微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是：
答案:
坩埚材料分解出的氧会进入硅锭；
2.实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：
答案:
对温度不太敏感；
3.关于硅的热氧化，下面哪种说法正确：
答案:
氧化反应是在Si/SiO2界面发生的；
4.在D-G模型中假定稳定生长氧化层时，氧化剂的气相输运、固相扩散和化
学反应三个流密度应：
答案:
相等；
5.基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止：
答案:
核阻止和电子阻止是独立的；
6.多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备：
答案:
LPCVD
7.PVD与CVD比较，下列那种说法正确：
答案:
PVD薄膜与衬底的粘附性较差；
8.外延用衬底硅片一般偏离准确晶向一个小角度，如（111）-Si偏离3º，下
列那种说法正确？
答案:
这是为了得到原子层量级的台阶；
这是为外延生长提供更多的结点位置；
9.硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为N s，在进行了40min扩散后，测
得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？
答案:
应再扩散31 min
杂质表面浓度=N s
表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；
10.P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这
会给再分布扩散带来哪些影响：
答案:
P扩散速度加快；
在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）；
扩入Si的P总量下降；
11.扩散系数是表征扩散快慢的参数，它相当于单位浓度梯度时的扩散通量，所
以它：
答案:
单位为m∧2/s
有单位；
12.看图判断，下列哪种描述正确：
答案:
图（b）是注入的高能离子。

图（a）是注入的低能离子；
13.下列哪个工艺方法应用了等离子体技术：
答案:
溅射
RIE
HDPCVD
14.蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因：
答案:
为了避免蒸发分子（或原子）被氧化；
为了提高蒸发分子（或原子）的平均自由程；
为了降低镀膜中的杂质；
15.可以采取哪种方法来提高光刻分辨率？
答案:
减小分辨率系数;
增大光学系统数值孔径；
缩短光源波长；
16.CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。

答案:
错误
17.中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。

答案:
正确
18.在硅片上干氧生长十几nm的氧化层时，可采用D-G模型的线性速率公式
来准确计算所需时间。

答案:
错误
19.实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。

答案:
正确
20.涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。

答案:
正确
21.湿法腐蚀比干法刻蚀的各向异性好。

答案:
错误
22.IC芯片上各元件之间不必进行电隔离。

答案:
错误
23.当前制备单晶硅锭的方法主要有 CZ 、、FZ 三种方法。

答案:
MCZ
24.低压气相外延能降低效应，从而降低了外延时的杂质再分布。

答案:
自掺杂
25.离子注入杂质浓度分布服从高斯分布函数，是杂质浓度最大的位置。

（写文字）
答案:
平均投影射程##%_YZPRLFH_%##投影射程
26.常压CVD反应剂分子到达衬底表面空洞等底部特殊位置的机制有：、再
发射、表面迁移三种。

（填两个字）
答案:
扩散
27.制备TiO2等介质薄膜可以采用溅射方法。

答案:
射频
28.多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，蒸发两种。

答案:
顺次
29.干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、刻蚀三种。

（写文
字）
答案:
反应离子
30.铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性的特点。

（一个字）
答案:
差##%_YZPRLFH_%##低。