有源滤波器实验报告
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实验七
集成运算放大器的基本应用
(H)—有源滤波器
一、实验目的
1、熟悉用运放、电阻和电容组成有源低通滤波、高通滤波和带通、带阻滤波器。
2、学会测量有源滤波器的幅频特性。
二、实验原理
图7 —1四种滤波电路的幅频特性示意图
由RC元件与运算放大器组成的滤波器称为RC有源滤波器,其功能是让一定频率范围内
的信号通过,抑制或急剧衰减此频率范围以外的信号。可用在信息处理、数据传输、抑制干扰等方面,但因受运算放大器频带限制,这类滤波器主要用于低频范围。根据对频率范围的
选择不同,可分为低通(LPF)、高通(HPF)、带通(BPF)与带阻(BEF)等四种滤波器,它们的幅频特性如图7 —1所示。
具有理想幅频特性的滤波器是很难实现的,只能用实际的幅频特性去逼近理想的。一般来说,滤波器的幅频特性越好,其相频特性越差,反之亦然。滤波器的阶数越高,幅频特性
(a)低通
(C)带通(d)带阻
衰减的速率越快,但RC网络的节数越多,元件参数计算越繁琐,电路调试越困难。任何高阶滤波器均可以用较低的二阶RC有滤波器级联实现。
1、低通滤波器(LPF)
低通滤波器是用来通过低频信号衰减或抑制高频信号。
如图7 —2 (a)所示,为典型的二阶有源低通滤波器。它由两级RC滤波环节与同相比例运算电路组成,其中第一级电容C接至输出端,弓I入适量的正反馈,以改善幅频特性。
图7—2 ( b)为二阶低通滤波器幅频特性曲线。
图7 —2二阶低通滤波器
电路性能参数
R f
A UP=^- 二阶低通滤波器的通带增益
R I
截止频率,它是二阶低通滤波器通带与阻带的界限频率。
状。
2、高通滤波器(HPF
与低通滤波器相反,高通滤波器用来通过高频信号,衰减或抑制低频信号。
只要将图7—2低通滤波电路中起滤波作用的电阻、电容互换,即可变成二阶有源高通滤波器,如图7 —3(a)所示。高通滤波器性能与低通滤波器相反,其频率响应和低通滤波器是“镜象”关系,仿照
LPH分析方法,不难求得HPF的幅频特性。
1
2ΠR
1
3 -A UP
品质因数,它的大小影响低通滤波器在截止频率处幅频特性的形
(a) 电路图(b)频率特性
(a)
电路图(b) 幅频特性
图7 —3二阶高通滤波器
电路性能参数A U P- f o Q各量的函义同二阶低通滤波器。
图7 —3 (b)为二阶高通滤波器的幅频特性曲线,可见,它与二阶低通滤波器的幅频特性曲线有“镜像”关系。
3、带通滤波器(BPF)
(a)电路图(b)幅频特性
图7-4 二阶带通滤波器
这种滤波器的作用是只允许在某一个通频带范围内的信号通过,而比通频带下限频率低
和比上限频率高的信号均加以衰减或抑制。典型的带通滤波器可以从二阶低通滤波器中将其
中一级改成高通而成。如图7 —4 (a)所示。
电路性能参数
通带增益A uP = R4 Rf
UP R4R1CB
+ 12V
RE 47K
选择性
此电路的优点是改变R f和F4的比例就可改变频宽而不影响中心频率。
4、带阻滤波器(BEF)
如图7—5 (a)所示,这种电路的性能和带通滤波器相反,即在规定的频带内,信号不能通过(或受到很大衰减或抑制),而在其余频率范围,信号则能顺利通过。
图7—5二阶带阻滤波器
电路性能参数
1
Q
2(2 -A UP)
二、实验设备与器件
中心频率
——2( 1 1 )
2π R2C R i R3
通带宽度
R f
C R1& R3R4
在双T网络后加一级同相比例运算电路就构成了基本的二阶有源
通带增益A UP=1
空
R1
中心频率
1
2τEC
带阻宽度B= 2 ( 2—A UP) f o
选择性
频率特性
电路图(b
)
1
、± 12V 直流电源2、函数信号发生器 3、双踪示波器 4、交流毫伏表 5、频率计
6
四、实验内容
1、二阶低通滤波器 实验电路如图7- 2(a) (1)
粗测:接通± 12V 电源。U i 接函数信号发生器, 令其输出为U
= 1V 的正弦波信号, 在滤波器截止频率附近改变输入信号频率, 用示波器或交流毫伏表观察输出电压幅度的变化 是否具备低通特性,如不具备,应排除电路故障。
(2) 在输出波形不失真的条件下,选取适当幅度的正弦输入信号,在维持输入信号幅
度不变的情况下,逐点改变输入信号频率。测量输出电压,记入表 7-1中,描绘频率特性曲
线。
f(Hz) 100 300 500 700 800 900 937.8 1k 1.5k 2k 3k Vo(V) 8
8
8
7.6
6.06
6.32
5.47
4.72
3.12
1.88
0.86
2 实验电路如图7— 3(a)
(1)粗测:输入U = 1V 正弦波信号,在滤波器截止频率附近改变输入信号频率,观察 电路是否具备高通特
性。
(2)测绘高通滤波器的幅频特性曲线,记入表 7-2。 f(Hz)
100 110 300 500 800 1k 2k Vo(V)
5.28
5.76
7.6
7.6
7.6
7.6
7.6
、μ A741× 1;电阻器、电容器若干。
表7 —
1