晶体硅太阳能电池的制造工艺流程(精)
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺晶体硅太阳能电池原理与制造工艺1.硅太阳能电池丄作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应一般的半导体主要结构如图1-1:图1-1 半导体主要结构正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子当硅晶体中掺入其他的杂质如硼、磷等当掺入硼时硅晶体中就会存在着一个空穴它的形成可以参照图1-2o图1-2 P型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的硼原子因为硼原子周围只有3个电子所以就会产生如图1-2所示的蓝色的空穴这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和形成Ppositive型半导体。
同样掺入磷原子以后因为磷原子有五个电子所以就会有一个电子变得非常活跃形成Nnegative型半导体。
黄色的为磷原子核红色的为多余的电子。
如图1-3所示。
图1-3 '型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示圉绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的磷原子当P型和'型半导体结合在一起时在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层界面的P型一侧带负电'型一侧带正电。
这是由于P型半导体多空穴X型半导体多自由电子出现了浓度差。
N区的电子会扩散到PP的“内电场”从而阻止扩区P区的空穴会扩散到N区一旦扩散就形成了一个由N指向散进行如图1-4所示。
达到平衡后就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差这就是P\结。
图1-4内电场的形成当晶片受光后PN结中N型半导体的空穴往P 型区移动而P型区中的电子往X型区移动从而形成从X型区到P型区的电流。
然后在P\结中形成电势差这就形成了电源。
如图1-5所示图1 -5硅太阳电池结构示意图由于半导体结后如果在半导体中流动电阻非常大损耗也就非常不是电的良导体电子在通过pn大。
但如果在上层全部涂上金属阳光就不能通过电流就不能产生因此一般用金属网格覆盖p-n结如图1-6梳状电极以增加入射光的面积。
图1-6梳状电极及SiO2保护膜另外硅表面非常光亮会反射掉大量的太阳光不能被电池利用。
晶体硅太阳电池制造技术
晶体硅太阳电池制造技术
晶体硅太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能电池之一，其制造技术主要包括以下几个步骤：
1. 制备硅单晶材料：通过在高温环境下，将硅原料（通常为冶炼硅或多晶硅）融化并凝固形成硅单晶，然后切割成薄片。
2. 清洁处理：将硅单晶薄片进行严格的清洁处理，去除表面的杂质和有害物质。
3. 电池片制造：将清洁处理后的硅单晶薄片进行P型和N型掺杂，形成PN结构。
这一步骤一般采用扩散法、离子注入法或液相浸渍法。
4. 捕获和反射层涂覆：在电池片的前表面涂覆反射层，以提高光的利用率。
同时，在电池片的背面涂覆捕获层，以提高光的吸收。
5. 金属化和焊接：将电池片表面涂覆导电金属（通常为铝）和更薄的阳极面涂覆导电金属（通常为银），然后使用焊接技术将电池片连接成电池组。
6. 封装和测试：将电池组封装在透明的玻璃或塑料基板中，以保护电池组不受外界环境的影响，并进行电气性能测试和质量控制。
这些步骤是晶体硅太阳能电池制造的基本流程，具体制造技术还有其他细节和改进方法，以提高电池的效率和稳定性。
晶体硅太阳电池制造工艺原理
晶体硅太阳电池制造工艺原理晶体硅太阳电池的制造过程可谓是一场奇妙的科学之旅，真是让人眼花缭乱。
想象一下，阳光洒在大地上，能量在悄悄地流动。
我们要把这些阳光转化为电力，让我们的生活变得更加美好。
听起来是不是很神奇？晶体硅太阳电池就是这个过程的主角，仿佛是一个超级英雄，默默无闻却改变着世界。
今天就来聊聊这个小小电池的制造工艺，轻松有趣，不那么严肃。
咱们得从原料说起。
晶体硅，顾名思义，就是硅材料。
你可能会问，硅是什么？硅就是你手机里、电脑里那种闪闪发光的半导体材料。
它的来源可不少，地壳中硅的含量可是相当丰富，真的是取之不尽，用之不竭。
听起来好像很简单，但制作晶体硅可不是件容易事。
需要把原材料经过高温加热、熔炼，变成高纯度的硅。
这就像你在厨房做菜，火候掌握得当，才能做出一道美味的菜肴。
咱们要把这些高纯度的硅变成晶体。
通常有两种方法，分别是“Czochralski法”和“区熔法”。
这两个名字听起来高大上，其实也就是把硅加热到液态，然后慢慢冷却，让它自己结晶。
这个过程简直像是在看一场魔术表演，硅在温度的变化中，一点一点地形成晶体结构，犹如冰雪在阳光下融化成水，再慢慢结成冰。
晶体的质量和纯度直接关系到电池的效率，所以这个环节马虎不得。
晶体硅被切割成小小的硅片。
想象一下，厚厚的硅锭被切割得像切蛋糕一样，一片一片的，切得整整齐齐。
每一片都像是小小的太阳能接收器，准备好迎接阳光的洗礼。
切割后，硅片会被放入一个特殊的清洗池，彻底洗净，确保没有任何杂质。
这就像你在出门前认真打理自己的形象，确保看起来光鲜亮丽。
之后，硅片要经过一系列的掺杂工艺，这就像是在给电池“调味”。
掺杂就是在硅中加入一些其他的元素，像磷和硼，来改变它的电导性能。
这一步非常重要，因为晶体硅的电池能否高效工作，全靠这一招。
这种“调味”让硅片的电流变得更加流畅，简直就像是给水管疏通，让水流得更顺畅。
硅片就要涂上薄薄的一层抗反射膜，防止阳光反射出去。
听起来简单，但这可是个技术活，涂得太厚了反而不好，太薄了又不够用。
太阳能电池板的制造工艺流程
太阳能电池板的制造工艺流程1. 硅片准备在太阳能电池板的制造过程中，首先需要准备硅片。
硅片是太阳能电池板的核心材料，通常由高纯度晶体硅材料制成。
在准备过程中，首先需要将硅原料净化，去除杂质，然后将硅原料熔化，形成硅锭。
接下来，硅锭通过切割技术被切割成薄片，形成硅片。
2. 涂层制备在制备过程中，硅片需要经过一系列的涂层处理。
首先，硅片会被清洗和去除表面杂质。
之后，硅片会被涂覆一层反射层，以提高太阳能的光吸收效果。
接着，通过化学方法涂覆一层抗反射膜，以减少反射损失。
最后，硅片会被覆盖一层保护层，防止受到外部环境的侵害。
3. 电池片制备接下来是电池片的制备过程。
首先，通过光刻技术在硅片上制造暗电极和光电极。
然后，通过扩散技术将硅片暗电极中注入杂质，形成PN结。
随后，通过金属化技术在光电极和暗电极上涂覆金属电极，以便于电流的收集和传输。
最后，通过退火技术将电池片进行烧结，以提高电池片的效率和稳定性。
4. 模组组装在模组组装阶段，电池片会被加工成规定大小，并且被安装在透明玻璃上。
透明玻璃起到保护和支撑电池片的作用。
同时，模组中还要安装背面板、接线盒、连接器等组件，以便将太阳能电池板与外部电源连接。
最后，根据需要，在模组表面覆盖一层防紫外线和耐候性的材料，以提高太阳能电池板的使用寿命和效果。
5. 质量检测最后一个工艺是质量检测。
在太阳能电池板的制造过程中，需要对整个制造过程进行严格的检测和测试，以确保太阳能电池板的质量和性能符合要求。
主要包括外观检查、电性能检测、环境适应性测试等。
只有通过了所有的质量检测，太阳能电池板才能出厂销售。
以上就是太阳能电池板的制造工艺流程。
通过以上工艺流程的操作和控制，可以生产出高质量、高效率的太阳能电池板，促进太阳能产业的可持续发展。
太阳能电池工艺流程
太阳能电池工艺流程太阳能电池是一种利用光电效应将太阳光能转化为电能的器件，是清洁能源领域中备受关注的技术之一。
太阳能电池的制造过程涉及多个工艺步骤，下面将简要介绍太阳能电池的工艺流程。
1.晶体硅材料准备太阳能电池的主要材料是硅，一般采用晶体硅。
晶体硅材料准备是太阳能电池制造的第一步，通常通过硅矿石提炼、高纯度硅棒拉制等工艺来获取高质量的硅材料。
2.硅片加工经过硅材料准备后，硅片需要进行加工。
硅片加工包括切割、抛光、清洗等步骤，以确保硅片表面光滑、无瑕疵，提高光电转换效率。
3.扩散和光刻扩散是将掺杂物diffused 到硅片表面，形成p-n 结，是太阳能电池的关键工艺之一。
光刻是通过光掩膜技术在硅片表面形成电极图案，为后续的金属化工艺做准备。
4.金属化金属化是在硅片表面沉积金属电极，将光电转换的电荷导出，形成电路。
金属化工艺需要高精度的设备和工艺控制，以确保电极与硅片的良好接触性和导电性。
5.封装封装是将太阳能电池芯片与支撑材料（如玻璃、背板等）进行封装，保护太阳能电池不受外界环境影响，并提高组件的稳定性和耐久性。
6.测试和质检经过封装后的太阳能电池需要进行测试和质检，以确保电池组件的性能符合要求。
测试包括电性能测试、外观检查、温度湿度试验等，质检则是对电池组件的质量进行全面检查。
7.成品包装最后一步是将经过测试和质检合格的太阳能电池组件进行包装，以便运输和安装。
包装通常采用防震、防潮的材料，保证太阳能电池组件在运输过程中不受损坏。
总的来说，太阳能电池的制造工艺是一个复杂而精密的过程，涉及多个步骤和环节。
只有严格控制每个工艺步骤，确保材料和设备的质量，才能生产出高效、稳定的太阳能电池产品。
随着太阳能电池技术的不断进步和完善，相信太阳能电池将在未来发挥越来越重要的作用，成为清洁能源领域的主力。
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程一、硅材料的准备首先，需要获取高纯度的硅材料作为太阳能电池的基础材料。
常用的硅材料有硅硷、多晶硅和单晶硅。
这些材料一般通过熔炼、洗涤和纯化等工艺步骤进行准备，以确保材料的纯度和质量符合要求。
二、硅片的制备在准备好的硅材料中，首先需要将硅材料熔化并形成硅棒。
硅棒可以采用单晶硅棒或多晶硅棒，通过将硅材料放入熔炉中进行熔化并慢慢降温，以获得纯度高的硅棒。
接下来，通过使用切割机将硅棒切割成很薄的硅片。
这些硅片称为硅片，硅片的厚度通常为几十微米到几百微米。
三、电池片的制备在硅片制备好后，需要对硅片进行一系列的加工工艺，以形成能够转化太阳能的电池片。
首先，通过在硅片表面涂上磷化剂，然后将硅片放入磷化炉中进行磷化反应，使硅片表面形成一层钙钛矿薄膜。
这一步骤的目的是增加太阳能的吸收能力。
接着，需要在硅片上涂覆一层导电膜。
最常用的导电膜是铝或铝合金，在硅片表面蒸镀一层铝膜。
该层铝膜将形成电场，使得硅片的上下两面形成正负两极。
最后，通过将硅片放入扫描激光器中进行图案化处理，将电池片分成多个小的电池单元，形成电池片。
四、组装在制造完电池片后，还需要将电池片组装成最终的太阳能电池模块。
电池片通过焊接或粘贴在玻璃基板上，并加上前电极和后电极，形成电池模块。
同时，还需将电池模块封装起来，以保护电池片并增加光的吸收。
最后，经过严格的测试和质量检查，太阳能电池模块将会被装配成太阳能电池板，并投入市场使用。
总结起来，晶体硅太阳能电池的制造工艺流程主要包括硅材料的准备、硅片的制备、电池片的制备和组装。
这些步骤涉及到多种物理、化学和加工工艺，需要高技术水平和严格的质量控制。
不断的研发和创新使得晶体硅太阳能电池在效率和可靠性方面得到了不断的提升。
硅太阳能电池制造工艺流程图
硅太阳能电池制造工艺流程图1、硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。
2、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。
因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
3、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。
对于单晶硅来说一般采用NaOH 加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。
对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。
4、扩散制结：扩散的目的在于形成PN结。
普遍采用磷做n型掺杂。
由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。
5、边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。
周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。
周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。
目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。
扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。
6、沉积减反射层：沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。
广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。
7、丝网印刷上下电极：电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。
晶体硅太阳能电池制造工艺原理(一)
晶体硅太阳能电池制造工艺原理(一)晶体硅太阳能电池制造工艺引言晶体硅太阳能电池是目前最常见的太阳能电池类型之一，它利用晶体硅的半导体特性将光能转化为电能。
本文将从原理到制造工艺，逐步介绍晶体硅太阳能电池的制造过程。
光伏效应太阳能电池的工作原理基于光伏效应，即在光照的作用下，半导体材料中的能带发生偏移，使得电子从价带跃迁到导带，产生电流。
晶体硅是一种典型的半导体材料，因此被广泛应用于太阳能电池制造。
晶体硅的制备制造晶体硅太阳能电池的第一步是准备合适的晶体硅材料。
常见的制备方法有单晶法和多晶法。
单晶法通过将硅熔体缓慢冷却，使单晶硅逐渐生长；而多晶法则通过快速冷却制得多晶硅，它的晶粒较小，但制备成本较低。
制备电池片1.切割：将制备好的晶体硅材料切割成薄片，常用的切割工具是金刚石线锯。
2.研磨：用化学机械研磨（CMP）工艺对切片进行表面平整化处理，以去除切割时产生的缺陷和污染物。
3.清洗：对研磨后的切片进行清洗处理，去除表面的污染物，提高电池片的质量。
4.获取P型和N型半导体：将切片进行热扩散或离子注入工艺，使得切片的一侧生成P型半导体，另一侧生成N型半导体。
制备电池结构1.沉积透明导电膜：在电池片表面沉积一层透明导电膜，通常使用氧化锡薄膜。
2.沉积抗反射膜：为了提高电池吸收光能的效率，需要在透明导电膜上沉积一层抗反射膜。
常用的抗反射膜材料有二氧化硅等。
3.打开电池片通孔：使用激光或机械刻蚀等方法，在电池片上打开通孔，方便后续电池的连线。
4.沉积金属电极：在电池片的正负电极位置沉积金属电极，常用的金属有铝、银等。
组装与封装1.清洗：清洗电池片和其他组件，确保没有灰尘和污染物。
2.焊接连接：使用焊接技术将电池片与其他元件连接起来，形成电池组。
3.封装：将电池组放入封装材料中，通常使用聚合物材料进行封装，保护电池并提供结构支撑。
总结晶体硅太阳能电池的制造工艺涉及多个步骤，从晶体硅的制备到电池结构的形成，最终完成组装与封装。
电池和组件生产工艺流程图
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图电池片工艺流程说明：(1)清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤层，并进行硅片表面织构化，形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。
现在常用的硅片的厚度在 180μm 左右。
去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。
(2)甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。
(3)扩散、刻蚀：多数厂家都选用P型硅片来制作太阳能电池，一般用POCl3液态源作为扩散源。
扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成P-N结。
扩散的最高温度可达到850-900℃。
这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于10％，少子寿命大于10 微秒。
扩散过程遵从如下反应式：4POCl3＋3O2（过量）→ 2P2O5＋2Cl2（气）2P2O5＋5Si → 5SiO2 + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩散生成的副产物。
SiO2 与HF生成可溶于水的SiF62-，从而使硅表面的磷硅玻璃（掺P2O5的SiO2）溶解，化学反应为：SiO2 ＋6HF → H2（SiF6）＋2H2O(4)减反射膜沉积：采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)积一层氮化硅减反射膜，不仅可以减少光的反射，而且由于在制备SiNx 减反射膜过程中有大量的氢原子进入，因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果。
这是因为对于具有大量晶界的多晶硅材料而言，晶界的悬挂键被饱和，降低了复合中心的原因。
由于表面钝化和体钝化作用明显，就可以降低对制作太阳能电池材料的要求。
由于增强了对光的吸收，氢原子对太阳能电池起到很好的表面和体内钝化作用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。
(5)印刷、烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两面制作电极。
正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过率，另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。
晶硅太阳能电池制造工艺流程及工序简介
ser刻蚀工序
❖ Laser刻蚀的目ห้องสมุดไป่ตู้、作用： 用激光切出绝缘沟道，可以使电池短路，减少电流泄漏。
硅片经Laser刻蚀后的示意图
18
7. 测试分选工序
❖ 主要是测量电池片的短路电流（JSC）、开路电压（VOC）、 填充因子（FF），经计算得出电池的光电转换效率（η） 。
❖ 根据电池的光电转换效率（η）对电池片进行分类。
2PO 5Si 5SiO 4P
25
2
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。
去除磷硅玻璃的目的、作用：
1. 磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制，且其工艺窗口太小，不稳 定。
2. 磷硅玻璃的折射率在1.5左右，比氮化硅折射率（2.07左右）小， 若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。
3. 磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质，会增加少子表面复合，使电池 效率下降。
13
2. 扩散（POCl3液态扩散）
❖ 扩散的目的：制造太阳能电池的PN结。
❖ PN结是太阳能电池的“心脏” 。 ❖ 制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个
区域中占优势（P型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域 中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型 和N型半导体的接触。
2
单晶硅太阳电池
3
多晶硅太阳电池
4
非晶硅太阳电池
5
2. 硅太阳电池的制造工艺流程
❖ 下面我们就硅太阳电池的制造工艺流程以及各工序进行简 单的介绍。
❖ 晶体硅太阳能电池制造的常规工艺流程主要包括：硅片清 洗、绒面制备、扩散制结、（等离子周边刻蚀）、去 PSG(磷硅玻璃) 、PECVD 减反射膜制备、电极(背面电极、 铝背场和正电极) 印刷及烘干、烧结、Laser和分选测试等。 同时,在各工序之间还有检测项目,主要有抽样检测制绒效果、 抽样 测方块电阻、抽样测氮化硅减反射膜厚度和折射率等 项目。
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程
提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下:
（1）切片：采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片.
（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。
（3）制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面.
(4) 磷扩散：采用涂布源(或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散,制成PN＋结，结深一般为0.3－0。
5um.
（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
(6）去除背面PN＋结。
常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结.
（7）制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。
先制作下电极，然后制作上电极.铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。
制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。
工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等.
（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类.
由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图电池片工艺流程说明：(1)清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤层，并进行硅片表面织构化，形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。
现在常用的硅片的厚度在180μm 左右。
去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。
(2)甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。
(3)扩散、刻蚀：多数厂家都选用P型硅片来制作太阳能电池，一般用POCl3液态源作为扩散源。
扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成P-N结。
扩散的最高温度可达到850-900℃。
这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于10％，少子寿命大于10 微秒。
扩散过程遵从如下反应式：4POCl3＋3O2（过量）→ 2P2O5＋2Cl2（气）2P2O5＋5Si → 5SiO2 + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩散生成的副产物。
SiO2 与HF生成可溶于水的SiF62-，从而使硅表面的磷硅玻璃（掺P2O5的SiO2）溶解，化学反应为：SiO2＋6HF → H2（SiF6）＋2H2O(4)减反射膜沉积：采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜，不仅可以减少光的反射，而且由于在制备SiNx 减反射膜过程中有大量的氢原子进入，因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果。
这是因为对于具有大量晶界的多晶硅材料而言，晶界的悬挂键被饱和，降低了复合中心的原因。
由于表面钝化和体钝化作用明显，就可以降低对制作太阳能电池材料的要求。
由于增强了对光的吸收，氢原子对太阳能电池起到很好的表面和体内钝化作用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。
(5)印刷、烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两面制作电极。
正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过率，另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。
晶硅太阳能电池组件生产的基本工艺流程
晶硅太阳能电池组件生产的基本工艺流程1.晶硅太阳能电池组件生产的第一步是选用优质的硅材料。
The first step in the production of crystalline silicon solar cell modules is to select high-quality silicon materials.2.硅材料经过精炼和加工后，制成硅片。
The silicon material is refined and processed to produce silicon wafers.3.硅片经过切割和抛光，形成标准尺寸的太阳能电池片。
The silicon wafers are cut and polished to form solar cell chips of standard size.4.太阳能电池片经过清洗和检验，确保质量达标。
The solar cell chips are cleaned and inspected to ensure quality standards are met.5.经过清洗和检验的电池片被涂覆上导电层和抗反射层。
The cleaned and inspected solar cell chips are coated with conductive and anti-reflective layers.6.经过光刻和腐蚀工艺，形成正负极电极。
Through photolithography and etching processes, positive and negative electrodes are formed.7.电池片经过扩散工艺，形成PN结。
The cell chips are diffused to form PN junctions.8.经过清洗和检验后，电池片被组装成电池组件。
After cleaning and inspection, the cell chips are assembled into solar modules.9.电池组件经过外观检查和性能测试，确保无缺陷。
晶硅太阳能电池制造工艺-工艺流程以及工序简介
1）、硅太阳能电池的制造工艺流程：
清洗制绒
扩散
周边刻蚀
印刷电极
PECVD
去磷硅玻璃
烧结
分选测试
检验入库
1.原料硅片清洗制绒 12.测试分选
11.激光 10.烧 结 9.丝网印刷正电极 8.烘 干
2.高温扩散（液态扩散） 3.去磷硅玻璃（去PSG） 4.沉积减反射膜（PECVD）
5.丝网印刷背电极 6.烘 干
磷扩散层
其主要是利用硅半导体p-n结的 光生伏打效应。即当太阳光照 射p-n结时，便产生了电子-空 穴对，并在内建电场的作用下， 电子驱向n型区，空穴驱向p型 区，从而使n区有过剩的电子， p区有过剩的空穴，于是在p-n 结的附近形成了与内建电场方 向相反的光生电场。在n区与p 区间产生了电动势。当接通外 电路时便有了电流输出。
扩散的目的：制造太阳能电池的PN结。
PN结是太阳能电池的“心脏” 。 制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个
区域中占优势（P型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域 中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型 和N型半导体的接触。
5POCl 3 600 C以上 3PCl 5 P2O5
7.丝网印刷背电场
2）、工序简介
目前硅太阳能电池制造工序主要有：
制绒清洗工序 扩散工序 PECVD工序 丝网印刷工序 烧结工序 Laser刻蚀工序 测试分选工序
1. 制绒清洗工序
(a).单晶制绒---捷佳创
目的与作用：
（1）去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧 化层。
（2）为了提高单晶硅太阳能电池的光电转 换效率,根据单晶硅的各向异性的特性， 利用碱(KOH)与醇(IPA)的混合溶液在单 晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面, 有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而 提高光生电流密度。
太阳能电池片生产工艺流程
晶体硅太阳能电池工艺流程如下：
生产工艺---清洗和表面腐蚀
生产工艺---制绒
表面绒面化
由于硅片用P型（100）硅 片，可利用氢氧化钠溶液对单 晶硅片进行各向异性腐蚀的特 点来制备绒面。当各向异性因 子>10时（所谓各向异性因子 就是（100）面与（111）面 单晶硅腐蚀速率之比），可以 得到整齐均匀的金字塔形的角 锥体组成的绒面。绒面具有受 光面积大，反射率低的特点。 可提高单晶硅太阳电池的短路 电流，从而提高太阳电池的光 电转换效率。
生产工艺---制备电极（1）
Байду номын сангаас
生产工艺---制背电极（2）
生产工艺---背表面钝化
五、生产设备—清洗设备
生产设备—扩散炉
生产设备—刻蚀
生产设备—PECVD
生产设备—测试仪
生产设备—烘干炉
生产设备—快烧炉
五、生产环境及其它
房间编号
房间名称
A201-1 A202-1 A203-1 A204-1 A205-1 A206-1
单晶硅的制绒工艺：是通过NaOH和乙醇反应，在硅片上形成减反 织构，增强电池对光线的吸收能力。 多晶硅的制绒工艺：是加入铬酸和氢氟酸，利用铬酸的强氧化性将 切割后硅片上的污物清除，并产生SiO2和C2O3，达到在硅片上形 成减反织构的目的。 丝网印刷：银浆或银铝浆等导电材料印刷在硅片上，作为太阳能电 池电子导通的主要通道。
扩散前清洗区 扩散间 扩散后清洗区 刻蚀区 PECVD区 丝网印刷区
温度
相对湿 度
净化级别
℃
23±2 23±2 23±2 23±2 23±2 23±2
％
ISO标准 (美联邦标准)
45~70
晶体硅太阳能电池制造工艺原理
晶体硅太阳能电池制造工艺原理晶体硅太阳能电池制造工艺原理太阳能电池是利用光能将光能转化为电能的装置。
晶体硅太阳能电池是目前使用最广泛的太阳能电池之一，其制造工艺原理包括晶体硅的制备、制作晶体硅片、制作太阳能电池及其组件的制作等多个步骤。
晶体硅的制备是晶体硅太阳能电池制造过程的第一步。
通常采用等离子炉法制备晶体硅。
在这个过程中，将高纯度的硅原料加入炉中，经过高温的等离子炉炉膛进行等离子化并气化成SiH4和H2混合气体，再通过石英管引入沉积金属硅，形成硅塞，最后进行炉子预热、炉体升温、熔化硅塞、熔化温度升高、等温保温等多个步骤，最终得到晶体硅。
制作晶体硅片是晶体硅太阳能电池制造的关键步骤之一。
晶体硅片是太阳能电池的基片，可以通过多晶硅单晶化工艺制备。
首先，将晶体硅切割成所需厚度的硅片；然后，在硅片表面进行化学蚀刻，清除表面的杂质和氧化层；接着，使用气相外延法将切割晶体硅片的表面植入硼或磷等杂质，形成正负型掺杂；最后，通过高温处理改善晶体硅片的电学性能。
制作太阳能电池则是晶体硅太阳能电池制造的核心过程之一。
其原理是将制备好的晶体硅片，经过一系列的工艺步骤，形成具有PN结的太阳能电池。
首先，在晶体硅片表面进行反射膜涂布，提高太阳能的吸收能力；然后，将表面涂布过反射膜的晶体硅片进行光电转换效率测试，并对其进行分类和分级；接着，通过光刻法在硅片表面形成导线电极，并进行扩散辐射、草图匹配等步骤；最后，将表面镀金或铝形成电池的另一电极。
在太阳能电池的组件制作过程中，需要将多个太阳能电池串联或并联，以提高输出电压或电流。
这一过程的原理是将多个太阳能电池的正负极通过金属线连接，形成太阳能电池组件。
同时，在组件制作过程中，还需要加入背板、边框等结构件，以保护太阳能电池并提高组件的稳定性和耐久性。
总之，晶体硅太阳能电池制造工艺原理主要包括晶体硅的制备、制作晶体硅片、制作太阳能电池及其组件的制作等多个步骤。
这些步骤通过不同的工艺手段，最终形成了高效、稳定和可靠的晶体硅太阳能电池产品，为太阳能发电提供了重要的技术支持。
晶体硅太阳能电池片的生产流程
一、基本概念1、制绒制绒，是指处理硅片的一种工艺方法，利用硅的各向异性腐蚀特性，使用腐蚀液在硅片表面刻出类似于金字塔或者是蜂窝状的结构。
制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。
2、掺杂掺杂就是使杂质进入晶片内部，并在晶片中的某区域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质可以是IIIA族和VA族的元素。
利用掺杂技术，可以制作PN结、欧姆接触区以及电阻等各种器件。
常用的掺杂技术有扩散和离子注入两种。
3、PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，又称PN结。
PN结具有单向导电性。
4、等离子体刻蚀等离子体刻蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅级（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。
刻蚀的工艺水平直接影响最终产品质量及生产技术的先进性。
5、PSGPSG（Phospho Silicate Glass）是磷硅玻璃的意思，在太阳能电池片的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。
6、PECVDPECVD:（Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition ）等离子增强化学气象沉积,等离子体是由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。
二、晶体硅太阳能电池片的生产工艺与设备生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制PN结、刻蚀、镀减反射膜、金属化、和测试分选包装等主要步骤。
下面依序介绍晶体硅太阳能电池片生产的各项工艺与设备。
1、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
晶体硅生产的标准工艺标准流程详解
晶体硅生产旳工艺流程详解硅材料是目前最重要旳半导材料，目前常用旳太阳能电池是硅电池。
单质硅是比较活泼旳一种非金属元素，它能和96种稳定元素中旳64种元素形成化合物。
硅旳重要用途是取决于它旳半导性。
晶体硅涉及单晶硅和多晶硅，晶体硅旳制备措施大体是先用碳还原SiO2成为Si，用HCl反映再提纯获得更高纯度多晶硅，单晶硅旳制法一般是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
硅旳单晶体。
具有基本完整旳点阵构造旳晶体。
用于制造太阳能电池旳多晶硅纯度规定达到99.9999％。
晶体硅生产一般工艺流程⑴ 清洗清洗旳目旳：1清除硅片表面旳机械损伤层。
2对硅片旳表面进行凹凸面(金字塔绒面)解决,增长光在太阳电池片表面旳折射次数,利于太阳能电池片对光旳吸取,以达到电池片对太阳能价值旳最大运用率。
3清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。
化学清理原理：HF清除硅片表面氧化层：HCl清除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂旳双重作用，氯离子能与溶解片子表面也许沾污旳杂质，铝、镁等活泼金属及其他氧化物。
但不能溶解铜、银、金等不活泼旳金属以及二氧化硅等难溶物质。
安全提示：NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性旳化学药物，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人旳皮肤、眼睛、呼吸道，因此操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。
一旦有化学试剂伤害了员工旳身体，立即用纯水冲洗30分钟，送医院就医。
⑵制绒制绒旳目旳：减少光旳反射率，提高短路电流(Isc)，最后提高电池旳光电转换效率。
制绒旳原理运用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率旳各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布旳表面形貌，就称为表面织构化。
角锥体四周全是由〈111〉面包围形成。
反映为：Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下：
（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。
（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。
（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。
（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
（6）去除背面PN＋结。
常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。
（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。
先制作下电极，然后制作上电极。
铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。
制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。
工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。
（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。
由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。