单晶硅太阳能电池制作工艺
单晶硅的生产工艺
单晶硅的生产工艺
单晶硅是一种高纯度的硅材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路、半导体等领域。
它的制备过程主要包括三个步骤：原料准备、单晶生长和晶圆加工。
首先，原料准备是制备单晶硅的关键步骤。
通常使用的原料是金属硅，它的纯度需要达到99.9999%以上。
原料经过高温预处理，去除其中的杂质和气体。
然后将原料放入熔炉中，加热至高温，使其熔化成液态硅。
接下来是单晶生长阶段。
在熔融硅中加入少量的掺杂剂，以改变硅的性质。
然后，在特定的条件下，将种子晶体（通常是硅材料的小晶片）以特定的角度浸入熔融硅中。
通过缓慢提升或旋转种子晶体，可以在其上生长出一片完整的单晶硅。
在整个生长过程中，需要精确控制温度、气氛和流速等参数，以保证单晶的质量和形状。
最后是晶圆加工过程。
将生长好的单晶硅锯成薄片，通常称为晶圆。
晶圆表面会有一层氧化膜，需要通过化学腐蚀或机械抛光等方法去除。
然后，在晶圆表面通过光刻和腐蚀等工艺制作电路图案。
最后，进行离散元件的切割、测试和包装等步骤，得到最终的单晶硅产品。
总的来说，单晶硅的生产工艺是一个复杂而精细的过程。
在每个步骤中，需要严格控制工艺参数，以确保单晶硅的质量和性能。
随着技术的进步，单晶硅的生产工艺不断完善，产量和质量也在不断提高，为相关行业的发展提供了重要的支持。
太阳能电池制作工艺与应用技术研发
太阳能电池制作工艺与应用技术研发太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能利用技术之一。
它利用太阳光能将光能转换成电能，具有环保、可再生、无噪音等优点，广泛应用于户外照明、太阳能电池板、太阳能水泵等领域。
本文将从太阳能电池的制作工艺和应用技术两方面进行探讨。
一、太阳能电池制作工艺1.硅片加工太阳能电池的主要材料是硅，而硅片是制作太阳能电池的核心零件。
硅片可以分为单晶硅片、多晶硅片和非晶硅片三种类型，其中单晶硅片质量最高、转换效率最高、成本最高。
硅片的加工主要包括材料的准备、晶体的生长、硅锭的制备等过程。
2.制备太阳能电池制备太阳能电池主要分为正型多晶硅电池和单晶硅电池两种类型。
正型多晶硅电池生产成本低，但转换效率低；而单晶硅电池转换效率高，但生产成本高。
电池的制备工艺主要包括电池切片、电池前加工、电池清洗、平坦化加工、电池接线等。
3.组装太阳能电池板组装太阳能电池板是指将多个太阳能电池组合在一起，组成太阳能电池板。
太阳能电池板作为应用于实际生产中的产品，必须具备可靠性高、效率高、寿命长等特点。
太阳能电池板的组装主要包括电池片焊接、覆盖物加工、电气连接等。
二、太阳能电池应用技术1.家庭应用太阳能电池可以应用于家庭中，例如作为家庭光伏发电系统的组成部分，可以将太阳光能转换成电能提供给家庭用电；也可以应用于太阳能热水器中，利用太阳能加热水。
2.工业应用太阳能电池也可以应用于工业中，例如可作为光伏电站的发电设备，可将太阳能转换成电能并输送至电网中；也可以应用于太阳能电池板，可用于建筑物中的照明、通风、空调等。
3.交通应用太阳能电池还可以应用于交通领域。
例如，太阳能电池板可以用于交通灯、路灯和安全标志灯等环保节能设备中。
此外，太阳能电池还可以用于太阳能汽车和太阳能飞机等交通工具中，充分利用太阳能源实现零排放。
四、结语作为一种可再生、无污染的新能源，太阳能电池在未来有着广阔的应用前景。
从太阳能电池制作工艺和应用技术两方面探讨，我们可以得出结论，制作太阳能电池需要高质量硅材料和优质的制造工艺，而太阳能电池应用技术需要全方位的研发和推广，以满足不同领域的需求。
简介多单晶硅太阳能电池制作流程
简介多单晶硅太阳能电池制作流程英文回答：The production process of monocrystalline silicon solar cells involves several steps. Let me walk you through the process.1. Silicon Ingot Production: The first step is to produce silicon ingots, which are cylindrical blocks of high-purity silicon. The silicon used in solar cell production is typically extracted from quartzite or sand. The process involves purifying the silicon and then melting it in a furnace. The molten silicon is then cooled and solidified to form the ingots.2. Wafer Slicing: Once the silicon ingots are formed, they are sliced into thin wafers. This is done using a wire saw or a diamond blade. The wafers are typically around 200 micrometers thick. The slicing process results in the loss of some silicon material, but it allows for the productionof multiple wafers from a single ingot.3. Wafer Cleaning: The sliced wafers are then cleaned to remove any impurities or contaminants. This is typically done using a combination of chemical and mechanical cleaning methods. The wafers are rinsed with deionized water and then dried.4. Wafer Etching: After cleaning, the wafers undergo a process called etching. This involves using chemicals to remove a thin layer of silicon from the surface of the wafers. The purpose of etching is to create a rough surface that improves light absorption.5. Diffusion and Doping: The next step is to introduce impurities into the silicon wafers to create the necessary electrical properties. This is done through a processcalled diffusion. The wafers are exposed to dopant gases, such as phosphorus or boron, in a high-temperature furnace. The dopant atoms diffuse into the silicon lattice, creating regions with different electrical properties.6. Anti-Reflection Coating: To reduce reflection and increase light absorption, an anti-reflection coating is applied to the surface of the wafers. This coating is typically made of silicon nitride or titanium dioxide.7. Contact Formation: Metal contacts are then applied to the front and back surfaces of the wafers. These contacts allow for the extraction of electricity generated by the solar cells. The front contacts are typically made of silver paste, while the back contacts are made of aluminum.8. Cell Testing and Sorting: The finished solar cells are tested to ensure their performance meets the required specifications. They are sorted based on their electrical characteristics, such as efficiency and power output.9. Module Assembly: Finally, the solar cells are assembled into modules. Multiple cells are interconnected and encapsulated between a glass cover and a backsheet. The modules are then ready for installation and use in solar power systems.中文回答：单晶硅太阳能电池的制作过程包括几个步骤。
单晶硅工艺流程图
单晶硅工艺流程图单晶硅是目前最常用的半导体材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
下面是一幅简化的单晶硅工艺流程图，以便更好地了解单晶硅的生产过程。
第一步：原料准备原料通常为高纯度的二氧化硅（SiO2）。
首先将原料粉碎成较小的颗粒并进行筛分，以得到精细的粉末。
接下来，将粉末与一定比例的还原剂（如石煤）混合，以便在高温下还原。
第二步：气相法制备单晶硅将经过还原处理的粉末置于石英坩埚中，将坩埚放入高温炉中。
通过高温炉中的加热源（如电炉）提供热能，使粉末在适当的温度下融化。
在炉中引入气体流，使气体通过石英坩埚并与粉末反应。
反应产物是硅烷（SiH4），通过引入氢气（H2），使硅烷沿着一定的路径扩散并沉积在高温炉中的石英坩埚内壁上。
在此过程中，硅烷会发生化学反应以生成单晶硅。
第三步：生长单晶硅将生长的单晶硅棒置于单晶硅生长炉中，棒内壁为活性炭涂层，通过外加热源提供热能。
加热棒中心温度上升，熔融的硅逐渐凝固成为单晶硅。
生长的单晶硅棒沿着纵向方向生长，直至达到所需长度。
在单晶硅棒的生长过程中，需要定期添加掺杂剂（如磷、硼等），以调节单晶硅的导电性质。
第四步：切割硅锭将生长的单晶硅棒切割成所需的硅锭。
切割主要通过研磨和切割机器完成，将单晶硅棒分割成合适长度的硅锭。
切割出的硅锭表面需要经过打磨和抛光等处理，以获得平整的表面。
第五步：切割片材将硅锭进一步切割成更薄的硅片材料。
切割过程主要使用刀片或线锯，依靠机械力将硅锭切割成薄片。
切割出的硅片需要进行清洗和抛光等后续处理，以获得平整、干净的硅片。
第六步：高温退火与清洗将切割好的硅片通过高温退火炉进行热处理。
退火过程中，硅片经过一定的温度和时间，以消除内部应力和杂质，提高硅片的电学性能。
之后，将硅片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
第七步：环接触涂覆为了与其他材料进行粘附和封装，硅片表面需要涂覆一层环接触剂。
这一层涂覆能够提供良好的粘接性能，并且能够防止硅片表面的氧化和污染。
太阳能电池单晶硅
太阳能电池单晶硅
太阳能电池单晶硅是目前最常见的太阳能电池类型之一。
它由单晶硅制成，具有较高的转换效率和较长的使用寿命，广泛应用于家庭光伏发电系统、商业光伏电站、太阳能灯、太阳能电池板等领域。
太阳能电池单晶硅的制作工艺比较复杂，需要经过多个步骤才能完成。
下面是太阳能电池单晶硅的制作过程：
1. 硅单晶体生长：将硅原料熔化，然后通过种晶的方式让硅原子在晶体种子上逐渐生长，最终形成硅单晶体。
2. 切割硅片：将硅单晶体切割成厚度为0.3-0.4mm的硅片，通常采用金刚石线锯进行切割。
3. 清洗硅片：用酸洗液对硅片进行清洗，去除表面的氧化物和杂质。
4. 晶体硅片制备：将硅片放入炉中，在高温下进行扩散、氧化等处理，形成PN结。
5. 制作电极：在硅片表面涂上铝等金属，形成正负极。
6. 焊接：将多个硅片按照一定方式组合起来，形成太阳能电池板。
太阳能电池单晶硅的转换效率在20%左右，比其他太阳能电池类型高。
但由于制作过程复杂，成本较高，因此在大规模应用中仍存在一定的限制。
!!!太阳能电池制造工艺---工艺流程以及工序简介
去除磷硅玻璃的目的、作用：
1.
磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制，且其工艺窗口太小，不稳 定。 磷硅玻璃的折射率在1.5左右，比氮化硅折射率（2.07左右）小， 若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。 磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质，会增加少子表面复合，使电池 效率下降。
2.
3.
2. 扩散（POCl3液态扩散）
结的附近形成了与内建电场方
向相反的光生电场。在n区与p 区间产生了电动势。当接通外
电路时便有了电流输出。
单晶硅太阳电池
多晶硅太阳电池
非晶硅太阳电池
2. 硅太阳电池的制造工艺流程
下面我们就硅太阳电池的制造工艺流程以及各工序进行简 单的介绍。 晶体硅太阳能电池制造的常规工艺流程主要包括：硅片清 洗、绒面制备、扩散制结、（等离子周边刻蚀）、去 PSG(磷硅玻璃) 、PECVD 减反射膜制备、电极(背面电极、 铝背场和正电极) 印刷及烘干、烧结、Laser和分选测试等。 同时,在各工序之间还有检测项目,主要有抽样检测制绒效 果、抽样 测方块电阻、抽样测氮化硅减反射膜厚度和折射 率等项目。
(c). 去磷硅玻璃---PSG
在扩散过程中发生如下反应：
4PCl3 5O2 2PO 2 5 6Cl2
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和 磷原子：
2P O 5Si 5SiO 4P
2 5 2
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。
ser
4.沉积减反射膜（PECVD）
10.烧 结
5.丝网印刷背电极
6.烘 干
9.丝网印刷正电极
8.烘 干
7.丝网印刷背电场
单晶硅太阳能电池片生产工艺
单晶硅太阳能电池片生产工艺1.原料准备：首先准备硅原料，通常使用高纯度硅来制备单晶硅太阳能电池片。
高纯度硅通过多次冶炼和纯化过程，最终得到电解多晶硅。
这个多晶硅会通过单晶硅电炉再次熔炼，形成大型的单晶硅锭。
2.切割硅锭：单晶硅锭被切割成薄片。
通常采用线状金刚石磨料来切割锭，将锭切割成几毫米的薄片。
这些薄片被称为硅片。
3.荒杪抛光：硅片表面通常会有一些不规则的凸起和凹陷，这会降低电池片的光吸收效率。
为了提高光吸收效率，需要对硅片进行荒杪抛光处理。
这个过程会去除硅片表面的不规则部分，使其更加平整。
4.清洁处理：在单晶硅太阳能电池片的生产过程中，清洁处理至关重要。
因为一旦硅片表面有污染物，会影响电池片的性能。
常见的清洁方法是在氢氧化钠溶液中浸泡硅片，并用超声波清洗。
5.染色处理：为了提高单晶硅太阳能电池片的光吸收效率，通常会对硅片进行染色处理。
染色处理会增加硅片的表面粗糙度，并提高其光吸收能力。
6.扩散处理：在单晶硅太阳能电池片中，扩散处理是关键的工艺步骤之一、扩散处理会将硅片的表面剖分成P型和N型半导体区域。
这个过程中，通常使用磷或硼进行掺杂，形成P-N结构，从而使电池片能够产生电信号。
7.光刻：光刻是电池片加工过程中的重要步骤之一、通过使用光刻胶和掩膜，将具有特定图案的光照射到电池片上，使其形成P-N结构。
光刻完成后，利用腐蚀液进行刻蚀，移除没有被光刻液保护的区域。
8.金属喷涂：在单晶硅太阳能电池片的生产过程中，还需要喷涂适当的金属，比如银或铝。
这些金属将成为电池片的电极，用于收集电荷。
9.测量和分选：最后，需要对单晶硅太阳能电池片进行测量和分选。
只有符合规格的电池片才能用于太阳能电池板的生产。
在这个过程中，电池片的电性能将被测量，如开路电压、短路电流和填充因子等。
以上是单晶硅太阳能电池片的生产工艺。
通过这个工艺流程，可以制备出高效、可靠的单晶硅太阳能电池片，用于太阳能发电系统中。
单晶硅太阳能电池生产工艺
单晶硅太阳能电池生产工艺单晶硅太阳能电池是目前市场上应用最广泛的太阳能电池之一，其主要生产工艺包括材料准备、单晶硅生长、切割、清洗、反射镀膜、清洗、阳极氧化、光刻、蒸镀和封装。
首先，材料准备是单晶硅太阳能电池生产的第一步，主要包括硅原料的提取和净化。
常用的硅源是硅矿石，通过高温冶炼、气相法、火法和溶液法等方法提取纯度高的硅原料。
接下来是单晶硅生长，通过将纯化的硅熔体在控制温度下缓慢凝固，形成单晶硅棒。
该工艺主要有六种方法，包括Czochralski法、Float-zone法、Bridgman-Stockbarger法、Dendritic-web法、EFG法和Ribbon法。
其中，Czochralski法是最常用的方法，即在锭生长炉内，将高纯度的硅熔体与单晶硅种子接触，使硅棒逐渐生长。
然后是切割工艺，将单晶硅棒切割成薄片，通常是将硅棒切割成2mm厚的硅片。
切割主要采用钻孔、线锯和刀片三种方法，其中线锯是最常用的方法，通过钢丝或金刚线的高速旋转来切割硅片。
接下来是清洗工艺，将切割好的硅片进行清洗，去除表面的杂质和污染物，并防止光刻产生的残留物对电池产生损害。
然后是反射镀膜工艺，将反射层均匀涂覆在硅片的背面，提高光的利用效率。
一般使用合金材料或三层结构的金属膜进行反射镀膜。
接下来是阳极氧化工艺，将硅片放置在带电解质的电解槽中，通过电流作用使硅片表面形成氧化膜。
这层氧化膜可以提高电池的光电转换效率和耐腐蚀性能。
然后是光刻工艺，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用光刻机进行光刻，形成电池的电极和其他结构。
接下来是蒸镀工艺，将金属材料蒸发在硅片表面形成电池的电极。
常用的金属材料包括铝和铝合金。
最后是封装工艺，将电池的前面与背面进行密封，防止外界湿气和灰尘的侵入。
整个单晶硅太阳能电池生产工艺需要严格的工艺控制和设备技术，确保电池的质量和性能。
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.单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术2015-10-20单晶硅太阳能电池2.太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。
②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。
③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。
④提高切割速度，实现自动化切割。
具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类：1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。
2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2 μm颗粒.3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。
硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。
（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。
1、用H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。
3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。
由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。
因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。
在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。
另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。
被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。
具体的制作工艺说明（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。
（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。
（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。
（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
（6）去除背面PN＋结。
常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。
（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。
先制作下电极，然后制作上电极。
铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。
制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。
工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD 法或喷涂法等。
（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。
生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。
本文介绍的是晶硅太阳能电池片生产的一般工艺与设备。
一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。
这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。
制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。
因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
四、去磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。
P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。
去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。
若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
五、等离子刻蚀由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。
PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。
因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。
通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。
等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。
等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。
活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。
六、镀减反射膜抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。
现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。
PECVD即等离子增强型化学气相沉积。
它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。
这样厚度的薄膜具有光学的功能性。
利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。
七、丝网印刷太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN 结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。
制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。
丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。
其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。
油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。
由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程。
八、快速烧结经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。
当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。
烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升；烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值；降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
九、外围设备在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等外围设施。
消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。
一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。
工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到中国电子级水GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。
工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。
真空排气量在300M3 /H左右。
同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。
考虑到特殊气体如硅烷的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以绝对保证生产安全。
另外，硅烷燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。
组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。