国家半导体产品命名规则
半导体二极管的型号命名
半导体二极管的型号命名国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。
如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W)BNPN 型，锗材料K开关管CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)DNPN 型，硅材料S隧道管E化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1 表示二极管， 2 表示三极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表 5 · 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册登记的半导体器件APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工业协会的注册登记号ABCD该器件为原型号产品的改进产品BNP 低频晶体管CNPN 高频晶体管1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
国家半导体产品命名规则
美国国家半导体(NS)产品命名规则概述美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。
提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。
这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。
特定封装标记按每个元件的部件编号。
下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。
特别代码标准制造信息（第一行）小组件制造信息（第一行）典型元件描述（第二行）其他的信息（第三行和第四行）极小组件标记军用/航空标记强化塑料标记其他标记晶圆制造厂代码装配厂代码制造日期代码裸片批次代码元件系列，产品线和元件类型电气等级信息温度范围代码封装代码ROM 代码标记特别代码元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。
美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”的真正字元。
NS = 标准NS商标U = 晶圆制造厂代码Z = 装配厂代码X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本XY = 两个位的日期代码XYY = 三个位的日期代码XXYY = 四个位的日期代码TT = 两个位的裸片批次代码E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97)BBBBB= 五个位的裸片批次代码DD = 一或两个位的Die Step RevSS = 晶圆筛选代码C = 版权标记M = 印在圈内的M> = ESD标记EP = 强化塑料识别A = 检查批次号码DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码I = 微型 SMD 引脚1指示V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程样品“ES”* - 假如空间容许标准制造信息（第一行）元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
半导体管的命名标准
导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法：1 国标命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半导体器件有5部分组成第一部分：用数字表示器件的电极数目。
2，二极管。
3，三极管第二部分：用汉语拼音表示器件的材料极性。
二极管：A,N 锗材料，B,P 锗材料，C,N 硅材料，D,P 硅材料，三极管：A,PNP 锗材料，B,NPN 锗材料，C,PNP 硅材料，D,NPN 硅材料，E,化合物材料。
第三部分：用汉语拼音表示器件的类型。
P 普通管，V微波管，W 稳压管，C 参量管，Z 整流管，L 整流堆，S 隧道管，N 阻尼管，U 光电管，X 低频小功率，G 高频小功率，D 低频大功率，A 高频大功率，T 体效应管，B 雪崩管，J阶跃恢复管，CS 场效应管，BT 半导体特殊器件，FH 复合管，PIN,PIN 管，JG 激光管。
第四部分：用数字表示器件的序号。
第五部分：用汉语拼音表示规格号。
收藏 分享助理工程师发表于 2010-10-25 23:15 | 只看该作者美国半导体器件的命名方法：美国半导体器件的命名比较混乱，这里介绍的是美国电子工业协会（EIA ）规定的晶体管分立器件的命名法。
第一部分:用符号表示用途和类别，JAN,或J 军用。
无，民用。
威望822 金钱843第二部分：用数字表示PN结数，1，二极管，2 ，三极管。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志,N第四部分：美国电子工业协会（EIA）登记序号。
第五部分：同型号的不同档别，A,B,C…美国半导体器件的命名特点：1 除前缀以外，凡以1N,2N,3N开头的器件，大多为美国制造，或美国专利。
2 第四部分只是登记序号，无其他意义，所以相邻号参数也许相差很大。
3，不同厂家生产性能一致的器件使用同一登记号，故可以通用。
TOPaloevera助理工程师威望822金钱8433#发表于 2010-10-25 23:16 | 只看该作者欧洲半导体分立器件的型号命名方法：目前欧洲各国没有明确统一的型号命名方法，但大部分欧洲共同体的国家一般使用国际电子联合会的标准版导体分立器件的型号命名方法。
IC命名规则
主题：部分集成电路制造公司名称及型号前缀返回主题列表部分集成电路制造公司名称及型号前缀目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。
下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。
（只写了前缀〕1.National SEMICONDUCTOR Corp.（国家半导体公司〕AD：A/D转换器； DA：D/A转换器；CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应；LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕；LP：线性低功耗电路。
2.RCA Corp. (美国无线电公司)CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路；CDM；CMOS大规模电路。
3.Motorola SEMICONDUCTOR Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司)MC：密封集成电路； MMS：存储器电路；MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。
4.NEC ELECTRONICS,Inc. (日本电气电子公司)uP: 微型产品。
A：组合元件； B：双极型数字电路；C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。
例：uPC、uPA等。
5.Sanyo ELECTRIC Co.,Ltd. (三洋电气有限公司)LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路；LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。
6.Toshiba Corp. (东芝公司)TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路；TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。
7.Hitachi,Ltd. (日立公司)HA：模拟电路； HD：数字电路；HM：RAM电路； HN：ROM电路；8.SGS SEMICONDUCTOR Corp. (SGS半导体公司)TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路；HB、HC：CMOS电路。
例：TD A 后'A'为温度代号。
半导体器件的命名方法
半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15 国产半导体器件的型号命名方法例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。
2. 美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。
表2-16 美国半导体器件型号的命名法例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。
3．日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。
表2-17 日本半导体器件命名法例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。
4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。
半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。
表2-18 欧洲半导体器件命名法补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。
常见的后缀有以下几种。
（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。
其代表的意义如表2-19。
表2-19 稳压二极管后缀字母的含义后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。
例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。
2.5.4 几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。
元器件的完整型号说明和各国命名方法
元器件的完整型号说明和各国命名方法
不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。
为什么会有这种情况呢?问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。
下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。
完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。
一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。
当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。
器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。
又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。
如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。
忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。
一般来说，后缀有以下这些用处：
1、区分细节性能
比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。
2、区分器件等级和工作温度
比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级)，TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级)，其中后缀“C”和“I”就代表不同。
半导体元件命名方法(精)
１、国产半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示有效电极数目。
2—二极管、3 —三极管第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。
表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示类型。
P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C—参量管、Z—整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K—开关管、X—低频小功率管、G—高频小功率管、D—低频大功率管、A—高频大功率管、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT—半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN型管、JG—激光器件。
高频、低频（f＝3MHz）大功率管、小功率管（Pc＝1W第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG6A表示NPN型硅材料高频小功率三极管第一部分：主称第二部分：材料与极第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2二极管A N型锗材料P小信号管（普通管）W 电压调整管和电压基准管（稳压管）L整流堆B P型锗材料N阻尼管Z整流管U光电管C N型硅材K开关管B或C变容管V 混频检波管D P型硅材料JD激光管S遂道管CM磁敏管E 化合物材料H恒流管Y体效应管EF 发光二极管２、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN—军级、JANTX—特军级、JANTXV—超特军级、JANS—宇航级、（无）—非军用品。
半导体分立器件的命名方法
半导体分立器件的命名方法（1）我国半导体分立器件的命名法例：1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：3A D50C3D G201 B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP型、锗材料PNP型、锗材料三极管三极管3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：2C W51B T3 3 E序号规格号稳压管耗散功率N型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法示例（命名）：A F239SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。
如表11所示。
表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N2904 1N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。
半导体分立器件的型号命名方法
半导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见表15。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示二极管的规格号。
表15 国标国产二极管的型号命名及含义第一部分：主称第二部分：材料与极性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2 二极管A N型锗材料P 小信号管（普通管）W电压调整管和电压基准管（稳压管）L 整流堆B P型锗材料N 阻尼管Z 整流管U 光电管C N型硅材料K 开关管B或C 变容管V 混频检波管D P型硅材料JD 激光管S 遂道管CM 磁敏管E 化合物材料H 恒流管Y 体效应管EF 发光二极管例如：2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管)2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号电容器的型号命名方法有哪些?（一）国产电容器的型号命名法国产电容器型号命名由四部分组成，各部分的含义见表11。
第一部分用字母“C”表示主称为电容器。
第二部分用字母表示电容器的介质材料。
第三部分用数字或字母表示电容器的类别。
第四部分用数字表示序号。
表11 国产电容顺型号命名及含义第一部分：主称第二部分：介质材料第三部分：类别第四部分：序号字母含义字母含义数字或字母含义用数字表示序号，以区别电容器的外形尺寸及性能指标瓷介电容器云母电容器有机电容器电解电容解C 电容器A钽电解 1 圆形非密封非密封箔式B聚苯乙烯等非极性有机薄膜（常在“B”后面再加一字母，以区分具体材料。
例如“BB”为聚丙烯，“BF”为聚四氟乙烯）2 管形非密封非密封箔式3 叠片密封密封烧结粉，非固体4 独石密封密封烧结粉，固体C高频陶瓷D铝电解5 穿心穿心E其它材料电解6 支柱等G合金电解H纸膜复合7 无极性I玻璃釉8 高压高压高压J金属化纸介9 特殊特殊（二）国外电容器的型号命名方法国外电容器的型号命名由六部分组成，各部分的含义见表12。
半导体器件型号的命名方法
第三部分
用汉语拼音字母表示器件类型
符
符
号
意义
号Leabharlann 意义P 普通管D 低频率大功率管
V 微波管
fα ＜3MHz，Pc＞
W 稳压管
1W
C 参量管
A 高频率大功率
Z 整流管
fα ＜3MHz，Pc＞
L 整流堆
1W
S 隧道管
T 半导体闸流管
N 阻尼管
（可控整流管）
U 光点管
Y 体效应器件
K 开关管
B 雪崩管
X 低频小功率管 J 阶跃恢复管
别
日2
S
A．PNP 高频 两位以 A．B．C
本
B．PNP 低频 上 表示对原
C．NPN 高频 数字表 型号的改
D．NPN 低频 示
进
登记序
号
美2 国
N
多位数字表
示
登记序号
欧 A C－低频小功 三 位 数 字 表 B 参 数
洲锗
率
示
分
B D－低频大功 登记序号 档标志
硅
率
F－高频小功 率
L－高频大功 率
S－小功率开
关
U－大功率开 关
备注 不表示硅锗材料及功率
大小
不表示硅锗材料 NPN 或 PNP 及功率的大小及功 率大小
型号 9011 9012 9013 9014 9015 9016 9018 8050 8550
极性 NPN PNP NPN NPN PNP NPN NPN NPN PNP
表 3 韩国三星电子三极管特性
fα ＜3MHz，Pc CS 场效应器件
＜1W
BT 半导体特殊器件
G 高频率小功率 FH 复合管
各国半导体的命名法则
B
C
一
D
个 字 母 加 两 位 数
专用半导体 器件的登记 序号（同一 类型器件使 用同一登记
号）
E L
字
例如：
BDX51-表示 NPN 硅低频大功率三极管。B-表示 NPN 型硅、D-表示低频大功率三极管
X51-表示专用半导体器件等级序号。
AF239S-表示 PNP 锗高频小功率三极管。
BC547 NPN 型硅低频小功率三极管；BD243 NPN 型硅低频大功率三极管
第二部分：用“S”表示已在 JEIA（日本电子工业协会）注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
字母 A B C D F
极性类型 PNP 型高频管 PNP 型低频管 NPN 型高频管 NPN 型低频管 P 控制极可控硅
字母 H J K M G
极性类型 N 基极单结晶体管 P 沟道场效应管 N 沟道场效应管 双向可控硅 N 控制极可控硅
BD244 PNP 型硅低频大功率三极管；BU508A NPN 型硅大功率开关管（行管）
BF458 NPN 型硅高频小功率三极管（视放管）
BUV26 NPN 型硅大功率专用三极管；BUT11A NPN 型硅大功率专用三极管
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。 其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母 A、B、C、D、E 分 别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%； 后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值； 后缀的第三部分是字母 V，代表小数点，字母 V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数 值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值 较小的那个电压值。
半导体型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体分立器件命名法(一)
半导体分立器件命名法（一）我国半导体分立器件命名法第一部分第二部分第三部分用数字表示电极数目用汉语拼音字母表示材料和极性用汉语拼音字母表示类型符号意义符号意义符号意义23二极管三极管ABCDABCDEN型.锗材料P型.锗材料N型.硅材料P型.硅材料PNP型,锗材料NPN型,锗材料PNP型,硅材料NPN型,硅材料化合物材料PVWCZLSNUXGDATBJCSBTFHPINJG普通管微波管稳压管参量管整流器整流堆隧道管阻尼管光电器件低频小功率管(fhfb?3MHz pc?1w) 高频小功率管（fhfb≥3MHz pc?1w）低频大功率管（fhfb?3MHz pc≥1w）高频大功率管（fhfb≥3MHz pc≥1w）体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件第四部分第五部分用数字表示序号用汉语拼音字母表示规格号注：场效应器件，半导体特殊器件，复合管，PIN型管和激光器件的型号命名只有第三，四，五部分。
3 D G 180 C规格号序号高频小功率管NPN，硅材料三极管欧洲半导体分立器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母对同一型号器件进行分级符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义ABCDR锗材料硅材料砷化镓材料锑化铟材料复合材料ABCDEFGHKL检波二极管.开关二极管.混频二极管变容二极管低频小功率三极管低频大功率三极管隧道二极管高频小功率管复合器件及其它器件磁敏二极管开放磁路中的霍尔元件高频大功率三极管MPQRSTUXYZ封闭磁路中的霍尔元件光敏器件发光器件小功率可控硅小功率开关管大功率可控硅大功率开关管倍增二极管整流二极管稳压二极管三位数字代表通用半导体器件的登记序号ABCDE…表示同一型号的半导体器件按某一参数进行分级的标志例:A F 239 S一个字母二位数字代表专用半导体器件的登记序号。
二极管命名规则
二极管命名规则 Revised by Liu Jing on January 12, 2021各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
半导体器件的型号命名方法汇总
半导体器件的型号命名方法汇总晶体管的命名方法很多，美国编号方法以PN接合面的数量为主线，不易看出其它特性。
而欧洲与日本的编号，就比较系统化。
国产晶体管的命名则也有自己的个性。
下面做个简要叙述。
一、美国半导体器件的型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：1、前缀部分：用字母符号表示器件用途的类型、级别。
JAN - 军级JANTX - 特军级JANTXV - 超特军级JANS - 宇航级（无）- 非军用品。
2、第一部分：用数字表示PN结数目。
1 - 二极管2 - 三极管3 - 三个PN结器件n -依次类推3、第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
用字母“N”表示该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
4、第三部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
5、第四部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
美国半导体器件型号命名及含义第一部分：类别第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志第三部分：美国电子工业协会（EIA）登记号第四部分：器件规格号数字含义字母含义用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的登记号用字母A、B、C、D……表示同一型号器件的不同档次1 二极管N 该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记2 晶体管3 三个PN结器件（如双栅场效应管晶体管）n n个PN结器件例如：lN 4007 2N 2907 Al--二极管2--晶体管N--ElA注册标志N--ElA注册标志4007--ElA登记号2907--ElA登记号A--规格号二、日本半导体器件的型号命名方法日本半导体分立器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准) 由五至七部分组成，通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：1、第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
中国半导体分立器件型号的命名法
中国半导体分立器件型号的命名法中国半导体分立器件型号的命名法中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成:第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数目. 例如:3AX81-81的3第二部分:用汉语拼音字母表示器件的极性和材料. 例如:3AX81-81的A第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型. 例如:3AX81-81的X第四部分:用阿拉伯数字表示器件的序号. 例如:3AX81-81的81第五部分:用汉语拼音字母表示规格. 例如:3AX81-81的-81但是,场效应晶体管,半导体特殊器件,复合管,PIN型二极管(P区和N区之间夹一层本征半导体或低浓度杂质半导体的二极管.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存储效应和I层中的渡越时间效应,二极管失去整流作用,而成为阻抗元件,并且,其阻抗值的大小随直流偏置而改变)和激光器件等型号的组成只有第三,第四和第五部分.例如:CS2B是表示:B规格2号场效应管.中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义用数字表示器件的有效电极数目用汉语拼音字母表示器件俄材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用阿拉伯数字表示器件的序号用汉语拼音字母表示规格2二极管AN型,锗材料P 普通管D 低频大功率管B P型,锗材料V 微波管A 高频大功率管C N型,硅材料W 稳压管T 半导体闸流管D P型,硅材料C 参量管Y 体效应器件3三极管APNP型,锗材料Z 整流管B 雪崩管B NPN型,锗材料L 整流堆J 阶跃恢复管C PNP型,硅材料S 隧道管CS 场效应管D NPN型,硅材料N 阻尼管BT 半导体特殊器件U 光电器件FH 复合管E 化合物材料K 开关管PIN PIN型管X 低频小功率管JG 激光器件G 高频小功率管。
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美国国家半导体(NS)产品命名规则
概述
美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。
提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。
这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。
特定封装标记按每个元件的部件编号。
下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。
特别代码
标准制造信息（第一行）
小组件制造信息（第一行）
典型元件描述（第二行）
其他的信息（第三行和第四行）
极小组件标记
军用/航空标记
强化塑料标记
其他标记
晶圆制造厂代码
装配厂代码
制造日期代码
裸片批次代码
元件系列，产品线和元件类型
电气等级信息
温度范围代码
封装代码
ROM 代码标记
特别代码
元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。
美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”
的真正字元。
NS = 标准NS商标
U = 晶圆制造厂代码
Z = 装配厂代码
X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本
XY = 两个位的日期代码
XYY = 三个位的日期代码
XXYY = 四个位的日期代码
TT = 两个位的裸片批次代码
E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97)
BBBBB= 五个位的裸片批次代码
DD = 一或两个位的Die Step Rev
SS = 晶圆筛选代码
C = 版权标记
M = 印在圈内的M
> = ESD标记
EP = 强化塑料识别
A = 检查批次号码
DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码
I = 微型 SMD 引脚1指示
V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程
样品“ES”
* - 假如空间容许
标准制造信息（第一行）
元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
顶端小组件制造信息（第一行）
在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
顶端典型元件描述（第二行）
标记的第二行描述封装中的特定电路。
下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q” 字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括：
顶端
其他信息, 第三行和第四行
根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括：
元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳）
特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号
与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项
顶端
极小组件标记
某些极小型封装（例如 SOT-23、SOT-223、SC70 和 SC90）太小，无法包含上述所有信息。
元件标识有不同的分配，可以在总产品汇集的链接中找到个别元件的供货、型号、样品和定价等标记信息。
其它日期代码信息(通常可以在标记的第一行找到)标识在包装标签上。
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顶端
军用/航空标记
美国国家半导体的军用/航空产品的顶端标记信息。
军用/航空标记指南 (pdf 63KB).
顶端
强化塑料
美国国家半导体的强化塑料(EP)产品是专针对比较高的系统要求而设，该些系统需要从现成的标准商用产品升级，但对于QML系统则无附加要求。
强化塑料产品可为客户提供更大的工作温度范围、品质数据、可靠数据及基准控制等，协助他们改进现成器件的内部品质监控。
如欲获取进一步的信息请点击这里。
顶端
其它标记
由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。
例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息：
特殊可靠性工艺处理 (/A+) 处理MIL-STD-883C (/883) 指示可调整的输出元件 (-ADJ) 指示输出电压级别 (-5.0) 指示工作频率 (-33) 产品推出状态代码 (ES) 上面各项以外的其它信息
一般情况下， 总产品汇集中的标记信息, 是确认最终标记版本的最佳资源。
顶端
晶圆制造厂代码
下表列出了美国国家半导体的晶圆制造厂的单字母代码。
本表中未列出的字母表示晶圆由美国国家半导体认可的外包生产商制造。
代码
制造地点
E 德克萨斯州的阿林顿 H 英国 Greenock J 英国 Greenock V 缅因州的南波特兰 X 德克萨斯州的阿林顿
代码 制造厂 2 台湾 4 台湾 6 台湾 7 台湾 9 台湾
顶端
封装厂代码
下表列出了美国国家半导体的元件封装厂的单字母代码。
本表中未列出的字母表示元件由美国国家半导体认可的外包生产商封装。
顶端
制造日期代码
单位日期代码：
单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。
4 位日期代码通常用于军事/航空元件。
3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。
2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。
商用元件：
定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。
标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。
尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。
6 周日期代码如下所示。
顶端
裸片批次代码
裸片批次代码是由两个字母组成，由内部制造系统自动分配给每批裸片。
当元件出现任何问题时，可以根据此代码追溯到有关的工艺流程，来制订补救和修正措施。
这些措施最终可减少或完全消除对客户的负面影响。
顶端
元件系列，产品线和元件类型
基本元件标识通常在元件标记的第二行中提供。
如上所述，标识的常规格式是产品线加上特定元件的数字描述。
下表列出了元件系列代码的一个样本。
元件的完整列表（按元件系列前缀排列）可在总產品匯集中找到。
顶端
电气等级信息
个别产品有可能再细分, 这可视作产品的不同“等级”。
这些“等级”的标志会出现在元件标识字符与封装代码之间。
它们可能代表：
更高的精度
改进的裸片修订
更宽或更窄的规格范围
不同温度下的精度
这些产品“等级”的性质定义刊载于数据表中，可通过总产品汇集中的链接进行查看。
顶端
温度范围代码
元件工作的指定温度范围可能因元件的不同版本而所有不同。
在这些情况下，一个温度范围代码表示指定的范围。
尽管下表列出了最常见的一些范围，但是客户应尽可能通过总产品汇集中的产品链接数据表，确认这些数据。
0°C 至+70°C (代码 C)
-40°C 至+85°C (代码 I)
-55°C 至+125°C (无代码)
顶端
封装代码
为了满足客户的需求，美国国家半导体为其产品提供了多个封装选项。
每个元件类型的各个封装选项可在定价与供货中查看。
从该网页中，可以通过链接获得关于每个封装类型的详细信息（例如机械和温度规格）。
其中在元件说明标记中找到的封装代码的少量样件，于下表中列出：
顶端
ROM 标记代码
产品（例如单芯片微处理器）使用具有不同板载编程的同一基本元件实现多种功能。
ROM 代码标记根据内部编程标识某一特定元件。
顶端
*以上资料收集于美国国家半导体官方网站.。