纳微半导体 (Navitas) 在重要亚洲电子会议上展示氮化镓(GaN) 功率IC

氮化镓射频半导体芯片

氮化镓射频半导体芯片氮化镓射频半导体芯片（GaN RF芯片）是一种新型的半导体材料，具有优异的射频性能和高功率密度。

它在无线通信、雷达、卫星通信等领域具有广泛的应用前景。

随着移动通信技术的快速发展，人们对无线通信设备的性能要求越来越高。

传统的射频芯片材料，如硅和砷化镓，已经无法满足高频率、高功率的需求。

而氮化镓材料由于其独特的物理特性，成为了下一代射频芯片的理想选择。

氮化镓具有较高的电子流动速度和热导率，能够承受更高的电流和功率密度。

相比于传统材料，氮化镓芯片能够提供更高的工作频率和输出功率，从而实现更高的通信速率和传输距离。

氮化镓材料具有较高的电子饱和漂移速度和电子迁移率，能够提高射频器件的电子流动能力和响应速度。

这使得氮化镓射频芯片具有更低的损耗和更高的效率，能够实现更好的信号放大和调制性能。

氮化镓具有较高的击穿电压和抗辐射能力，能够在高能环境下保持稳定的工作性能。

这使得氮化镓芯片在军事、航天等领域的应用具有巨大的优势。

氮化镓射频芯片在现有通信设备中的应用非常广泛。

例如，在5G移动通信系统中，氮化镓芯片可以实现更高的频率和更大的带宽，提供更快的数据传输速度和更稳定的信号质量。

在雷达系统中，氮化镓芯片可以实现更高的探测距离和更精确的目标定位，提高系统的性能和可靠性。

在卫星通信系统中，氮化镓芯片可以实现更大的覆盖范围和更强的信号穿透能力，提供更广阔的通信空间和更稳定的连接质量。

尽管氮化镓射频芯片具有许多优势，但在实际应用中仍面临一些挑战。

首先，氮化镓材料的制备成本较高，制造工艺复杂，限制了其大规模商业化生产。

其次，氮化镓材料的热稳定性较差，容易受到热膨胀和热应力的影响，限制了芯片的长期稳定性和可靠性。

此外，氮化镓材料的集成度和尺寸控制也存在一定的困难。

为了克服这些挑战，科研人员正在不断努力改进氮化镓射频芯片的制备工艺和性能。

他们致力于开发新的材料和工艺，提高氮化镓芯片的制造效率和可靠性。

同时，他们也在研究氮化镓芯片的尺寸控制和集成度，以满足不同应用场景的需求。

GaN市场与公司分析

GaN市场与公司分析GaN特性及市场应用氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，。

氮化镓的能隙很宽，为电子伏特。

GaN 材料具有 3 倍于 Si 材料的禁带宽度、10 倍于 Si 的临界击穿电场和倍于 Si 的饱和漂移速度，特别是基于 GaN 的 Al GaN/GaN 结构具有更高的电子迁移率，使得 GaN 器件具有低导通电阻、高工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。

相对于硅器件，GaN在开关速度方面优势和更高的带宽可以实现更高的开关频率，减小功率级损耗和体积，，同时解决发热问题。

GAN功率器件是平面架构，可以把外围驱动和控制电路集成在一起，这样IC可以做得非常小而成本便宜。

但GaN器件需要适合生态系统(合适驱动器和控制器)，才能发挥GaN的优势，所以GaN的控制器、驱动器和功率拓扑的应同步发展，才能获得最大的价值。

GaN 功率器件结构图GaN的特性可用于自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电、5G基站中的高效功率放大器、工业电机驱动、并网储能系统的逆变器、配电系统、风力/太阳能逆变器等。

GaN产品可以使功率损耗和电源尺寸几乎减半，这对消费电子适配器非常重要，也是智能手机和笔记本电脑等移动通信设备强烈需要的。

相对于SiC，GaN 更适用于中低压/高频领域，功率GaN技术凭借其高速转换性能，由高压驱动电池和DC-AC工厂自备辅助电源的充电，以及DC-DC buck 向12V和未来48V电池的转变所带来的未来市场，都为GaN带来了无限可能。

由于GaN是基于硅的基础来生长材料，从成本角度比碳化硅更便宜。

此外碳化硅更适用于50千瓦以上更大功率的应用场景，如汽车、火车等，对于成本并不敏感。

相对来说GaN在电动汽车领域会和碳化硅有一定的竞争。

50千瓦以上毫无疑问是碳化硅的市场，从20千瓦到50千瓦之间，碳化硅和氮化镓都可以扮演重要角色，而20千瓦以下则主要是GaN的市场。

2024年GaN射频器件市场前景分析

2024年GaN射频器件市场前景分析1. 引言GaN（氮化镓）射频器件是一种新兴的无线通信器件，具有高频率、高功率、高效率和高温特性等优点。

随着无线通信技术的快速发展，GaN射频器件市场正逐渐展现出广阔的前景。

本文将对GaN射频器件市场的发展趋势和前景进行分析。

2. 市场概述2.1 GaN射频器件简介GaN射频器件是采用氮化镓材料制造的射频功率放大器、开关和其他射频器件。

相比传统的硅基射频器件，GaN射频器件具有更高的工作频率、更大的功率密度和更低的功耗。

2.2 市场规模与增长预测根据市场调研机构的数据，GaN射频器件市场自2015年开始迅速增长，预计在2025年将达到XX亿美元。

这一增长主要受益于无线通信领域的快速发展和对高频高功率器件的需求。

3. 市场驱动因素3.1 无线通信技术进步随着5G和物联网技术的兴起，对高性能射频器件的需求急剧增加。

GaN射频器件以其卓越的性能和可靠性，在5G基站和无线通信设备中得到广泛应用，这成为市场增长的主要驱动因素。

3.2 可靠性提升和成本降低随着氮化物材料技术的不断进步，GaN射频器件的可靠性得到了显著提升，减少了设备因故障而停机的风险。

同时，生产工艺和规模的不断优化，也使得GaN射频器件的成本逐渐降低，提高了市场的竞争力。

4. 市场挑战与机遇4.1 制造工艺挑战尽管GaN射频器件具有较高的性能和可靠性，但其制造过程相对复杂，需要高度精确的工艺控制。

制造工艺的改进和成本的降低是当前面临的挑战，但也是市场发展的机遇。

4.2 新兴应用领域的机遇除了无线通信领域，GaN射频器件还可以应用于雷达、军事和航空航天等领域。

这些新兴的应用领域为市场增长带来了新的机遇和发展空间。

5. 市场竞争格局5.1 主要厂商当前，GaN射频器件市场的主要厂商包括XX公司、XX公司和XX公司等。

这些厂商在技术研发、生产规模和市场份额等方面具有一定的竞争优势。

5.2 市场竞争策略为了在竞争激烈的市场中获得优势，厂商们采取了多种竞争策略，包括加大研发投入、提高产品性能、降低成本、拓展市场渠道等。

2023年氮化镓(GaN)行业市场发展现状

2023年氮化镓（GaN）行业市场发展现状氮化镓（GaN）是一种新型半导体材料，具有优异的电学、光学、热学性能，因此在射频电子、能源、消费电子、照明等领域得到广泛应用。

近年来，随着5G通信、电动汽车、新能源等领域的迅速发展，氮化镓（GaN）行业市场需求逐步增加。

一、氮化镓（GaN）行业现状1.市场规模目前氮化镓（GaN）市场规模仍处于起步阶段，但随着各领域需求的增加，市场规模将持续扩大。

据ResearchAndMarkets发布的报告显示，2020年氮化镓（GaN）市场规模为26.5亿美元，预计到2025年将达到50亿美元，年复合增长率为13.6%。

2. 应用领域氮化镓（GaN）应用领域广泛，主要包括射频电子、新能源、消费电子、照明等领域。

(1)射频电子GaN半导体在射频电子领域的应用主要体现在5G通信和雷达系统上。

GaN器件具有高功率密度、低电阻、高开关速度等优点，可以满足高频、高功率和高效率的需求。

(2)新能源GaN半导体在新能源领域的应用主要体现在电动汽车和光伏逆变器上。

GaN电源及控制器具有高效率、高功率密度等优点，可有效提高电动汽车和光伏逆变器的性能。

(3)消费电子GaN半导体在消费电子领域的应用主要体现在充电器、电视、电脑等设备上。

GaN 充电器可以实现快速充电，而GaN半导体在电视、电脑等设备上的应用可提高设备的效率和性能。

(4)照明GaN半导体在照明领域的应用主要体现在LED照明上。

GaN LED具有高亮度、高能效等优点，可以代替传统照明设备，且寿命更长。

3. 产业链GaN产业链包括原材料生产、芯片制造、器件封装等环节。

(1)原材料生产GaN半导体原材料主要包括晶体、衬底等，由少数几家厂商提供。

(2)芯片制造GaN芯片制造技术相对成熟，目前主要由欧美日韩等几家企业独占市场，占据了市场主要份额。

(3)器件封装GaN器件封装技术相对成熟，国内企业也在不断推出技术和产品。

二、氮化镓（GaN）行业市场发展前景1.技术方面随着氮化镓（GaN）技术的进步和成本的降低，GaN将替代传统硅半导体逐渐成为主流。

氮化镓的应用案例

氮化镓的应用案例氮化镓（GaN）是一种具有广泛应用前景的半导体材料，其独特的物理和化学性质使其在多个领域具有重要的应用价值。

以下将介绍氮化镓在照明、通信、电力电子和医疗领域的应用案例。

一、照明领域1. LED照明氮化镓被广泛应用于LED（发光二极管）照明领域。

由于氮化镓具有较高的能隙，可以发出可见光范围内不同波长的光，因此制成的LED可呈现出多种颜色的光线。

氮化镓材料具有优异的导热性能和光电性能，可大大提高LED照明产品的亮度和效率，使其成为替代传统白炽灯和荧光灯的节能绿色照明产品。

氮化镓LED已被应用于室内照明、户外广告牌、汽车车灯等领域。

2. 紫外LED应用氮化镓材料还可以用于制备紫外LED，其波长范围在200-400纳米之间，具有高能量密度和强氧化性，因此在净化水源、空气消毒、医疗器械消毒等领域具有潜在的应用前景。

二、通信领域3. 5G通信氮化镓半导体材料在5G通信技术中扮演着重要的角色。

由于其具有高电子饱和漂移速度和较大的电子饱和漂移速度，氮化镓器件能够提供更高的频率和功率密度，可实现更高速、更稳定的通讯传输。

在5G基站射频功率放大器模块、射频前端模块、高频滤波器等方面具有广泛应用。

三、电力电子领域4. 太阳能电池逆变器在太阳能发电系统中，逆变器可将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，而氮化镓材料的高电子饱和漂移速度和较大的电子饱和漂移速度使其在太阳能电池逆变器中具有较高的开关频率和功率密度，能够提高系统的转换效率和稳定性。

四、医疗领域5. 医疗诊断设备氮化镓半导体器件在医疗诊断设备中也有着广泛的应用。

高频率、高灵敏度的氮化镓传感器可用于检测生物体内的微小变化，例如血氧饱和度监测仪、心率监测仪等医疗设备。

氮化镓在照明、通信、电力电子和医疗领域具有广泛的应用价值，其高电子饱和漂移速度、较大的电子饱和漂移速度、优异的导热性能和光电性能等特性，使其成为当前半导体材料领域的重要发展方向之一。

在未来，随着氮化镓材料制备技术的进一步提高和应用领域的不断拓展，相信氮化镓将在更多领域展现出广阔的市场前景和发展空间。

2024年氮化镓外延片市场前景分析

2024年氮化镓外延片市场前景分析氮化镓（GaN）外延片是一种新型的半导体材料，具有优异的电学和光学性能，被广泛应用于LED、电力电子、无线通信等领域。

本文将对氮化镓外延片市场的前景进行分析。

1. 氮化镓外延片市场概览随着LED照明和电力电子市场的快速发展，氮化镓外延片市场也迅速崛起。

氮化镓外延片具有高热稳定性、高功率密度及高电子迁移率等优势，能够满足高功率、高频率的电子器件需求。

当前，氮化镓外延片主要应用于LED照明、通信基站、无线充电等领域。

2. 氮化镓外延片市场发展趋势2.1. LED照明市场的崛起随着节能环保意识的提高，LED照明市场呈现出快速增长的趋势。

氮化镓外延片作为LED芯片的关键材料之一，将会受益于LED照明市场的快速发展。

预计LED照明市场将继续增长，并推动氮化镓外延片市场的发展。

2.2. 电力电子市场的扩大电力电子市场包括电源管理、变频驱动、可再生能源等多个领域。

氮化镓外延片具有高能效、高温工作、低失真等特性，能够满足电力电子器件对高功率密度、高频率和高温环境的要求。

相信随着电力电子市场的不断扩大，氮化镓外延片市场也将迎来更多的机遇。

2.3. 5G通信技术的兴起随着5G通信技术的推广应用，对高频高功率、低噪声、低损耗的射频器件需求不断增加。

氮化镓外延片具有优异的电学性能，能够满足5G通信射频器件的要求，因此有望在5G通信技术的发展中得到广泛应用。

3. 氮化镓外延片市场竞争格局目前，氮化镓外延片市场竞争激烈，主要市场参与者包括福斯特、科锐国际、翔安科技等。

这些公司通过技术创新、产品优化和市场拓展等手段，争夺市场份额。

随着市场需求的增长，新的竞争者也有可能进入市场。

4. 氮化镓外延片市场面临的挑战4.1. 技术壁垒和知识产权保护氮化镓外延片的制备技术较为复杂，对生产工艺和设备要求较高。

同时，知识产权的保护也是一个重要挑战，需要公司投入大量资源进行研发和保护。

4.2. 市场价格竞争随着市场竞争的加剧，氮化镓外延片市场价格竞争也越发激烈。

第三代半导体氮化镓GaN行业剖析-5G、快充、UVC助力潮起

第三代半导体氮化镓GaN行业剖析5G、快充、UVC助力潮起一、第三代半导体 GaN：射频、电源、光电子广泛运用第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。

第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。

还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体材料，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度 Eg>2.3eV）的半导体材料。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

1.2 GaN 优势明显，5G 时代拥有丰富的应用场景氮化镓（GaN）是极其稳定的化合物，又是坚硬和高熔点材料，熔点为1700℃。

GaN 具有出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度。

GaN 的能隙很宽，为 3.4eV，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。

氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。

具体而言，微波射频方向包含了5G 通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。

二、射频应用分析2.1 GaN 在高温、高频、大功率射频应用中独具优势自 20 年前出现首批商业产品以来，GaN 已成为射频功率应用中 LDMOS 和 GaAs 的重要竞争对手，其性能和可靠性不断提高且成本不断降低。

目前在射频 GaN 市场上占主导地位的 GaN-on-SiC 突破了 4G LTE 无线基础设施市场，并有望在 5G 的 Sub-6GHz 实施方案的 RRH（Remote Radio Head）中进行部署。

氮化镓作为一个高频词汇,进入了人们的视野

氮化镓作为一个高频词汇，进入了人们的视野半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨，好不风光。

不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。

未来半导体技术的提升，除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。

在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。

GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs 等前辈相比，其在特性上优势突出。

由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

因此，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件，这与半导体行业一贯的“调性”是吻合的。

与GaN相比，实际上同为第三代半导体材料的SiC的应用研究起步更早，而之所以GaN 近年来更为抢眼，主要的原因有两点。

首先，GaN在降低成本方面显示出了更强的潜力。

目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，以替代昂贵的SiC衬底。

有分析预测到2019年GaN MOSFET 的成本将与传统的Si器件相当，届时很可能出现一个市场拐点。

并且该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。

其次，由于GaN器件是个平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。

比如有厂商已经实现了驱动IC和GaN开关管的集成，进一步降低用户的使用门槛。

纳微半导体GaNFast功率IC应用笔记 AN016说明书

简介纳微半导体公司的GaNFast 功率IC 采用了GaNSense 技术，具备控制、驱动、感应和保护等功能，适用于移动、消费、工业、数据中心和企业等市场领域的30W 至1kW 的应用。

集成栅极驱动消除了寄生栅极环路电感，并可以防止栅极振铃和毛刺。

集成的无损电流感应功能无需外部电流感应电阻，可提高系统效率，缩小PCB 占板面积，消除R CS 热点，并提供实时过流保护（OCP ）和过温保护（OTP ），实现针对短路和过载故障情况的快速且可靠的保护。

NV6169进一步将GaNSense 产品系列扩展到更高功率的应用，具备较低的45mΩR DS(ON)，采用了新型PQFN 8x8mm 封装，具备较大的散热焊盘，可实现卓越的散热管理。

本应用笔记详细介绍了NV6169和GaNSense 的功能、原理图和PCB 布线指南、电路示例和波形、以及散热管理说明。

这些说明可以帮助实现最高效率和功率密度，以实现最高水平的系统稳健性和可靠性。

图1. NV6169 PQFN 8x8封装底部视图（左）及简化原理图（右）漏极引脚（D ）I/O 引脚源极引脚（S ）源极散热焊盘概述凭借集成的栅极驱动、宽范围的V CC 和PWM 输入、内部ESD 保护和较大的散热焊盘等优势，GaNFast 功率IC 已在多种高密度电源产品中得到采用。

GaNSense 技术还提供另一层关键特性，包括无损电流感应、OCP 、OTP 和自动待机模式，这些特性可以提高系统稳健性和可靠性，实现更高的系统效率，并降低待机功耗。

这些GaN 功率IC 具有易用性和设计灵活性，可与所有流行的拓扑和控制器兼容，可实现高频开关。

为了进一步将GaNSense 产品系列扩展到更高功率的应用，NV616945m Ω版本采用了PQFN 8x8封装。

NV6169的IC 引脚包括（见图1）漏极引脚（D ）、源极引脚（S ）、I/O 引脚、以及一个较大的源极散热焊盘。

I/O 引脚包括IC 电源引脚、PWM 输入、dV/dt 导通控制、电流感应输出和故障输出。

GaN微-纳结构及GaN基MQWs结构研究

GaN微-纳结构及GaN基MQWs结构研究GaN微/纳结构及GaN基MQWs结构研究近年来，随着半导体技术的不断发展，氮化镓（GaN）材料作为一种重要的宽禁带半导体材料，受到了广泛关注和研究。

GaN材料具有优异的物理特性，如高载流子浓度、高饱和漂移速度和优良的热稳定性，因此具备了广泛的应用潜力。

GaN微/纳结构是近年来研究的热点之一。

由于GaN材料的晶格匹配性差和巨大的晶格常数失配，常规的GaN材料生长会引起大量的缺陷和应力。

而微/纳结构可以有效地缓解这些问题，提高了材料的质量和性能。

微/纳结构的制备方法有许多种类，如金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）、激光外延等。

各种方法都可以在纵向和横向上实现微/纳结构的控制，从而改善GaN材料的发光性能和电学性能。

与此同时，GaN基多量子阱（MQWs）结构也受到了广泛的研究。

MQWs结构可以通过在GaN材料中引入厚度相近的多层量子阱来形成，其主要作用是在较宽的带隙中形成一系列的禁带能级，从而提高了材料的光电转换效率。

GaN基MQWs结构的制备方法也多种多样，如金属有机化学气相沉积、分子束外延和分子束外延等。

通过优化GaN基MQWs结构的生长条件和结构参数，可以实现高效的光电转换和发光效果。

研究表明，GaN微/纳结构和GaN基MQWs结构在各种应用领域都具备巨大的潜力。

例如，在光电子器件和能源领域，GaN微/纳结构可以应用于高效发光二极管（LED）和激光二极管（LD）等光电子器件的制备中，以及太阳能电池的制备中。

此外，GaN基MQWs结构也可以应用于高效太阳能电池、紫外线探测器和激光器等领域。

然而，GaN微/纳结构和GaN基MQWs结构的研究仍面临一些挑战。

首先，制备微/纳结构需要复杂的工艺流程和较高的制备成本。

其次，GaN材料的表面粗糙度和缺陷密度对发光效果和电学性能有较大影响，需要进一步优化。

此外，GaN材料的生长温度和杂质掺杂等参数也需要仔细调控。

Navitas发布首个半桥氮化镓功率集成电路

功率集成电路ＣＭＩＧａＮ’ ￣ｆ－ｂｉｒｄｇｅＧａＮｐｏｗｅｒＩＣ）这项专利，可调节传输速率高达２ＭＨｚ，不仪保障高速充电，而且可大幅缩减成品尺寸、成本和重量。而早先的硅基网格组件受限于调速慢和功率损耗，速度比之慢很多。首个半桥氮化镓功率集成电路是６５０Ｖ级ＮＶ６２５０，采用６ｍｍｘ８ｍｍＤＦＮ封装和双驱动、电平转换、双５６０ｍＱ功率ＦＥＴ，具有开机和过电流保护特性。低功率数字ＰＷＭ输入在全频率段都可任意调节半桥电路，对电源系统设计人
仅６１Ｔｉｍ的新型ｕＶ．－ＣＬＥＤ结构紧凑、灭菌作用强，可应用
于空气和水质净化、制造业设备强化等。
ＵＶ．－ＣＬＥＤ产生２００－２８０ｎｍ范围的短波超紫外线，能
原文链接：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ－ｔｏｄａｙ．ｃｏｎｒ／ｎｅｗｓ
ｉｔｅｍｓ／２０１７／ｆｅｂ／ｎａｖｉｔａｓ２１０２１７．ｓｈｔｍｌ
首个半桥氮化镓功率集成电路。半桥电路为电力电子提供模
块集成，在手机电池、电源适配器到电视、太阳能板、数据中心和电动车等众多领域有广泛应用。Ｎａｖｉｔａｓ发言人表示，与ｉＤｒｉｖｅ共享的半桥 “ 全氮化镓 ”

氮化镓微逆 -回复

氮化镓微逆-回复什么是氮化镓微逆氮化镓微逆（GaN微逆），是一种新型的功率半导体器件。

它采用氮化镓材料与其他元素的复合结构，具有较强的功率处理能力和高电子迁移率。

GaN微逆主要应用于电力电子领域，可以替代传统的硅基微逆，在功率转换和控制方面有着更好的性能。

GaN微逆的特性1. 高工作频率：GaN微逆具有高频响应能力，可以在更高的开关频率下工作，使得系统更高效、更稳定。

2. 高功率密度：相比于传统的硅基微逆，GaN微逆具有更高的功率密度，即可以在更小的体积内实现更高的功率传输。

3. 低开态电阻：GaN微逆的开态电阻更低，可以减小能量损耗，提高系统效率。

4. 高电子迁移率：GaN微逆的电子迁移率约为传统硅材料的几倍，可以提供更高的载流子流动速度，减小能量损耗。

GaN微逆的应用1. 电力转换：由于GaN微逆具有更高功率密度和较低的开态电阻，可以在电力转换系统中替代传统的硅基微逆。

这种替代可以提高系统的效率，减小体积和重量。

2. 新能源领域：GaN微逆在太阳能和风能等新能源领域有广泛的应用。

通过增加系统的效率和稳定性，可以更好地利用并转化可再生能源。

3. 电动车辆：GaN微逆的高频响应能力和高功率密度使其成为电动车辆中电动驱动系统的理想选择。

它可以提供更高的功率输出，并减小能量损失，从而延长电动车辆的续航里程。

4. 无线充电：GaN微逆可以应用于无线充电系统中，通过提高转换效率和功率密度，使得无线充电更加方便和高效。

GaN微逆的发展趋势1. 集成化：随着技术的进步，GaN微逆将更加倾向于集成化设计，整合多个功能模块，减小系统体积和重量。

2. 更高的功率：研究人员正在不断努力提高GaN微逆的功率处理能力，以满足不断增长的功率需求。

3. 更高的可靠性：GaN微逆目前面临的一个挑战是其可靠性。

研究者正致力于解决GaN微逆的可靠性问题，以提高其应用范围和安全性。

4. 应用拓展：GaN微逆目前主要应用于电力电子领域，但随着技术的进步，它的应用领域将不断拓展，例如通信、航空航天等领域。

如何为嵌入式系统选择实用的电源管理技术?

如何为嵌入式系统选择实用的电源管理技术？《单片机与嵌入式系统应用》编辑部【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》【年(卷),期】2017(017)012【总页数】2页(P1-2)【作者】《单片机与嵌入式系统应用》编辑部【作者单位】【正文语种】中文电源管理是永远不会过时的话题，尤其在物联网时代，低功耗需求更加迫切，工程师们也在不断寻求降低功耗的方案。

各种移动终端、可穿戴设备、消费类电子产品、传感器网络节点等典型嵌入式设备对能耗越来越敏感，电源管理技术正成为这些产品设计的关键所在。

电源管理技术正由传统的基于电源管理器件和外设控制为主的静态控制方式，转为以具备智能电源管理功能的嵌入式微处理器结合操作系统为核心的智能管理软件的动静态结合的综合控制模式。

那么在嵌入式系统开发中，又有哪些实用的电源管理技术可以使产品更加具有竞争力呢？我们又该如何进行选择呢？TI新专利降低产品待机功耗TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示，目前闲置装置所消耗的电量，相当于50个大型电厂的年发电总量。

另外，有12%～18%的家电或电子产品，即便没有在使用，也是会有电能损耗，因此，消费性电子市场对于低待机电力的高效电源需求量很大。

所以TI希望推出一款控制器能够让设计人员用更少的电力执行更多的操作，满足未来的电源需求，实现简化设计及降低系统成本。

近日，TI推出新款整合式高压闸极驱动器的新型LLC谐振控制器UCC256301。

这款谐振控制器能满足各种AC/DC应用的严格能效标准，包括数位电视、游戏转接器、桌上型电脑和笔记型电脑转接器及电动工具充电器等。

UCC256301作为新型高效能LLC控制器系列中的首款产品，当系统处于全调节输出状态时，其可提供小于40 mW的待机电力，同时还可以保证效能仍高于产能需求；它还具备快速的瞬态回应和健全的故障保护功能，避免终端设备在使用期间遇到断电等突发情况。

此外，该产品采用混合迟滞控制技术，这是TI一项新的专利控制方法，能够实现10倍速度的瞬态回应，并将输出电容降低20%，进而加快系统回应时间。

氮化镓功率器件-2016版

《氮化镓功率器件-2016版》POWER GaN 2016: EPITAXY AND DEVICES, APPLICATIONS, AND TECHNOLOGY TRENDS购买该报告请联系：麦姆斯咨询王懿电子邮箱：wangyi#（#换成@）氮化镓（GaN）功率器件：一个有前途的、快速增长的市场氮化镓功率器件市场持续增长，好消息不断2015~2016年氮化镓（GaN）功率器件市场一直保持增长势头，令人信心满满。

截止2014年底，尽管多家厂商发布了一些产品进展公告，但是600V / 650V氮化镓高电子迁移率场效晶体管（HEMT）的商业可用性还存在问题。

快到2016年时，终端用户不仅可以从Effcient Power Conversion公司购买到低压（小于200V）氮化镓器件，也可以从Transphorm、GaN Systems和Panasonic等公司购买到高压（600V / 650V）氮化镓器件。

另外，2016年3月初创公司Navitas Semiconductor发布了氮化镓功率IC，随后Dialog Semiconductors于2016年8月发布了氮化镓功率IC。

还有一些厂商也想将氮化镓从功率半导体引入更大的模拟IC市场。

例如，Effcient Power Conversion公司和GaN Systems公司都在研发一个更加集成化的解决方案，模拟IC领头羊——德州仪器（Texas Instruments）已经涉足氮化镓领域，并在2015年和2016年分别发布了80V功率级和600V功率级产品。

尽管有上述令人振奋的产业发展，但是相比巨大的硅基半导体市场（3350亿美元），氮化镓功率器件市场仍显得很小。

事实上，根据Yole调研数据显示，2015年氮化镓功率器件市场低于1000万美元。

但是，请再三打量“氮化镓”，它刚刚在市场上抛头露面，所以目前的市场规模是合理的。

首个氮化镓器件直到2010年才实现商用，可见氮化镓行业才仅仅6岁。

半导体GaN功率IC

半导体GaN功率IC
佚名
【期刊名称】《今日电子》
【年(卷),期】2017(0)10
【摘要】纳微（Navitas）半导体宣布推出世界上最小的65W USB-PD（Type-C）电源适配器参考设计,以跟上过去十年来笔记型电脑在更小尺寸和更轻重量两方面
的显着改变。

这高频及高效的AllGaN功率IC,可缩小变压器、滤波器和散热器的
尺寸、减轻重量和降低成本。

【总页数】1页(P58-58)
【关键词】功率IC;半导体;GaN;电源适配器;笔记型电脑;参考设计;轻重量;小尺寸【正文语种】中文
【中图分类】TN4
【相关文献】
1.GaN基HEMT与整流管一体化制造GaN功率电子IC [J], 陈裕权
2.半导体:氮化镓(GaN)功率半导体开始起量 [J], 方正证券
3.GaN功率IC实现了世界上最小的笔电电源适配器,纳微半导体抢先了 [J],
4.半导体:氮化镓（GaN）功率半导体开始起量 [J], 无
5.意法半导体推出全新G-HEMT系列GaN功率半导体产品 [J],
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氮化镓晶面标识

氮化镓晶面标识氮化镓晶面标识是指在氮化镓晶体中某一晶面的方向和位置的标示方法。

氮化镓是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学性能，广泛应用于LED、激光器等光电子器件中。

在氮化镓晶体中，晶面的标识对于材料的生长、加工和性能研究具有重要意义。

在氮化镓晶体中，晶面标识采用米勒指数表示。

米勒指数是用来表示晶面方向和位置的一组整数，它可以唯一地标示出晶面。

米勒指数的表示方法是将晶面与坐标轴的交点投影到各坐标轴上的距离取倒数，并化简为最小整数。

例如，对于氮化镓晶体的(0001)晶面，其米勒指数为(0001)；对于(10-10)晶面，其米勒指数为(10-10)。

通过米勒指数，可以清晰地描述晶面的方向和位置。

氮化镓晶面标识的重要性在于，它对于晶体的生长和性能具有直接影响。

在氮化镓晶体的生长过程中，晶面的选择和控制是关键步骤。

通过晶面标识，可以准确地控制晶体的生长方向和形貌，从而得到高质量的晶体。

此外，晶面标识还可以为晶体的加工和性能研究提供重要信息。

不同晶面的性质和响应不同，通过晶面标识可以选择合适的晶面来实现特定的功能和性能。

氮化镓晶面标识的方法主要有两种：X射线倒易空间维数分析和电子显微镜图像分析。

X射线倒易空间维数分析是通过测量晶体的衍射斑图案来确定晶面的方向和位置。

电子显微镜图像分析是通过观察晶体的电子显微镜图像来确定晶面的方向和位置。

这两种方法都可以准确地确定晶面的标识，但电子显微镜图像分析更加直观和方便。

在实际应用中，氮化镓晶面标识对于晶体的生长、加工和性能研究具有重要意义。

通过晶面标识，可以实现晶体的定向生长，提高晶体的质量和性能。

在晶体的加工过程中，晶面标识可以指导加工工艺的选择和优化，提高加工效率和产品质量。

在性能研究中，晶面标识可以为不同晶面的性质和响应提供参考，帮助实现特定的功能和性能。

氮化镓晶面标识是指在氮化镓晶体中某一晶面的方向和位置的标示方法。

它对于晶体的生长、加工和性能研究具有重要意义。

士兰微氮化镓产能

士兰微氮化镓产能摘要：1.士兰微氮化镓产能概述2.氮化镓的特性和应用3.士兰微氮化镓产能的提升4.我国氮化镓产业的发展现状与挑战5.士兰微氮化镓产能的前景展望正文：1.士兰微氮化镓产能概述士兰微是一家专业从事氮化镓（GaN）材料研发、生产和销售的高新技术企业。

氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率、高击穿电场等优良特性，被广泛应用于高功率、高频率、高温度等场景，如电力电子、射频微波、光电子等领域。

随着氮化镓市场需求的不断增长，士兰微在氮化镓产能方面也在不断提升。

2.氮化镓的特性和应用氮化镓具有以下特点：高电子迁移率、高击穿电场、较低的杂质捕获截面等。

这些特点使得氮化镓在高频、高功率、高温度等应用场景具有显著优势。

目前，氮化镓已经广泛应用于电力电子、射频微波、光电子等领域，如充电器、数据中心、5G 通信基站、新能源汽车等。

随着技术的进步，氮化镓的应用领域还将继续拓展。

3.士兰微氮化镓产能的提升士兰微在氮化镓领域深耕多年，通过不断的技术创新和产能扩张，已经具备了较为完善的氮化镓生产能力。

近年来，士兰微通过提高生产设备的自动化程度、优化生产工艺、扩大生产规模等措施，有效提升了氮化镓的产能。

此外，士兰微还与国内外知名企业、科研院所展开合作，共同推动氮化镓技术的进步和产业发展。

4.我国氮化镓产业的发展现状与挑战近年来，我国氮化镓产业取得了显著的发展，已经成为全球氮化镓产业的重要力量。

然而，在发展的过程中，我国氮化镓产业还面临一些挑战，如：技术研发水平有待提高、生产设备和原材料对外依赖度较高、产业链配套尚不完善等。

针对这些问题，我国政府和企业需要加大投入，加强技术创新，完善产业链配套，以推动氮化镓产业的持续健康发展。

5.士兰微氮化镓产能的前景展望随着5G、新能源汽车、数据中心等新兴产业的快速发展，氮化镓市场需求将持续增长。

士兰微作为国内氮化镓产业的佼佼者，有望在产能提升、技术创新、市场拓展等方面取得更多突破。