新手学版图--几种电阻的画法
05集成电路版图基础-电阻
3、电阻版图
（1）基本电阻版图
注意：根据工艺要求不同，电阻的长度为 两引线孔之间的材料长度或电阻器件体区长度
（2）折弯型电阻版图
注意，拐角处方块数只计算1/2
外角没有电子流过，电阻误差较大
4、电阻误差
引起电阻误差的主要因素有：
接触电阻与接触区误差
扩展电阻
体区误差
头区误差
（1）接触电阻
多晶硅和扩散区组成的电容器
(3)金属和多晶硅组成电容器 多晶硅作电容器下电极板、金属作上电极板构成的MOS电容器。
7.2.3 集成电路中的二极管
在PN结的P区和N区分别加上电极就构成了二极管。 P型衬底上N区和P区构成二极管，图(a)。 做在N阱内的二极管，n+环围绕p+接触，图(b)。 做在P型衬底上的二极管,中央为N型区,四周被P+环包围，图(c)。
有源区可以做电阻和沟道电阻(在两层掺杂 区之间的中间掺杂层，例如npn中的p型区)。
上述两种电阻要考虑衬底的电位，将P 型衬底接最低电位，N型衬底接最高电位， 使电阻区和衬底形成的PN结反偏。例如， P+电阻做在N阱内，除电阻两端有接触 孔外，阱内要增加接最高电位的接触孔。
MOS管做有源电阻 对MOS管适当的连接，使其工作在一 定的状态，利用它的直流导通电阻和交 流电阻作电阻。优点是占用面积非常小。 在模拟集成电路中，把MOS管的栅极 和漏极相连形成非线性电阻。
芯片版图端口分布框架
7.5.2 电源和地线在内部的分布
1.电流密度和金属线宽度 金属线能安全承受的电流称为承受电流常数(Ib)。用Ib可确定承受电流(I)的金属 线宽度(W)：I=W×Ib 内部单元用较小金属线宽度，较大单元的金属线要相应加宽，电源和地线的压 焊块用最大宽度的金属导线。 2.电源和地线采用叉指结构 内部电路中的电源和地线布局采用叉指型结构。
电阻的绘图规范
电阻的绘图规范用电气图形符号、带注释的围框或简化外形表示电气系统或设备中组成部分之间相互关系及其连接关系的一种图。
广义地说表明两个或两个以上变量之间关系的曲线，用以说明系统、成套装置或设备中各组成部分的相互关系或连接关系，或者用以提供工作参数的表格、文字等，也属于电气图之列。
二、电气图分类：1、系统图或框图：用符号或带注释的框，概略表示系统或分系统的基本组成、相互关系及其主要特征的一种简图。
2、电路图：用图形符号并按工作顺序排列，详细表示电路、设备或成套装置的全部组成和连接关系，而不考虑其实际位置的一种简图。
目的是便于详细理解作用原理、分析和计算电路特性。
3、功能图：表示理论的或理想的电路而不涉及实现方法的一种图，其用途是提供绘制电路图或其他有关图的依据。
4、逻辑图：主要用二进制逻辑（与、或、异或等）单元图形符号绘制的一种简图，其中只表示功能而不涉及实现方法的逻辑图叫纯逻辑图。
5、功能表图：表示控制系统的作用和状态的一种图。
6、等效电路图：表示理论的或理想的元件（如R、L、C）及其连接关系的一种功能图。
7、程序图：详细表示程序单元和程序片及其互连关系的一种简图。
8、设备元件表：把成套装置、设备和装置中各组成部分和相应数据列成的表格其用途表示各组成部分的名称、型号、规格和数量等。
9、端子功能图：表示功能单元全部外接端子，并用功能图、表图或文字表示其内部功能的一种简图。
10、接线图或接线表：表示成套装置、设备或装置的连接关系，用以进行接线和检查的一种简图或表格。
⑴单元接线图或单元接线表：表示成套装置或设备中一个结构单元内的连接关系的一种接线图或接线表。
（结构单元指在各种情况下可独立运行的组件或某种组合体）⑵互连接线图或互连接线表：表示成套装置或设备的不同单元之间连接关系的一种接图或接线表。
（线缆接线图或接线表）⑶端子接线图或端子接线表：表示成套装置或设备的端子，以及接在端子上的外部接线（必要时包括内部接线）的一种接线图或接线表。
模拟集成电路版图基础
Ｎ阱电容
• 在场效应管的栅极和衬底之间，存在寄生电容。 称之为恶性寄生。但是，如果正好需要电容，这 个寄生是需要的。
金属电容
• 扩散电容缺点：
– 传递噪声：扩散电容在PN 结上会有一个寄生电容。任 何输入到扩散电容底部平行板上的信号将会自动耦合 到衬底上。在电路设计中有些情况，需要一个电容器 阻断直流信号，但是允许交流信号传输到下个电路块。
层与层间的寄生电容
• 寄生包括：
– 层对衬底形成寄生，层与层之间，层与层的侧面之间等等。 – 在ASIC 设计中，会用到自动布局布线工具，有些金属连线常常直接从某
个功能块上通过，如图3-3 所示。这是因为，数字集成电路为了节约芯片 面积，减少流片成本，而不得已为之。
• 在模拟集成电路中：
– 常常需要把敏感的信号线互相隔离开来，使它们不会互相影响。 – 所以为了减少寄生对电路的干扰，就需要在作版图时，最好不要到处布
– 它不仅具有寄生效应小 – 与偏置电压无关 – 低的温度系数 – 单位面积的电容值很高。
– 在制作固定面积金属电容中，交叉金属来得到 更大电容的方法同样可以用在POLY 电容中， 我们形象的称之为“三明治电容”
几种集成电容的比较
电阻电容画法实例: 电阻画法实例
• 现在以1.5K 和250Ω的Poly 电阻为例，介绍一下电阻的画 法。 – 首先查到Poly 的方块电阻值为25Ω/□ – 先做一个电阻单元，Poly 宽为2u,长为40u,两端通过引 线孔用金属引出。此电阻阻值为500Ω。
• 金属电容
– 大多数信号电容会由金属制成。这可以消除PN 结，可 以消除寄生二极管带来的电容。电容依赖性也将得到 消除。
金属电容
• 为了保证上部平行板和下部平行板没有短接，几乎所有的IC 工 艺都有一个非常厚的金属介质层。
最新初中物理 电阻 ppt+flash图文 课件讲课讲稿
（2）电阻单位： 国际单位
欧姆 欧（ Ω ）
千欧（ ΚΩ ） 兆欧（ ΜΩ
1ΚΩ＝ 1000Ω
1ΜΩ＝ 1000ΚΩ
（3）电阻在电路图中的符号：
1ΜΩ＝
）
1Ω06
2、决定电阻大小的因数
导体电阻的大小与导体 材料 、 长度 、横截面积、 温度 有关。 与导体两端的 电压 无关，与通过导体的电流 大小无关.
(R )
• 导体虽然能导电，但同时对电流也有阻碍 作用，物理学中常用“电阻”这个物理量 来表示导体对电流的阻碍作用大小．
• 电阻越大，表示对电流的阻碍作用越大。 • 不同导体电阻一般不同。 • 电阻是导体本身的一种固有属性。
在电子技术中，经常用到具有一 定阻值的元件——电阻器，也叫做定值电阻，简称电阻。
各种电阻
3.在电子技术中，经常用到具有一定 阻值的元件——电阻器，也叫做定值 电阻，简称电阻 定值电阻在电路图中的符号是：
S
X
R =15 Ω
常见电阻值
人的双手间（干燥） 1000—5000Ω
人的双手间（潮湿） 200—800Ω
照明灯泡（工作时） 100—2000Ω
实验用小灯泡
5—50Ω
实验用导线（每根） 0.01—0.1Ω
一、电阻 导体对电流的阻碍作用
(R )
• 导体虽然能导电，但同时对电流也有阻碍 作用，物理学中常用“电阻”这个物理量 来表示导体对电流的阻碍作用大小．
• 电阻越大，表示对电流的阻碍作用越大。 • 不同导体电阻一般不同。 • 电阻是导体本身的一种固有属性。
归纳
1、电阻是导体本身的一种性质． 2、导体电阻的大小与导 体 材料 、长度 、横截面积 、 温度 有关。与导体 两端的 电压 无关，与通过导体的 电流 大小无关 .
电路基础第6讲电阻电路分析——2b法和支路法
一个连通图的树，具备三要素：
⑴树为连通图； ⑵包含原图的所有结点； ⑶树本身不构成回路。
图2.1 - 6中画出了图G（图(a)所示）的几种树（如图(b)）。可见， 同一个图有许多种树。图G中， 组成树的支路称为树支， 不属于树 的支路称为连支。树支数=节点数–1，连支数=支路数–树支数。
2、割集的定义： 把连通图G分割成两个连通子图所需 移去的最少支路集。
+
u1
_
③ i5
+
iR5 R5 u5
④
_
②列n-1个KCL方程
结点① ? i1 ? i2 ? i6 ? 0 结点② ? i2 ? i3 ? i4 ? 0 结点③ ? i4 ? i5 ? i6 ? 0
③按KVL，以支路电流为变量依照VAR列b-(n-1)个回路方程：
? ?Rkik ?? ? usk
回路1： R1i1 ? R2i2 ? R3i3 ? us1 回路2：? R3i3 ? R4i4 ? R5i5 ? ? R5is5 回路3： ? R2i2 ? R4i4 ? R6i6 ? 0 ④联立求解：
令流出为正把两个小回路组合起来构成了另一个回路时这两个小回路的公有支路不论方向如何均在对应的kvl方程中会抵消而不出现在较大回路所对应的kvl方程中所以三个回路彼此并不是独立的
第6讲 电阻电路分析——2b法和支路法
基本概念 一、拓扑图： 很多个节点（点）、支路（线段）的集合。
1. 图 G ： 是 结 点 n 和 支 路 b 的 集 合 ， 每 条 支 路 的 两 端 都 联到相应的节点上，结点和支路各自成一个整体 , 任一条支路必须终止在结点，但允许独立的节点。
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电阻版图
Copyright by Huang Weiwei
Dummy
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Huang Weiwei
电阻版图
Nwell电阻
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Huang Weiwei
电阻版图
Nwell电阻
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
R (T ) = R (T0 )[1 + 10 TC (T − T0 )]
TCR ppm 电阻的温度系数TCR TCR一般用ppm/℃（表示每℃偏差百万分之一） ppm/
电阻版图
Poly电阻
M1 绝缘层 Poly 场氧
P-sub
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Huang Weiwei
电阻版图
N+电阻
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Huang Weiwei
电阻版图
N+电阻
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
狗骨电阻和折叠电阻可以看出大的端头会降低布局密度
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Huang Weiwei
本章主要内容
6.1
电阻率和方块电阻
6.2
电阻版图
6.3
电阻变化
6.4
电阻寄生效应
6.5
不同类型电阻比较
6.6
微调电阻
6.7
电阻匹配
Copyright by Huang Weiwei
阱电阻
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Huang Weiwei
电子元件详解之电阻图文并茂
电子元件详解之电阻图文并茂漫谈电阻在常温之下不管是液态或者固态的物体，皆有一定的阻抗存在，这个阻抗便可称之电阻。
电阻的大小与材料的结构、纯度与温度有很大的关系，良导体能通过的电流大因此电阻小，绝缘体能通过的电流小故电阻大，当温度变化时阻抗的增加或者减少，将视材料而是完全不一致的。
电阻的分类：电阻器的分类有很多种，假如依工作特性、结构、用途、功率消耗与误差百分比约着眼，可分为固定电阻器、可变电阻器、半可变电阻器与特殊用途电阻器等四种。
不管是何种电阻器，皆是以导电材质制成的电子组件，运用最广的有固定与可调两种。
常见的“固定电阻器”经组合包装后，其两端露出金属端子，以便焊接于线路板上，其主体上并以色环标示电阻值与误差值。
“可变电阻器”则是于固定电阻器上加上一个可变动的部分，以调整其电阻值。
可变电阻的阻抗标示方式不一致于固定电阻，是以数值直接标示书写于电阻器上，像我们使用的音量旋钮便通常是可变电阻器。
“半可变电阻”事实上也能够视为可变电阻，二者要紧的差别，在于可变电阻需经常调整其电阻值，因此制成可转动的旋钮型态﹔半可调电阻因不需经常改变其电阻值，或者经调整后即不需改变，因此是以转轴带动滑片以调整电阻值，其转轴很短甚至无转轴，经常需要用起子才能转动。
“特殊电阻”这一类的阻抗数值可受外界温度、光线、磁场、湿度、电压、电场、机械压力等因素影响而改变，比如市面上销售的室内小夜灯，就有一种是以光线的强弱来开启灯泡，这种夜灯便是运用光敏电阻，来操纵灯泡的开关。
依材料结构，固定电阻可分为：1、贴片电阻2、光敏电阻3、湿敏电阻4、金属膜电阻5、功率电阻6、水泥电阻7、网络电阻8、热敏电阻9、气敏电阻10、合成膜电阻11、熔断电阻12、排阻13、压敏电阻14、碳膜电阻15、金属氧化膜电阻16、玻璃釉电阻17、饶线电阻依材料结构，电位器可分为：1、玻璃釉电位器2、绕线电位器3、片式电位器4、釉膜电位器5、合成碳膜电位器6、金属膜电位器金属类电阻金属类电阻共分线绕电阻与金属薄膜电阻二种，其中线绕电阻是以很细的金属导线绕在圆形或者扁形的绝缘体上，绝缘体通常为白瓷管，再以合成树脂、珐琅等材料将绝缘体密封。
初中物理--电阻--ppt flash图文-课件
横截面积
越小 电阻越大
归纳
1、对于大多数导体，温度越高，电阻越大
（某些特殊导体，温度升高，电阻减小，如：热敏电阻）
2、金属导体：温度升高，电阻变大，
温度降低，电阻变小。
3、超导现象: 当温度降低到一定程度时，某些材料电阻为0。
二、电阻：
1.概念：
在物理学中用“电阻”这 个物理量来表示导体对电 流阻碍作用的大小。
导体对电流阻碍作用的大小叫做电阻
电阻的符号：R
二、电阻的单位
• 国际单位制中电阻单位是“欧姆”、简称“欧” 符号是“Ω”. • 还有千欧（ Κ Ω ）、兆欧（ Μ Ω ）. • 1ΚΩ＝1000 Ω • 1ΜΩ＝1000 ΚΩ
6 10 1ΜΩ＝ Ω
你想了解欧姆吗
一、电阻
(R )
导体对电流的阻碍作用
2、两条粗细相同，电阻相等的铜导 线和镍铬合金线的长度是（ A ） A.铜导线长些 B.镍铬合金长些
C.一样长
D.无法确定
的电阻为 10Ω 拉成长度是原来的2倍。 它的电阻为多少? 40Ω 压成长度是原来的0.5倍。 它的电阻为多少? 2.5Ω
在做“研究电阻大小的因素”的实验时，为了便于研究，采用控制变量 的方法，每次需挑选两根合适的导线，测出通过它们的电流，然后进行 比较，最后得出结论。 （1）为了研究电阻与导体材料的关系，应选用的两根导线是 C F ； （2）为了研究电阻与导体长度的关系，应选用导线C和导线 C G ； （3）为了研究电阻与 横截面积 的关系，应选用导线A和导线D
9．把长10米、电阻为10欧的铜导线平分两 等份后，合成一根长5米的铜导线，合并后的 铜导线电阻为 ( D ) A．10欧 B．20欧 C．40欧 D．2.5欧
集成电路版图设计项目教程 项目5 电容电阻电感版图
2022/3/19
项目5 电阻、电容和电感版图
任务5.1 电阻版图认知
2022/3/19
项目5 电阻、电容和电感版图
一
电阻版图认知ຫໍສະໝຸດ 二电容版图认知三
电感版图认知
2022/3/19
项目5 电阻、电容和电感版图
2022/3/19
项目5 电阻、电容和电感版图
任务5.2 电容版图认知
（2）电容版图的类型
4 ） MOM电容 MOM电容（Metal-Oxide-Metal）：插指（finger） 电容，利用同一层金属布线边沿之间的电容并联 多个。为了省面积，可以相邻层金属布线叠加。 一般只在多层金属的先进工艺上使用，因为是通 过多层布线的版图来实现的，匹配最好，MOM电 容设计自由度比较高，不需要额外光刻，只需要 金属布线这一层。由于是同一层金属布线，因此 电容极板处于同一平面，极板接法可以互换。 MOM电容如图所示。
2022/3/19
项目5 电阻、电容和电感版图
一
电阻版图认知
二
电容版图认知
三
电感版图认知
2022/3/19
项目5 电阻、电容和电感版图
任务5.3 电感版图认知
CMOS工艺中，目前使用最为广泛的一种集成电感是片
上螺旋电感，在芯片上以平面电感实现。
平面电感分别为圆形、八边形、方形等结构，由于受到 M 工艺设计规则限制，拐角的角度不能任意，因此，圆形
平面电感很难绘制，所以正方形结构目前应用比较广泛。
片上螺旋电感的电感值主要由圈数、金属线宽度、金属
线间距、内外直径等横向尺寸参数确定，而其寄生电容
新手学版图--几种电阻的画法
新手学版图--几种电阻的画法刚好Module 部门要画test key 测试新制程对器件的影响，其中就有一部分是画不同类型的电阻。
这些电阻有：poly电阻，nwell电阻，pplus电阻，nplus电阻。
上图即为这几种电阻的画法，除poly 电阻外，其他三种电阻的画法是值得推敲的。
电阻三端分别定义为force ,sense 和sub。
我们来分析这三种电阻。
nwell 电阻：问题1：为什么force ,sense 端要加thin oxide 和nplus?问题2：为什么要用nplus 而不用pplus？Pplus 电阻：问题1：为什么要画在nwell 中？问题2：为什么sub 要接高电位？问题3：为什么电阻中间要用thin oxide 连接？Nplus 电阻：问题1：可不可以画在nwell 中？其实以上问题的重点1是要理解thin oxide 的作用，以及nwell , p+/N+ plus 在制造过程中所处的步骤。
thin oxide 可以理解为去除FOX。
nwell 在制造的前端就形成了，FOX不会对此造成影响。
而P+/N+ plus 会受FOX的影响，如果FOX阻挡的话，wafer 上就不会形成相应的P型或N型。
重点2即是否会出现不正确的导通。
回答完这些问题之后，我们可以联想到加guard ring时的一些情况。
就p-sub /nwell CMOS 版图而言，少数载流子guard ring 为nwell + nplus + thin oxide +VDD, 多数载流子guard ring 为pplus + thin oxide + VSS。
讨论当两种guard ring thin oxide 不连续时的不同影响。
显然在thin oxide 断开的地方FOX 阻挡了n+/p+的形成，对于nwell guard ring在断开的地方形成nwell 电阻，但对于以p型为衬底的地方而言这里就完全断开了。
九上16。3电阻
在长度、横截面积相同的情况下，导体 的电阻跟材料有关。
思考:
你家的输电线用 什么材料制成？
知识整合： 为什么不用铁丝？ 读表：
长1米，横截面积1毫米2的几种材料在20℃时的电阻
反馈练习
1、 0.2MΩ=_2_×__1_0_5_Ω=__2_0_0__KΩ 2、两条粗细相同，长度相等的铜导 线和镍铬合金线的电阻是（ A ）
相 同（1米） 相 同（0.5mm2）
实验3：
导体的电阻跟材料的关系
导线 材料 长度 截面积 电流 电阻
AB
铁丝
CD
镍铬
相 同(1米)
相 同(0.5mm2)
大
小
小
大
实验结论: 粗细﹑长度相同的导体, 电阻与材 料有关.
实验结论
在材料、横截面积相同的情况下，导体 的电阻跟长度有关，长度越长，电阻越 大。
0.5mm2
电流
电阻
实验2：
导体的电阻跟横截面积的关系
导线 材料 长度 截面积 电流 电阻
AB
CD
相 同（镍铬合金）
相 同（1米）
1mm2
0.5mm2
大
小
小
大
实验结论: 材料﹑长度相同的导体, 横截面积越大,电 阻越小.
探究电阻的大小与材料的关系
导线 材料 长度 截面积 电流 电阻
AB 铁丝
CD 镍铬
在本研究中应该控制导体的_材__料___和_横__截__面__积 不变,再研究当导体的长度发生变化时,导体电阻的 变化情况.
导线 材料 长度（m） 横截面积(mm2) 电流 电阻
1
电阻类别(带实物图)
电阻类别（带实物图）一、基础知识电阻器是电路元件中应用最广泛的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。
它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还作为分流器分压器和负载使用。
1．分类在电子电路中常用的电阻器有固定式电阻器和电位器，按制作材料和工艺不同，固定式电阻器可分为：膜式电阻（碳膜RT、金属膜RJ、合成膜RH和氧化膜RY）、实芯电阻（有机RS和无机RN）、金属线绕电阻（RX）、特殊电阻（MG型光敏电阻、MF型热敏电阻）四种。
表1 几种常用电阻的结构和特点2．主要性能指标额定功率：在规定的环境温度和湿度下，假定周围空气不流通，在长期连续负载而不损坏或基本不改变性能的情况下，电阻器上允许消耗的最大功率。
为保证安全使用，一般选其额定功率比它在电路中消耗的功率高1-2倍。
额定功率分19个等级，常用的有0.05W、0.125W、0.25 W、0.5 W、1 W、2 W、3 W、5 W、7 W、10 W，在电路图中非线绕电阻器额定功率的符号表示如下图：电阻器阻值标示方法1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号文字符号 D F G J K M允许偏差±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。
数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。
偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。
国外电阻大部分采用色标法。
第4章_电阻版图设计
本章主要内容
6.1
电阻率和方块电阻
6.2
电阻版图
6.3
电阻变化
6.4
不同类型电阻比较
6.5
微调电阻
6.6
电阻匹配
不同类型电阻比较
Poly电阻
Poly电阻是集成电路设计中常用的一种电阻，它是由用制作 MOSFET的Poly层来制作的电阻。 Poly电阻一般有以下几种： 1.掺杂硅化的Poly电阻 2.掺杂非硅化的Poly电阻 多晶硅栅 多晶硅电阻
多晶硅电阻是最常用的电阻类型。
不同类型电阻比较
阱电阻
阱电阻即用阱来做电阻主体，在P 衬底工艺下阱电阻一般使用NWell来实 现，有时候工艺线没有提供高阻值薄层 多晶电阻，此时高阻值的电阻可以用长 条型的N阱来制作，电阻的两端使用N+ 进行连接。 阱电阻的方块电阻值比较大，通 常都在几百欧姆以上。但是方块电阻不 R 仅受工艺影响，也受电阻宽度的影响。 ( / )
熔丝微调
电压微调
电流微调
微调电阻（Trimming）
除了熔丝微调外，还可以使用齐纳管、EPROM、
激光矫正等方法进行微调，但电阻网络的布局是类 似的。
本章主要内容
6.1
电阻率和方块电阻
6.2
电阻版图
6.3
电阻变化
6.4
不同类型电阻比较
6.5
微调电阻
6.6
电阻匹配
使用Dummy 器件解决上面 两类问题
集成电路版图基础
第 4章 电阻版图设计
本章主要内容
6.1
电阻率和方块电阻
6.2
电阻版图
6.3
电阻变化
6.4
不同类型电阻比较
6.5
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新手学版图--几种电阻的画法
刚好Module部门要画testkey测试新制程对器件的影响，其中就有一部分是画不同类型的电阻。
这些电阻有：poly电阻，nwell电阻，pplus电阻，nplus 电阻。
上图即为这几种电阻的画法，除poly电阻外，其他三种电阻的画法是值得推敲的。
电阻三端分别定义为force,sense和sub。
我们来分析这三种电阻。
nwell电阻：
问题1：为什么force,sense端要加thinoxide和nplus?
问题2：为什么要用nplus而不用pplus？
Pplus电阻：
问题1：为什么要画在nwell中？
问题2：为什么sub要接高电位？
问题3：为什么电阻中间要用thinoxide连接？
Nplus电阻：
问题1：可不可以画在nwell中？
其实以上问题的重点1是要理解thinoxide的作用，以及nwell,p+/N+plus在制造过程中所处的步骤。
thinoxide可以理解为去除FOX。
nwell在制造的前端就形成了，FOX不会对此造成影响。
而P+/N+plus会受FOX的影响，如果FOX阻挡的话，wafer上就不会形成相应的P型或N型。
重点2即是否会出现不正确的导通。
回答完这些问题之后，我们可以联想到加guardring时的一些情况。
就p-sub/nwellCMOS版图而言，少数载流子guardring为nwell+nplus+thinoxide+VDD,多数载流子guardring为pplus+thinoxide+VSS。
讨论当两种guardringthinoxide不连续时的不同影响。
显然在thinoxide断开的地方FOX阻挡了n+/p+的形成，对于nwellguardring 在断开的地方形成nwell电阻，但对于以p型为衬底的地方而言这里就完全断开了。
由此可见，在加guardring的时候应保持thinoxide连续性。