电子技术基础试题库(1~6章)

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电子技术基础试题(一)

电子技术基础试题(一)一、选择题：（每小题3分，共30分）1、D 触发器在D=1时，输入一个CP 脉冲，其逻辑功能是（）。

A ．置1 B ．清0 C ．保持 D ．翻转2、如图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V ，则Y= （）。

A ．0.7V B ．3.7V C ．10VD ．1.5V3、以下表述正确的是（）。

A ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。

B ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。

C ．组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。

D ．组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。

4、逻辑函数式Y=A+A ，化简后的结果是（）。

A ．2AB ．AC ． 1D ．A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为（）。

A ．EFB ．EF C ． 0 D ． 16、基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（）。

A ．恢复原状态 B ．保持现状态 C ．出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位（）。

A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。

A ．放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A ． I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是（）。

A ． 10 B. 50 C. 500 D.100 二．填空题：（每题3分，共30分）1．半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。

电子技术基础题库(I_II类题)[1]

第一章半导体二极管I 类题一、简答题1．杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3．什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1．在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3．在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

电子技术基础数字部分第五版康光华主编第1~6章章节详细习题答案

第一章习题答案一周期性信号的波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比0121112（ms）图题1.1.4解：周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10%将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数，要求误差不大于2-4：（1）43（2）127（3）（4）解：1. 转换为二进制数：（1）将十进制数43转换为二进制数，采用“短除法”，其过程如下：2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b 2高位低位从高位到低位写出二进制数，可得（43）D =（101011）B（2）将十进制数127转换为二进制数，除可用“短除法”外，还可用“拆分比较法”较为简单：因为27=128，因此（127）D =128-1=27-1=（1000 0000）B -1=（111 1111）B（3）将十进制数转换为二进制数，整数部分（254）D =256-2=28-2=（1 0000 0000）B -2=（1111 1110）B 小数部分（）D =（）B（）D=（1111 ）B（4）将十进制数转换为二进制数整数部分（2）D=（10）B小数部分（）D=（）B演算过程如下：0.718×2=1.436……1……b-1 0.436×2=0.872……0……b-2 0.872×2=1.744……1……b-3 0.744×2=1.488……1……b-4 0.488×2=0.976……0……b-5 0.976×2=1.952……1……b-6高位低位要求转换误差小于2-4，只要保留小数点后4位即可，这里算到6位是为了方便转换为8进制数。

电子技术基础试题及答案10套

电子技术基础试题(八)一、填空题(每题3分，共30分)1、PN结具有单向导电特性性能。

2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。

3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。

4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。

5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。

6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。

7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。

8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。

9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。

10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。

二、选择题(每题3分，共30分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。

A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。

A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。

A.3A VB.A3VC.A V3/3D.A V4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。

A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。

A.有交越失真B.易产生自激C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。

数字电子技术试题(1-5章)

第1章数制和码制一、填空题1．数制转换：（011010）2 =（）10 =（）8 =（）16。

2．数制转换：（35）10 =（）2 =（）8 =（）16。

3．数制转换：（251）8 =（）2 =（）16 =（）10。

4．数制转换：（4B ）16 =（）2 =（）8 =（）10。

5．数制转换：（69）10 =（）2 =（）16 =（）8。

6．将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数（10011011001）2 =（）8 =（）16。

7．将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数（1001010.011001）2 =（）8 =（）16。

一、填空题答案：1．26、32、1A ；2．100011、43、 23；3．10101001、A9、169；4．1001011、113、75；5．1000101、45、105；6．2331、4D9；7．112.31、4A.64。

第2章逻辑代数基础一、填空题1．逻辑函数Y AB A B ''=+，将其变换为与非-与非形式为。

2．逻辑函数Y A B AB C ''=+，将其变换为与非-与非形式为。

3. 将逻辑函数AC BC AB Y ++=化为与非-与非的形式，为。

4．逻辑函数Y A A BC '''=+，化简后的最简表达式为。

5．逻辑函数Y A B A B ''=++，化简后的最简表达式为。

6．逻辑函数()()Y A BC AB ''''=+，化简后的最简表达式为。

7. 逻辑函数Y AB AB A B ''=++，化简后的最简表达式为。

一、填空题答案1．()()()Y AB A B '''''= ； 2．()()()Y A B AB C '''''=；3． ()()()()Y AB BC AC ''''=； 4． Y A '=；5．1Y =； 6．1Y =； 7．Y A B =+。

电子技术基础试题

电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。

导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。

单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。

0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。

最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。

导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。

单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）N２、二极管是线性元件。

（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。

（）N４、二极管具有单向导电性。

（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。

（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。

（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。

(完整版)电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

《电子技术基础与技能》(张金华主编)习题答案

《电子技术基础与技能》（主编：张金华）各章复习与考工模拟题答案第1章二极管及其应用一、判断题 1．√ 2．× 3．× 4．× 5．√ 6．√二、选择题 1．B 2．D 3．C 4．C 5．A三、综合题1．U AB =0 U AB =6V 2．3．亮亮 4．（1）桥式整流电容滤波（2（3）U L =0.9U 2 （4）U L =1.2U 2L第2章三极管及放大电路基础一、判断题 1．√ 2．× 3．×二、选择题 1．C 2．A 3．C三、填空题1．正偏电压反偏电压 2．各电极电流极间电压 3．高低略小于1 4．20dB 四、综合题 1．2．3．（a ）饱和失真一般调节偏置电阻R b ，使其阻值减小。

（b ）截止失真一般调节偏置电阻R b ，使其阻值增大。

（c ）饱和与截止失真减小输入信号的幅度或更换三极管。

第三章常用放大器一、判断题 1．√ 2．× 3．× 4．× 5．×二、选择题 1．C 2．A1.01mA β=100 5mA β=50 u 0u iu 0 u i R 1 R 3 R 4VT 1 VT 2+ +- -3．B4．C5．D6．B三、综合题1．u0=8(u I2-u I1)2．t2．×3．×4．5．×二、填空题1．负载输出2．78××79××输出为正12V的集成稳压器输出为负12V的集成稳压器3．（U Z=14V）14 15 14 4 10三、综合题为了保证稳压管的正常工作，在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流的大小，只有在R取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。

其稳压过程：U I升高或R L变大→U0升高→I Z变大→I R变大→U R变大→U0减小，使输出电压U0稳定；当U I降低或R L变小，同理分析输出电压U0也能基本保持稳定。

电子技术基础》考试试卷(附参考答案)

《电子技术基础》考试试卷（附参考答案）一.填空（40分，每题5分）1.负反馈对放大电路性能的影响主要体现在（1）（2）（3）（4），闭环Auf= 。

2.通常使用来判断正负反馈，共射极放大电路反馈信号从基极注入为反馈，从发射极注入为反馈，当输出端短路后，反馈元件上有电压是反馈，若无电压是反馈。

3.负反馈在放大电路中的应用其主要类型有（1），，（2），，（3），（4）。

射极输出器是属于反馈。

4. OCL,OTL是功率放大电路，消除交越失真的方法是，它们电路上的共同特点是，不同点有，实用电路常工作在状态。

5. 集成运放主要功能是，运算电路有（1）（2）（3）（4）；基本转换电路是（1）（2）。

6.功率放大电路的主要任务是，主要要求有（1）（2）（3）（4）。

7.直流稳压电源的功能是，晶体管串联型稳压电路是由，，和四部分电路组成。

8.放大电路设置偏置的目的是，引入负反馈目的是。

功率放大电路的工作状态分为，，。

二.判断（8分，在括号里打“√”或打“X”）1.放大器负反馈深度越大，放大倍数下降越多。

（）2.由集成稳压电路组成的稳压电源其输出电压是不可调节的。

（）3.负反馈能修正信号源的失真。

（）4.直流负反馈的作用可以稳定静态工作点。

（）5.零点漂移是放大器输出不能为零。

（）6.抑制零点漂移最有效的是采用差动放大为输入级。

（）7.放大器引入负反馈可以提高电压放大倍数稳定工作状态。

（）8.集成运放的基本运算是加法和减法运算。

（）三.识读电路（24分，写出电路名称，信号传输方式和所采用的偏置）1. 2.3. 4.5. 6.四.简答（18分）1．指出电路运算功能，并写出运算公式。

（1）.（2）(3). (4).2.简述万用表检测电阻的使用方法。

五.计算（10分）1. 求如图所示放大电路的静态工作点和输入，输出电阻，电压放大倍数。

2.如图所示电路已知Rf=120k,U。

=1.5v,Ui=0.5v。

求R1的大小。

参考答案一，1，提高放大电路工作稳定性（降低了电压放大倍数）减小失真展宽通频带改善输入，输出电阻Au/(1+FAu)。

电子技术试题和答案解析(

《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳 3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。

一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。

Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。

○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。

Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。

○5、PN结具有单向导电特性。

○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。

Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。

○10、硅二极管导通时的正向管压降约 0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。

Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。

★12、发光二极管将电信号转换为光信号。

★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。

第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。

○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。

Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。

★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 .Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 。

电子技术基础第一章测试题

第一章测试题《模拟电子技术基础》90分钟姓名：班级：分数：一、判断题（对的打“√”，错的打“×”，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴（）2、P型半导体的多数载流子是空穴（）3、二极管只要加上正偏电压就能导通（）4、二极管击穿后会立即烧坏（）5、二极管具有单向导电性（）6、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（）7、二极管加正向电压导通，加反向电压时截止（）8、从二极管的伏安特性曲线可知，它的电压电流关系满足欧姆定律（）9、稳压二极管正常工作区域为反向击穿区（）10、物质按其导电能力可分为导体和绝缘体（）二、填空题（每空1分，共20分）1、二极管按使用的材料可分为和两类。

2、锗二极管的正向偏置电压必须达到才能导通，硅二极管的正向偏置电压必须达到才能导通。

3、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象为二极管的现象。

4、半导体具有两种载流子：和5、P型半导体，又称为，是在纯净半导体中掺入微量的制成的，P型半导体中是多数载流子，是少数载流子6、PN结具有，即当电源接P区，接N区时，称为给PN结加正向电压或正向偏置，当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加或7、二极管负极电压为3.7V,正极电压为3V，表明该二极管工作于状态8、滤波电路的作用是向电路提供9、整流电路是指：将电转换为电的电路三、选择题（每题2分，共26分）1、如果二极管的正，反向电阻都很大，则该二极管（）。

A正常； B.已经击穿； C. 内部断路；2、如果二极管的正，反向电阻都很小，则该二极管（）。

A正常； B.已经击穿； C. 内部断路；3、稳压管通常工作于（）A.截止区B.正向导通区C.反向击穿区4、不属于半导体属性的是（）A、热敏性B、光敏性C、掺杂性D、综合性5、交流电通过整流电路后，得到的输出电压是（）A、交流电压B、脉动直流电压C、平滑的直流电压6、在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压的有效值U2=10V,则输出电压U0为（）。

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，以下哪个元件不是基本的逻辑门？A. 与门B. 或门C. 非门D. 放大器答案：D2. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 指数波答案：D3. 在模拟电路中，运算放大器的基本应用不包括以下哪一项？A. 放大B. 滤波C. 信号整形D. 电源转换答案：D4. 以下哪个参数不是衡量二极管性能的指标？A. 正向压降B. 反向电流C. 击穿电压D. 电容答案：D5. 在数字电路中，触发器的类型不包括以下哪一项？A. SR触发器B. JK触发器C. D触发器D. 运算放大器答案：D6. 在模拟电路中，以下哪个元件不是构成放大器的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C7. 以下哪种波形不是数字信号？A. 方波B. 锯齿波C. 正弦波D. 脉冲波答案：C8. 在数字电路中，以下哪个逻辑运算符不是基本的？A. 与（AND）B. 或（OR）C. 异或（XOR）D. 乘法（MULT）答案：D9. 在模拟电路中，以下哪个元件不用于信号的滤波？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C10. 以下哪种波形不是模拟信号？A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 数字信号答案：D二、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，一个稳定的触发器在输入信号变化时，输出状态______改变。

答案：不2. 运算放大器的开环增益通常非常高，可以达到______以上。

答案：1000003. 二极管的正向导通电压通常在______左右。

答案：0.7V4. 在模拟电路中，放大器的增益可以通过改变______的值来调整。

答案：电阻5. 数字电路中的逻辑门输出状态只有______和1。

答案：06. 触发器的输出状态由______控制。

答案：输入信号7. 在数字电路中，一个稳定的触发器在没有输入信号时，输出状态______改变。

电子技术教考分离试题库.

<< 电子技术>>教考分离试题库第一部分：选择题部分第一章晶体二极管及其应用1．为使PN结正向偏置，就使P区接电源（），N区接电源（）A．正极、负极 B。

负极、正极C．正极、正极 D。

负极、负极2．在下图所示电路中，稳压管Dw1和Dw2的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压UO为（）。

A．6V B。

7V C。

0V D。

1V第二章晶体三极管及放大电路3．若分别测得放大电路中的NPN型硅管各极电位如下图所示，则管脚①②③分别为电极（）A．c、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、e、c4．如下图所示各电路中，处于放大状态的三极管是（）5．为了消除基本共射放大电路的饱和失真，应（）A．减小基极偏置电阻 B。

增大基极偏置电阻C．减小集电极偏置电阻 D。

增大集电极偏置电阻6．温度升高时，三极管的部分参数的变化规律是（）A．β↑、ICEO ↑、UBE↑ B。

β↑、ICEO↑、UBE↓C．β↓、ICEO ↑、UBE↑ D。

β↑、ICEO↓、UBE↓18. 以下哪些不属于引入负反馈后对电路的影响（）A．使放大电路的放大倍数减小B．使放大电路通频带展宽C．改变放大电路的输入输出电阻D．使放大电路放大倍数增大19. 由NP管组成的基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是（）A．饱和失真 B。

频率失真 C。

截止失真 D。

以上均不定第三章场效应管放大电路7．表征场效应管放大能力的重要参数是（）A．夹断电压Up B。

低频互导（跨导）gmC．饱和漏极电流IDSS D。

最大栅源电压BUGS8．源极输出器类似于（）A．共发射极放大电路 B。

共基极放大电路 C．共集电极放大电路 D。

共漏极放大电路9．N沟道结型场效应管处于放大状态要求（）A．UGS >0 B。

UGS=0 C。

UGS<0 D。

UDS=0第四章正弦波振荡电路10．LC正弦波振荡电路起振的振幅条件是（）A．︱AF︱=0 B.︱AF︱=1 C.︱AF︱<1 D. ︱AF︱>111．采用石英晶体振荡电路的主要目的是（）A．提高输出信号幅度 B。

电子技术基础试题库(1-6章)

电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。

答：导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性，特性和特性。

答：热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。

答：单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答：0.7V、0.3V。

（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。

答：最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。

答：小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

答：电、光、光、电。

7、三极管有三个电极，即极、极和极。

答：集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答：NPN、PNP。

（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。

答：电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。

答：0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。

答：I C=βI B。

（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答：增加、小。

12、三极管的极限参数分别是，，和。

答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答：放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。

答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答：使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。

《电子技术基础》题集

《电子技术基础》题集一、选择题（每题2分，共20分）1.下列哪一项不是电子技术的基本内容？A. 电路分析B. 模拟电子技术C. 数字电子技术D. 量子力学2.在电路中，电阻的单位是什么？A. 伏特（V）B. 安培（A）C. 欧姆（Ω）D. 法拉（F）3.下列哪项是二极管的正向特性？A. 高电阻B. 低电阻C. 无电阻D. 可变电阻4.在数字电路中，二进制数“1010”转换为十进制数是多少？A. 8B. 10C. 12D. 165.下列哪项不是逻辑门电路的基本类型？A. AND门B. OR门C. NOT门D. XOR门6.哪种电路用于放大信号？A. 整流电路B. 放大电路C. 振荡电路D. 稳压电路7.在模拟电路中，哪种器件常用于信号的处理和放大？A. 电阻B. 电容C. 运算放大器D. 二极管8.下列哪项不是集成电路的特点？A. 体积小B. 功耗低C. 可靠性差D. 易于大规模生产9.在数字电子系统中，哪种设备用于存储二进制数据？A. 触发器B. 编码器C. 解码器D. 多路选择器10.下列哪项不是无线通信的基本方式？A. 微波通信B. 光纤通信C. 卫星通信D. 移动通信二、填空题（每题2分，共14分）1.半导体材料的主要特性是其在一定条件下具有______性。

2.在电路中，当电流通过电阻时，电阻两端会产生______。

3.逻辑电路的基本运算包括与、或、非和______。

4.放大器的主要性能指标包括放大倍数、输入电阻和______。

5.数字电路中，最基本的逻辑单元是______。

6.无线通信中，信号传输的主要方式是通过______进行传输。

7.在模拟电路中，常用于滤除特定频率信号的电路是______。

三、判断题（每题2分，共10分）1.在数字电路中，高电平通常表示逻辑“1”，低电平表示逻辑“0”。

（）2.二极管的正向电阻远大于反向电阻。

（）3.放大器的放大倍数越大，其输出信号的失真就越小。

电子技术基础试题库

１电子技术基础(模拟篇)第一章半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（）。

A B CD5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（）。