电子技术基础模拟部分全套课件
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第3章电子技术基础_模拟部分
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•3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
•1. 温度对BJT参数的影响
•(1) 温度对ICBO的影响 •温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
•(2) 温度对 的影响 •温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
•(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 •温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
•iB=f(vBE) vCE=const •iC=f(vCE) iB=const •可以写成:
•在小信号情况下,对上两式取全微分得
•BJT双口b+ hrevce
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•ic= hfeib+ hoevce 第3章电子技术基础_模拟部分
•1. BJT的H参数及小信号模型
部载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏 集电结反偏
• 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
•(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
模拟电子技术基础完整(第三版)童诗白、华成英(全)ppt课件
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变化。
二极管
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体,
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时,半导 体不导电,如同绝缘体。 图 1.1.1
+4
+4
本征半导体结构示意图
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另 一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层,称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受 自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。
5. 载流子的浓度与温度密切相关,它随着温度的升 高,基本按指数规律增加。
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
模拟电子技术基础课件(全)
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04
模拟电子电路分析
模拟电路的组成
负载
电路的输出部分,可以是电阻、 电容、电感等元件。
开关
控制电路的通断。
电源
为电路提供所需电压和电流。
传输线
连接电源和负载的导线或传输 介质。
保护元件
如保险丝、空气开关等,保护 电路免受过载或短路等故障的 影响。
模拟电路的分析方法
01
02
03
04
欧姆定律
用于计算电路中的电流和电压 。
稳定性影响因素
电路中的元件参数、电源电压、负载变化等 都会影响电路的稳定性。
稳定性分析方法
通过计算电路的极点和零点,分析系统的稳 定性。
提高稳定性的措施
如采用负反馈、调整元件参数等手段,提高 电路的稳定性。
05
模拟电子技术的应用
音频信号处理
音频信号放大
模拟电子技术可以用于放大音频 信号,提高声音质量,使声音更 加清晰和饱满。
技术进步与创新
绿色与可持续发展
随着科技的不断发展,模拟电子技术 也在不断创新和进步。新型材料、工 艺和设计方法的应用将进一步提高模 拟电路的性能和集成度。
在环保意识日益增强的背景下,模拟 电子技术将更加注重绿色、节能和可 持续发展,推动产业向低碳、环保的 方向发展。
与其他技术的融合
模拟电子技术正与其他领域的技术相 互融合,如人工智能、物联网和生物 医疗等,为各种应用场景提供更高效、 更智能的解决方案。
欧姆定律和基尔霍夫定律是电 路分析的基本定律,对于理解 和分析电路具有重要的作用。
电路分析方法
支路电流法
通过设定未知的电流为变量,建立并解决包含这些变量的线性方程组 来求解电路的方法。
电子技术基础 模拟部分 绪论 课件
![电子技术基础 模拟部分 绪论 课件](https://img.taocdn.com/s3/m/9990dbc789eb172ded63b7bf.png)
υI
O
ωt
υO
υO
ωt
O
O
ωt
1.5 放大电路的主要性能指标
5. 频率响应及带宽(频域指标) 频率响应及带宽(频域指标)
B,Av为什么是 f 的函数?如何表达? , 为什么是 的函数?如何表达? 原因:放大电路存在电抗元件,如电容,电感. 原因:放大电路存在电抗元件,如电容,电感. 在输入正弦信号情况下, 频率响应 在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率 连续变化的稳态响应. 连续变化的稳态响应. ( jω ) = Vo ( jω ) = 电压增益表示为 AV Vi ( jω ) AV = AV (ω )∠ (ω ) 或写为 Vo ( jω ) AV (ω ) = 其中 Vi ( jω )
AIS —负载短路时的 负载短路时的
Ii Io
电流增益
由输出回路得
Is
Rs
Ri AIS Ii
Ro
RL
I o = AIS I+ RL
Ro Io AI = = AIS Ro + RL Ii Ii = Is
由此可见
RL ↑
AI ↓
要想减小负载的影响,则希望 ? 要想减小负载的影响,则希望…? 由输入回路得
放大电路
R Roo AVOV AVOVii
I Ioo + + Vo Vo – – RL RL
+ + R Rii – –
问题? 问题
(2) RL ↓ vO ↓ AV ↓
输出回路可等效为 非理想的电压源
(1) Ii =?
输入端口特性
Vi 输入电阻 Ri = Ii
输入回路对信号源的衰减 = Ri V Vi s Rs + Ri 要想减小衰减,则希望 ? 要想减小衰减,则希望…?
模拟电子技术基础(第五版)新-ppt课件
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19
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动: 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散
运动。
20
3.2.2 PN结的形成
因浓度差 多子扩散 形成空间电荷区
促使少子漂移 阻止多子扩散
扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中 和掉,使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子, N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在 两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电 荷区(耗尽层) 。由于P区一侧带负电, N区一侧带正电, 所以出现了方向由N区指向P区的内电场
束缚电子同时受两个原子的约束,如果没有足 够的能量,不易脱离轨道。
因此,在绝对温度T=0K (-273 oC) 时,由于 共价键中的电子被束缚着,本征半导体中没有自由电子, 不导电。只有在激发下,本征半导体才能导电。
7
3、电子与空穴
当导体处于热
力学温度0oK时,
导体中没有自由电
子。当温度升高或
受到光的照射时,
向电流突然快速增加, 此现象称为PN结的反向 击穿。
它的耗散功率时, PN结将发生热 击穿。这时PN结的电流和温度之 间出现恶性循环,最终将导致PN 结烧毁。
热击穿——不可逆
雪崩击穿 齐纳击穿
电击穿——可逆
31
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 扩散电容CD
是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。
(2) PN结加反向电压时
外加的反向电压方向 与PN结内电场方向相同, 加强了内电场。内电场对 多子扩散运动的阻碍增强, 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流,可忽略扩散 电流, PN结呈现高阻性。
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动: 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散
运动。
20
3.2.2 PN结的形成
因浓度差 多子扩散 形成空间电荷区
促使少子漂移 阻止多子扩散
扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中 和掉,使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子, N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在 两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电 荷区(耗尽层) 。由于P区一侧带负电, N区一侧带正电, 所以出现了方向由N区指向P区的内电场
束缚电子同时受两个原子的约束,如果没有足 够的能量,不易脱离轨道。
因此,在绝对温度T=0K (-273 oC) 时,由于 共价键中的电子被束缚着,本征半导体中没有自由电子, 不导电。只有在激发下,本征半导体才能导电。
7
3、电子与空穴
当导体处于热
力学温度0oK时,
导体中没有自由电
子。当温度升高或
受到光的照射时,
向电流突然快速增加, 此现象称为PN结的反向 击穿。
它的耗散功率时, PN结将发生热 击穿。这时PN结的电流和温度之 间出现恶性循环,最终将导致PN 结烧毁。
热击穿——不可逆
雪崩击穿 齐纳击穿
电击穿——可逆
31
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 扩散电容CD
是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。
(2) PN结加反向电压时
外加的反向电压方向 与PN结内电场方向相同, 加强了内电场。内电场对 多子扩散运动的阻碍增强, 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流,可忽略扩散 电流, PN结呈现高阻性。
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课件第一章
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电压增益可表示为
AV(j)VVoi((jj))
V Voi((jj ))[o()i()]
+
Vs –
Ii
Rs
+ Vi
–
放 大 电 路
Io
+ Vo –
RL
或写为 A VA V() ()
其中 AV()V Voi((jj))
称为幅频响应
()o()i() 称为相频响应
1.2 放大电路的基本知识
1.2.3 放大电路的主要性能指标 4. 频率响应及带宽(频域指标)
1.2.2 放大电路模型 2. 电流放大模型 3. 互阻放大模型(自看)
4. 互导放大模型(自看)
5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.2 放大电路的基本知识
1.2.3 放大电路的主要性能指标 +
1. 输入电阻
Ri
Vi I i
Vs –
2. 输出电阻
维
顿
宁
电
子
RS
系
统
IS
VS RS
电流源等效电路
1.1 电子系统与信号
1.1.2 信号及其频谱 3. 电信号的时域与频域表示
A. 正弦信号
v(t)V m si n 0t ()
2
T
0
0 2f
T
=
=
f
Vm
时域
O
Vm
t
频域
Vm
O
1.1 电子系统与信号
1.1.2 信号及其频谱
模拟电子技术基础完整免费 ppt课件
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2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现,
称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi
表示,显然 ni = pi 。
第
4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又
四 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动
版 会达到平衡,载流子的浓度就一定了。
童 诗
5. 载流子的浓度与温度密切相关,它随着温度的升
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 第 1.4 场效应管
四
版 1.5 单结晶体管和晶闸管
童
诗 1.6集成电路中的元件
白
本章讨论的问题:
1.为什么采用半导体材料制作电子器件?
2.空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?
3.什么是N型半导体?什么是P型半导体? 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象?
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronics
童诗白、华成英 主编
—多媒体教学课件
第
四
版
电 话:
童 诗
E-mail :
白
导言
1. 本课程的性质
电子技术基础课
2. 特点
非纯理论性课程
实践性很强
以工程实践的观点来处理电路中的一些问题
3. 研究内容
第
以器件为基础、以电信号为主线,研究各种模拟电子电路的工作
T
+4 空穴
+4
+4
自由电子
自由电子和空穴使本
+4
+4
+4
第 征半导体具有导电能力,
四 但很微弱。
电子技术基础(模拟部分)
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电感器
能够存储磁场能量,具有阻抗特性,常用于滤波、 振荡等电路。
集成电路
模拟集成电路
模拟集成电路是指由电阻、电容、 晶体管等模拟元件构成的集成电 路,用于实现模拟信号的处理和 放大。
数字集成电路
数字集成电路是指由逻辑门、触发 器等数字元件构成的集成电路,用 于实现数字信号的处理和运算。
混合信号集成电路
可维护性
电路设计应便于维护和升级。
电路设计的方法和步骤
原理图设计
根据需求设计电路 原理图。
仿真测试
利用仿真软件对电 路进行测试和验证。
需求分析
明确电路的功能需 求,分析性能指标。
元件选择
选择合适的电子元 件,确保性能和可 靠性。
实际制作
根据仿真结果,制 作实际的电路板。
电路设计的优化和改进
优化性能
集成电路时代
20世纪60年代,集成电路的发 明使得电子设备进一步微型化 ,功能也更加复杂。
微电子技术时代
20世纪80年代,微电子技术的 快速发展使得芯片上集成的元 件数量剧增,推动了电子技术
的进步。
电子技术的应用领域
通信
电子技术在通信领域的 应用包括无线通信、卫 星通信、光纤通信等。
计算机与互联网
由半导体材料制成的电子 器件,具有放大和开关作 用,是构成各种电子电路 的基本元件。
集成电路
将多个电子元件集成在一 块衬底上,实现一定的电 路或系统功能。
分立元件
电阻器
用于限制电流或调节电压,是电子电路中最基本 的元件之一。
电容器
用于储存电荷,具有隔直通交的特性,在滤波、 耦合、旁路等电路中广泛应用。
降低成本
根据仿真测试结果,优化电路性能,提高 稳定性。
能够存储磁场能量,具有阻抗特性,常用于滤波、 振荡等电路。
集成电路
模拟集成电路
模拟集成电路是指由电阻、电容、 晶体管等模拟元件构成的集成电 路,用于实现模拟信号的处理和 放大。
数字集成电路
数字集成电路是指由逻辑门、触发 器等数字元件构成的集成电路,用 于实现数字信号的处理和运算。
混合信号集成电路
可维护性
电路设计应便于维护和升级。
电路设计的方法和步骤
原理图设计
根据需求设计电路 原理图。
仿真测试
利用仿真软件对电 路进行测试和验证。
需求分析
明确电路的功能需 求,分析性能指标。
元件选择
选择合适的电子元 件,确保性能和可 靠性。
实际制作
根据仿真结果,制 作实际的电路板。
电路设计的优化和改进
优化性能
集成电路时代
20世纪60年代,集成电路的发 明使得电子设备进一步微型化 ,功能也更加复杂。
微电子技术时代
20世纪80年代,微电子技术的 快速发展使得芯片上集成的元 件数量剧增,推动了电子技术
的进步。
电子技术的应用领域
通信
电子技术在通信领域的 应用包括无线通信、卫 星通信、光纤通信等。
计算机与互联网
由半导体材料制成的电子 器件,具有放大和开关作 用,是构成各种电子电路 的基本元件。
集成电路
将多个电子元件集成在一 块衬底上,实现一定的电 路或系统功能。
分立元件
电阻器
用于限制电流或调节电压,是电子电路中最基本 的元件之一。
电容器
用于储存电荷,具有隔直通交的特性,在滤波、 耦合、旁路等电路中广泛应用。
降低成本
根据仿真测试结果,优化电路性能,提高 稳定性。
电子技术基础(模拟部分)第五版课件_康华光
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2π 0 T
VS ——直流分量 2
2VS ——基波分量 π
2VS 1 ——三次谐波分量 π 3
1.2 信号的频谱
2. 信号的频谱
频谱:将一个信号分解为正弦信号的集合,得到其正弦信号幅值和相位 随角频率变化的分布,称为该信号的频谱。
B. 方波信号
VS 2VS 1 1 v( t ) (sinω0 t sin3ω0 t sin5ω0 t ) 2 π 3 5
四种增益 其中
vo Av vi
io Ai ii
vo Ar ii
io Ag vi
Av、Ai 常用分贝(dB)表示。
电压增益 20lg Av 电流增益 20lg Ai
功率增益 10lg AP
(dB) (dB)
(dB)
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
A.频率响应及带宽
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益,高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图
V ,V , vP , vN , vO
运算放大器方框图 1. 输入级:均采用差动放大电路组成,可减小温度漂 移的影响,提高整个电路共模抑制比。
由此可见
RL
Ai
要想减小负载的影响,则希望…? 由输入回路得
Ro RL
理想情况 Ro
要想减小对信号源的衰减,则希望…?
Ri Rs 理想情况 Ri 0
1.4 放大电路模型
C. 互阻放大模型(自学) D. 互导放大模型(自学) E. 隔离放大电路模型
输入输出回路没有公共端
VS ——直流分量 2
2VS ——基波分量 π
2VS 1 ——三次谐波分量 π 3
1.2 信号的频谱
2. 信号的频谱
频谱:将一个信号分解为正弦信号的集合,得到其正弦信号幅值和相位 随角频率变化的分布,称为该信号的频谱。
B. 方波信号
VS 2VS 1 1 v( t ) (sinω0 t sin3ω0 t sin5ω0 t ) 2 π 3 5
四种增益 其中
vo Av vi
io Ai ii
vo Ar ii
io Ag vi
Av、Ai 常用分贝(dB)表示。
电压增益 20lg Av 电流增益 20lg Ai
功率增益 10lg AP
(dB) (dB)
(dB)
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
A.频率响应及带宽
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益,高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图
V ,V , vP , vN , vO
运算放大器方框图 1. 输入级:均采用差动放大电路组成,可减小温度漂 移的影响,提高整个电路共模抑制比。
由此可见
RL
Ai
要想减小负载的影响,则希望…? 由输入回路得
Ro RL
理想情况 Ro
要想减小对信号源的衰减,则希望…?
Ri Rs 理想情况 Ri 0
1.4 放大电路模型
C. 互阻放大模型(自学) D. 互导放大模型(自学) E. 隔离放大电路模型
输入输出回路没有公共端
模拟电子技术基础(完整课件)
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>100000
封装好的集成电路
课程的教学方法
模电——“魔”电 特点:电路形式多、公式多、工程性强 教学方法: 课堂讲课 ——每章小结 ——自我检测题
——作业 ——作业反馈
——实验 ——答疑
总成绩=期末(70%)+平时(30%) 平时:作业、课堂、实验等
教材:《模拟电子技术基础》,李国丽王涌李如 春主编,高等教育出版社,国家级十二 五规划教材
就在这个过程中,爱迪生还发现了一 个奇特 的现象:一块烧红的铁会散发出电子云。后人 称之为爱迪生效应,但当时不知道利用这一效 应能做些什么。
1904年,英国发明家弗莱明在真空中加热的 电丝(灯丝)前加了一块板极,从而发明了第一 只电子管,称为二极管。
1906 年,美国发明家德福雷斯特,在二极管 的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而 发明了第一只真空三极管,建树了早期电子技 术上最重要的里程碑——电子工业真正的诞生 起点 。
2000年10月10日,基尔比 与另外两位科学家共同分享 诺贝尔物理学奖。
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路:TI公司的Kilby,12个器件,Ge晶片
1959年7月30日,硅谷的仙童半导体公司的诺依斯 采用先进的平面处理技术研制出集成电路,也申请到 一项发明专利 ,题为“半导体器件——导线结构”; 时间比基尔比晚了半年,但确实是后来微电子革命的 基础。
1959年仙童制造的IC
诺依斯
1971年:全球第一个微处理器4004由Intel 公司推出,在它3毫米×4毫米的掩模上,有 2250个晶体管,每个晶体管的距离是10微米, 每秒运算6万次。也就是说,一粒米大小的芯片 内核,其功能居然与世界上第一台计算机—— 占地170平方米的、拥有1.8万个电子管的 “爱
电子技术基础模拟部分(第六版)[优质ppt]
![电子技术基础模拟部分(第六版)[优质ppt]](https://img.taocdn.com/s3/m/1a5cc0e858fafab069dc02cd.png)
1 (ω / ωc )2n
式中n为阶滤波电路阶数,c为3dB载止角频率,A0为通带电
压增益。 | A(j ) |
Ao
1.0
0.9
0.8
n=1
理想
0.7
0.6
0.5
n=1
0.4
n=2
0.3
0.2
n=4
n=3
0.1
0 0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
c
1. 基本概念
滤波器:是一种能使有用频率信号通过而同时抑制或衰减无
用频率信号的电子装置。 有源滤波器:由有源器件构成的滤波器。
滤波电路传递函数定义
A(s) Vo (s)
vI (t)
Vi (s)
s j 时,有 A(j ) A(j ) ( )
其中 A(j ) —— 模,幅频响应 () —— 相位角,相频响应
L
理想 实际
希望抑制50Hz的
干扰信号,应选用
O
L 0 H
哪种类型的滤波电
路?
O
H 0 L
|A|
理想
A0
通带
放大音频信号,应选用哪种类型的滤波电路?
O
5
华中科技大学 张林
10.2 一阶有源滤波电路
1. 低通滤波电路
传递函数 其中
A(s) A0 1 s
c
A0
1
Rf R1
同相比例 放大系数
c
Байду номын сангаас
1 RC
10 信号处理与信号产生电路
10.1 滤波电路的基本概念与分类 10.2 一阶有源滤波电路 10.3 高阶有源滤波电路 *10.4 开关电容滤波器 10.5 正弦波振荡电路的振荡条件 10.6 RC正弦波振荡电路 10.7 LC正弦波振荡电路 10.8 非正弦信号产生电路
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法拉第1791年9月22日生在一个手工工人家庭,21岁时 当上了戴维的助手。法拉第所研究的课题广泛多样,按编 年顺序排列,有如下各方面:铁合金研究(1818-1824); 氯和碳的化合物(1820);电磁转动(1821);气体液化 (1823,1845);光学玻璃(1825-1831);苯的发明 (1825);电磁感应现象(1831);不同来源的电的同一 性(1832);电化学分解(1832年起);静电学,电介质 (1835年起);气体放电(1835年);光、电和磁(1845 年起);抗磁性(1845年起);“射线振动思想”(1846 年起);重力和电(1849年起);时间和磁性(1857年起) 1821年他研究了奥斯特发现的电流的磁作用,作出了一 项重大发现:磁作用的方向是与产生磁作用的电流的方向 垂直的。法拉第还制成了一种电动机,证明了导线在恒定 磁场内的转动。 法拉第坚信,电与磁的关系必须被推广,如果电流能 产生磁场,磁场也一定能产生电流。法拉第为此冥思苦想 了十年。他做了许多次实验结果都失败了。直到1831年年 底,他才取得了巨大的突破,他发明最原始的发电机。奠
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伏特出生于意大利科莫一个富有的天主教家庭里。伏特 在青年时期就开始了电学实验,伏特十六岁时开始与一些 著名的电学家通信,伏特对静电的了解至少可以和当时最 好的电学家媲美。不久他就开始应用他的理论制造各种有 独创性的仪器,1775年由于起电盘的发明,使伏特担任了 科莫一些学校的物理教授。后来他被任命为帕维亚大学物 理学教授,正是在那里他作出了他的划时代的发现。他当 时还被选为法国科学院的通迅院士,不久又被选为伦敦皇 家学会的外国会员。 伏特发现导电体可以分为两大类。第一类是金属,它们 接触时会产生电势差;第二类是电解质,第二类导体互相 接触时不会产生明显的电势差,第一类导体可依次排列起 来,使其中第一种相对于后面的一种是正的,例如锌对铜 是正的,在一个金属链中,一种金属和最后一种金属之间的 电势差是一样的。 伏特把一些第一种导体和第二种导体连接得使每一个接 触点上产生的电势差可以相加。他把这种装置称为"电堆", 因为它是由浸在酸溶液中的锌板、铜板和布片重复许多层 而构成的。他在《论不同导电物质接触产生的电》中介绍 了他的发明。电堆能产生连续的电流,它的强度的数量级 比从静电起电机能得到的电流大,由此开始了一场真正的 科学革命。
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1.2 电子学发展史
1750年,富兰克林指出:雷电与摩擦生电是一回事 1785年,库仑总结出电荷的力学定理 1800年,伏打创立了电位差理论 1820年,奥斯特发现导线通电磁针偏转 1831年,法拉第完成磁生电实验 1865年,麦克斯韦发表电磁理论公式 1888年,赫兹证明了电磁波的存在 1896年,马可尼发明电报,获1908年诺贝尔奖 1897年,汤姆荪发现电子,获1906年诺贝尔奖 1947年,萧克利、巴丁、布拉顿发明晶体管,获56年诺贝尔奖 1958年,基尔比发明集成电路,获2000年诺贝尔奖
• 《电子技术基础》课程(含模拟部分和数字部分)是电气 信息类各专业的技术基础课程,是一门理论性与应用性都 很强的课程。课程教学环节包括:理论课教学和实验教学。 实践教学环节独立设课,主要有:电子工程实践、电工测 量与实验技术、电子线路设计等。 • 本课程是研究各种半导体器件的性能、电路及其应用的学 科。课程的任务是使学生获得电子技术的基本理论、基本 知识和基本分析方法。培养学生分析、解决问题的能力和 初步具备电子线路的设计、应用能力。学生可上课程网站 下载资料和答疑。 • 课程平时成绩占40%(其中课外作业占20%、课堂作业及小 测验占10%、课堂考勤占10%),期末考试成绩占60%(以 闭卷考试为主,从课程试题库随机抽题)。
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1706年1月17日,本杰明.富兰克林出生在北美州的波 士顿。1746年,一位英国学者在波士顿利用玻璃管和莱顿 瓶表演了电学实验。富兰克林怀着极大的兴趣观看了他的 表演,并被电学这一刚刚兴起的科学强烈地吸引住了。他 写了一篇名叫《论天空闪电和我们的电气相同》的论文, 并送给了英国皇家学会。 1752年6月富兰克林和他的儿子一道拉着风筝线,此 时,刚好一道闪电从风筝上掠过,富兰克林用手靠近风筝 上的铁丝,立即掠过一种恐怖的麻木感。他抑制不住内心 的激动,大声呼喊:“威廉,我被电击了!”随后,他又 将风筝线上的电引入莱顾瓶中。回到家里以后,富兰克林 用雷电进行了各种电学实验,证明了天上的雷电与人工摩 擦产生的电具有完全相同的性质。富兰克林关于天上和人 间的电是同一种东西的假说,在他自己的这次实验中得到 了光辉的证实。 1753年,俄国著名电学家利赫曼为了验 证富兰克林的实验,不幸被雷电击死,这是做电实验的第 一个牺牲者。经过多次试验,他制成了一根实用的避雷针。 他把几米长的铁杆,用绝缘材料固定在屋顶,杆上紧拴着 一根粗导线,一直通到地里。当雷电袭击房子的时候,它 就沿着金属杆通过导线直达大地,于法国昂古莱姆。青少年 时期,他就受到了良好的教育。他后来到巴黎军事工 程学院学习,离开学校后,他进入西印度马提尼克皇 家工程公司工作。工作了八年以后,他又在埃克斯岛 瑟堡等地服役。这时库仑就已开始从事科学研究工作, 他把主要精力放在研究工程力学和静力学问题上。 1777年法国科学院悬赏,征求改良航海指南针中的 磁针的方法。库仑对磁力进行深入细致的研究发现扭 力和针转过的角度成比例关系,从而可利用这种装置 算出静电力或磁力的大小。这导致他发明了扭秤, 1782年,他当选为法国科学院院士。 1785年,库仑用自己发明的扭秤建立了静电学中著 名的库仑定律。即两电荷间的力与两电荷的乘积成正 比,与两者的距离平方成反比。库仑定律是电学发展 史上的第一个定量规律,它使电学的研究从定性进入 定量阶段,是电学史中的一块重要的里程碑。电荷的 单位库仑就是以他的姓氏命名的。同年,他在给法国 科学院的《电力定律》的论文中详细地介绍了他的实 验装置,测试经过和实验结果。
CTGU
Fundamental of Electronic Technology
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Fundamental of Electronic Technology
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1.1 课程慨述 1.2 电子学发展史 1.3 信号的传输与电子系统 1.4 放大电路的基本知识
1.5 学习方法与要求
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1.1 课程慨述
法拉第1791年9月22日生在一个手工工人家庭,21岁时 当上了戴维的助手。法拉第所研究的课题广泛多样,按编 年顺序排列,有如下各方面:铁合金研究(1818-1824); 氯和碳的化合物(1820);电磁转动(1821);气体液化 (1823,1845);光学玻璃(1825-1831);苯的发明 (1825);电磁感应现象(1831);不同来源的电的同一 性(1832);电化学分解(1832年起);静电学,电介质 (1835年起);气体放电(1835年);光、电和磁(1845 年起);抗磁性(1845年起);“射线振动思想”(1846 年起);重力和电(1849年起);时间和磁性(1857年起) 1821年他研究了奥斯特发现的电流的磁作用,作出了一 项重大发现:磁作用的方向是与产生磁作用的电流的方向 垂直的。法拉第还制成了一种电动机,证明了导线在恒定 磁场内的转动。 法拉第坚信,电与磁的关系必须被推广,如果电流能 产生磁场,磁场也一定能产生电流。法拉第为此冥思苦想 了十年。他做了许多次实验结果都失败了。直到1831年年 底,他才取得了巨大的突破,他发明最原始的发电机。奠
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伏特出生于意大利科莫一个富有的天主教家庭里。伏特 在青年时期就开始了电学实验,伏特十六岁时开始与一些 著名的电学家通信,伏特对静电的了解至少可以和当时最 好的电学家媲美。不久他就开始应用他的理论制造各种有 独创性的仪器,1775年由于起电盘的发明,使伏特担任了 科莫一些学校的物理教授。后来他被任命为帕维亚大学物 理学教授,正是在那里他作出了他的划时代的发现。他当 时还被选为法国科学院的通迅院士,不久又被选为伦敦皇 家学会的外国会员。 伏特发现导电体可以分为两大类。第一类是金属,它们 接触时会产生电势差;第二类是电解质,第二类导体互相 接触时不会产生明显的电势差,第一类导体可依次排列起 来,使其中第一种相对于后面的一种是正的,例如锌对铜 是正的,在一个金属链中,一种金属和最后一种金属之间的 电势差是一样的。 伏特把一些第一种导体和第二种导体连接得使每一个接 触点上产生的电势差可以相加。他把这种装置称为"电堆", 因为它是由浸在酸溶液中的锌板、铜板和布片重复许多层 而构成的。他在《论不同导电物质接触产生的电》中介绍 了他的发明。电堆能产生连续的电流,它的强度的数量级 比从静电起电机能得到的电流大,由此开始了一场真正的 科学革命。
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1.2 电子学发展史
1750年,富兰克林指出:雷电与摩擦生电是一回事 1785年,库仑总结出电荷的力学定理 1800年,伏打创立了电位差理论 1820年,奥斯特发现导线通电磁针偏转 1831年,法拉第完成磁生电实验 1865年,麦克斯韦发表电磁理论公式 1888年,赫兹证明了电磁波的存在 1896年,马可尼发明电报,获1908年诺贝尔奖 1897年,汤姆荪发现电子,获1906年诺贝尔奖 1947年,萧克利、巴丁、布拉顿发明晶体管,获56年诺贝尔奖 1958年,基尔比发明集成电路,获2000年诺贝尔奖
• 《电子技术基础》课程(含模拟部分和数字部分)是电气 信息类各专业的技术基础课程,是一门理论性与应用性都 很强的课程。课程教学环节包括:理论课教学和实验教学。 实践教学环节独立设课,主要有:电子工程实践、电工测 量与实验技术、电子线路设计等。 • 本课程是研究各种半导体器件的性能、电路及其应用的学 科。课程的任务是使学生获得电子技术的基本理论、基本 知识和基本分析方法。培养学生分析、解决问题的能力和 初步具备电子线路的设计、应用能力。学生可上课程网站 下载资料和答疑。 • 课程平时成绩占40%(其中课外作业占20%、课堂作业及小 测验占10%、课堂考勤占10%),期末考试成绩占60%(以 闭卷考试为主,从课程试题库随机抽题)。
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1706年1月17日,本杰明.富兰克林出生在北美州的波 士顿。1746年,一位英国学者在波士顿利用玻璃管和莱顿 瓶表演了电学实验。富兰克林怀着极大的兴趣观看了他的 表演,并被电学这一刚刚兴起的科学强烈地吸引住了。他 写了一篇名叫《论天空闪电和我们的电气相同》的论文, 并送给了英国皇家学会。 1752年6月富兰克林和他的儿子一道拉着风筝线,此 时,刚好一道闪电从风筝上掠过,富兰克林用手靠近风筝 上的铁丝,立即掠过一种恐怖的麻木感。他抑制不住内心 的激动,大声呼喊:“威廉,我被电击了!”随后,他又 将风筝线上的电引入莱顾瓶中。回到家里以后,富兰克林 用雷电进行了各种电学实验,证明了天上的雷电与人工摩 擦产生的电具有完全相同的性质。富兰克林关于天上和人 间的电是同一种东西的假说,在他自己的这次实验中得到 了光辉的证实。 1753年,俄国著名电学家利赫曼为了验 证富兰克林的实验,不幸被雷电击死,这是做电实验的第 一个牺牲者。经过多次试验,他制成了一根实用的避雷针。 他把几米长的铁杆,用绝缘材料固定在屋顶,杆上紧拴着 一根粗导线,一直通到地里。当雷电袭击房子的时候,它 就沿着金属杆通过导线直达大地,于法国昂古莱姆。青少年 时期,他就受到了良好的教育。他后来到巴黎军事工 程学院学习,离开学校后,他进入西印度马提尼克皇 家工程公司工作。工作了八年以后,他又在埃克斯岛 瑟堡等地服役。这时库仑就已开始从事科学研究工作, 他把主要精力放在研究工程力学和静力学问题上。 1777年法国科学院悬赏,征求改良航海指南针中的 磁针的方法。库仑对磁力进行深入细致的研究发现扭 力和针转过的角度成比例关系,从而可利用这种装置 算出静电力或磁力的大小。这导致他发明了扭秤, 1782年,他当选为法国科学院院士。 1785年,库仑用自己发明的扭秤建立了静电学中著 名的库仑定律。即两电荷间的力与两电荷的乘积成正 比,与两者的距离平方成反比。库仑定律是电学发展 史上的第一个定量规律,它使电学的研究从定性进入 定量阶段,是电学史中的一块重要的里程碑。电荷的 单位库仑就是以他的姓氏命名的。同年,他在给法国 科学院的《电力定律》的论文中详细地介绍了他的实 验装置,测试经过和实验结果。
CTGU
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1.1 课程慨述 1.2 电子学发展史 1.3 信号的传输与电子系统 1.4 放大电路的基本知识
1.5 学习方法与要求
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