半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
晶体管特性图示仪使用方法
1、定义：晶体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
它功能强，用途广泛、直接显示、使用方便、操作方便的优点，对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是必不可少的测试工具。
晶体管特性图示仪是一种专用示波器，它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。
例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性、电流放大特性及反馈特性；二极管的正向、反向特性；稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、β或α参数等。
2、晶体管特性图示仪与示波器的区别：晶体管特性图示仪能够自身提供测试时所需要的信号源，并将测试结果以曲线形式显示在荧光屏上。
3、优缺点：晶体管特性图示仪不能用于测量晶体管的高频参数。
4、组成：主要由阶梯波发生器、集电极扫描信号源、测试变换电路、控制电路、X-Y方式示波器等部分组成。
由于晶体管特性图示仪的测量原理基础是逐点测量法，且是动态测量，故晶体管特性图示仪的功能应该满足：能提供测试过程所需的各种基极电流（阶梯波发生器）；每个固定基极电流期间，集电极电压能做相应改变；（集电极扫描信号源）能够即使取出各组测量值并传送至显示电路。
5、晶体管特性图示仪各组成部分的作用：（见书P127）阶梯波发生器（组成和工作原理见书P129）：提供基极阶梯电压或电流集电极扫描信号源：每个固定基极电流期间，集电极电压能做相应改变；测试变换电路：为适应测试NPN和PNP管控制电路：实现集电极扫描信号源和阶梯波信号源的同步X-Y方式示波器：X和Y轴放大器（对取自被测器件上的电压信号进行放大，然后送至偏转板形成扫描线）和示波管6、晶体管特性图示仪的操作使用面板介绍：包括五部分（示波管控制电路；集电极电源；偏转放大；阶梯信号测试台）J2461型晶体管特性图示仪J2461型晶体管特性图示仪，是根据教育部《JY6－78》号技术标准的规定和要求而设计的。
它是J2458型教学示波器的辅助装置，主要供中等学校实验室测量晶体管使用。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。
因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。
用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。
阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。
（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。
QT-2A型半导体管特性图示仪操作规程
三、使用说明
1.总体结构介绍（图一）
设 计 标准化 会 签 审 核
示波管
显示控制
集电极电源
测试座
偏转放大器
阶梯信号
2.面板控制键功能和说明（图二）
33
17 2 3 4 5 6 7 8 9 10
11 12 13 14 15 16
1
22
18
20 21
19 27
24 25
26
23 28 2931 35 45
47
48
46
32 30
34 36
37
38 39 42 43
44
41
40
四、测试应用举例
1.将需要测试的三极管插入测试座（三极管的引脚定义应与测试座上的E、B、C相对应），如图三。
测试二极管时，要将二极管按照极性插入高压测试座，再将高压测试座插入+、-测试端，如图四。
2. 打开QT-2A型半导体管特性图示仪的电源总开关（图二7），按入电源接通，电源接通发光管亮指示仪器通电工作。
3. 对示波管辉度、聚焦（图二2、3）进行调节，使光点聚成一清晰圆点。
4. 参照“表三”的项目设置检测参数
5. 查看对应元器件的半导体管特性曲线是否符合要求。
测试三极管、场效应管的连接方式测试二极管的连接方式
图三图四
五、技术支持及联系方式
上海新建仪器设备有限公司
联系电话：传真：
售后服务热线：传真：。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。
因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。
用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。
阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。
（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。
半导体管特性图示仪作业规范
管和仪器。
3.5.4测试前,应先检查仪器上旋钮的位置,然后把被测管接上,并要特别注意被测管的极性 和面板上各旋钮的位置,以免损坏被测管.一般应将“峰值电压范围”置0～10伏，“峰值电压”从“0”开始也缓慢增加；注入基极电流和电压，一开始也不要太大，应由小到大逐步增加。测试完毕，将“峰值电压”和“阶梯电流和电压”均置于最小位置。
3.8二极管的测试
测试前，先将X、Y轴坐.8.1 正向导通电压值的测量
正确插入管脚，P端接C，N端接E 。
峰值电压范围：0～10Ｖ
Ｘ轴集电极电压：0.1伏/度
Y轴集电极电流:1毫安/度
功耗电阻: 1KΩ
阶梯作用: 关
慢慢调节集电极电压,得一正向特性曲线,曲线急转处所对应的X轴电压,即为被测 二极管的正向导通电压值。
3.6.6将峰值调压开关先置最小值，按E、B、C接入晶体管，逐渐加大电压；
3.6.7观察和记录曲线。
3.7测试举例
NPN型BC548晶体管的测试
峰值电压范围 0～50Ｖ
极性 正（＋）
功耗电阻 50Ω
Ｘ轴 基极压 1伏/度
Ｙ轴 集电极电流 5mA／度
阶梯信号 重复
极性 正（+）
阶梯选择 20μA/级
当测试配对管要求甚高时，可改变二簇移位，使右簇曲线向左，视其曲线重合程度。
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作业指导书半导体管特性图示仪作业规范
编号
HWMQ—A017
第2版
第0次修改
生效日期
2002．6．3
1目的和适用范围
本作业规范规定半导体管特性图示仪的使用方法，便于正确使用图示仪测试晶体管的性能参数。
XJ4810图示仪使用说明
3.7 XJ4810 半导体管特性图示仪概述：XJ4810 型半导体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
本仪器主要由下列几个部分组成：Y 轴放大器及X 轴放大器；阶梯信号发生器；集电极扫描发生器；主电源及高压电源部分。
本仪器是继JT－l 型晶体管特性图示仪后的开发产品。
它继承JT－l 的优点，并有了较大的改进与提高，与其它半导体管特性图示仪相比，具有以下特点：1．本仪器采用全晶体管化电路、体积小、重量轻、携带方便。
2．增设集电极双向扫描电路及装置，能同时观察二级管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。
3．配有双簇曲线显示电路，对于中小功率晶体管各种参数的配对，尤为方便。
4．本仪器专为工作于小电流超β 晶体管测试提供测试条件，最小阶梯电流可达0.2μA／级。
5．本仪器还专为测试二级管的反向漏电流采取了适当的措施，使测试的反向电流I R 达20nA／div 。
6．本仪器配上扩展装置—XJ27100“场效应管配对测试台”可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。
7．本仪器配上扩展装置—XJ27101“数字集成电路电压传输特性测试台”，可测试COMS，TTL 数字集成电路的电压传输特性。
XJ4810 型半导体管特性图示仪，功能操作方便，它对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是一个必不可少的测试工具。
一、主要技术指标（l）Y 轴编转因数：集电极电流范围：10μA∕div～500 毫安／div，分15 档，误差≤±3％；二极管反向漏电流：0.2μA∕div～5μA∕div 分 5 档2μA∕div～5μA∕div 误差不超过±3%基极电流或基极源电压：0.05V／div，误差≤±3％；外接输入：0.1V／div，误差≤±3％；偏转倍率：×0.1 误差不超过±（10%±10nA）（2）X 轴偏转因数：集电极电压范围：0.05～50V∕div，分10 档，误差≤±3％；基极电压范围：0.05～1V∕div，分 5 档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.05V∕div，误差≤±3％；外接输入：0.05V∕div，误差≤±3％。
晶体管图示仪的使用
实验一晶体管图示仪的使用一、实验目的熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。
在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理1．概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器，尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压、饱和压降等。
2．主要技术指标（1） Y轴偏转系数集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过±5%；二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%；外接输入为0.1V/div误差不超过±5%。
（2） X轴偏转系数集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过±5%；基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过±5%；外接输入为0.05V/div误差不超过±7%。
（3）阶梯信号阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档；1μA/级~50mA/级，误差不超过±5%，0.1μA/级误差不超过±7%；阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不超过±5%；串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过±10%；每簇级数4~10级连续可调。
2．4集电极扫描电源、高压二极管测试电源其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表：（4）其它校正信号为0.5Vp-p误差不超过±2%（频率为市电频率），1Vp-p误差不超过±2%（频率为市电频率）；示波管15SJ110Y14内（UK=1.5Kv，UA4=+1.5kV）；电源电压为（220±10%）V；电源频率为（50±5%）Hz；视在功率在非测试状态约50W；满功率测试状态约80W。
YB4811晶体管特性图示仪使用说明书(精)
附录五 YB4811晶体管特性图示仪使用说明书一、概述YB4811型半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测量仪器。
尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压。
饱和压降等。
因此该仪器广泛地应用与半导体器件有关的各个领域。
二、主要技术指标1.Y轴偏转系数集电极电流范围（IC）；10uA/div----0.5uA/div分15档，误差不超过+3%。
二极管反向漏电流（IR）0.2uA/div----5uA/div分5档2uA/div-------5uA/div，误差不超过+3%.1uA/div误差不超过+5%0.2uA/div---0.5uA/div，误差不超过+10%外接输入；0.1V/div，误差不超过+3%2.X轴偏转系数集电极电压范围（Vce)：0.05V/div---500V/div分13档，误差不超过+3%基极电压范围（Vbe); 0.V/div-----5V/div，分6档，误差不超过+3%外接输入：0.05V/div，误差不超过+3%3.信号阶梯电流范围（Ib;）;0.2uA/级-------100mA/级分18档1uA/级-------100mA/级，误差不超过+5%0.2uA/级-------100uA/级，误差不超过+7%阶梯电压范围（Vb);0.1/级-------2V/级分5档，误差不超过+3%串联电阻：0Ω，10Ω。
10KΩ。
100KΩ分3档，误差不超过+10%每簇级数；1----10级连续可调4.极扫描电源。
高压二极管测试电源峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其最大输出不低于下表，各档级电压连续可调功耗限制电阻0--0.5MΩ分11档，误差不超过+10%档级容量10V档0------10V5A50V档0------50V 2.5A500V档0------500V0.5A3KV档0-----3000V2mA5.尺寸型式；便携式外形尺寸；415mm×240mm×320mm重量;17Kg电源电压;220.V+10%电源频率：50HZ+5%视在功率：非测试状态约50VA最大功率约100VA三、注意事项1.避免过冷和过热，不可将仪器长期暴露在日光下，或者说靠近热源的地方，如火炉2.在寒冷天气时放在室外使用，仪器工作温度应在0----40度3.热与寒冷环境交替，不可将仪器从炎热环境中突然转到寒冷的环境或相反进行，这将导致仪器内部形成凝结，从而损坏仪器.4.免温度，水分和尘土.如果将本仪器放在湿度或尘土多的地方，可能导致\仪器操作出现故障，最佳使用相对湿度范围是35%-----90%5.可将物体放置在本图仪器上，注意不要堵塞仪器通风孔6.不可遭受强烈的雷击7.不可用电源导线拖拉仪器8.将电烙铁放在本仪器框架及其表面上9.避免长期倒置存放和运输.10.仪器使用前应检查工作电源电压，并保证所用的保险丝为指定型号，为防止由于过电流引起的电路损坏，请使用正确的保险丝（电源保险丝为1.5A）。
半导体管特性图示仪操作指导书
半导体管特性图示仪操作指导书
1、目的:
规范操作员正确操作，减少事故发生率，确保产品符合要求。
2、范围：
使用于半导体管特性图示仪的操作。
3、操作方法：
3.1确保半导体管图示仪输入电压为220V/AC,开机需预热3分钟后方可进入工作状态;
3.2面板控制键名称说明：
3.3
3.4在面板上选择与被测器件相对应的扫描电压范围，水平电压/档位，选择相对应的测试座，被测器件的脚位插入端口时要正确；
3.5测试时先将阶梯信号及扫描电压调至最小然后由小到大，这样以免对被测器件造成冲击；
3.6对被测器件提供扫描电压与集电极电流，由流过的取样电阻转换成电压值来量度，阶梯信号源提供被测器件基极阶梯信号。
被测器件施加阶梯信号、扫描信号后获得特性曲线并完成输出特性的测量；
3.7测试完成后，将扫描电压调至最小再取下被测器件。
4、注意事项：
4.1非专业人员严禁擅自操作及更改参数；
4.2禁止仪器C、E间的直接短路；
4.3关机后必须大于30秒钟后再开机；
4.4选择高压状态时必须先按入安全罩后再按入测试键，测试完毕后应先将扫描电压回调至零后才
能取下被测器件。
5、设备点检：
设备操作人员于正常工作日每天使用前，按《设备点检记录表》中各项要求进行点检。
6、相关记录表格：
《设备点检记录表》。
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量(精)
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求1、阅读本实验的实验原理,了解半导体图示仪的工作原理以及 XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理(一半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件,使用前均应了解其性能,对于晶体三极管,只要知道其输入、输出特性曲线,就不难由曲线求出它的一系列参数,如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。
但如何得到这两组曲线呢?最早是利用图 4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试 , 而后描出曲线, 逐点测试法不仅既费时又费力 , 而而且所得数据不能全面反映被测管的特性, 在实际中 , 广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图 4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图 4-2(a 中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压 UCS 代替逐点法中的可调电压 EC ,用图 4-2(b 所示的和扫描电压 UCS 的周期想对应的阶梯电流 iB 来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压 EB , 将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上 , 这样一来 , 荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图 4-3 所示的 NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时 , 图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图 4-4 所示 . T是被测晶体管 , 基极接的是阶梯波信号源 , 由它产生基极阶梯电流 ib 集电极扫描电压 UCS 直接加到示波器 (图示仪中相当于示波器的部分 , 以下同的 X 轴输入端 ,, 经 X 轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流 ic 经取样电阻 R 得到与 ic 成正比的电压 ,UR=ic,R加到示波器的 Y 轴输入端 , 经 Y 轴放大器放大加到垂直偏转板上 . 子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比 , 所以荧光屏光点水平方向移动距离代表 ic 的大小 , 也就是说 , 荧光屏平面被模拟成了 uce-ic 平面 .图 4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图 4-5 所示当 t=0 时 , iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零 , 设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数一．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
二．实验设备（1）XJ4810晶体管特性图示仪（2）QT 2晶体管图示仪（3）3DG6A 3DJ7B 3DG4三．实验原理1．双极型晶体（以3DG4NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V B BEi I V R ∂∂= （1.1）它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压%80% 峰值电压范围0～10V 功耗电阻50Ω X 轴作用基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择μ20A/极 级/簇10 串联电阻10K 集电极极性 正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2：V CE V B BEi I V R 10=∆∆= （1.2）根据测得的值计算出i R 的值图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 （2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋扭位置如下：峰值电压范围10V 峰值电压%80% 功耗电阻250Ω X 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度 阶梯选择μ20A/度 集电极极性 正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ，B I 计算出交流放大系数BC I I ∆∆=β （1.3） FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理（一）半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。
但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面.图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。
晶体管特性图示仪使用详解
② “峰值电压 %”调节旋钮。 作用：使集电极电源在确定的峰值电压范围内连续变 化。 ③ “+、-”极性按键开关。 作用：按下时集电极电源极性为负，弹出时为正。
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• ④ “电容平衡”与“辅助电容平衡”旋钮。 • 作用：使在高电流灵敏度测量时容性电流最小，
减小测量误差 • ⑤ “功耗限制电阻 ”选择开关。 • 作用：改变串联在被测管集电极回路中的电阻以
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5．使用注意事项 （1）测试前应预设一些关键开关和旋钮的位置。 （2）“峰值电压范围”、“峰值电压%”、阶梯信号 “电压电流/级”及“功耗限制电阻”这几个开关甚 用。 （3）测试大功率器件（因通常测试时不能满足其散 热条件）及测试器件极限参数时，多采用“单簇”阶 梯。
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6．XJ 4810 型半导体管特性图示仪的应用 （1）同时显示二极管的正反向特性曲线 由于其集电 极扫描电压有双向扫描功能，可使二极管的正反向特 性曲线同时显示在荧光屏上。
• ⑤ “极性”开关 选择阶梯信号的极性。
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⑥ “重复-关”开关 开关弹出时，阶梯信号重复出 现，正常测试时多置于该位置；开关按下时，阶梯信 号处于待触发状态。 ⑦ “单簇”按钮 与“重复-关”开关配合使用。当 阶梯信号处于待散发状态时，按下该钮，对应指示灯 亮，阶梯信号出现一次，然后又回到待触发状态。多 用于观察被测管的极限特性，可防止被测管受损。
注意：此时 IB 和 UBE 均为阶梯波，但 IB 每级高度基本相同，而 UBE
由于输入特性的非线性而每级高度不同。集电极扫描电压的变化反映在荧 光屏上为亮点在各级水平方向的往返移动。
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（4）场效晶体管漏极特性曲线 ID = f（UDS）及 测
试原理框图如图所示。
半导体管图示仪操作说明
第 三调:电 压范围 50V
用测 试表笔 C.E(C为 正,E为 负)与极 管C.E脚 相对应, 调节峰值 电压旋纽 至合适曲 线读出电 压.(合适 曲线为发 生击穿现 象时的电 压值)
6.Vbeo(B E结击穿 电压)的 测试.(BE 结的击穿 电压都用 5V测)
第 一 调:IC(Y 轴)电流 20mA
第 二 调:Vce(X 轴)电压 0.2V
第 三 调:IB(阶 梯信号) 20uA
第 四调:电 压范围 (Vc集电 极峰值电 压范围) 10V
将被 测三极管 按相应脚 位插至测 试治具 上,调节 峰值电压 旋纽至合 适曲线读 值.(合适 曲线为放 大倍数的 曲线与X 轴相交 处)
贴片 二极 管的 测试
1.首先查 找规格 书,看极 性
有丝 印部分为 ห้องสมุดไป่ตู้极,面 积较少, 另一边为 正极
2.VF(正 向电压) 的测试 (例 0700174 VF≤1V IF=10mA
第 一 调:IC(Y 轴)电流 2mA
第 二 调:Vce(X 轴)电压 0.2或0.5
第 三调:电 压范围 10V
这样的算 法是在“ 极/簇” 档调到最 大的时候 才可以数 格子.
hfe表示 的是交流 放大倍 数,工程 上常用β 表示。β =△IC/△ Ib，用 -β表示 直流放大 倍数,--β =IC/Ib, 不过工程 上这两者 的误差值 也就10% 完全满足 要求所 信号档位 ”的含义 就是相邻 两条曲线 之间“基 极电流” 的差值。 例如“阶 梯信号档 位”打到 10uA档就 表示一簇 曲线中相 邻两条曲 线之间的 Ib值相差 10uA , 当“极/ 簇”档位 打到最大 (10)时, 一簇输出 曲线有10 条,最上 面一
半导体管特性图示仪的使用)
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量作者：本站来源： 发布时间：2009-3-9 9:12:09 [收藏] [评论]半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理（一）半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。
但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面.图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。
XJ4810型半导体管特性图示仪测试使用说明
晶体管特性图示仪的使用晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。
06035晶体管特性图示仪操作使用说明
3.5操作键—光迹旋转30RV2：当示波管屏幕上水平光迹与水平内刻度不平行时，可调节该电位器使之平行。
3.6操作键—辅助聚焦30RV3：改变示波管第三阳极电压使电子聚焦，通常在使用时30RV4与30RV3互相配合，使图象更清晰。
38测试控制器由ab测试插控和测试选择开关5k1选择开关的5k1b和5k1c全部按入时此时工作在双簇显示状态可同时显示ab管的特性曲线便于管子的配对与比较
晶体管特性图示仪操作使用说明
编号
Q/FVF MOP-06035
版本号
A
第1页共1页
1．目的：明确晶体管特性图示仪的正确使用保养方法，指导生产过程中晶体管特性图示仪的正确使用，保障测量结果的准确可靠。
3.14使用过程中如出现任何其它异常，请联系计量管理人员处理。
拟制
审核
批准
日期
年月日
日期
年月日
日期
年月日
2．范围：适用于公司内使用的YB4810系列晶体管特性图示仪。
3．内容
3.1使用前务必认真学习《晶体管特性图示仪使用说明书》。
3.2将仪器接到单相电源上，电源电压要求为AC220V±10%，打开电源开关，并预热五分钟。
3.3 YB4810型晶体管特性图示仪的峰值电压与峰值电流的容量为：5V档/5A、20V档/2.5A、100V档/0.5A、500V档/0.1A。
3.7操作键—聚焦30RV4：改变示波管第二阳极电压使电子聚焦。
3.8测试控制器由A、B测试插控和测试选择开关5K1成。当A、B选择开关的5K1B和5K1C全部按入时，此时工作在双簇显示状态，可同时显示A、B管时期暴露在日光下，或靠近热源的地方。
5_晶体管特性图示仪测三极管直流参数
实验五 晶体管特性图示仪测量三极管的直流参数晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。
在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。
晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。
一、实验目的（1）了解YB4812型晶体管特性图示仪原理，掌握其使用方法；（2）观察三极管的输出特性曲线；（3）测试四种三极管的反向击穿电压和直流电流增益。
二、实验原理利用晶体管特性图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。
图中T 代表被测的晶体管，R B 、E B 构成基极偏流电路。
取E B >>V BE ，可使I B =(E B －V BE )/R B 基本保持恒定。
在晶体管C-E 之间加入一锯齿波扫描电压，并引入一个小的取样电阻R C ，这样加到示波器上X 轴和Y 轴的电压分别为V X =V CE = V CA －I C ∙ R C ≈V CA ， V Y =－I C ∙ R C ∞－I C图5.1 测试输出特性曲线的原理电路R E图5.2 基极阶梯电压与集电极扫描电压间关系当I B恒定时，在示波器的屏幕上可以看到一根I C—V CE的特性曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。
为了显示一组在不同I B的特性曲线簇Ici=Φ(I C i, V CE)应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使I B也有一个相应的变化，所以应将图1中的E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。
每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同的阶梯电压V B1、V B2 、V B3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流I B1、I B2 、I B3…。
只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期，如图5.2所示，就可以在T0时刻扫描出I C0=Φ(I B0, V CE)曲线，在T1时刻扫描出I C1=Φ(I B1, V CE)曲线。
XJ4810 型半导体管特性图示仪 说明书
XJ4810型半导体管特性图示仪概述XJ4810型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测定其静态参数的测试仪器。
可以测试的器件有：晶体二极管、稳压管、晶体三极管和场效应管的静态特性和反向击穿特性。
可以测试的参数有h fe,g m，Iceo等。
前面板单元划分参见图2.5.1。
图2.5.1 图示仪前面板前面板的主要分区为：示波管控制区、偏转放大区、集电极电源、阶梯信号、测试台。
两簇测试的时候，侧面的二簇移位旋钮可以水平移动第二簇的位置。
1. 阶梯信号区42AJ18极性选用：决定于被测半导体的需要，比如采用基极电流信号的时候，NPN为正，PNP为负。
40W2级/簇：用来调节阶梯信号的级数在0到10的范围，连续可调整。
比如一簇三极管输出特性曲线的分杈数。
40W1调零：将阶梯信号调整到和面板“零电压”键一样的调整电位器。
40K1阶梯信号选择开关：22档，二作用开关。
基极电流0.2uA/级～50mA/级共17档。
基极源电压0.05V/级～1V/级。
42AJ1A开关：重复、关。
重复使阶梯信号重复出现，做正常的测试。
关使阶梯信号处于待触发状态。
40K3单簇按开关：单簇的按动，其作用是出现触发一次信号。
可以用瞬间测量来看器件的一些极限特性。
2. 集电极电源区50AJ1峰值电压范围：可以在4档调。
开始测试应该采用低电压档0～10v,然后渐渐上加。
51AJ1极性：集电极电压极性，一般NPN型为正。
与测试目的和要求有关系。
50B1峰值电压%：连续调整峰值电压，属于50AJ1各个档的细调。
开始应该条到0，慢慢增大。
50K1功耗限制电阻：串联在集电极电路上的电阻值，开始要选大的，保护被测试晶体管。
然后渐渐放小。
50W2电容平衡电阻：平衡容性电流，提高测试质量。
50W1辅助电容平衡：对内部线圈绕组的对地电容的不对称性进行平衡。
3. Y轴、X轴作用选择Y轴20K1电流/度开关：22档，四种作用开关，分别是集电极电流Ic、二极管漏电流IR、基极电流或源电压（面板用台阶表示）、外接信号。
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半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理（一）半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。
但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面.图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。
在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。
图4-5 晶体管输出特性曲线的显示过程UCE开始由零逐渐增大到最大值，然后再由最大值逐渐减少到零，它在水平方向上影响电子束，由于这段时间内iB ＝IBO＝0，ic＝ICEO，其大小决定于被测晶体管本身的特性，且随UCE而变，它在垂直方向上使电子束发生相应的偏转。
因为UCE在水平方向上和ic 在垂直方向上对电子束的作用是同时存在的，二者作用的结果，使光点从坐标原点出发，沿着向右上方伸展的一条曲线逐渐移到最大，再由最大沿原路逐渐回到坐标原点，这条曲线（光点移动的轨迹）就是iB＝IBO＝0 所对应的那条输出特性曲线。
在正弦半波的第一个周期刚刚结束，第二个周期刚开始的t1 时，ib值从零跳变到IB1。
在t1－t2这段时间内，集电极扫描电压处于正弦半波的第二个周期，它在水平方向上对电流束的影响与0－t1的一样，由于t1－t2这段时间内iB = IB1值恒定不变，所以ic的大小仅取决于管子本身的特性和U CE 的变化，并在垂直方向上使电子束发生相应的偏转，UCE和ic对电子束作用的结果，使得荧光屏上的光点从坐标原点出发，沿着向右上方伸展的另一条曲线逐渐移到最大，在由最大沿原路逐渐移回到坐标原点。
这条曲线就是ib=IB1所对应的输出特性曲线。
在第二个周期的正弦半波扫描电压刚刚结束，第三个周期刚开始的t2时刻，ib值从IB1跳变到IB2。
在t2-t3这段时间内，由扫描电压的第三个正弦半波进行扫描，且ib=IB2，光点移动的轨迹ib=IB2所对应的那条输出特性曲线。
就这样，ib每取一个值，就有一个周期的正弦半波进行扫描，光点移动的轨迹就是一条新的特性曲线，基极电流有几个取值（包括ib=0），光点就要依次扫过几条曲线，例如图4－5 中，光点要依次扫过七条曲线。
当最后一条曲线扫完后，光点回到原点，ib值的跳变完成一个周期又跳回到ib=IB0=0 的状态，以后便重复上述过程，光点开始第二次依次扫过iB=0,iB=IB1,iB=IB2所对应的输出特性曲线。
以上的讨论可以看到，在基极阶梯电流的每一个周期内，光点要依次扫过每条输出特性曲线一个往返。
当基极阶梯电流的频率足够高（周期足够短），即单位时间内光点扫过的每条曲线得次数足够多时，借助于示波管的余辉时间和人眼的视觉暂留，我们就能看到输出特性曲线，完整、清晰而稳定地显示在荧光屏上。
需要说明的是：图4－5 中每条曲线分成两条来画，只是为了表明光点的移动方向，实际上它们是重合在一起的。
另外ib=IB0=0 的一条输出特性曲线离横轴较远，这是夸大了的情况，实际上由于ICEO很小，此曲线基本上和横轴叠合，对硅管更是如此。
2、共射输入特性曲线的显示原理当显示如图4－6 所示的NPN 型晶体管的共发射极输入特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的接线方式如图4－7 所示。
图4-7 输入特性曲线显示电路从图4－7 中可以看到，此时Y轴（垂直偏转板）加的是反映基极阶梯电流iB大小的信号电压iBR0，X轴（水平偏转版）加的是与iB相对应的不均匀的变化电压UBE,荧光屏平面就被模拟成UBE－iB平面。
当集电极扫描电压和基极阶梯电流有如图4－2 所示的对应关心时，图4－7 电路的工作过程（即输入特性曲线的显示过程）将如图4－8 所示。
在0－t1－t2这段时间内，集电极扫描电压uCS处在第一个正弦半波周期，随之变化的集电极电压UCE按正弦半波规律将从零逐渐增大到最大值，再由最大值逐渐减小到零，此时iB=IBO=0,uBE也为零，而对偏转板上的信号电压均为零，电子束打到荧光屏上的0 点，设此点为坐标点。
当光点由E’返回到E点的t12时刻，UCE=0，iB值的调变完成一个周期，立刻从IB5跳回到IB0=0 与iB相对应的UBE值的跳变也必然完成一个周期，在iB变化的同时跳回到零。
IB和UBE对电子束的合作用，使得光点从最高的E点跳回到坐标原点0。
再t12以后的时间里，0-t12的情况完全相同，。
就这样，在基极阶梯电流的频率足够高，即单位时间内扫过上述路径的次数足够多时，借助于示波管的余晖时间和人烟的视觉暂留，光点扫过的整个路径便清楚而稳定的显示在荧光屏上，这就是我们所要得到的晶体管共发射极输入特性曲线。
其中，左面的一条是对应着UCE=0 的输入特性曲线，而各水平亮线右短的光迹，也就是连接A’、B’、C’、D’……诸点所得到的曲线为UCE=UCEM 所对应的输入特性曲线。
但在共射极输入特性曲线中，UCE≥1V以后，曲线不再随UCE的增大而向右移，说明UCE≥1V 后的各曲线基本上是重合在一起的。
（二）XJ4810 型半导体管图示仪各开关旋钮的作用JT-1 型晶体管图示仪各旋钮、开关的作用蚕茧本书附录五，这里介绍XJ4810 的使用]，图示仪前面板上的开关和旋钮较多，但按其功能可以分为以下七部分：示波管控制电路，集电极扫描电压，X 轴作用、Y 轴作用，先是部分，基极阶梯信号盒测试台。
1、示波管控制电路⑴电源开关与辉度调整旋钮。
拉该旋钮电源接通，电流指示灯，推该旋钮为关，该旋钮拉出后为辉度调整，使用时使辉度适中。
⑵聚焦：Θ为主聚焦旋钮，0 为辅助聚焦旋钮，四勇士调节主聚焦和辅助聚焦使光点截面最小。
2、Y轴作用：Y轴作用是使集电极电流ic或基极阶梯电流ib通过各自取样电阻得到的电压及Y轴放大器放大，加到垂直偏板使电子束垂直偏转。
（1）电流/度开关：它是具有22 档四种偏转作用的开关。
a.集电极电流Ic：10μA/div－0.5μA/div共15 档，测量晶体管输出特性曲线时Y轴作用为Ic, Ic=mA/度×度b.二极管漏电流IR:0.2μA/div－5μA/div共5 档用来测量二极管的漏电流。
c.极电流或基极源电压：阶梯电流通过取样电阻得的基极电流的偏转量。
用于阶梯波校正和晶体管输入特性曲线的测量。
（2）垂直位移与倍率：调节该旋钮可使光点，扫描线或曲线上下位移，拉出该旋钮是电流/度×0.1 倍率开关。
3、X轴作用：X轴作用是集电极电压VCE或基极电压VBE经X轴放大器放大到水平偏转板使电子束水平运动。
（1）电压／度开关：它是具有17 档，四种偏转作用的开关。
a、集电极电压：0.05V／度－50 V／度共10 档，测量晶体管输出特性曲线时该开关置于。
CE VCE Vb、基极电压：0.05V／度－1V／度共5 档，测量晶体管输入特性曲线时该开关置于。
BE VBE Vc、基极电流或基极源电压：阶梯电流通过取样电阻得到的基极电流的偏转量，测量晶体管的电流放大倍数fe 时，该开关置于该档。
hd、X 轴位移：调节该旋钮时光点，扫描线或曲线左右移动。
4、显示部分（1）显示开关：使曲线在Ⅰ、Ⅱ象限内相互转换，简化NPN 管转测PNP 管时的操作。
（2）放大器输入端接地⊥：表示输入为零的基准点。
（3）校准：用以校准X、Y 轴放大器增益，按下此开关光点垂直向上，水平向右偏转10 度，即当光点位于左下角原点时，按下此开关光点跳到右上角。
5、集电极扫描电压：（1）极性选择开关：用以转换集电极扫描电压的极性，按下为负极性扫描电压，适于测量PNP 管，放开正极性扫描电压，等于测量NPN 管。
（2）集电极峰值电压范围：分10V、50V、100V、500V 四档，它是集电极峰值电压的调节范围，当由低档转换为高档时，需将峰值电压调到“0”，否则易击穿晶体管，AC 档是专为测量二极管的正、反向特性设置的，它提供双向扫描电压，能方便的将二极管的正、反向特性显示在示波器上。
（3）峰值电压旋钮：调该旋钮可使峰值电压在0－10V、0－50V、0－100V 和0－500V 之间连续变化，该旋钮的标称值是近似的，准确读数由X 轴V／度X 度来确定。
（4）功耗电阻开关：该开关是集电极负载电阻，调节可改变输出特性曲线的斜率。
C R（5）电容平衡：由于集电极各种开关，功耗电阻，被测管输出电容的存在，使集电极电流中存在着容性电流，造成测量误差，使用时调节电容平衡和辅助电容平衡使容性电流最小。
6、基极阶梯信号：（1）阶梯信号选择开关：是一个具有基极电流，基极电压的22 档开关，基极电流为0.2μA／级－50mA／级，共17 档，基极电压为0.05V／级－1V／级共5 档，基极电流与基极电压的选择根据被测半导体器件的特性来决定。