多晶硅太阳能电池制作工艺概述
多晶电池片生产工艺
多晶电池片生产工艺
多晶电池片生产工艺是制造太阳能电池的关键步骤之一。
多晶电池片以多晶硅为基材生产,经过一系列的工艺步骤来制造出高效、高质量的太阳能电池。
首先,原材料的准备是多晶电池片生产工艺的第一步。
多晶硅是制造多晶电池片的主要原料,它是通过石英砂经过高温冶炼、纯化、结晶等步骤得到的。
这些过程需要严格控制温度、压力和纯度,以确保多晶硅的质量。
接下来,多晶硅通过切割机械切割成薄片,厚度通常为0.2-
0.3毫米。
这些薄片将成为太阳能电池片的基材。
之后,薄片进入扩散炉,经过高温处理。
在扩散炉中,将磷源涂覆在薄片表面,然后通过高温使磷浸入薄片内部,形成p型硅区。
完成扩散后,薄片需要进行腐蚀处理。
腐蚀可以去除表面的氧化层,使薄片表面更加光滑。
这可以提高电池片的光电转换效率。
接下来是沉积反应层。
在沉积反应层内,利用高温和气体反应,将硅化物沉积在薄片表面,形成n型硅区。
沉积层的厚度要经过严格控制,以确保薄片的性能稳定。
完成沉积后,薄片需要进行打孔。
通过激光或机械打孔,使电池片的正负电极相连。
这可以提供电流传输的通道,以使电池
片能够输出电能。
最后,电池片经过清洗和检查等步骤,然后进行筛选和分级。
只有质量合格的电池片才能继续用于太阳能电池组件的生产。
多晶电池片生产工艺是复杂而精细的过程,需要严格控制各个环节的工艺参数,以确保产品的质量和效率。
随着技术的不断发展,多晶电池片生产工艺也在不断创新和改进,以提高太阳能电池的性能和降低成本。
多晶硅太阳能电池的制备及性能分析
多晶硅太阳能电池的制备及性能分析多晶硅太阳能电池是利用多晶硅材料制成的太阳能电池,其具有高效的光电转换效率和长期的使用寿命,因此在太阳能领域中得到了广泛的应用。
本文将介绍多晶硅太阳能电池的制备过程和性能分析。
一、多晶硅太阳能电池的制备过程1. 多晶硅的晶化多晶硅太阳能电池的制备需要使用多晶硅材料。
多晶硅材料是由多个单晶硅颗粒组成的,具有高晶界密度和低晶界带来的高电导率等性质。
因此,制备多晶硅太阳能电池的第一步是将硅原料进行晶化,得到多晶硅材料。
多晶硅的晶化方法主要有四种:氧化法、分解法、毒素氯化氢等化学气相沉积法和气-液界面沉积法。
其中,氧化法是最为常用的方法。
该方法的具体步骤为:将粉末状的硅原料加入制备装置,加热至其中心温度高于硅的熔点,保持一定时间使其成为液态,然后冷却,使其再次成为固态,形成多晶硅材料。
2. 多晶硅的切片制备多晶硅太阳能电池需要将多晶硅材料切成薄片,以便进行后续的加工。
多晶硅的切片方法主要有两种:线锯法和磨料法。
线锯法是先将多晶硅材料用钢丝锯切割成薄片,再用化学溶液进行酸蚀去边。
磨料法则是在多晶硅材料上撒上磨料,通过磨削将其切割成薄片。
3. 多晶硅薄片的清洗多晶硅薄片在切片过程中会留下微小的缺陷和杂质,这些对太阳能电池的制备会产生影响。
因此,需要对多晶硅薄片进行清洗。
多晶硅薄片的清洗方法主要有两种:化学法和物理法。
化学法是将多晶硅薄片浸泡在各种酸或碱溶液中,通过化学反应清除杂质和缺陷。
物理法是利用喷雾和超声波等物理手段清洗多晶硅薄片。
4. 制备太阳能电池将清洗后的多晶硅薄片进行切割,形成多晶硅太阳能电池的芯片。
将芯片进行表面处理,覆盖p型和n型材料,并在表面涂覆透明导电膜。
制备好后的多晶硅太阳能电池即可使用。
二、多晶硅太阳能电池性能分析1. 光电转换效率光电转换效率是太阳能电池的重要性能指标,也是判断多晶硅太阳能电池性能的重要指标。
光电转换效率越高,代表着太阳能电池将太阳能转化为电能的效率越高。
多晶硅太阳能电池制造加工
多晶硅太阳能电池制造加工太阳能电池是一种可以将太阳能直接转化为电能的设备。
其中多晶硅太阳能电池因其高效转化率和制造成本低廉而在太阳能电池市场中占有一定的份额。
本篇文章将探讨多晶硅太阳能电池的制造加工过程。
1、硅片制备多晶硅太阳能电池的制备过程中需要使用到硅片。
硅片制备一般分为两个阶段:单晶硅材料的生长和硅锭的制备。
单晶硅材料的生长常用的方法有:气相淀积法和液相区熔法。
硅锭的制备需要使用到单晶硅材料,一般使用Czochralski法或者费萨罗法进行制备。
2、硅片切割硅片切割是硅片制备的后续步骤,也是多晶硅太阳能电池制造加工的重要一步。
硅片切割常用的方法有:线锯切割法和研磨切割法。
线锯切割法适用于制备较厚的硅片,而研磨切割法适用于制备较薄的硅片。
3、表面处理硅片表面的处理对于太阳能电池的性能具有重要的影响。
在硅片表面涂覆一层氧化硅可以提高电池的转化率。
硅片表面涂覆的氧化硅可以通过湿法沉积或者干法沉积两种方式进行。
4、扩散/渗透扩散和渗透是多晶硅太阳能电池的核心步骤之一。
在这一步骤中,将掺杂剂(如硼、磷等)引入硅片中。
扩散和渗透的目的是形成PN结,PN结是太阳能电池中的核心结构,起到把太阳能转化为电能的作用。
5、制备背面电极成功形成PN结后需要制备背面电极和正面电极。
通常背面电极使用的材料是铝;正面电极使用的材料是银/铝。
对于多晶硅太阳能电池而言,背面电极的作用主要是提高电池的光吸收率,从而提高电池的效率。
6、烧结烧结是制造多晶硅太阳能电池的最后一步。
在烧结过程中,将电极烧结到硅片上,从而形成完整的太阳能电池。
烧结温度和时间对最终电池的性能具有极大的影响。
综上所述,多晶硅太阳能电池的制造加工过程是一个复杂的系统工程。
其中每一步骤都对电池的最终性能产生着重要的影响。
随着太阳能电池市场的持续扩大,多晶硅太阳能电池的制造技术也在不断提高,相信在不久的将来,太阳能电池将成为主流的清洁能源之一。
多晶硅太阳能电池的制备和性能优化
多晶硅太阳能电池的制备和性能优化多晶硅太阳能电池是一种常见而重要的太阳能电池类型。
该电池能够将太阳能转化为电能,并被广泛应用于太阳能发电领域。
然而,多晶硅太阳能电池的制备和性能优化是一个复杂而繁琐的过程。
本文将对多晶硅太阳能电池的制备和性能优化进行探讨。
一、多晶硅太阳能电池的制备多晶硅太阳能电池的制备过程包括硅材料准备、硅片切割、清洗、扩散、金属化等多个步骤。
以下是具体制备过程的描述。
首先,需要选择高质量的硅材料。
目前市场上常用的硅材料有单晶硅、多晶硅、非晶硅等。
多晶硅是一种价格相对较为合适的硅材料,常被用来制备太阳能电池。
在材料准备阶段,需要将原材料进行熔炼、焙烧等多个步骤,以获得高纯度的硅材料。
接下来,需要进行硅片的切割。
多晶硅太阳能电池制备过程中,需要将硅材料切割成较为薄的硅片,通常厚度在200-300um之间。
在切割过程中,需要保证硅片表面光滑,无明显划痕和破损。
然后,进行清洗和扩散处理。
在清洗阶段,需要将硅片进行去污、清洗等处理,以保证硅片表面洁净。
接着进行扩散处理,即在硅片表面上涂覆P型或N型硅材料,并在加热过程中使扩散剂与硅材料反应,形成P-N结,以提高硅片的导电性。
最后,进行金属化处理。
在该步骤中,需要将金属电极沉积在硅片上,以形成正负极。
常用的金属有铝、银、铜等。
金属化处理需要精确的工艺控制,以提高太阳能电池的效率和稳定性。
二、多晶硅太阳能电池的性能优化多晶硅太阳能电池的性能受多种因素影响,如硅片质量、扩散剂配比、金属电极厚度等。
以下是针对多晶硅太阳能电池制备过程中的性能优化措施。
1. 优化硅片的质量。
选用高纯度、低氧化物含量的硅材料制备硅片可以有效提高多晶硅太阳能电池的转换效率。
2. 优化扩散剂的配比。
采用合适的扩散剂配比,可以提高硅片表面的掺杂浓度,并增加P-N结的面积和深度,从而提高电池的效率。
3. 优化金属电极厚度。
在金属化处理过程中,适当增加负极厚度,可以显著提高太阳能电池的填充因子和光电流,从而提高电池的性能。
太阳能级多晶硅生产工艺介绍
流化床法是美国 Boeing 公司研发的多晶硅生产工艺,该方法主要采用硅籽作为 沉积体,再将其与卤硅烷进行反应,进而制造多晶硅。流化床法制造多晶硅需要 用到流化床反应器,具体反应过程如下:将 SiHCl3 和 H2 由底部注入到反应装 置中,在经过加热区和反应区后,可以和装置顶部的硅晶体进行反应,反应条件 需要处在高温环境,同时在气相沉积的作用下,硅晶体将会不断增多,最终可以 形成多晶硅产物。该方法与西门子法相比主要具有以下优势:第一,可以进行连
加的节能,能耗大约在 40kW·h/kg 左右。然而,该方法存在着一定的安全问题, 这是由硅烷的特性决定的,硅烷是一种易燃、易爆的气体,这极大地增加了硅烷 的保存难度,在日常生产过程中不易于管理。产品和晶种相对容易受到污染,存 在超细硅粉问题,工艺和设备成熟度较低。
3. 冶金法
冶金法制备多晶硅主要分为两个步骤:第一,需要采用真空蒸馏、定向凝固等方 式对工业硅进行提纯,去除工业硅中的杂质,使其纯度达到要求。第二,通过等 离子炉清除 C、B 等元素,得到更加纯净的硅元素。通过这种方式制备的多晶硅 具有 P-极性,并且电阻系数较小,因而具有较高的光电转化效果。日本 Kawasaki Steel 企业采用的就是这种制造方式,可以有效地对工业硅进行提纯。此外,上 述方法还可以进行优化,优化过程主要用到了湿法精炼极性处理。通过这种方式 可以对多晶硅进一步进行精炼,与未使用该方法相比,可以将太阳能电池的工作 效率提升到 15%左右。由此可见,多晶硅的纯度非常的重要,通过提高多晶硅 的纯度可以极大地改变多晶硅的物理特性,能够在很大程度上提高太阳能电池的 工作效率。
6. 电解法
电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅,在电解装置中,以 C 作为阳 极,反应温度控制在 1000℃,在经过一段时间的电解反应后,Si 单质将会在阴 极上附着,阳极生成 CO2 气体。电解反应对电极材料的要求较高,这是因为在 电解反应中,尤其是温度较高的反应条件下,电极极易发生腐蚀,进而将新的杂 质引入反应体系中,如 B、P 等,对硅的纯度造成影响。以 CaCl2 作为熔盐电解 为例,使用石墨作为阳极,阴极采用特制材料。电解完成后,需要将阴极置于真
晶硅太阳能电池制造工艺流程及工序简介
ser刻蚀工序
❖ Laser刻蚀的目ห้องสมุดไป่ตู้、作用: 用激光切出绝缘沟道,可以使电池短路,减少电流泄漏。
硅片经Laser刻蚀后的示意图
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7. 测试分选工序
❖ 主要是测量电池片的短路电流(JSC)、开路电压(VOC)、 填充因子(FF),经计算得出电池的光电转换效率(η) 。
❖ 根据电池的光电转换效率(η)对电池片进行分类。
2PO 5Si 5SiO 4P
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2
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。
去除磷硅玻璃的目的、作用:
1. 磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制,且其工艺窗口太小,不稳 定。
2. 磷硅玻璃的折射率在1.5左右,比氮化硅折射率(2.07左右)小, 若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。
3. 磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质,会增加少子表面复合,使电池 效率下降。
13
2. 扩散(POCl3液态扩散)
❖ 扩散的目的:制造太阳能电池的PN结。
❖ PN结是太阳能电池的“心脏” 。 ❖ 制造PN结,实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个
区域中占优势(P型),而使施主杂质在半导体内的另外一个区域 中占优势(N型),这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型 和N型半导体的接触。
2
单晶硅太阳电池
3
多晶硅太阳电池
4
非晶硅太阳电池
5
2. 硅太阳电池的制造工艺流程
❖ 下面我们就硅太阳电池的制造工艺流程以及各工序进行简 单的介绍。
❖ 晶体硅太阳能电池制造的常规工艺流程主要包括:硅片清 洗、绒面制备、扩散制结、(等离子周边刻蚀)、去 PSG(磷硅玻璃) 、PECVD 减反射膜制备、电极(背面电极、 铝背场和正电极) 印刷及烘干、烧结、Laser和分选测试等。 同时,在各工序之间还有检测项目,主要有抽样检测制绒效果、 抽样 测方块电阻、抽样测氮化硅减反射膜厚度和折射率等 项目。
简述多晶硅太阳能电池的制造流程
简述多晶硅太阳能电池的制造流程下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
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多晶硅生产工艺和反应原理
多晶硅生产工艺和反应原理多晶硅是一种用于制造太阳能电池板的关键材料。
其制备工艺涉及多个步骤和反应原理。
多晶硅的生产工艺可以概括为以下几个主要步骤:1. 原料准备:多晶硅的主要原料是冶炼硅、矽酸钠和氢氯酸等。
这些原料在制备过程中需要进行精确的配比,以确保最终产品的质量和效能。
2. 冶炼硅的制备:首先,将原料中的冶炼硅与氢氧化钠进行反应,生成硅酸钠溶液。
然后,在高温下将溶液与电解质反应,从中析出粗硅。
这个过程主要是通过液相冶炼和电解两个步骤来完成的。
3. 精炼多晶硅:将粗硅放入电炉中,并在控制温度和环境的条件下进行加热。
通过向炉内加入能与杂质反应的物质(如氯化氢),可以将杂质从硅中去除。
这个过程被称为精炼,其目的是提高多晶硅的纯度。
4. 抽拉和切割:经过精炼的多晶硅会以一定的比例被抽拉成圆柱形的晶棒。
这个晶棒通常被切割成薄片,用于制造太阳能电池板。
切割过程需要高精确度的设备和操作,以确保最终产品的品质。
在多晶硅生产过程中,存在多个反应原理的作用:1. 溶液反应:冶炼硅与氢氧化钠反应形成硅酸钠溶液,这个反应产生了大量的热量。
同时,在高温下进行的电解质反应中,硅酸钠溶液被分解为纯硅和氢氧化钠,从而促使多晶硅的形成。
2. 杂质去除反应:在精炼多晶硅的过程中,通过向电炉中加入氯化氢等物质,可以与多晶硅中的杂质发生反应。
这些杂质会以气体或液体的形式被移出,从而提高多晶硅的纯度。
3. 抽拉和切割反应:在多晶硅被抽拉和切割的过程中,需要使用高精确度的设备和工艺控制,以确保晶棒和切片的质量。
这个过程主要是机械物理反应,通过切割工具对多晶硅进行切割和加工。
总而言之,多晶硅的生产工艺涉及多个步骤和反应原理。
从原料准备、冶炼、精炼到抽拉和切割,每一步骤都是为了提高多晶硅的纯度和形状,以满足太阳能电池板制造的要求。
通过控制反应条件和使用精确的设备,可以实现高质量的多晶硅生产。
多晶硅是一种非常重要的材料,广泛应用于太阳能电池板的制造。
多晶硅工艺生产技术概述
多晶硅工艺生产技术概述多晶硅(Polycrystalline silicon,简称Poly-Si)是一种用于太阳能电池、集成电路等领域的重要材料,其制备工艺主要包括气相沉积法和自然气化法两种。
以下是对多晶硅工艺生产技术的概述。
气相沉积法是多晶硅的主要制备方法之一、该方法通过将硅源气体(通常是三氯化硅或硅氢化合物)与载气(通常是氢气)在高温下反应,使得硅在基片上沉积并形成多晶硅薄膜。
具体工艺流程如下:1.基片准备:选用高纯度的硅片作为基片,将其表面进行清洗和处理,以确保多晶硅的质量和纯度。
2.基片预处理:将基片放置在预处理炉中,进行预热处理,以去除背面的化学草胎和金属杂质。
3.多晶硅沉积:将预处理后的基片放置在反应炉中,与硅源气体和载气进行反应。
在高温下,硅源气体分解生成硅原子,然后在基片上沉积形成多晶硅薄膜。
同时,通过控制反应温度、气体流量和压力等参数,可以控制多晶硅薄膜的形貌和性质。
4.多晶硅退火:对沉积的多晶硅薄膜进行退火处理,以去除内部应力和晶界缺陷,提高材料的结晶度和电子迁移率。
5.薄膜处理:对退火后的多晶硅薄膜进行磨削和抛光处理,使其达到所需的厚度和光洁度。
通过气相沉积法制备的多晶硅具有较高的纯度和电子迁移率,适用于制备高性能的太阳能电池、集成电路等器件。
另一种多晶硅的制备方法是自然气化法。
该方法利用金属硅与氢气在高温下反应生成氯化硅和硅,然后经过凝结和化学纯化等步骤得到多晶硅。
具体工艺流程如下:1.原料处理:将金属硅进行粉碎和清洗处理,以去除杂质和氧化物。
2.反应:将处理后的金属硅与氢气在高温下反应,生成氯化硅和硅。
3.凝结:通过控制反应温度和压力,使得氯化硅在凝固器中凝结成固体。
4.纯化:对凝结的氯化硅进行化学方法或物理方法的纯化,去除杂质和杂质。
5.氯化还原:将纯化后的氯化硅与金属硅在高温下反应,还原生成多晶硅。
6.处理:对得到的多晶硅进行处理,以去除残留的气体和杂质。
通过自然气化法制备的多晶硅在纯度和性能上可以达到较高水平,适用于大规模工业生产,并且具有较低的成本。
多晶硅太阳能电池生产工艺
太阳能电池光电转换原理主要是利用太阳光射入太阳能电池后产生电子电洞对,利用P-N 接面的电场将电子电洞对分离,利用上下电极将这些电子电洞引出,从而产生电流。
整个生产流程以多晶硅切片为原料,制成多晶硅太阳能电池芯片。
处理工艺主要有多晶硅切片清洗、磷扩散、氧化层去除、抗反射膜沉积、电极网印、烧结、镭射切割、测试分类包装等。
生产工艺主要分为以下过程:⑴ 表面处理(多晶硅片清洗、制绒)与单晶硅绒面制备采用碱液和异丙醇腐蚀工艺不同,多晶硅绒面制备采用氢氟酸和硝酸配成的腐蚀液对多晶硅体表面进行腐蚀。
一定浓度的强酸液对硅表面进行晶体的各相异性腐蚀,使得硅表面成为无数个小“金字塔”组成的凹凸表面,也就是所谓的“绒面”,以增加了光的反射吸收,提高电池的短路电流和转换效率。
从电镜的检测结果看,小“金字塔”的底边平均约为10um 。
主要反应式为:32234HNO 4NO +3SiO +2H O Si +−−−→↑氢氟酸2262SiO 62H O HF H SiF +→+这个过程在硅片表面形成一层均匀的反射层(制绒),作为制备P-N 结衬底。
处理后对硅片进行碱洗、酸洗、纯水洗,此过程在封闭的酸蚀刻机中进行。
碱洗是为了清洗掉硅片未完全反应的表面腐蚀层,因为混酸中HF 比例不能太高,否则腐蚀速度会比较慢,其反应式为:2232SiO +2KOH K SiO +H O →。
之后再经过酸洗中和表面的碱液,使表面的杂质清理干净,形成纯净的绒面多晶硅片。
酸蚀刻机内设置了一定数量的清洗槽,各股废液及废水均能单独收集。
此过程中的废酸液(L 1,主要成分为废硝酸、氢氟酸和H 2SiF 6)、废碱液(L 2,主要成分为废KOH 、K 2SiO 3)、废酸液(L 3,主要成分为废氢氟酸以及盐酸)均能单独收集,酸碱洗后均由少量纯水洗涤,纯水预洗废液(S 1、S 2、S 3)和两级纯水漂洗废水(W 1),收集后排入厂区污水预处理设施,处理达标后通过专管接入清流县市政污水管网。
晶硅太阳能电池制造工艺-工艺流程以及工序简介
1)、硅太阳能电池的制造工艺流程:
清洗制绒
扩散
周边刻蚀
印刷电极
PECVD
去磷硅玻璃
烧结
分选测试
检验入库
1.原料硅片清洗制绒 12.测试分选
11.激光 10.烧 结 9.丝网印刷正电极 8.烘 干
2.高温扩散(液态扩散) 3.去磷硅玻璃(去PSG) 4.沉积减反射膜(PECVD)
5.丝网印刷背电极 6.烘 干
磷扩散层
其主要是利用硅半导体p-n结的 光生伏打效应。即当太阳光照 射p-n结时,便产生了电子-空 穴对,并在内建电场的作用下, 电子驱向n型区,空穴驱向p型 区,从而使n区有过剩的电子, p区有过剩的空穴,于是在p-n 结的附近形成了与内建电场方 向相反的光生电场。在n区与p 区间产生了电动势。当接通外 电路时便有了电流输出。
扩散的目的:制造太阳能电池的PN结。
PN结是太阳能电池的“心脏” 。 制造PN结,实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个
区域中占优势(P型),而使施主杂质在半导体内的另外一个区域 中占优势(N型),这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型 和N型半导体的接触。
5POCl 3 600 C以上 3PCl 5 P2O5
7.丝网印刷背电场
2)、工序简介
目前硅太阳能电池制造工序主要有:
制绒清洗工序 扩散工序 PECVD工序 丝网印刷工序 烧结工序 Laser刻蚀工序 测试分选工序
1. 制绒清洗工序
(a).单晶制绒---捷佳创
目的与作用:
(1)去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧 化层。
(2)为了提高单晶硅太阳能电池的光电转 换效率,根据单晶硅的各向异性的特性, 利用碱(KOH)与醇(IPA)的混合溶液在单 晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面, 有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而 提高光生电流密度。
多晶硅太阳能电池技术
多晶硅太阳能电池技术太阳能电池是将太阳光转化为电能的一种设备,它们是目前最流行的可再生能源之一。
其中,多晶硅太阳能电池技术已经成熟,并广泛应用于实际生产和使用中。
多晶硅太阳能电池的制造过程多晶硅太阳能电池的制造过程包括晶体生长、硅锭切片、污染物去除、温度处理和金属基板连接等环节。
首先,通过生长方法使单晶硅制得一定晶面的多晶硅锭,然后将多晶硅锭切割成片。
接下来,将硅片浸入酸溶液中,去除表面的不纯物质和氧化层。
经过这些处理后,硅片表面变为光滑的非晶硅材料。
随后,需要对非晶硅材料进行加热处理,提高其结晶度和电学性能。
这个过程中,硅片表面会形成具有较高电导率的重掺杂硅层。
最后,将硅片粘在金属基板上,加工成太阳能电池片。
多晶硅太阳能电池的性能特点多晶硅太阳能电池的性能特点包括:高转换效率、长期稳定、可靠性强、成本低等。
多晶硅太阳能电池具有比单晶硅太阳能电池更低的制造成本,能够在低照度条件下工作,并且比非晶硅太阳能电池更具有竞争力。
此外,多晶硅太阳能电池的耐久性极高,能够承受多年的光照和温度变化。
多晶硅太阳能电池在实际应用中的表现多晶硅太阳能电池已经广泛应用于家用电器、通信系统、交通信号灯、航空航天等领域。
不仅如此,它还被用作光伏电站建设的主要组件,能够应对不同地区的太阳能资源。
最近,美国国家可再生能源实验室 (NREL) 发布的一份报告指出,多晶硅太阳能电池在未来仍然将是主流。
总之,多晶硅太阳能电池技术已经成熟,并被广泛应用在实际生产和使用中。
虽然它不是唯一的太阳能电池技术,但它具有成本低、性能稳定、工作范围宽、易于制造等优点,可为可再生能源的长期发展提供坚实的支撑。
太阳能级多晶硅产业发展及其制备工艺概述
太阳能级多晶硅产业发展及其制备工艺概述太阳能是人类未来能源发展的主旋律,而多晶硅是太阳能电池制造的重要材料。
随着太阳能产业的快速发展,多晶硅产业也日益得到重视。
本文将围绕太阳能级多晶硅的产业发展和制备工艺进行概述,以解读该行业的最新进展。
一、多晶硅原料准备:从硅石到硅棒。
多晶硅是由硅石经过一系列物理、化学反应得到的。
首先,从硅石中提取纯度为98%的金属硅;接着,将金属硅和精制的石墨放入炉中,在高温下进行还原反应,生成多晶硅坩埚;随后,将坩埚放入熔炉中,将多晶硅熔化,再经过拉棒法或自发晶法,制成硅棒。
二、硅棒切割成硅片:高效生产核心。
硅棒是制造太阳能电池的基础材料。
一般情况下,硅棒通过加工将其切割为一定厚度的硅片。
硅片的厚度、尺寸越均匀,生产电池的效率越高。
高效率的硅片生产手段还包括磨床切割法、定向固晶法等。
三、硅片表面涂层和退火:制备太阳能电池。
硅片的表面会经过氧化等一系列工艺处理形成反射层、抗反射层等。
同时还需进行高温退火处理,使电池的电子传递更顺畅。
这是太阳能电池制造的关键步骤。
四、组装成太阳能电池板:产业链的终端。
太阳能板是将多个电池串联在一起形成的电池板,同时还会加入框架、玻璃、密封胶等材料组成。
生产太阳能电池板需要一系列的工艺流程,从电池切片到电池板组装,其中最关键的是电池板的测试,以确定其最大功率点(MPP),以及可靠性和耐久性。
总的来说,太阳能级多晶硅生产已经成为全球瞩目的新兴产业。
该领域的技术、工艺和材料不断创新,向更加智能化、高效化的产业链方向发展。
随着全球新能源市场的快速扩张,太阳能级多晶硅产业必将迎来更加广阔的发展前景。
多晶硅生产工艺和反应原理
多晶硅生产工艺和反应原理多晶硅是一种重要的太阳能电池材料,具有高纯度、高晶片质量和较低成本的优点。
多晶硅的生产工艺主要包括硅矿炼制、硅粉冶炼、硅粉还原和硅熔炼等步骤。
其反应原理主要涉及硅矿的还原、氯化和还原等过程。
多晶硅的生产工艺可分为硅矿炼制和硅粉还原两个主要步骤。
硅矿炼制是指从硅矿中提取出硅和非硅物质的工艺。
目前常用的硅矿炼制方法包括硅石和冶金硅炉料两种。
硅石主要是指石英矿和长石矿,常用的炼制方法是先将硅矿进行磨碎和洗选,然后经高温石英石化处理,最后通过水热反应将石英石化为高纯度的硅酸盐溶液,再经过过滤、蒸发结晶等步骤得到硅酸盐固体产物。
冶金硅炉料主要是指含有较高硅含量的矿石,如金山矿、铜渣、废铁渣等,常用的冶炼工艺是将矿石进行焙烧、浸出和萃取等步骤,最终得到较高纯度的硅酸盐溶液。
硅粉还原是指将硅酸盐固体产物还原为硅粉末的工艺。
其主要反应原理是通过还原剂(如木炭、焦炭等)在高温下与硅酸盐反应,生成SiO气体和CO气体,然后进一步反应生成Si和CO2、反应可描述为:SiO2+2C→Si+2CO然而,仅通过硅粉还原很难获得高纯度的多晶硅材料,因为此过程中生成的Si粉末通常包含微量杂质和非晶硅。
为了提高晶片质量和纯度,通常需要进行硅熔炼步骤。
硅熔炼是将硅粉末在真空或惰性气氛下加热,使之熔化成液态硅的工艺。
硅熔炼反应原理是通过向硅粉末中加入硅体和其他掺杂剂,调整硅液中的杂质浓度和晶粒尺寸,以获得纯度较高的多晶硅材料。
硅熔炼通常分为两个阶段进行,首先是预熔阶段,即将硅粉末在较低温度下熔化,然后通过溶液清洁、滤渣等步骤去除杂质,然后再进行主熔阶段,即在高温下继续加热,使硅液达到合适的温度和纯度。
综上所述,多晶硅的生产工艺主要包括硅矿炼制、硅粉还原和硅熔炼等步骤。
反应原理涉及硅矿的还原、氯化和还原等过程。
随着太阳能电池市场的快速发展,多晶硅的生产工艺也在不断改进和优化,以提高生产效率和降低成本。
多晶硅太阳能电池制作工艺概述
太阳能电池工作原理太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏打效应。
当太阳光或其他光照射半导体的PN结时,就会在PN结的两边出现电压(光生电压),假如从PN结两端引出回路,就会产生电流,太阳能电池就可以工作了。
一次清洗目的:去除硅片表面的杂质残留,制做能够减少表面太阳光反射的陷光结构。
原理:单晶:利用碱溶液对单晶硅各个晶面腐蚀速率的不同,在硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。
Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 ↑多晶:利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性,对硅进行氧化和络合剥离,导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀,从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。
Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2OSiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O制PN结(扩散)目的:在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷,使前表面变成N型,使之成为一个PN结。
原理:POCl3液态源:通过气体携带POCL3分子进入扩散炉管,使之反应生成磷沉淀在表层。
磷在高温下渗透入硅片内部形成N区。
4POCL3 + 5O2 = 2P2O5 + 6Cl2↑去边结目的:去除硅片边缘的N型区域,将硅片内部的N层和P层隔离开,以达到 PN结的结构要求。
原理:干法刻蚀(等离子刻蚀):等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,这些活性粒子与需要被刻蚀区域的Si/Si O2发生反应,形成挥发性生成物而被去除。
二次清洗目的:去除硅片表面的P-Si玻璃层(PSG),为加镀减反射膜做准备。
原理:利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应,并使之络合剥离,以达到清洗的目的。
HF + SiO2 → H2SiF6 + H2O去PSG发展方向:相对来讲,二次清洗是比较简单的工艺,之后的发展应该会如同REN A的设备一样,集成湿法刻蚀设备,从而缩减流程。
2P2O5 + 5Si = 4P + 5SiO2镀减反射膜(PECVD)目的:在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜,并对mc-Si进行体钝化。
多晶硅太阳能电池制备工艺
多晶硅太阳能电池制备工艺简介多晶硅太阳能电池是一种常见的太阳能光伏电池,其制备工艺包括多个步骤。
本文将详细介绍多晶硅太阳能电池的制备工艺,并说明每个步骤的具体过程和关键参数。
1. 多晶硅制备多晶硅是多晶体结构的硅材料,是太阳能电池的关键组成部分。
多晶硅的制备可以通过以下步骤进行:1.1 熔融硅块首先,将高纯度的硅原料与少量的掺杂剂混合,然后将混合物放入电炉中进行高温熔融。
通过熔融硅块的形成,可以得到高纯度的硅溶液。
将熔融硅块缓慢冷却,使其逐渐结晶形成固态的多晶硅。
在这个过程中,通过控制冷却速度和温度的变化,可以得到所需的晶体结构和晶界分布。
1.3 切割通过机械或化学方法将多晶硅块切割成薄片,这些薄片就是太阳能电池的基础材料。
2. 硅片表面处理在制备太阳能电池之前,需要对硅片表面进行一系列的处理,以提高电池的性能和效率。
2.1 抛光使用化学方法或机械工艺对硅片进行抛光,以去除表面的污染物和缺陷,得到光滑的表面。
将抛光后的硅片放入清洗液中进行清洗,以去除表面的残留杂质和化学物质。
2.3 背面制备对硅片的背面进行蚀刻或涂覆,以增强背面的反射作用和电流收集能力。
2.4 表面镀膜在硅片的正面表面上涂覆一层反射镀膜,以提高光的吸收效率。
3. 晶体管制备多晶硅太阳能电池的主要组成部分是晶体管,其制备过程包括:3.1 掺杂通过将掺杂剂浸入硅片中,改变硅片的导电性质。
常用的掺杂剂包括磷和硼。
将掺杂过的硅片放入高温炉中,使掺杂物扩散到硅片的内部,形成n型和p型半导体层。
3.3 金属化在硅片上涂覆一层金属,用于收集电流并传输电能。
3.4 电池片切割将晶体管制备好的硅片切割成较小的电池片,用于组装成太阳能电池组。
4. 器件组装将制备好的电池片按照一定的排列方式组装成太阳能电池组。
通常的方式是将电池片连接起来形成串联或并联的电路。
结论多晶硅太阳能电池的制备工艺包括多个关键步骤,如多晶硅制备、硅片表面处理、晶体管制备和器件组装等。
多晶硅太阳能电池制作工艺概述
多晶硅太阳能电池制作工艺概述多晶硅太阳能电池是目前广泛应用的一种太阳能电池,其制作过程主要包括多次熔化、抽拉、切片、扩散、清洗、自定义磨蚀、P-N接结、烧结、柜橱等环节。
本文将对这些制作工艺进行概述。
第一步:多次熔化与抽拉多晶硅的制作过程首先需要进行多次熔化与抽拉,主要是将硅粉末熔融成为大块硅晶体。
这个过程需要硅坩埚、抽拉机、电阻炉等设备。
首先将粗略的硅粉末放入硅坩埚中,通过电阻炉进行热处理,直至硅粉末被融化成为硅液态物质,然后将硅液态物质通过抽拉机,逐渐拉出硅晶体。
整个过程需要反复进行多次,直至制造出较大的硅晶体。
第二步:切片制造出硅晶体后,需要将其切割成为合适的尺寸和形状。
这个过程需要切片机,能够将硅晶体逐渐切成非常薄的硅片,一般为厚度为200微米。
第三步:扩散扩散的过程是将硅片表面进行掺杂处理。
通过将硅片放入磷化氢或氯化氢容器中,并在高温下进行热处理,这可以使掺杂的原子渗透到硅片中,从而形成P-N结。
硅片的掺杂过程可分为硼掺杂和磷掺杂,硼掺杂的硅片制成的太阳能电池可以产生电流,磷掺杂的硅片则可以产生电压。
第四步:清洗经过扩散处理后的硅片需要进行清洗处理,将表面净化剂清洗干净。
这个过程需要特别的清洗机械来完成,确保硅片表面干净。
在清洗过程中,应该避免硅片受到机械刮擦,从而形成裂纹或缺陷。
第五步:自定义磨蚀在清洗完后,硅片需要进行磨蚀,去除表面的氧化层。
这个过程需要自定义磨蚀机械,能够将硅片表面进行去氧化处理,并且不改变硅片厚度。
这个过程需要特别的技术,确保硅片表面平整,并且没有表面缺陷。
第六步:P-N接结经过扩散处理和清洗后的硅片,需要将P型硅片和N型硅片进行接结。
这个过程需要对两个硅片进行对准和加压,从而形成硅片接结。
在接结过程中,要避免产生缺陷和损伤。
第七步:烧结硅片的接结完毕后,需要进行烧结。
这个过程需要一定的时间和温度,以保证硅片内部的晶体结构得以调整和稳定。
经过烧结后,硅片已经可以进行后续组装和使用。
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程多晶硅是一种产业用途广泛的材料,主要用于光伏太阳能电池板和半导体器件的制造。
多晶硅生产工艺流程包括硅矿选矿、冶炼、提纯和铸锭过程。
以下是多晶硅的生产工艺流程的详细介绍。
1.硅矿选矿多晶硅的原材料主要是含有二氧化硅的硅矿石,如石英砂、硅石等。
在硅矿选矿过程中,会先分离出含有高纯度二氧化硅的石英砂和硅石。
选矿过程主要包括二次破碎、筛分和重选等步骤,以提高硅矿的纯度。
2.冶炼选矿后的硅矿石通过冶炼过程将硅矿石中的杂质去除,并得到多晶硅的粗锭。
冶炼过程一般采用电弧炉进行,首先将硅矿石与焦炭按一定比例混合,然后通过电极放电产生高温、高电弧强度的等离子体,在高温下将硅矿石还原为金属硅。
3.提纯冶炼得到的粗锭中含有大量的杂质,需要通过提纯过程将杂质去除,提高硅的纯度。
提纯过程主要包括溶解、晶体化和冷凝等步骤。
首先将粗锭切割成小块,然后将小块放入高温炉中进行溶解,使杂质在溶液中被分离出来。
接着,将溶液在低温条件下快速冷却和晶体化,从而使纯净硅晶体在溶液中析出。
最后,通过连续冷凝和提拉的方法将硅晶体逐渐拉长,形成高纯度多晶硅棒。
4.铸锭提纯后的硅棒是多晶硅的基础材料,但其直径较细,不能满足工业生产的需求。
因此,需要通过铸锭过程将硅棒拉制成直径较大的硅棒,以便后续加工制造太阳能电池板和半导体器件。
铸锭过程是在真空下进行的,将硅棒浸入熔融的硅池中,然后缓慢提拉和旋转,使硅棒逐渐变长,并且保持直径一致。
以上就是多晶硅生产的工艺流程的详细介绍。
通过选矿、冶炼、提纯和铸锭等步骤,可以生产出高纯度的多晶硅,为太阳能电池板和半导体器件的制造提供了重要的原材料。
随着科技的不断发展,多晶硅的生产工艺也在不断创新和改进,以提高生产效率和降低成本。
多晶硅太阳能电池的制备与应用
多晶硅太阳能电池的制备与应用随着能源危机的加剧,太阳能被视为一种重要的清洁能源。
而多晶硅太阳能电池是目前商业化生产的最主流的太阳能电池之一。
接下来,我们将对多晶硅太阳能电池的制备和应用进行介绍。
一、多晶硅太阳能电池的制备1.多晶硅的制备多晶硅是一种结晶度不高、晶界较多的硅材料。
它主要是通过削片法制备获得的,即依照硅单晶的生长原理,利用熔融硅块在绝热条件下结晶形成多晶硅块,然后在室温下进行自流平晶粒生长。
制备的多晶硅块颜色为银白色,表面平整。
2.多晶硅太阳能电池的制备将多晶硅块进行切片,得到薄片后,利用硼扩散工艺对硅薄片进行掺杂,形成一个PN结。
然后在硼热扩散过程中,将前表面附着一层渐进式地减小厚度的氧化硅氧化膜,通过电极连接器将电子收集电极和口径较大的PN结连接,形成多晶硅太阳能电池。
二、多晶硅太阳能电池的应用1. 屋顶式发电系统屋顶式太阳能发电系统比较适用于家庭、学校、医院等小型场所的供电。
多晶硅太阳能电池板系列物理性能稳定,太阳能电池接触面密度大,强度高,适用于各种气候条件,具有长寿命、低耗和高效的特点。
2. 光伏发电站多晶硅太阳能电池面板在大型光伏发电站建设中,得到了广泛的应用。
它们具有品质稳定,发电效率较高、发电寿命长的特点。
在构建光伏发电站时,选用高质量的多晶硅太阳能电池板,可以更加稳定的发电效益和较长的使用寿命。
3. 多晶硅太阳能电池的其他应用多晶硅太阳能电池还可以应用于太阳能风扇、太阳能路灯、太阳能水泵等太阳能设备,用于提供电力供应。
总结:随着能源需求和环境问题的加剧,太阳能作为一种绿色的清洁能源受到越来越多的重视。
多晶硅太阳能电池由于制备简单、应用广泛等优点,成为商业化生产的主流太阳能电池之一。
它在应用中可以发挥重要的作用,为未来的清洁能源建设提供有力支持。
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生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的
多
晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,目前在50〜60微米多晶硅衬底上制作的电池
效
率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽
在同
样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到
对于单晶硅,应用各向异性化学腐蚀的方法可在(100)表面制作金字塔状的绒面结构,降低表 面
光反射。但多晶硅晶向偏离(100)面,采用上面的方法无法作出均匀的绒面,目前采用下列方 法:
[1]刻槽
用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构,在500〜900nm光谱范围内,反射率为4
〜6%,与表面制作双层减反射膜相当。而在(100)面单晶硅化学制作绒面的反射率为11%。
口(小于2微米),再淀积较宽的金属栅线 (通常为10微米),形成mushroom—like状电极, 用该
方法在4cm2 Mc-Si上电池的转换效率达到17.3%。目前,在机械刻槽表面也运用了Shallow angle (oblique)技术。
2.3PN结的形成技术
[1]发射区形成和磷吸杂
对于高效太阳能电池,发射区的形成一般采用选择扩散,在金属电极下方形成重杂质区域而 在电极间实现浅浓度扩散,发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应,又使硅表面易于钝 化。扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。目前采用选择扩散,15X
晶
硅电池,在非晶硅电池稳定性问题未取得较大进展时,多晶硅电池受到人们的关注,其世界产量
已
接近单晶硅,本文对目前多晶硅太阳电池的工艺发展分别从实验室工艺和规模化生产两个方面作 了
比较系统的描述。
1绪论
众所周知,利用太阳能有许多优点,光伏发电将为人类提供主要的能源,但目前来讲,要使太阳
能
发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本应该
[4]制作减反射膜层
对于高效太阳电池,最常用和最有效的方法是蒸镀ZnS/MgF2双层减反射膜,其最佳厚度取决 于下面氧化层的厚度和电池表面的特征,例如,表面是光滑面还是绒面,减反射工艺也有蒸镀
Ta2O5, PECVD沉积Si3N3等。ZnO导电膜也可作为减反材料。
2.2金属化技术
在高效电池的制作中,金属化电极必须与电池的设计参数,如表面掺杂浓度、PN结深,金属
[2]化学刻槽
应用掩膜(Si3N4或SiO2)各向同性腐蚀,腐蚀液可为酸性腐蚀液,也可为浓度较高的氢氧化 钠或氢氧化钾溶液,该方法无法形成各向异性腐蚀所形成的那种尖锥状结构。据报道,该方法所 形
成的绒面对700〜1030微米光谱范围有明显的减反射作用。但掩膜层一般要在较高的温度下形 成,
引起多晶硅材料性能下降,特别对质量较低的多晶材料,少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的
表面复合提高,因此,工艺中,采用短时蒸发Ti/Pa层,在蒸发银层的工艺。另一个问题是金属 与 硅接触面较大时,必将导致少子复合速度提高。工艺中,采用了隧道结接触的方法,在硅和金属
成
间形成一个较薄的氧化层 (一般厚度为20微米左右) 应用功函数较低的金属(如钛等)可在硅表面 感应一个稳定的电子积累层(也可引入固定正电荷加深反型)。另外一种方法是在钝化层上开出小 窗
的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期(50小时)可生产200公斤以上的硅锭,
晶粒
的尺寸达到厘米级;[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电
池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝 网
印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅
多晶硅太阳能电池制作工艺概述
多晶硅太阳能制作工艺概述
摘 要 大规模开发和利用光伏太阳能发电,提高电池的光电转换效率和降低生产成本是其核心
所
在,由于近十年人们对太阳电池理论认识的进一步深入、生产工艺的改进、IC技术的渗入和新电
池
结构的出现,电池的转换效率得到较大的提高,大规模生产上,多晶硅电池的转换效率已接近单
15.8%。
面从两个方面对多晶硅电池的工艺技术进行讨论。
2.实验室高效电池工艺
实验室技术通常不考虑电池制作的成本和是否可以大规模化生产,仅仅研究达到最高效率的 方法和途径,提供特定材料和工艺所能够达到的极限。
2.1关于光的吸收
对于光吸收主要是:
(1)降低表面反射;
(2)改变光在电池体内的路径;
(3)采用背面反射。
是
我们追求的最大目标,从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、
带
状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。从工业化发展来看,重心已
由
单晶向多晶方向发展,主要原因为;[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少;[2]对太阳电池来
讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;[3]多晶硅
用 激光制作绒面比在光滑面镀双层减反射膜层(ZnS/MgF2)电池的短路电流要提高4%左右,这
是长波光 (波长大于800nm)斜射进入电池的原因。激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中,表面 造
成损伤同时引入一些杂质,要通过化学处理去除表面损伤层。该方法所作的太阳电池通常短路电 流
较高,但开路电压不太高,主要原因是电池表面积增加,引起复合电流提高。
材料相匹配。实验室电池一般面积比较小(面积小于4cm2),所以需要细金属栅线(小于1子镀。工业化大生产中也使用电镀工艺,但蒸发
和 光刻结合使用时,不属于低成本工艺技术。
[1]电子束蒸发和电镀
通常,应用正胶剥离工艺,蒸镀Ti/Pa/Ag多层金属电极,要减小金属电极所引起的串联电 阻,往往需要金属层比较厚(8〜10微米)。缺点是电子束蒸发造成硅表面/钝化层介面损伤,使
多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。掩膜层也可用丝网印刷的方法形成。
[3]反应离子腐蚀(RIE)
该方法为一种无掩膜腐蚀工艺,所形成的绒面反射率特别低,在450〜1000微米光谱范围的反
射率可小于2%。仅从光学的角度来看,是一种理想的方法,但存在的问题是硅表面损伤严重, 电
池的开路电压和填充因子出现下降。