微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

1.CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是：

答案:

坩埚材料分解出的氧会进入硅锭；

2.实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：

答案:

对温度不太敏感；

3.关于硅的热氧化，下面哪种说法正确：

答案:

氧化反应是在Si/SiO2界面发生的；

4.在D-G模型中假定稳定生长氧化层时，氧化剂的气相输运、固相扩散和化

学反应三个流密度应：

答案:

相等；

5.基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止：

答案:

核阻止和电子阻止是独立的；

6.多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备：

答案:

LPCVD

7.PVD与CVD比较，下列那种说法正确：

答案:

PVD薄膜与衬底的粘附性较差；

8.外延用衬底硅片一般偏离准确晶向一个小角度，如（111）-Si偏离3º，下

列那种说法正确？

答案:

这是为了得到原子层量级的台阶；

这是为外延生长提供更多的结点位置；

9.硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为N s，在进行了40min扩散后，测

得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？

答案:

应再扩散31 min

杂质表面浓度=N s

表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；

10.P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这

会给再分布扩散带来哪些影响：

答案:

P扩散速度加快；

在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）；

扩入Si的P总量下降；

11.扩散系数是表征扩散快慢的参数，它相当于单位浓度梯度时的扩散通量，所

以它：

答案:

单位为m∧2/s

有单位；

12.看图判断，下列哪种描述正确：

答案:

图（b）是注入的高能离子。

图（a）是注入的低能离子；

13.下列哪个工艺方法应用了等离子体技术：

答案:

溅射

RIE

HDPCVD

14.蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因：

答案:

为了避免蒸发分子（或原子）被氧化；

为了提高蒸发分子（或原子）的平均自由程；

为了降低镀膜中的杂质；

15.可以采取哪种方法来提高光刻分辨率？

答案:

减小分辨率系数;

增大光学系统数值孔径；

缩短光源波长；

16.CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。

答案:

错误

17.中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。

答案:

正确

18.在硅片上干氧生长十几nm的氧化层时，可采用D-G模型的线性速率公式

来准确计算所需时间。

答案:

错误

19.实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。

答案:

正确

20.涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。

答案:

正确

21.湿法腐蚀比干法刻蚀的各向异性好。

答案:

错误

22.IC芯片上各元件之间不必进行电隔离。

答案:

错误

23.当前制备单晶硅锭的方法主要有 CZ 、、FZ 三种方法。

答案:

MCZ

24.低压气相外延能降低效应，从而降低了外延时的杂质再分布。

答案:

自掺杂

25.离子注入杂质浓度分布服从高斯分布函数，是杂质浓度最大的位置。

（写文字）

答案:

平均投影射程##%_YZPRLFH_%##投影射程

26.常压CVD反应剂分子到达衬底表面空洞等底部特殊位置的机制有：、再

发射、表面迁移三种。（填两个字）

答案:

扩散

27.制备TiO2等介质薄膜可以采用溅射方法。

答案:

射频

28.多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，蒸发两种。

答案:

顺次

29.干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、刻蚀三种。（写文

字）

答案:

反应离子

30.铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性的特点。（一个字）

答案:

差##%_YZPRLFH_%##低