电极—发射极间 呈现低电阻，相当于开关闭合。
第二章 晶体三极管及基本放大电路
输出特性曲线
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