TTL电平与COMS电平常识性概念

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CMOS电平和TTL电平

CMOS 电平和TTL 电平
CMOS 电平和TTL 电平：
CMOS 逻辑电平范围比较大，范围在3～15V，比如4000 系列(4011 与非门)，当5V 供电时，输出高电平在4.6 以上，低电平在0.05V 以下;输入在3.5V 以上为高电平，1.5V 以下为低电平。

而对于TTL 芯片，供电范围在0～5V，常见都是5V，如74 系列5V 供电，输出在2.7V 以上为高电平，输出在0.5V 以下为低电平，输入在2V 以上为高电平，在0.8V 以下为低电平。

因此，CMOS 电路与TTL 电路就有一个电平转换的问题，使两者电平域值能匹配。

有关逻辑电平的一些概念：要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：
输入高电平(Vih)：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih 时，则认为输入电平为高电平。

输入低电平(Vil)：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil 时，则认为输入电平为低电平。

输出高电平(Voh)：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。

输出低电平(Vol)：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。

TTL电平和CMOS电平的区别

TTL电平和CMOS电平的区别！（转贴）TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。

TTL 电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。

TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。

这是由于可靠性和成本两面的原因。

因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。

6 c4 p; z2 k' r3 D$ f& L什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V ' w6 n- P7 `( L6 ECMOS电平Vcc可达到12V PCB设计论坛，PCB layout设计，高速PCB设计，高速SI仿真设计4 K, M" v1 {! i- B% A9 F% y" lCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为EDA365高速PCB论坛$ K3Y* O# j3 |0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。

TTL电路不使用的输入端悬空为高电平PCB设计论坛，PCB layout设计，高速PCB设计，高速SI仿真设计& k, H; f' e0 e8 b1 a! l+ I$ J另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)

TTL和CMOS的区别TTL和COMS电平比较：(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VTTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。

因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。

5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。

(三)TTL电平标准输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。

输入 L： <1.2V ； H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。

输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。

CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。

输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.TTL和COMS电路比较：TTL CMOSTTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象总体特性比较：1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成S的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

3、COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。

这种效应就是锁定效应。

TTL与COMS电平,特性,比较及注意事项

TTL与COMS电平,特性,比较及注意事项
1.CMOS电平：
‘1’逻辑电平电压接近于电源电压，’0’逻辑电平接近于0V。

噪声容限很大
2.TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平3.电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5vcmos 3.3v)，所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压.
功耗
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦(mw)而后者仅约为几十纳(10-9)瓦;在输出电位发生跳变时(由低到高或由高到低),TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

速度
通常以为TTL门的速度高于CMOS门电路。

影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。

电。

TTL电平、CMOS电平、RS232通信电平的概念及区别

TTL 电平、CMOS 电平、RS232电平电平的概念：什么是电压、电流、电功率？无线电爱好者都十分清楚。

而谈及“电平”能说清楚的人却不多。

尽管人们经常遇到，书刊中亦多次谈起电路中的高电平、低电平、电平增益、电平衰减，就连电工必备的万用表上都有专测电平的方法和刻线，而且“dB dB””、“dB dBμ”μ”、“dBm dBm””的字样也常常可见。

尽管如此，因“电平”本身概念抽象，更无恰当的比喻，故人们总是理解不清、记忆不深。

人们在初学“电”的时候，往往把抽象的电学概念用水的具体现象进行比喻。

如水流比电流、水压似电压、水阻喻电阻。

解释“电平”不妨如法炮制。

我们说的“水平”，词典中解释与水平面平行、或在某方面达到一定高度，引申指事物在同等条件下的比较结论。

如人们常说到张某工作很有水平、李某办事水平很差。

这样的话都知其含义所在。

即指“张某”与“李某”相比而言。

故借“水平”来比喻“电平”能使人便于理解。

什么是“电平”？“电平”就是指电路中两点或几点在相同阻抗下电量的相对比值。

这里的电量自然指“电功率”、“电压”、“电流”并将倍数化为对数，用“分贝”表示，记作“dB dB””。

分别记作：10lg(P2/P1)、20lg(U2/U1)、20lg(I2/I1)上式中P 、U 、I 分别是电功率、电压、电流。

使用“dB dB””有两个好处：其一读写、计算方便。

如多级放大器的总放大倍数为各级放大倍数相乘，用分贝则可改用相加。

其二能如实地反映人对声音的感觉。

实践证明，声音的分贝数增加或减少一倍，人耳听觉响度也提高或降低一倍。

即人耳听觉与声音功率分贝数成正比。

例如蚊子叫声与大炮响声相差100万倍，但人的感觉仅有60倍的差异，而100万倍恰是60dB。

一、TTL电平：TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（Transistor-Transistor Logic晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。

什么是TTL电平和CMOS电平-ttl电平和cmos电平区别和比较

什么是TTL电平和CMOS电平?ttl电平和cmos电平区别和比较1、TTL电平(什么是TTL电平)：TTL电平信号被利用的最多是由于通常数据表示采纳二进制规定，+5V等价于规律“1”，0V等价于规律“0”，这被称做TTL(晶体管-晶体管规律电平)信号系统，这是计算机处理器掌握的设备内部各部分之间通信的标准技术。

TTL电平信号对于计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是很抱负的，首先计算机处理器掌握的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者，计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满意这个要求。

TTL型通信大多数状况下，是采纳并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。

这是由于牢靠性和成本两面的缘由。

由于在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对牢靠性均有影响。

TTL电路不使用的输入端悬空为高电平。

输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。

在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。

最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。

2、CMOS电平：1规律电平电压接近于电源电压，0规律电平接近于0V。

而且具有很宽的噪声容限。

CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成规律混乱。

另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

3、电平转换电路：由于TTL和COMS的凹凸电平的值不一样(ttl 5v==cmos 3.3v)，所以相互连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

哈哈4、OC门，又称集电极开路与非门门电路，Open Collector(Open Drain)。

ttl电平与coms电平常识性概念

电路常识性概念(TTL与CMOS)--非常好一．TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。

1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。

CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。

1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≈VCC，Uol≈GND2.输入高电平Uoh和输入低电平UolUih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC（VCC为电源电压，GND为地）从上面可以看出:在同样5V电源电压情况下，COMS电路可以直接驱动TTL，因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V；而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路，TTL的输出高电平为大于2.4V，如果落在2.4V～3.5V之间，则CMOS电路就不能检测到高电平，低电平小于0.4V满足要求，所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。

如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进行判断。

如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT（74系列的输入输出在下面有介绍）的芯片，因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路；或者加电压转换芯片；还有就是把单片机的I/O 口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。

三．74系列简介74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT这三种，这三种系列在电平方面的区别如下：输入电平输出电平74LS TTL电平TTL电平74HC COMS电平COMS电平74HCT TTL电平COMS电平++++++++++++++++++++++++++++++++++++TTL和CMOS电平1、TTL电平(什么是TTL电平)：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

TTL器件和CMOS器件的逻辑电平

TTL器件和CMOS器件的逻辑电平：逻辑电平的一些概念要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。

2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。

3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。

4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。

5：阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。

它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平<Vil，而如果输入电平在阈值上下，也就是Vil～Vih这个区域，电路的输出会处于不稳定状态。

对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。

6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。

7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。

8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。

9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。

门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。

开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。

对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：（1）：RL < （VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）（2）：RL > （VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。

CMOS电平和TTL电平的区别

1.TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。

最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是 0.4V。

2.CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。

而且具有很宽的噪声容限。

3.电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样,所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西! 哈哈.....4.TTL和COMS电路比较：（1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

（2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

（3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。

这种效应就是锁定效应。

当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

防御措施：（1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。

（2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。

（3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。

（4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS5.兼容性：CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

所以，用TTL电平在条件允许下他们就可以兼容。

要注意到他们的驱动能力是不一样的，CMOS的驱动能力会大一些，有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路，有时CMOS的高电平会损坏TTL电路，在兼容性上需注意。

重新认识一下TTL电平与CMOS电平

重新认识一下TTL电平与CMOS电平2022-08-16 发表于湖北问题引入在工作中，会遇到OC门与OD门的称谓。

而感性的认识一般为：OD门是采用MOS管搭建的电路，压（电压）控元器件。

OC门是采用晶体管搭建的电路，流（电流）控元器件。

而OD门的功率损耗一般是小于OC门，为什么？电平TTL电平：输出电平：高电平Uoh >=2.4v 低电平Uol <= 0.4v输入电平：高电平Uih >= 2.0v 低电平 Uil <= 0.8vCMOS电平：输出电平：高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平：高电平Uih >= 0.7*VCC Uil <= 0.2*VCC备注：VCC是电源电压 GND是数字地CMOS电路是电压控制器件，由于是压控，元器件的输入电阻较大。

由此，元器件对于干扰信号比较敏感，因为输入电阻大，干扰信号会全部输入到元器件中。

由此，CMOS电路的输入端管脚，最好不要开路，给定状态，接地或者接到电压源上。

输出高低电平：TTL 输出电平容限：2.4v -0.4v= 2.0vCMOS输出电平容限：VCC （3.3v or 5v）输入高低电平：TTL输入电平容限：2.0v-0.8v = 1.2vCMOS输入电平容限：（0.7-0.2）VCC≈（1.65v 0r 2.5v）由此可见，CMOS电路的输入输出高低电平容限较宽。

压控与流控TTL电路是流控电路，是依靠电流起控制作用的。

通过控制基极电流来控制晶体管的工作情况（发射极集电极电流的工作情况）。

CMOS电路是压控电路，依靠电压起控制作用。

控制栅极与源极的电压，控制CMOS工作在关断区还是截止区。

由于TTL是流控器件，电流起作用，电路的响应速度较快，状态建立时间在在5-10ns，而CMOS电路是压控器件，状态建立时间25-50ns。

由建立时间可以知道，TTL电路的电流较大。

由此其功耗较大。

而元器件功耗与另一因素有关。

TTL电平和CMOS电平总结

TTL电平和CMOS电平总结TTL电平是一种基于双极型晶体管的数字电平标准。

它使用NPN和PNP型晶体管作为信号的放大和开关元件。

TTL电平标准定义了电压范围，表示逻辑低电平（0）和逻辑高电平（1）。

通常情况下，TTL逻辑低电平的范围为0V至0.8V，逻辑高电平的范围为2.2V至5V。

TTL电平的特点包括：1.高噪声抗干扰能力：由于TTL电路中采用了差分信号传输原理，使得TTL电平对噪声和干扰的抗干扰能力较强，适用于工业控制等环境噪声较大的场合。

2.低功耗：TTL电路采用双极型晶体管，功耗相对较低，适用于需要长时间运行的场合。

3.低输入输出阻抗：TTL电路的输入输出阻抗较低，使得信号传输速度较快，适用于需要高速传输的场合。

4.灵敏度高：TTL电路的输入灵敏度较高，可以读取较低的输入电压信号，适用于处理较小的信号。

然而，TTL电平也存在一些不足之处，如功耗较高、不适用于低电压供电等。

CMOS电平是一种使用CMOS晶体管构成的数字电平标准。

CMOS电平使用PMOS和NMOS晶体管作为信号的放大和开关元件。

CMOS电平标准也定义了逻辑低电平（0）和逻辑高电平（1）的电压范围。

通常情况下，CMOS逻辑低电平的范围为0V至0.3V，逻辑高电平的范围为0.7V至VCC（供电电压）。

CMOS电平的特点包括：1.低功耗：CMOS电路以其低功耗而闻名。

由于CMOS晶体管在不同的状态下只消耗微小的电流，适用于需要长时间运行和低功耗的电子设备。

2.高噪声抗干扰能力：CMOS电路抗噪声和抗干扰能力较强，适用于高精度和高灵敏度的应用。

3.高输入输出阻抗：CMOS电路的输入输出阻抗较高，使得它对电压和电流的源和负载较为适应。

4.宽电源电压范围：CMOS电路的供电电压范围较宽，可以适应不同的供电电压要求。

然而，与TTL电平相比，CMOS电平的传输速度较慢，灵敏度略低。

总的来说，TTL和CMOS电平各有优势，应根据具体的应用场景和需求来选择。

TTL和CMOS电平总结

TTL和CMOS电平总结1.TTL电平：TTL是早期使用广泛的数字电平标准，其电平定义如下：- 高电平 (logic 1)：大约2.4V到5V之间。

- 低电平 (logic 0)：大约0V到0.4V之间。

-高电平噪声容限：1.3V。

-低电平噪声容限：0.8V。

-输出电流：约为-0.4mA至+16mA。

TTL电平的优点包括：速度较快、抗噪声能力较好、成本较低。

然而，TTL电平的缺点是功耗较高，因为它使用了较高的供电电压和较大的电流来驱动逻辑门。

此外，TTL信号电平的电压范围相对较窄，容易受到电源电压波动的影响。

2.CMOS电平：CMOS是现代数字电路中使用较多的电平标准，其电平定义如下：- 高电平 (logic 1)：大约0.7V到VDD（供电电压）之间。

- 低电平 (logic 0)：大约0V到0.3V之间。

-高电平噪声容限：VDDx0.7-低电平噪声容限：0.3V。

-输出电流：接近0mA。

CMOS电平的优点包括：功耗较低、较高的噪声容限、较宽的电压范围和较大的输入输出电阻。

CMOS因其低功耗特性而广泛应用于便携式设备和低功耗电子设备。

此外，它对电源电压波动的容忍度更高，因此在电源电压不稳定的环境下工作更可靠。

然而，CMOS电平的缺点是速度相对较慢，尤其在大容量的负载下。

此外，由于其输入输出电阻较大，CMOS信号对于电磁干扰更敏感。

总之，TTL和CMOS是两种常见的数字电平标准。

TTL电平使用高电流和较高的电压，速度较快但功耗较高；CMOS电平使用较低的电压和电流，功耗较低但速度相对较慢。

选择哪种电平标准取决于具体的应用要求和设计约束。

cmos和ttl的区别

1.TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2.CMOS电平：
'1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
5.TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
9.什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA
电路的电源。
8.TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。

TTL和CMOS电平汇总

TTL和CMOS电平汇总1. TTL（Transistor-Transistor Logic）TTL电平是一种基于双极型晶体管的逻辑电平标准。

它使用晶体管的导通和截止来表示逻辑电平的高低。

TTL电平通常具有以下特点：-高电平（H）：在TTL中，高电平通常定义为2.6V到5V之间的电压范围，其中2.6V以下被认为是低电平。

高电平表示逻辑“1”。

TTL电平的高电平较高，可以有效地减小误差和干扰。

-低电平（L）：TTL的低电平通常在0V到0.4V之间，其中0.4V以上被认为是高电平。

低电平表示逻辑“0”。

-噪声容忍度差：由于TTL电平的高电平较高，因此对噪声和干扰的容忍度较低。

-低功耗：与CMOS相比，TTL电路的功耗较高。

这是由于TTL使用了较高的工作电压和功耗较大的双极型晶体管。

-输出电流较大：TTL电路的输出电流能达到较大数值，通常在20mA 左右。

这使得TTL电路可以驱动多个输入负载。

TTL电平由于其较高的工作电压和较大的输出电流，适用于需要较高工作稳定性和较强驱动能力的应用，比如数据传输、时序控制和数字信号处理等。

CMOS电平是一种基于互补金属氧化物半导体的逻辑电平标准。

它使用n型和p型金属氧化物半导体场效应管（NMOS和PMOS）来实现逻辑门电路。

CMOS电平通常具有以下特点：-高电平（H）：在CMOS中，高电平通常在3.5V以上，其中3.5V以下被认为是低电平。

高电平表示逻辑“1”。

CMOS电平的高电平较低，功耗较少，也有助于噪声和干扰的抑制。

-低电平（L）：CMOS的低电平通常在0V到1.5V之间，其中1.5V以上被认为是高电平。

低电平表示逻辑“0”。

-噪声容忍度好：由于CMOS电平的高电平较低，因此对噪声和干扰的容忍度较好。

-低功耗：与TTL相比，CMOS电路的功耗较低。

这是由于CMOS使用了较低的工作电压和功耗较小的场效应管。

-输出电流较小：CMOS电路的输出电流较小，一般在几毫安以下。

TTL电平和CMOS电平总结

（1）学过TTL电路，CMOS电路，也总是听说TTL电平，CMOS电平，那是不是TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平？答：你的理解基本正确。

能让TTL电路正常工作的电平，或是正确传递和识别的逻辑状态值即为TTL电平；同理，CMOS电平。

（2）它们的区别是什么？答：本质上没有区别，但是对于具体的逻辑器件，其电平受到器件的电源电压限制。

通常TTL逻辑器件，其电源电压为5V，故其高低电平的分界点为2.5V。

而CMOS逻辑器件的工作电压有5V、3.3V、2.5V等，其高低电平的分界点为电源电压的一半。

（3）单片机里常说的高电平低电平是指CMOS电平吗？如果是的话，是不是因为它的P0,P1,P2,P3口的内部结构是CMOS电路啊？答：其实所谓的TTL电平和CMOS电平都是我们的教科书里才这样说的，真正的元器件规格书里是没有这种说法的。

单片机或者其它的逻辑器件规格书中所说的高低电平是其本身能够识别和处理、并将处理后的结果再正确输送到下一级电路的逻辑电平。

要学会看器件的规格书，不要被教科书误导。

（4）有一本电片机的书上说，“一般的，单片机的端口只是驱动TTL电平，不提供或者提供很小的驱动电流.........." 我不明白驱动TTL电平是什么意思，为什么不直接说能允许多大的负载电流呢？答：这本书上的说法可能有误，我们知道驱动TTL器件所需的驱动电流会比驱动CMOS器件的驱动电流大，所以一般是单片机只是驱动CMOS电平的负载而不是TTL电平（这仅仅是一般哦，具体的一定要看单片机的规格书）。

其实直接说允许多大的负载电流表达更准确！其规格书里就是这么表达的！所以你不必纳闷！（5）如果在编程时，让P2口出高电平或低电平，那么这个电平值是不是固定的（在不同的负载下）？如果是的话，是多少呢？我还有些不明白的地方。

我举一例子,P2.0接一限流电阻470欧，然后接一发光二极管，发光二极管的一端接电源5伏。

TTL电平和CMOS电平总结

TTL电平和CMOS电平总结1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。

最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。

而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。

否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。

这种效应就是锁定效应。

当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。

2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。

3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。

4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

6，COMS电路的使用注意事项1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。

TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)

TTL和CMOS的区别TTL和COMS电平比较：(一)TTL高电平~5V，低电平0V~CMOS电平Vcc可达到12VTTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。

因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。

5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。

(三)TTL电平标准输出L：< ；H：>。

输入L：< ；H：>TTL器件输出低电平要小于，高电平要大于。

输入，低于就认为是0，高于就认为是1。

CMOS电平：输出L：<*Vcc ；H：>*Vcc。

输入L：<*Vcc ；H：>*Vcc.TTL和COMS电路比较：TTL CMOSTTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象总体特性比较：是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

3、COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。

这种效应就是锁定效应。

当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

防御措施：(1)、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。

(2)、芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。

TTL电平,CMOS电平,232-485电平,OC门,OD门基础知识

Vcc：3.3V; VOH>=3.2V;VOLVIH>=2.0V;VIL2.5V LVCMOS： Vcc：2.5V; VOH>=2V;VOLVIH>=1.7V;VILCMOS 使用注意：CMOS 结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于 VCC 一定值(比如一些芯片是 0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V;Vee：-5.2V; VOH=-0.88V;VOL=-1.72V; VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百 M 的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了 PECL(ECL 结构，改用正电压供电)和 LVPECL。 PECL：Pseudo/Positive ECL
抵御外来干扰，还能抵御数据传输线之间的串扰。因为上述原因，实际电路中只要使用低压差分信号(Low Voltage Differential Signal, LVDS),350mV 左右的振幅便能满足近距离传输的要求。假定负载电阻为 100 欧，采用 LVDS 方式传输数据时，如果双绞线长度为 10m，传输速率可达 400Mbps;当电缆长度增加到 20m 时，速率将为 100Mbps;而当电缆长度为 100m 时，速率只能达到 10Mbps 左右 4.传输速率一对一的接头的情况下 RS232 可做到双向传输，全双工通讯最高传输速率 20kbps; RS422 只能做到单向传输，半双工通讯，最高传输速率 10Mbps; RS485 双向传输，半双工通讯, 最高传输速率 10Mbps; USB 可以自动选择 HS(High-speed，高速，480Mbps)、FS(Full-speed，全速，12Mbps)和 LS(Low-speed，低速，1.5Mbps)三种模式中的一种。 RS-422/485 和 RS-232 是串口的接口标准，RS-422/485 是差分输入输出， RS-232 是单端输入输出。 *******************************************************************

什么是TTL电平、CMOS电平？两者的区别

什么是TTL电平、CMOS电平？两者的区别TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很抱负的。

COMS的许多基本规律单元都是用增加型PMOS晶体管和增加型NMOS 管根据互补对称形式衔接的，下面来说一下两者的区分。

什么是TTL电平TTL电平信号被利用的最多是由于通常数据表示采纳二进制规定，+5V 等价于规律"1"，0V等价于规律"0"，这被称做TTL(晶体管-晶体管规律电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。

TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很抱负的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号挺直与集成衔接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下举行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。

TTL型通信大多数状况下，是采纳并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。

这是因为牢靠性和成本两面的缘由。

由于在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对牢靠性均有影响;另外对于并行数据传输，电缆以及的费用比起串行通信方式来也要高一些。

TTL电路的电平就叫TTL 电平，电路的电平就叫CMOS电平TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管规律集成电路(Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL(H-TTL)、低功耗型TTL(L-TTL)、肖特基型TTL(S-TTL)、低功耗肖特基型TTL(LS-TTL)五个系列。

标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。

S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。

TTL和CMOS的区别

TTL和CMOS的区别什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。

TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。

因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。

5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。

(三)TTL电平标准输出L：<0.8V ；H：>2.4V。

输入L：<1.2V ；H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。

输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。

CMOS电平：输出L：<0.1*Vcc ；H：>0.9*Vcc。

输入L：<0.3*Vcc ；H：>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。

有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。

例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。

在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。

74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。

如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。

如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。