GSM900低噪声放大器设计

微波电路与系统仿真实验报告

一、实验名称：GSM900频段低噪声放大器仿真

二、实验技术指标：

1.频段：909-915MHz

2.增益：≥17dB

3.噪声系数：<0.7dB

4.输入反射系数：优于-20dB

5.输出反射系数：优于-15dB

6.芯片选择：A TF-54143或VMMK-1218

三、报告日期：2015年12月14日

四、报告页数：共7页

五、报告内容：

1.电路原理图（原理图应标明变量名称的含义，可用文字表述或画图说明）

如下图所示，a为低噪声放大器的原理框图，包括晶体管以及输出输入匹配，在图中未画出部分还有晶体管的偏置电路。对于低噪声放大器设计与最大功率传输的放大器设计不同，最大功率传输放大器的设计必须满足双共轭匹配，而这样噪声的功率也会很大，所以为了获得最小噪声系数，应选择最佳信源反射系数Гopt。此时放大器的输入匹配网络的任务是使管子端口满足如下图b中所示的要求。

（a）微波晶体管放大器原理图（b）最佳噪声匹配放大器的设计步骤为：1、选管；题目指标给出了放大器设计可选择的管子，所以本次设计选择了ATF-54143，查阅ATF-54143晶体管的模型参数，由于ATF-54143晶体管在ADS2011中没有模型，所以本文是查找网络资源下载的ATF-54143的模型文件导入到设计中的，A TF-54143模型如下图所示，左图为晶体管封装模型，右图为内部电路。2、确定工

作电流和工作电压；查阅ATF-54143介绍资料确定Vds和Ids的值，如下图所示，可以看出工作频率为900MHz时的晶体管在不同电压电流下的增益、噪声系数、P1dB、三阶截断功率的值，根据这些值选择Vds=4V，Ids=60mA，此时的Vgg=0.58V。设置电压电流，建立晶

体管的直流偏置电路。