模电 第 1 单元 检测题(有答案)
模拟电子电路试题及答案
模拟电子技术试题二一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（20分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
( ）(2)电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流. ( )（3）使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( ）（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等. （）(7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（）(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（）（9）只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
( ) （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
( ）二、选择填空（20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。
（A）电流负反馈(B)电压负反馈（C)直流负反馈（D）交流负反馈（2）RC串并联网络在时呈。
（A）感性（B）阻性（C）容性(3）通用型集成运放的输入级多采用。
（A）共基接法（B）共集接法（C)共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。
（A)β(B）β2 （C）2β（D）1+β(5）在（A）、（B）、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E .（A）> （B）〈（C）= （D）≤(7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
（A) 大（B）小（C）相等三、(10分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通,并求出u0.四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β,B—E间动态电阻为r be。
填空：静态时,I BQ的表达式为，I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为；电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为;若减小R B，则I CQ将,r be 将,将，R i将。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术第一次作业题及答案.doc
第1次作业一、单项选择题（本大题共60分，共20小题，每小题3分）1.电子系统的功能是（）。
A.电能传输B.电信号处理C.能量转换2.对差模输入信号和共模输入信号，单输出端运放的输出电阻（）。
A.不同B.相同C.很大3.当P沟道增强型场效应管工作在恒流区时，漏极电位（）源极电位。
A. 大于B.小于C.等于4.N沟道结型场效应管的输出特性和转移特性与（）相似。
A. N沟道増强型M0S管B. N沟道耗尽型MOS管C・P沟道耗尽型MOS管5.当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（）源极电位，PN结（）o A ・大于，正偏B.小于，反偏C.等于，零偏压6.电压增益是输出电压变化量与输入电压变化量之比。
在某个放大电路中，当输入屯压为15mV吋，输岀电压为6. 5V；输入屯压为20mV吋，输岀电压为7V（以上为瞬时电压），该放大电路的电压増益为（）。
A. 700 B. 100 C.- 1007.场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。
A.电流B.电场C.电压8.P沟道增强型场效应管的开启电压（）。
A.大于零B.小于零C.等于零9.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的电压信号源进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输岀电压小。
这说明A的（）。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小10.与双极型晶体管比较，场效应管（）。
A.输入电阻小B.制作工艺复杂C.放大能力弱11.当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为3mA时，它的低频跨导将（）o A.增大B.减小C.不变12.当输入电压通过阈值电压时，迟滞比较器的正反馈（）输出电压的跳变。
A.延缓B.加速C.不影响13.三端固定稳压器的输入端与输出端的电压差是（）。
A. 0V B. >3V C. <-3V复合管如图1所示，已知T1的A =30, T2的A =50,14. 图1卩A. 1500B. 80C. 50放大电路如图3所示，其中的晶体管工作在（ ）« “B.饱和区C.截止区16. 正弦波振荡电路一般由正反馈电路、放大屯路、稳幅电路和（）等四部分 组成。
模电复习题
第一章复习题一、填空1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（五）价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为（自由电子）。
2、PN结正向偏置时，内、外电场方向（相反）。
3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的（R×1k）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的（阴）极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有（发射）结和 ( 集电)结及向外引出的三个铝电极。
5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死)区、正向导通区、 (反向截止)区和（反向击穿）区四个工作区。
6、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。
MOS管只有（多数）流子构成导通电流。
二、判断1、P型半导体中空穴多于自由电子，说明P型半导体带正电.。
（×）2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（×）3、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。
（×）4、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
（×）5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（×）三、单选1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、正向死区状态。
3、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
4、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
模拟电子技术基础__经典例题
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模电第1单元自测题解答分析
第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。
3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。
PN结的这种特性称为单向导电性。
4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。
6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。
7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。
8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。
9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。
（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。
（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
模电试题及答案
模电试题及答案Title: 模电试题及答案详解Introduction:在学习电子工程方向的学生中，模拟电路课程一直被认为是较为重要且有挑战性的课程之一。
为了帮助大家更好地掌握和理解模拟电路，本文提供了一系列常见的模拟电路试题，并附带详细的答案解析，希望能够对读者有所帮助。
1. 试题一：题目描述：根据以下电路图，计算并求解输出电压Vo。
[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电压Vo。
首先，根据电压分压原理，我们可以得到：Vo = Vin * (R2 / (R1 + R2))其中，Vin为输入电压，R1和R2分别为电阻1和电阻2的阻值。
2. 试题二：题目描述：在以下示意图中，根据给定的电路参数和输入信号波形，计算并绘制输出电压波形。
[示意图]解析：根据示意图，我们可以得到输入电压Vin的波形如下：[输入信号波形图]根据电路参数和输入信号波形，我们可以进行电路分析，计算并绘制输出电压Vo的波形。
具体的计算和绘图步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电压波形图]3. 试题三：题目描述：根据给定的操作放大电路图，计算并分析输入信号和输出信号之间的增益。
[操作放大电路图]解析：操作放大器是一种常见的电路组件，用于放大输入信号。
我们可以根据给定的操作放大电路图，进行电路分析来计算增益。
具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [计算结果，即输入输出信号之间的增益]4. 试题四：题目描述：根据电路图，计算并绘制输出电流随时间的变化曲线。
[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电流随时间的变化曲线。
具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电流随时间的变化曲线图]5. 试题五：题目描述：根据给定的振荡器电路图，计算并分析输出信号的频率。
模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx
模拟电子技术基础试卷一及参考答案（总分150分）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后，其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态，设R「RMR L,则电路的电压增益为（）g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺； d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为（ a.Rg+（l?jj//7?g2） c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指（）a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮，A 为理想运放，a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中，若输入电压△5尸80诃，二60mV,则差模输入电压为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo） b. /?g.//（/?g]+/?g2） d. [R g +（心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为（）c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模电基础试题及答案
模电基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这种材料被称为：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. 在PN结中，正向偏置时，电流主要由哪种载流子通过？A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 离子答案：C3. 下列哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案：D4. 运算放大器的理想工作条件是：A. 单电源供电B. 双电源供电C. 无电源供电D. 任意电源供电答案：B5. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 无关系D. 相位差90度答案：B6. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 任何极答案：B7. 在模拟电路中，通常使用哪种类型的反馈来提高电路的稳定性？A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案：B8. 场效应管（FET）的主要优点之一是：A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A9. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C10. 串联负反馈可以导致放大电路的：A. 增益增加B. 增益减少C. 带宽增加D. 带宽减少答案：B二、填空题（每空1分，共10分）1. 半导体二极管的主要特性是______，即正向导通，反向截止。
答案：单向导电性2. 在共基极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系是______。
答案：同相3. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：100000（或10^5）4. 场效应管的控制方式是______控制，而双极型晶体管的控制方式是______控制。
答案：电压；电流5. 理想运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系是______。
答案：输出电压远大于输入电压三、简答题（每题5分，共10分）1. 简述晶体三极管的三种基本放大电路及其特点。
《模电》经典题目-含答案
模拟电子技术基础试卷与参考答案试卷三与其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，说明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益m V 5V m V,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。
[模拟电子技术]-第一章自我检测题参考答案
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第一章自我检测题参考答案一、填空题1.PN结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
2. 2.U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈m v。
26mV。
3. 3.半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。
N型锗，N型硅。
二、判断题1.二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
（×）.2. .稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流I Z。
（√）三、选择题1. 2CZ型二极管以下说法正确的是（B）A、点接触型，适用于小信号检波；B、面接触型，适用于整流；C、面接触型，适用于小信号检波2. 稳压二极管电路如图Z1.1所示，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则为U O(C)。
A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V3.在图Z1.2所示各电路中，已知直流电压U I=3V，电阻，二极管的正向压降为0.7V，求U O=？解：(a)U O=0.7V (b)U O=1.5V (c)U O=4.3V第一章习题参考答案1.1判断题1.当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。
（）2.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。
（）1.√2.×1.2选择题1.硅二极管正偏时，正偏电压0.7V和正偏电压0.5V时，二极管呈现的电阻值（）A、相同；B、不相同；C、无法判断。
2.二极管反偏时，以下说法正确的是（）A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；B、在达到死区电压之前，反向电流很小；C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。
3.图P1.1所示电路，二极管导通时压降为0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（ C ）。
A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。
模电参考答案(全4套)
参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。
2．线性、非线性。
3．共基、共射、共集。
4．差模、共模、ocodA A 。
5．低通、200、200。
6．乙类、0、LCC R V22、0.2。
二、2．放大状态。
4．电压－串联、增大、宽。
三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。
更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。
I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。
3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1． 反向击穿；2． 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3． 零点漂移；4． （串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5． 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6． （1）0.5； （2）5； （3）20； 二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。
(完整版)模拟电子技术测试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。
13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
模电第1单元自测题解答
第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。
3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。
PN结的这种特性称为单向导电性。
4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。
6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。
7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。
8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。
9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。
（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。
（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
模电试卷题库（含答案）
模电试卷题库（含答案）1.某个处于放⼤状态的电路，当输⼊电压为10mV，输出电压为,输⼊电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ）a、700b、650c、100d、-1002.当输⼊信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）a、05.b、c、d、13.当输⼊信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。
A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放⼤电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放⼤电路的输出电阻为（ C ）a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、Ω5.⽤两个AU相同的放⼤电路A和B分别对同⼀个具有相同内阻的电压信号进⾏放⼤，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A⽐B （ B ）a、⼀样b、差c、好d、⽆法判别b、输⼊电阻⼩c、输出电阻⾼d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放⼆输⼊间的电压时可采⽤（A ）a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图⽰，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图⽰，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ）a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设V N、V P和V0分别表⽰反相输⼊端、同相输⼊端和输出端，则V0与V N、V P分别成（ D ）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三⾓波，则应选⽤（D ）12.A、反相⽐例运算电路13.B、同相⽐例运算电路14.C、微分运算电路15.D、积分运算电路半导体16.N型半导体是在本征半导体中加⼊以下物质后形成的（D ）。
a、电⼦d、五价磷元素17.半导体中有两种载流⼦，它们分别是（C ）a、电⼦和受主离⼦b、空⽳和施主离⼦c、电⼦和空⽳d、受主离⼦和施主离⼦18.在杂质半导体中，多数载流⼦的浓度主要取决于（ B ）a、温度b、杂质浓度c、掺杂⼯艺d、晶体缺陷19.在室温附近，当温度升⾼时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ）a、载流⼦b、多数载流⼦c、少数载流⼦d、正负离⼦20.温度升⾼后，在纯半导体中，其电⼦、空⽳变化为（ A ）a、⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同b、空⽳增多，⾃由电⼦数⽬不变c、⾃由电⼦增多，空⽳数⽬不变d、⾃由电⼦和空⽳数⽬都不变⼆极管21.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、⽆法判别22.流过⼆极管的电流⼀定，⽽温度升⾼时，⼆极管的正向电压（A ）a、减⼩b、增⼤c、基本不变d、⽆法确定23.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ）24.⼆极管正向电压从增⼤5%时，流过的电流增⼤为（ B ）a、5%b、⼤于5%c、⼩于5%d、不确定25.温度升⾼时，⼆极管的反向伏安特性曲线应（ A ）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能26.利⽤⼆极管组成整流电路，是应⽤⼆极管的（ D ）a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性27.PN结形成后，PN结中含有（ D ）a、电⼦b、空⽳c、电⼦和空⽳d、杂质离⼦28.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ）a、相等b、⼤于c、⼩于d、⽆法确定29.稳压管能够稳定电压，它必须⼯作在（ D ）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态30.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ）31.在⼀般电路分析计祘时，常将⼆极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和⼩信号模型。
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第 1 单元检测题（共100 分，120 分钟）
一、填空题：（每空1 分，共28 分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有发射结和集电结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，
说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6 、双极型三极管简称晶体管，属于电流控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于电压控制型器件。
MOS管只有多数载流子构成导通电流。
7、晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
8、晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
二、判断正误：（每小题1 分，共12 分）
1、P 型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P 型半导体带负电.。
（×）
2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。
（×）
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。
（×）
4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。
（×）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（×）
6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
（×）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（×）
8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM 时，该管必定被击穿。
（×）
9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。
（√）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（×）
11、晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。
（×）
12、晶闸管触发脉冲与主电路不需要同步。
（×）
三、选择题：（每小题2 分，共20 分）
1、单极型半导体器件是（C ）。
A、二极管；
B、双极型三极管；
C、场效应管；
D、稳压管。
2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（A ）元素构成的。
A、三价；
B、四价；
C、五价；
D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C ）。
A、导通状态；
B、截止状态；
C、反向击穿状态；
D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1K?，说明该二极管（ A ）。
A、已经击穿；
B、完好状态；
C、内部老化不通；
D、无法判断。
5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
A、多子扩散；
B、少子扩散；
C、少子漂移；
D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE ＝2.1V，VB ＝2.8V，VC ＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。
A、放大区；
B、饱和区；
C、截止区；
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。
A、较大；
B、较小；
C、为零；
D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。
A、矩形方波；
B、等腰三角波；
C、正弦半波；
D、仍为正弦波。
9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；
B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO ；
C、集电极最大允许耗散功率P CM；
D、管子的电流放大倍数?。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ B ）
A、发射结正偏、集电结正偏；
B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏；
D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题3 分，共24 分）
1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。
上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②
3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？
答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。
4、图1.44 所示电路中，已知输入信号为正弦交流信号，二极管的正向压降均为0.7V，电源E为5V，求各电路的输出电压U0 波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E时，二极管导通u i =u0 ，当u i <E 时，二极管截止时，u 0 =E 。
所以u0的波形图如下图所示：
图1.44
5、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？
答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，根据三极管的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。
因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么
不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。
晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。
晶闸管具有PNPN 四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。
晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
8、晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？如果不采用同步触发，对电路输出
电压将产生什么影响？
答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发”。
只有当触发脉冲与主电路电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻相同的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用。
因此，晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发，否则由于每个正半周的控制角不同，输出电压就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象。