关于脑缺血再灌注损伤机制及治疗

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脑梗死再灌注损伤机理

脑梗死再灌注损伤机理脑梗死再灌注损伤机理脑梗死是一种常见的神经系统疾病，其发病率逐年增加。

脑梗死的发生会导致大脑缺血、缺氧和代谢紊乱等一系列生理变化，从而引起神经细胞的死亡和功能障碍。

虽然再灌注治疗可以恢复部分神经细胞的功能，但同时也会引起再灌注损伤。

本文将对脑梗死再灌注损伤机理进行详细介绍。

一、再灌注损伤的定义再灌注损伤是指在脑组织缺血缺氧状态下，通过再次供血使得局部组织氧合作用得以恢复，但同时也会引起一系列新的生理变化，从而导致神经细胞死亡和功能障碍。

这种现象被称为再灌注损伤。

二、再灌注损伤的机制1. 氧自由基反应在缺血状态下，由于缺乏氧气供应，线粒体无法正常进行呼吸作用，从而导致氧自由基的产生。

再灌注时，大量的氧气进入局部组织，与原本产生的氧自由基发生反应，形成更多的氧自由基，从而引起细胞膜脂质过氧化和细胞内蛋白质、核酸等分子结构的破坏。

2. 炎症反应缺血状态下，细胞内代谢产物堆积和细胞死亡会引起炎症反应。

再灌注后，由于大量的氧分子进入局部组织，会激活一系列炎症反应介质（如细胞因子、趋化因子等），从而导致神经元坏死、脑水肿等现象。

3. 钙离子过载在缺血状态下，由于ATP合成受到限制，钠泵失去作用，从而导致钙离子通道开放。

再灌注时，大量的钙离子进入神经元内部，导致神经元兴奋性增加、线粒体功能受损和ATP合成障碍等现象。

4. 凋亡缺血状态下会引起神经元凋亡。

再灌注时，由于氧自由基的产生和炎症反应的激活，会加速神经元凋亡过程。

5. 血管损伤再灌注时血管内皮细胞受到损伤，从而导致血管通透性增加、血液-脑屏障受损等现象。

三、预防和治疗再灌注损伤的方法1. 保护线粒体功能通过提高ATP合成能力、减少氧自由基的产生等方式保护线粒体功能，可以有效预防再灌注损伤。

2. 抑制炎症反应通过使用抗炎药物、细胞因子拮抗剂等方式，可以有效降低炎症反应的程度，从而减少再灌注损伤。

3. 抑制钙离子过载通过使用钙离子通道拮抗剂、钙离子螯合剂等方式，可以有效降低神经元内钙离子浓度，从而减少神经元兴奋性和线粒体功能障碍。

脑缺血再灌注损伤机制PPT课件

。
其他治疗方式
控制危险因素
如高血压、糖尿病、高血脂等，降低脑缺血的发生风险。
康复治疗
针对脑缺血后遗留的功能障碍，进行康复训练，提高生活质量。
健康宣教
提高公众对脑缺血的认识，加强预防措施的宣传和教育。
05
CATALOGUE
脑缺血再灌注损伤的研究进展与展望
研究进展
01
脑缺血再灌注损伤的病理生理机制
深入探讨了脑缺血再灌注损伤过程中炎症反应、氧化应激、细胞凋亡等
关键环节的作用机制，为治疗提供了理论基础。
02
脑缺血再灌注损伤的药物治疗
研究发现了多种具有神经保护作用的药物治疗方法，如抗血小板聚集药
物、溶栓药物、抗炎药物等，为临床治疗提供了新的选择。
03
脑缺血再灌注损伤的基因治疗
通过基因敲除或基因转染技术，调控关键基因的表达，以达到治疗脑缺
分类
根据缺血时间和再灌注时间的不同，脑缺血再灌注损伤可分为急性期、亚急性期和慢性期。
发生机制
能量代谢障碍
缺血时，脑组织能量生成不足，导致细胞内ATP耗竭，细胞膜离子泵功能受损，细胞内钠离子和钙离子浓度升高，引发细胞毒性
水肿和细胞死亡。
炎症反应
再灌注后，炎症细胞因子和趋化因子被激活，引发炎症反应，导
细胞信号转导异常
信号转导通路紊乱
脑缺血再灌注损伤过程中，细胞内信号转导通路发生紊乱，导致细胞功能异常。
信号分子异常
参与信号转导的分子在脑缺血再灌注损伤后出现异常，影响信号转导过程。
信号转导抑制剂的作用
某些物质在脑缺血再灌注损伤后发挥信号转导抑制剂的作用，干扰信号转导过程。
细胞内蛋白质合成异常
致白细胞浸润和组织损伤。

脑缺血再灌注损伤治疗的研究进展

脑缺血再灌注损伤治疗的研究进展引言缺血性脑卒中（ischemic stroke）是全球范围内主要的死亡和致残原因之一，其治疗方法和临床效果备受研究和关注。

缺血性脑卒中是由于脑血管病变或者血管阻塞等原因引起的脑部缺血所致。

脑缺血引起的急性神经缺血症状，如头痛、晕厥、恶心、呕吐等，常常让人无法忍受。

而脑缺血再灌注损伤治疗的研究进展是当今医学领域的一个重要方向。

脑缺血再灌注损伤治疗脑缺血再灌注损伤治疗是一种旨在减轻脑部缺血再灌注损伤的治疗方法。

该治疗方法的目的是通过促进脑缺血再灌注损伤的恢复，以恢复脑部神经功能和避免脑部缺血再灌注综合征（I/R）的发生。

I/R综合征是指在施行缺血-再灌注过程中，由于缺血-再灌注所致的微循环障碍和氧化应激导致的一系列反应，导致了机体对缺血和再灌注的不适应性反应，进而引发了炎症反应和再灌注障碍等症状。

药物治疗现有的药物治疗方法包括抗氧化剂、钾通道开放剂、Ca2+通道拮抗剂、神经保护剂等，这些药物可通过不同途径来减轻脑缺血再灌注损伤。

抗氧化剂的作用是通过清除活性氧、控制炎症反应等方式来减轻脑缺血再灌注损伤。

经过大量的研究发现，抗氧化剂对于缓解脑缺血再灌注损伤、保护神经细胞，起到了积极的作用。

例如，红枣等抗氧化剂可通过增加神经细胞的氧化还原酶和清除自由基等方式来促进脑血液循环和再灌注损伤的恢复。

钾通道开放剂钾通道开放剂是一种可以改善脑血流、促进再灌注治疗的药物。

它通过促进细胞内K+流动和外流等方式来增加细胞内外的离子浓度，从而使神经细胞更容易形成充分的动作电位和充足的ATP供给，进而促进神经元再生和修复等疗效。

Ca2+通道拮抗剂Ca2+通道拮抗剂的作用是通过拮抗钙离子过度流入神经细胞，从而抑制过度的细胞凋亡、氧化应激等反应，改善神经细胞的代谢，减少神经细胞的死亡率。

例如，氨基依内酰胺等药物是一种常用的Ca2+通道拮抗剂，在临床治疗中被广泛应用。

神经保护剂神经保护剂是一种能够减少神经细胞受损程度、促进神经再生和修复等疗效的药物。

缺血再灌注损伤机制与保护综述

脑缺血再灌注损伤机制及医治进展西安交通大学医学院第二附属医院麻醉科710004薛荣亮脑缺血一按时间恢复血液供给后，其功能不但未能恢复，却出现了加倍严重的脑性能障碍，称之为脑缺血再灌注损伤（cerebral ischemia reperfusion injury,CIR）。

脑缺血再灌注损伤与自由基的生成、细胞内钙超载、兴奋性氨基酸毒性、白细胞高度聚集和高能磷酸化合物的缺乏等有关。

急性局灶性脑缺血引发的缺血中心区死亡以细胞坏死为主，目前熟悉的比较清楚，即脑缺血后5-7分钟内，细胞能量耗竭，K+通道受阻，膜电位降低，神经末梢释放谷氨酸，通过兴奋谷氨酸受体（包括NMDA 、AMPA和KA受体）致使细胞膜上的Ca2+通道开放，引发Ca2+超载，高Ca2+可激活NOS，使NO和氧自由基的形成增加，引发脂质过氧化，引发膜结构和DNA的损伤；Ca2+还可活化各类酶类，加重细胞损伤和能量障碍，引发缺血级联反映，结果细胞水肿、细胞膜破裂，细胞内酶和炎性介质释放，引发细胞坏死。

最近几年来熟悉到半暗带区域于再灌注数天后出现了迟发性神经元死亡(DND)，DND常出此刻缺血再灌注后2-4日，主要发生在海马、纹状体及皮质区域，DND需要数日时间、有新蛋白质合成的、需要消耗能量的、为无水肿的细胞自杀进程，称之为细胞凋亡(PCD)。

脑缺血再灌注损伤既包括急性细胞坏死也包括细胞凋亡，对于DND的确切机制目前仍不清楚，尚需进一步深切研究。

现对脑缺血再灌注损伤机制的研究进展及保护办法简述如下：1．基因活化脑缺血再灌注损伤后可出现大量基因表达，大约有374种基因出现转变，绝大多数基因与凋亡有关，其中57种基因的蛋白表达是缺血前的倍，而34种基因的表达量出现下降，均发生在4小时到72小时, 包括蛋白质合成，基因突变，促凋亡基因，抑凋亡基因和损伤反映基因转变等，这些基因的彼此作用最终决定了DND的发生。

2．兴奋性氨基酸毒性兴奋性氨基酸毒性是指EAA受体活化而引发的神经元死亡，是脑缺血性损伤的重要触发物和介导物。

脑梗死缺血／再灌注损伤机制的研究进展

脑梗死缺血／再灌注损伤机制的研究进展脑梗死是神经系统常见的多发病疾病之一，具有病死率、致残率高的特点，严重威胁患者的生命安全。

目前，脑缺血/再灌注损伤是急性脑梗死发生的主要原因，其机制较为复杂，研究显示主要与自由基过度形成、兴奋性氨基酸毒性作用、细胞内钙超载、炎性反应等多种机制相关。

多种环节互相作用，进一步促进脑缺血/再灌注损伤后神经细胞损伤加重、脑梗死灶的形成。

由此，临床在早期治疗过程中，减轻脑梗死后缺血/再灌注损伤程度，可有效挽救或保护濒死脑组织，提高患者生存质量，改善脑梗死患者临床预后效果。

以下综述脑梗死缺血/再灌注损伤机制的研究进展，为临床治疗脑梗死提供一定的参考依据。

标签：脑梗死；缺血再灌注；损伤机制随着人们生活水平的不断提高，饮食结构、生活习惯发生了巨大变化，脑梗死发病率呈逐年上升趋势[1]。

脑梗死的发生不仅会影响患者的生存治疗，而且会增加家庭的巨大经济负担。

研究显示脑缺血发生后，血液恢复供应，其功能不但不能有效恢复，而且可能出现更严重的脑功能障碍，即所谓的缺血/再灌注损伤[2]。

因此，脑梗死导致的神经功能缺损和死亡机制中，缺血/再灌注损伤机制起着至关重要作用。

因此，临床尽早恢复脑缺血、缺血半暗带区的血供、挽救濒死的脑神经细胞是治疗脑梗死的核心。

为了降低脑梗死缺血/再灌注损伤对神经细胞的损害，有效保护神经细胞，本文作者对脑梗死缺血/再灌注损伤机制研究进展进行综述，为临床的早期治疗奠定基础。

现综述如下：1大脑对缺血缺氧敏感的原因脑组织会消耗全身20%～25%的氧气，是人体所有器官中每一单位重量代谢最高的器官[3]。

但是脑组织内糖和糖原的储备量却很低，因此大脑对血流供应减少极为敏感。

一般在缺血20 min即会发生不可逆性损伤。

与其他的脏器对比，大脑富含多元不饱和脂肪酸，而保护性抗氧剂如超氧化物歧化酶、过氧化氢酶、谷胱甘肽过氧化物酶水平非常低，故对氧化应激损伤也同样敏感。

此外，缺血再灌注后会造成特定递质大量释放，例如谷氨酸盐、多巴胺，从而会导致神经元的钙超载和细胞毒性。

脑缺血再灌注后血脑屏障损伤机制及药物保护作用的研究进展_李蕾

·专题·脑缺血再灌注后血脑屏障损伤机制及药物保护作用的研究进展李蕾1,许栋明2,王文1,王培昌1,艾厚喜1,张丽1,李林1[摘要]脑缺血再灌注导致血脑屏障破坏,从而引起脑出血和脑水肿。

与此同时机体内释放大量的细胞和化学因子可以调控血脑屏障的开放。

目前研究表明,脑缺血再灌注后血脑屏障损伤的主要机制为炎症因子的浸润,蛋白酶的水解作用以及水通道蛋白的开放等。

通过对以上机制的深入研究有助于开发新的脑保护药物,并进一步明确各种脑保护药物的治疗靶点和疗效。

[关键词]脑缺血再灌注;血脑屏障;药物;综述Advance in Damage Mechanism on Blood Brain Barrier after C erebral Ischemia-reperfusion and Neuroprotective Drugs(review)L I L ei,XU Dong-ming,WAN G Wen,et al.X uanwu Hospital o f Capital Medica l University;Torch Hi gh Technology Ind ustry Dev elopment Center,T he Ministry o f Science and T echnology o f the P.R.C.,Beij ing100038,ChinaA bstract:Cerebr al ischemia-reperfusio n results in breakdow n on co nst ruction and function o f blood brain bar rie r,leading to hemo rr hag e tra nsfo rmatio n and br ain edema.A t the same time,g ener ous cy tokines and chemokines r eleased after cerebra l ischemia-reperfusion can regula te the o pening o f the blood brain barrier.M any current studie s show ed that the majo r damag e mechanisms on bloo d brain bar rie r a re inflammatory infiltratio n,pr oteolysis,o pening aquapo rin and so o n.T he deep r esear ch on the mechanism con-tributes to explore new neuro pr otective dr ug s,and fur ther identify the targ et and therapeutic effec t o f drug trea tme nt.Key words:cer ebral ischemia-re perfusio n;bloo d brain bar rier;drug;review[中图分类号]R743.3[文献标识码]A[文章编号]1006-9771(2009)10-0901-04[本文著录格式]　李蕾,许栋明,王文,等.脑缺血再灌注后血脑屏障损伤机制及药物保护作用的研究进展[J].中国康复理论与实践,2009,15(10):901—904.缺血性脑血管病是临床常见的危重疾病,占脑卒中总数的75%～85%。

再灌注损伤名词解释

再灌注损伤名词解释引言再灌注损伤是指在组织或器官缺血再灌注的过程中，由于缺血引起的损伤加上再灌注时的氧化应激反应导致的细胞和组织受损。

再灌注损伤在多种疾病和医疗操作中都可能发生，如心肌梗死、中风、器官移植等。

本文将对再灌注损伤的定义、发生机制、临床表现以及预防和治疗方法进行详细解释。

定义再灌注损伤是指在缺血再灌注的过程中，由于氧化应激反应引起的细胞和组织受损。

缺血是指某一组织或器官由于血液供应不足而导致缺氧和营养不足，再灌注是指在缺血后重新恢复血液供应。

再灌注损伤通常发生在缺血时间较长后再灌注时，血液和氧气突然重新流入组织或器官，导致细胞内外环境的剧烈变化，从而引发一系列病理生理反应。

发生机制再灌注损伤的发生机制非常复杂，涉及多个细胞和分子水平的相互作用。

以下是再灌注损伤的主要发生机制：1. 氧化应激反应再灌注时，血液和氧气重新进入组织或器官，导致氧化应激反应的增加。

氧化应激是指细胞内外的氧自由基和其他活性氧物质超过细胞抗氧化能力的情况。

氧自由基和活性氧物质可引起脂质过氧化、蛋白质氧化、DNA损伤等，导致细胞和组织的损伤。

2. 炎症反应再灌注损伤时，缺血组织或器官受到损伤后，释放出多种炎症介质，如细胞因子、白细胞黏附分子等。

这些炎症介质可引发炎症反应，进一步加重组织损伤。

3. 钙离子紊乱再灌注时，缺血组织或器官内外的钙离子浓度发生变化。

钙离子是细胞内外信号传导的关键分子，参与多种细胞功能的调节。

再灌注时，钙离子的紊乱可导致细胞内钙超载，进而引发细胞死亡和组织损伤。

4. 缺血再灌注损伤缺血再灌注损伤是再灌注损伤的基础。

缺血导致组织或器官缺氧和营养不足，细胞代谢和功能受到抑制。

再灌注时，血液和氧气重新进入组织或器官，引发一系列病理生理反应，导致细胞和组织的损伤。

临床表现再灌注损伤的临床表现因受损组织或器官的不同而有所差异。

以下是一些常见的再灌注损伤的临床表现：1. 心肌再灌注损伤心肌再灌注损伤是指心肌梗死后再灌注时引起的心肌细胞损伤。

脑缺血再灌注损伤机制与治疗现状

脑缺血再灌注损伤机制与治疗现状近年来，脑缺血再灌注损伤（CIRI）成为神经科学研究领域的热点之一。

在脑缺血的情况下，脑组织会因为血流减少而缺氧，导致神经细胞死亡。

然而，当血流重新恢复时，这种损伤往往会加剧，引发脑水肿、炎症反应和氧化应激等病理变化。

因此，了解脑缺血再灌注损伤的机制和治疗现状对于防治卒中和其他脑血管疾病具有重要意义。

脑缺血再灌注损伤的机制十分复杂，主要包括以下几个方面：氧化应激：当血流重新恢复时，大量氧分子与自由基产生，导致氧化应激反应。

这些自由基可攻击细胞膜和线粒体等细胞结构，引发细胞死亡。

细胞内钙离子超载：在脑缺血期间，细胞内钙离子水平上升。

当血流恢复时，由于钠-钙交换异常，钙离子水平会进一步升高，导致细胞死亡。

炎症反应：脑缺血再灌注后，炎症细胞会被激活，释放炎性因子，引发炎症反应。

这些炎性因子可导致神经细胞死亡和血脑屏障破坏。

凋亡和坏死：脑缺血再灌注后，神经细胞可发生凋亡和坏死。

这些细胞死亡过程可导致神经功能缺损和认知障碍。

目前，针对脑缺血再灌注损伤的治疗主要包括以下几个方面：溶栓治疗：通过使用溶栓药物，如尿激酶、组织型纤溶酶原激活物等，溶解血栓，恢复血流，减轻脑缺血再灌注损伤。

神经保护剂治疗：使用神经保护剂，如钙通道拮抗剂、抗氧化剂、抗炎药物等，保护神经细胞免受氧化应激、炎症反应等的损害。

低温治疗：通过降低体温来减少脑代谢和氧化应激反应，保护神经细胞。

低温治疗已在动物实验中显示出良好的疗效，但其在临床试验中的效果尚不明确。

细胞治疗：利用干细胞、免疫细胞等修复受损的神经细胞，或通过调节免疫反应减轻炎症反应。

细胞治疗为脑缺血再灌注损伤的治疗提供了新的可能性，但尚处于研究阶段。

血管生成治疗：通过促进新血管形成，改善脑组织供血。

血管生成治疗包括血管内皮生长因子（VEGF）和其他促血管生成因子的应用。

这种治疗方法在动物实验中取得了显著成效，但仍需进一步的临床验证。

脑缺血再灌注损伤是卒中和脑血管疾病中一个重要的病理过程，其机制复杂，包括氧化应激、细胞内钙离子超载、炎症反应、凋亡和坏死等多个方面。

脑缺血—再灌注损伤及其治疗策略

供应充分可产生大量自由基，引起瀑布式的自由基连锁反应，
天冬氨酸（ＭＤ受体，ＮＡ）介导病理性的Ｃ２ａ内流，致神导经元不可逆的损伤，这一观点已经成为共识。近年来又对大鼠大脑中动脉闭塞早期基底节区ＮＭＤ受体亚单位蛋白ＡＮＲ和ＮＲＡ及ＮＲＢ的表达进行了研究。ＮＭＤＡ受体是１２２由ＮＲ１ＮＲ（２和２ＮＲＡ～ＮＲＤ）单位构成的功能性异聚体，２亚其中ＮＲ是关键性亚单位和必需的成分。ＮＲ亚单位的蛋白１１的改变实质上代表了ＮＤ受体量的变化，Ｎ２参与ＭＡ而ＲＮＤＭＡ受体的组成并修饰其功能。脑缺血时，主要是Ｎ１Ｒ和Ｎ２ＲＡ及Ｎ２ｍＮＲＢＲＡ的表达增加，参与介导神经元的毒并性损害。研究发现缺血侧Ｎ在大鼠大脑中动脉阻塞（Ａ后１ＭＣ０）ｈ表达明显下降，然后表达逐渐增加；２ＮＲＡ在ＭＣＯ后ｌ为低水平表达，～６Ａｈ４ｈ明显增加；ＲＢ以缺血Ｎ２后５ｈ表达增加最明显。３种亚单位蛋白的表达水平在一定范围内随缺血时间延长而增加，这些支持了脑缺血半暗带理论。研究发现ＮＭＤＡ受体亚单位表达增加显著长于维持大
一
鼠缺血半暗带所需要的时间，２即ｈ左右。在缺血６，和ｈＮＮＲＡ及ＮＲＢ亚单位仍处于高表达状态，明ＮＭＤＡ受体２２表
加重脑水肿，伤细胞核内ＤＡ，损Ｎ诱发细胞凋亡Ｌ。最近的２］研究表明，缺氧、复氧期间产生的氧自由基可显著加强内皮细胞表达细胞间粘附因子（Ｃ１ＡＭ１，）脑缺血和再灌注早期也会产生黏附分子、细胞因子及中性粒细胞聚集等，这些因子是构成炎症反应的基础，明急性炎症反应在脑缺血再灌注损伤表中也起着重要作用。因此阻止细胞凋亡和阻断炎症级联反应可能是改善脑缺血再灌注损伤的理想策略。１脑缺血半暗带理论缺血半暗带是指脑组织缺血后电活动消失而跨膜电位存在和细胞结构保持的区域，为是缺血核心区以外可以被挽认救的脑组织，随着缺血时间的延长半暗带逐渐变窄，梗塞灶不断扩大。这些观点主要来自对脑缺血部位血流和代谢以及组织形态学方面的研究。目前，在局灶性脑缺血损伤机制研究中，缺血半暗带是焦点。近年来，许多研究在局灶性脑缺血再灌注动物模型中发现有 “ ＮＤＡ梯” 图谱。细胞的凋亡是一种主动死亡过程，随伴基因转录和蛋白质合成，特征性变化是ＤＮＡ的寡核小体间裂

脑缺血再灌注损伤的机制和对策

障，效受到影响。同时酶制剂具有抗原性，引起机疗可
聚集，梗死范围扩大，重组织损伤。③ 引起脑组织使加
的微循环障碍和血脑屏障通透性增加］ ④ 氧自由。
基产生过多，兴奋性氨基酸（ＡＡ）放增加和／使Ｅ释或重摄取受阻，致神经毒性损伤。⑤ 大量研究表明，导］
体的免疫反应。最近有人提出过氧化物歧化酶除在微循环血管内皮细胞水平改善脑缺血损伤外，能进入还
神经细胞内减轻自由基损害。临床用ＰＧ－ＯＤ，通ＥＳ易过血脑屏障，较ｓ有ｏＤ长的半衰期。
自由基诱导的脑损伤机制可概括
为：自由基产生过量能引起脂质、白质和核酸的过 ① 蛋
１３１过氧化物歧化酶（ＯＤ）过氧化物歧化酶是．．Ｓ正常情况下存在于体内的自由基清除酶，急性脑卒在
方面在黄嘌呤氧化酶作用下产生新的ｏ一，一方面ｚ另又使原有因氧耗竭而停滞的烷自由基向脂质过氧化物
维普资讯
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ｕｙ２０２，ｌ８，Ｎｏ７Ｖｏ．中国康复理论与实践２ｏ主第８ｏ２鲞筮￣］ＣｈｎＪＲｅａｉＴｈｏｙＰｒｃｉｅ，Ｊｌ０ｉｈｂｌｅｒａｔｃ

脑缺血再灌注损伤机制护理

急救护理
快速识别
在脑缺血发生时，快速识别并采取急救措施是至关重要的。应密切观察患者的症状和体征，及时
发现并处理。
保持呼吸道通畅
确保患者呼吸道通畅，及时清理呼吸道分泌物，防止窒息和吸入
性肺炎等并发症。
降低颅内压
对于脑缺血引起的颅内压升高，应及时采取措施降低颅内压，以
减轻脑水肿和保护脑组织。
康复护理
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特点
脑缺血再灌注损伤具有不可逆性，且会导致脑组织功能严重受损，甚至危及生命。
脑缺血再灌注损伤的病理生理机制
自由基爆发
脑缺血再灌注后，大量自由基产生并攻击细胞膜和线粒体，导致
细胞死亡。
炎症反应
脑缺血再灌注后，炎症细胞浸润和炎症因子释放，加重脑组织损伤。
钙离子内流
脑缺血再灌注后，细胞内钙离子浓度升高，引发细胞凋亡和坏死。
溶栓药物
总结词
溶栓药物是用于治疗急性脑缺血再灌注损伤的重要药物之一，通过溶解血栓，恢复脑组织的血流灌注，从织型纤溶酶原激活物等，这些药物通过激活纤溶酶原，使其转化为纤溶酶，从而溶解血栓。在脑缺血再灌注损伤的药物治疗中，溶栓药物可以有效地减轻脑缺血的症状和损伤，但需要在发病后早期使用，并严格掌握适应症和禁忌症。
康复训练
在脑缺血恢复期，应根据患者的具体情况制定康复训练计划，包括肢体功能训练、语言康复、认知训练等。
心理护理
脑缺血患者往往存在焦虑、抑郁等心理问题，应及时进行心理疏导和干预，帮助患者树立信心，积极配合康复治疗。
定期随访
在康复过程中，应定期对患者进行随访，评估康复效果，及时调整康复计划，促进患者全面康复。

缺血-再灌注损伤及预处理的保护机制

烷自由基（L·）烷氧自由基（LO·）烷过氧自由基（LOO·）
（2）缺血-再灌注时氧自由基生成增多的机制
线粒体 (Mitochondria) 黄嘌呤氧化酶 (Xanthine Oxidase) 中性粒细胞 (Neutrophils)
活性氧与缺血-再灌注损伤 ROS & I/R Injury
cells and neutrophils)
1.自由基 (Free radicals)
指在外层电子轨道含有一个或多个不配对电子的原子、原子团或分子的总称。
为表达不配对电子，常常在其分子式后上方加一个点如(R·) 。
(1)自由基的种类
氧自由基(oxygen free radical) 脂质自由基(lipid radical, L•) -· 氯自由基 (Cl•) 气体自由基 (一氧化氮nitric oxide, NO) 甲基自由基(CH3•) 过氧亚硝基(ONOO-)
缺血不但减少了细胞的氧供应，而且造成糖酵解底物缺乏和乳酸等代谢产物清除减少。
急性缺血期
心脏pH从7.2降到6.5
酸中毒加重细胞代谢紊乱和功能障碍，并促进细胞坏死和凋亡。
4. 心肌舒缩功能障碍
正常：心肌能量的85% 心肌收缩
15% 膜的离子转运和蛋白质合成
缺血： ATP生成减少心肌钙转运异常蛋白磷酸化障碍心肌舒缩功能降低
Becker LB. Cardiovas Res 61 (2004)： 461– 470
研究历史
1955年Sewell报道结扎狗冠状动脉后，如突然解除结扎恢复血流出现室颤
1960年Jennings提出心肌再灌注损伤的概念 1968年Ames报道脑缺血-再灌注损伤 1972年Flore报道肾缺血-再灌注损伤 1978年Modry报道肺缺血-再灌注损伤 1981年Greenberg报道肠缺血-再灌注损伤

脑缺血-再灌注损伤机制及其药物治疗方法的进展

［收稿日期］２０１１－１０－３１［基金项目］国家自然科学基金资助课题（３０８７３０６６／Ｃ１８０１０２，３０４７２０２０，３０６７２６５４）［作者简介］王立英（１９７４－），女，吉林省吉林市人，在读药学博士，主要从事心脑血管疾病研究。［通信作者］杨世杰（Ｔｅ１：０４３１－８５６１９４８３，Ｅ－ｍａｉｌ：ｊｃｙａｏｌｉ＠ｓｉｎａ．ｃｏｍ）
脂质过氧化而导致的不可逆损伤有关。氧自由基的有害作用机制：①过量氧自由基可引起脂质、蛋白质和核酸的过氧化，导致膜性结构破坏、通透性增大、蛋白质降解和核酸断裂及线粒体变性、崩解，最终死亡；② 诱导ＤＮＡ、ＲＮＡ、多糖和氨基酸等大分子物质交联，交联后的大分子失去原来的活性或功能降低［３］；③ 缺血期间，内源性抗氧化系统并无明显变化，而脂质过氧化物，如过氧化物歧化酶（ｓｕｐｅｒｏｘｉｄｅｄｉｓｍｕｔａｓｅ，ＳＯＤ）、丙二醛（ｍａｌｏｎｄｉａｌｄｅｈｙｄｅ，ＭＤＡ）和乳酸脱氢酶（ｌａｃｔａｔｅｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ，ＬＤＨ）等均明显上升，导致氧化－过氧化失衡，形成恶性循环；④ 再灌注时，氧在黄嘌呤氧化酶的作用下产生新的氧自由基，同时又使原来因氧耗竭而停滞的氧自由基向脂质过氧化物转化的过程得以继续，从而加重细胞损伤［４］。１．１．２一氧化氮（ＮＯ）自由基ＮＯ自由基在ＣＩＲＩ中有神经毒性和神经保护双重作用，一方面扩张血管、改善缺血组织血供、抑制血小板聚集、减轻ＣＩＲＩ损伤，具有一定的神经保护作用；另一方面参与脑缺血急性脑损伤与迟发神经元死亡过程，即诱导神经细胞凋亡。ＮＯ是在一氧化氮合酶（ｎｉｔｒｉｃｏｘｉｄｅｓｙｎｔｈａｓｅ，ＮＯＳ）催化下以Ｌ－精氨酸为底物产生的。ＮＯＳ包括内皮源性ＮＯＳ（ｅＮＯＳ）、神经源性ＮＯＳ（ｎＮＯＳ）和诱导性ＮＯＳ（ｉＮＯＳ）［５－６］。实验［７］证明：ｅＮＯＳ具有神经保护作用，ｎＮＯＳ介导产生的ＮＯ自由基参

脑缺血再灌注损伤机制的研究进展

乳酸和甘油。Ｔｋｇ等发现，Ｑ４ｍＮａａｉＡＰＲＡ在脑梗死
灶表达增加，以梗死灶周围明显，脑水肿的程度呈正相与
ห้องสมุดไป่ตู้
降，Ｔ生成减少；ＡＰ再灌注时，受损细胞虽ＮＤＡ和ＮＤＡＨ合成增加，ＡＰ但Ｔ生成未增加，两者引起一系列复杂的病理
【中图分类号】Ｒ７３４
【文献标识码】Ａ
【文章编号】１７－６（０１０－２４６３７８２１）６５３）７０４
通道具有以下特点： ①对单价阳离子、ａｃ有高度通透性；
随着人们生活水平提高、生活方式改变及人口老龄化加剧，脑卒中发病率明显上升，其高瘫痪率、高病死率特点给患者及家属生活带来诸多不便，大大加重了人们的经济
关；与野生型鼠比较，Ｑ４基因敲除鼠神经症状较轻，ＡＰ在缺
血２后脑水肿发生率下降３％以上，４ｈ５提示缺血周边区高表达的ＡＰＱ４在脑水肿的发展过程中起重要作用。李燕华
等利用Ｒ —ＣＴＰＲ对脑缺血大鼠研究发现ＡＰＱ９水平与
３脑细胞水肿脑水肿是脑缺血再灌注损伤过程中的重要的病理环节
生影响因素、细胞凋亡等均参与了脑缺血再灌注损伤。因
此，综述将从这些方面对脑缺血再灌注损伤机制进行阐此
述。
１能量代谢障碍
能量代谢过程中，能量物质不能直接被利用，经过三需
ＮＤＡＨ释放氢离子，转化为ＮＤ同时释放的氢离子与再Ａ，

缺血再灌注损伤的机制

缺血再灌注损伤的机制缺血再灌注损伤是指在缺血状态下，组织或器官再次得到血液供应后发生的损伤。

这种损伤常见于心脏、肾脏、肝脏和脑等重要器官。

缺血再灌注损伤的机制非常复杂，包括多种细胞和分子水平的变化。

以下将详细介绍缺血再灌注损伤的机制。

一、氧自由基产生在缺血状态下，组织或器官受到氧供应不足，导致细胞内氧化还原平衡被破坏。

当再次进行灌注时，氧气与组织内积聚的还原性物质相遇，产生大量的氧自由基。

这些氧自由基具有高度活性，可以攻击细胞膜、核酸和蛋白质等重要分子结构，导致细胞功能受损。

二、钙离子内流缺血状态下，由于能量供应不足，ATP合成减少，导致钙泵活性下降。

当再次进行灌注时，ATP合成恢复正常，并且大量的钙离子进入细胞内。

这些钙离子与细胞内的蛋白质结合，导致蛋白质构象变化，进而影响细胞的正常功能。

三、炎症反应激活缺血再灌注损伤会导致炎症反应的激活。

在缺血状态下，组织或器官释放一系列的炎症介质，如肿瘤坏死因子-α（TNF-α）、白介素-1（IL-1）和白介素-6（IL-6）等。

当再次进行灌注时，这些炎症介质会引起免疫细胞的激活和聚集，进一步加剧组织损伤。

四、线粒体功能障碍缺血再灌注损伤还会导致线粒体功能障碍。

线粒体是细胞内的能量生产中心，当缺血发生时，线粒体受到严重的能量供应不足。

再次进行灌注后，氧气供应恢复，并且大量氧自由基产生，进一步损害线粒体结构和功能。

线粒体功能障碍会导致ATP合成减少，细胞能量供应不足，进而引发细胞死亡。

五、细胞凋亡和坏死缺血再灌注损伤还会导致细胞凋亡和坏死。

在缺血状态下，细胞受到严重的氧供应不足和能量供应不足，导致细胞内的代谢紊乱。

当再次进行灌注时，氧气供应恢复，但由于前述机制的作用，细胞受到进一步损伤。

一部分细胞会发生凋亡，即程序性细胞死亡；另一部分则会发生坏死，即非程序性细胞死亡。

六、血管功能障碍缺血再灌注损伤还会引起血管功能障碍。

在缺血状态下，血管内皮功能受损，导致内皮层的通透性增加。

缺血性脑卒中再灌注损伤的早期治疗

缺血性脑卒中再灌注损伤的早期治疗摘要】缺血再灌注后发生组织细胞的进一步损害，是缺血性脑卒中的一个必经阶段，随着溶栓疗法在缺血性脑血管病中的广泛应用，再灌注损伤的问题是摆在人们面前的又一个焦点，现已了解到，血栓栓塞后48小时内至少有1/3出现了自发性再灌注，一周时增加到一半或更多，这说明了对再灌注损伤的治疗显得更为重要。

但无论是溶栓后还是自发性的再灌注，随着血流的恢复，出现明显的不再流现象，以及跟随在反应性充血期之后的迟发性低灌流期，因此，对再灌注损伤采取积极的早期治疗，对于抑制神经细胞凋亡，保护脑细胞，减少致残率和死亡率，提高病人生活质量等都显得特别重要。

1 再灌注损伤的病理生理学再灌注后的不再流现象，被认为主要有两种原因，即血管外压迫和血管内阻塞。

对血管腔产生机械性压迫的原因有血管外水肿、组织肿胀、神经胶质终足肿胀和出血等。

引起血管内阻塞的原因多而且复杂，其主要有血管内凝集级联被激发，内皮细胞损害，内皮和白细胞之间相互作用和黏附，血小板和红细胞聚集，新血栓形成。

再灌注后的自由基的急性增加和细胞内Ca 2+浓度升高等，都可导致神经细胞凋亡，使缺血半暗带的脑组织缺血坏死而不可逆转。

因此，拯救缺血半暗带的组织细胞，是刻不容缓的。

在脑缺血时，局部血管内皮细胞以及白细胞被病变组织大量产生的炎性介质或（和）递质如白细胞介素-1、肿瘤坏死因子- α等所激活，细胞表面黏附分子（指由细胞产生，能介导细胞与细胞、细胞与细胞外基质间相互接触和结合的一类分子），尤其是细胞间黏附分子-1的表达明显增加，造成白细胞与内皮细胞大量牢固的黏附，使缺血区血管重新开放，形成自发性再灌注。

随后由于白细胞的聚集，阻塞微血管；同时由于血小板激活因子和血小板选择素的表达，促成了血小板与红细胞聚集，共同造成不再流现象。

由于血浆成分的聚集，尤其是纤维蛋白的聚集使血管壁增厚，管腔狭窄，从而改变局部血液动力学环境，加重不再流。

此外，活化的白细胞可释放大量毒性氧自由基和蛋白水解酶，使局部内皮细胞水肿变形，导致血管通透性增强，造成组织水肿，上述毒性物质还可直接损伤神经元和胶质细胞，加重神经组织损伤。

-缺血-再灌注损伤(Ischemia-reperfusioninjury,IRI)

4. 自由基增多机制（Mechanism of free radical increase）
■ One electron deoxidize increase in mitochondria
O2
95%O2 细胞色素C氧化酶 4e-
H2O 【正常】
O2
2%O2 电子受体和传递电子↓ Ca2+超载
OFR 【缺血】
PMN与VEC粘附
PMN激活
释放趋化因子(LTB4)↑
再灌注
LT、PGE2、PAF、补体↑
WBC聚集↑
（二）WBC介导缺血-再灌注损伤的机制
1．血液流变学的作用（Block）
WBC体积大、变形能力↓、粘附
滚动、嵌顿和堵塞cap
（加重缺血缺氧）无复流现象
缺血-再灌注
PMN表达P-选择素↑
与VEC受体呈间歇性结合
不稳定黏附
再灌注 WBC表达2-整合素↑ 与VEC(ICAM-1)牢固黏附
整合素 ( CD11/CD18 )、选择素 (L-选择素、P-选择素和E-选择素）、细胞间粘附分子、血管细胞粘附分子及血小板内皮细胞粘附分子等。
2．趋化因子生成增多
外层轨道上有单个不配对价电子的原子、原子团或分子。
（Free radical are a highly reactive group of atoms, molecules or radicals, which carry unpaired electron in outer orbital. ）
■自由基分类（Classification of free radical ）
▲酶之间形成多聚物；
▲攻击酶活性中心部位的氨基酸；
▲激活磷脂酶A2 PG、LT生成↑ 炎症反应加剧

脑缺血再灌注损伤机制研究进展

脑缺血再灌注损伤机制研究进展脑缺血再灌注损伤是一种复杂的病理生理过程，其机制涉及多个因素。

近年来，随着对脑缺血再灌注损伤机制的深入研究发现了一些新的分子靶点和治疗方法，为临床防治提供了新的思路。

本文将对脑缺血再灌注损伤机制的研究进展进行综述。

脑缺血再灌注损伤是指脑组织在缺血缺氧后恢复血液供应过程中出现的加重损伤甚至坏死的现象。

其主要机制包括氧化应激、炎症反应、细胞凋亡和自噬等。

当脑组织缺血时，能量代谢障碍导致细胞内钙离子堆积，引发氧化应激反应，产生大量自由基和细胞因子，进而引发炎症反应。

这些炎症因子会破坏细胞膜和线粒体，导致细胞死亡。

脑缺血再灌注过程中还会出现神经细胞凋亡和自噬等现象，这些现象在一定程度上也参与了脑缺血再灌注损伤的发生和发展。

目前，对于脑缺血再灌注损伤机制的研究已经涉及到许多方面。

一些研究发现，某些药物如依达拉奉、胞磷胆碱等可以减轻脑缺血再灌注损伤的程度，这些药物主要通过抗氧化、抗炎、抗凋亡等作用发挥保护作用。

细胞治疗也成为研究热点，一些干细胞如间充质干细胞、神经干细胞等在体内外实验中表现出对脑缺血再灌注损伤的保护作用，其机制主要包括减轻炎症反应、促进血管再生、减少细胞死亡等。

针对脑缺血再灌注损伤机制中的特定靶点如PI3K/Akt/mTOR通路、JAK/STAT通路等的研究也取得了很大进展，为开发新的治疗方法提供了理论依据。

展望未来，脑缺血再灌注损伤机制的研究将更加深入和广泛。

需要进一步探究脑缺血再灌注损伤的详细机制，发现更多参与损伤过程的分子靶点。

针对这些靶点进行药物设计和发现将会是研究的重点，目前许多药物已经进入临床试验阶段，预计在未来会有更多的治疗性药物问世。

随着细胞治疗技术的不断发展，干细胞治疗也将会在脑缺血再灌注损伤治疗中发挥更大的作用。

需要加强多学科之间的合作，包括神经科学、生物学、药理学、医学等，以促进研究成果的快速转化和应用。

脑缺血再灌注损伤机制研究进展迅速，研究发现了一些新的分子靶点和治疗方法，为临床防治提供了新的思路。

心脑缺血再灌注损伤的机制与防范

心脑缺血再灌注损伤的机制与防范一、心脑缺血再灌注损伤的发生机制在患者心肌缺血时，体内的H+、Ca2+与Na+会大量积聚，再灌注致使患者体内细胞离子流量发生改变，产生了细胞毒性，在缺血缺氧的过程中，人体内H+会大量增加，Na+浓度会大幅上升，出现Ca+内流的问题，继而引发细胞内钙超载，激活钙依赖性磷脂酶，从而引发线粒体超微结构损害、ATP耗竭与心肌顿抑，产生心肌细胞毒性。

人体的心肌细胞中有大量的线粒体，可以满足收缩能量需求，其中相关学者研究的重点就是mPTP，由于缺血再灌注引起的细胞内PH 恢复会导致mPTP开放，继而促使蛋白分子与离子进入线粒体，引起电位的崩解。

此外，这一过程还涉及K+通道以及ATP的敏感性，需要进行缺血预处理，这是下一阶段研究的重点。

人体的内皮细胞很容易受到ROS的攻击，冠状动脉内皮会释放出缩血活性物质，加重患者的心肌损伤，同时，内皮细胞还会利用黏附分子、细胞因子以及趋化引起来激活人体的免疫系统，再次加重损伤。

一般情况下，心肌缺血患者是心肌缺血再灌注损伤的高发人群，冠状动脉患者常常会伴随血栓堵塞，可能是由于血小板碎片或者白细胞堵塞引起。

而动脉闭塞慢性缺血、糖尿病、左心室肥大也会引起缺血再灌注损伤，利用药物治疗可以有效改善患者的内皮功能。

二、心脑缺血再灌注损伤的防范措施近年来，关于心脑缺血再灌注损伤的防范，临床中已经展开了系统的研究，但单一的治疗方式难以有效改善患者的临床症状。

目前，对于心脑缺血再灌注損伤的防范措施是多种多样的，其防范机制包括NO代谢、Na+-H+交换体、代谢添加剂、氧化应激等，虽然单一的防范措施在临床中的疗效并不理想，但是学界一直在进行相关的研究。

针对缺血再灌注损伤中心肌细胞内钙超载的问题，研究人员发现，采用Na+-H+交换体抑制剂可以有效降低心外科患者术后心肌梗死的发生率，但是会影响患者的精神状态，因此没有在临床中得到推广。

近年来的研究显示，EPO（促红细胞生成素）在正性心肌重构、抗凋亡、内皮祖细胞招募上有着积极的作用，早在2006年，美国NIH就针对这一药物的治疗机制展开了大规模的临床试验。