A9开发板简单硬件知识剖析

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开发板基本配置说明
CPU： Exynos4412，四核Cortex-A9，主频为1.4GHz-1.6GHz 内存： 1GB/2GB双通道 DDR3 存储： 4GB/16GB EMMC PMIC： 选用三星自家电源管理芯片，高效节能！具有9路DC/DC和 28路LDO输出电源，经千百万部手机实践检验，与三星4412处理器 匹配最佳 USB HOST：板载USB3503，引出高性能HSIC，实现3路USB HOST 输出 SWITCH：电源开关 POWER:直流电源输入接口，5V/2A电源输入
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥 补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3 显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡 常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗 颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小， 成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针 脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修 改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。 DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 许多低端的显卡也 6 有采用DDR3显存的。
嵌入式开发 基本硬件知识
青岛滨海学院 嵌入式开发小组
青岛滨海学院 2015.11.16
部分主要硬件知识介绍
RAM与ROM的介绍
DDR3的介绍 FLASH的含义与介绍 EMMC的功能介绍 A9开发板中央CPU4412的介绍
2Hale Waihona Puke Baidu
RAM与ROM的介绍
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态
半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更 资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。
RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，
且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，
DDR3的特点
DDR3内存新特点 由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正 是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有： 更高的外部数据传输率 更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括：
EMMC的功能介绍
EMMC 是嵌入式储存解决方案的组成结构。
EMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有 MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器— — 所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒 52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电 压可以是1.8v 或者是3.3v。 EMMC的设计概念，就是为了简化内存储器的使用，将 NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机 客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其 它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩 短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速 度。
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ARM Cortex-A9
FS4412是基于samsung的arm Cortex-A9的 Exynos4412的板子，Exynos4412采用了32nm HKMG工艺， 是samsung 的第一款四核芯片， Exynos 4412有两种封装 SCP和POP；Exynos 4412处理器当前sanmung推出了两个 封装版本（PoP和SCP)，其中PoP封装主要是针对智能手 机等产品体积要求严格的项目中使用。由于采用了 DDR 和处理器叠层的焊接工艺，使得设计者对于 DDR 部分的 LAYOUT节省了大量的工程周期.
FLASH
的优 点是一种可在系统（In-System ）进行电擦写，掉电后信息不丢失的 存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。
Flash，是内存（Memory）的一种，但兼有RAM和ROM
Flash 芯片是由内部成千上万个存储单元组成的，每个单元存储
一个 bit 。具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系 统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片 的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。 作为一种非易失性存储器，Flash在系统中通常用于存放程序代码、 常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。 常用的 Flash 为8 位或16位的数据宽度，编程电压为单 3.3V 。主要 的生产厂商为INTEL、ATMEL、AMD、HYUNDAI等。Flash 技术 根据不同的应用场合也分为不同的发展方向，有擅长存储代码的 NOR Flash和擅长存储数据的NAND Flash。 7
故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机
存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
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DDR3的介绍以及设计
DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM 家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更 高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM （四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者 （增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。 在设计上： 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM 内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR3-800 的核心工作频率（内核频率）只有100MHz 2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控 制总线的负担。 3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从 DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset4 ） 与ZQ校准功能。
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8， DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。
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SDR3的性能优势
性能优势编辑
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和 发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。