维修电工高级理论知识试卷3
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维修电工高级理论知识试卷3
一、单项选择(第1题~第80题。选择一个正确的答案,将相应的字母填入题内的括号中。每题1分,满分80分。)
1、分析和计算复杂电路的主要依据是(D )。
A、欧姆定律
B、基尔霍夫定律
C、叠加原理
D、欧姆定律和基尔霍夫定律
2、已知某三极管的集电极电阻RC=1KΩ,电源电压UGB=6V 三极管的发射极直接接地,则三极管截止时的集电极电流IC 为(C )。
A、6mA、
B、∞
C、0
D、5.3mA、
3、磁场(C )。
A、无方向
B、无间断的
C、有方向
D、方向是变化的
4、判断由电流产生的磁场的方向用(A )。
A、安培定则
B、右手定则
C、电动机定则
D、左手定则
5、下列中,磁感应强度相同的是(C )。
A、地球同经度线各点
B、U型磁场周围各点
C、地球同纬度线各点
D、条型磁场周围各点
6、磁通的单位是(C )。
A、高斯
B、韦·平方米
C、韦伯
D、平方米
7、下列材料中(D )的μr<1。
A、铁
B、空气
C、镍
D、铜
8、磁路中的磁通与磁通势(C )。
A、无关
B、成反比
C、成正比
D、相等
9、判断感应电动势的大小要用(B )。
A、楞次定律
B、法拉第定律
C、安培定律
D、欧姆定律
10、互感电动势的方向由(A )确定。
A、楞次定律
B、戴维南定律
C、电流定律
D、欧姆定律
11、楞次定律是反映(D )方向的。
A、电流
B、电压
C、感应电动势
D、磁通
12、直流电动机的电枢绕组若为单波绕阻,则绕阻的并联支路数等于(C )。
A、主磁极数
B、主磁极对数
C、4条
D、2条
13、并励电动机的过载系数一般为(D )。
A、1~1.5
B、1.5~2
C、2.5~3
D、2~2.5
14、并励电动机在未调速情况下,转速高于额定转速,其原因可能是(C )。
A、绝缘老化
B、电枢绕组断路
C、激磁绕组匝间短路
D、换向器片间短路
15、在过载冲击时,电枢反应引起主磁极下面的磁场将发生
畸变故障,处理方法是( D )。
A、更换换向器
B、移动电刷位置
C、选择适当电刷
D、采用补偿绕组
16、研磨电刷的接触面时,应使用(A )玻璃砂布。
A、00#
B、150#
C、180#
D、80#
17、35KV油开关的主要结构由(D )。
A、提升机构、油箱和导电系统
B、电容套管和电流互感器操作机构
C、油箱、铁架、升降机构和导电系统
D、油箱灭弧室、导电系统和电容套管
18、隔离开关不能用于下述(A )操作。
A、切开负荷电流
B、切断小电流,隔离带电设置
C、隔离电源倒闸操作,切断小电流
D、隔离电源,隔离故障,侧面操作
19、结合滤波器在电力载波通道中所起的作用是(C )。
A、载波机与高压电力线间高频信号的通路
B、对高频信号具有足够大的阻抗
C、抑制通带外的干扰及阻抗匹配作用
D、提高发信电平放大信号
20、高压泄漏试验,应选用(C )。
A、交流耐压机
B、高压摇表
C、高压直流整流设备
D、电桥
21、低压电缆最低绝缘电阻不低于(D )时,可以投入运行。
A、0.5MΩ
B、5MΩ
C、10MΩ
D、0.1MΩ
22、运行中的变压器,如果分接开关的导电部分接触不良则会产生( B )。
A、放电打火使变压器老化
B、过热现象,甚至烧毁整个变压器
C、一次电流不稳定,使变压器绕组发热
D、过电压
23、10KV少油断路器安装地点的短路容量大于断路器额定断流容量的80%时,应该执行( B )。
A、动作4次就检修
B、动作3次就检修
C、动作5次就检修
D、动作6次就检修
24、大修后35KV以上的油浸式电压互感器一次绕组相同连同套管的介质损耗系数tA、nδ值应为( D )。
A、20℃时为1
B、20℃时为2
C、20℃时为4
D、20℃时为2.5
25、架空线路施工过程中,拉线坑回填土时,拉线棒方向与拉线方向应( C )。
A、相反
B、无所谓
C、一致
D、交叉
26、钢圈连接混凝土电杆的弯曲度,不得超过电杆强度的( B )。
A、3/1000
B、2/1000
C、5/1000
D、6/1000
27、制作35KV铝套管式中间接头时,由接头中心向两侧各量(C )距离作为剖铅记号。
A、200mm
B、325mm
C、250mm
D、450mm
28、制作电缆终端头时耐油香蕉管应套到离线芯根部(D )远处。
A、10mm
B、20mm
C、40mm
D、30mm
29、目前,电缆断线故障多数采用()来测量。
A、电压表
B、摇表
C、脉冲示波器
D、电流表
30、共射极放大电路中β的表达式是(C )。
A、β=I
B、/I
C、B、β=IB、-IC、
C、β=IC、/IB、
D、β=IC、-IB、
31、双稳态触发器原来处于“1”态,想让它翻转为“0”态,可采用的触发方式是( C )。
A、计数触发
B、单边触发
C、多边触发
D、自控触发
32、单向可控硅可靠道导通后,降低控制极电流,可控硅将(B )。
A、永远导通
B、仍然导通
C、关断
D、截止
33、可控硅阻容移相桥触发电路,空载时的移相范围是
(B )。
A、90°
B、150°
C、270°
D、180°