8550SS塑封三极管管脚俯视图
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解(一) 系列三极管S9011、9012、9013、9014、9015、9018、8050、8550系列三极管是小功率三极管。
大部分是NpN型管，只有9012、9015丶8550是PNP型三极管。
这里值得注意的是: 一般地，在三极管前面如果加ss，那么这个三极管是原装进口的; 而只帶一个s，那么应是国产的。
例如: ss8050是进口的，而s8050是国产的。
(二)系列三极管如图①，图②，图③，图④，图⑤图① s9013系列三极管图② s8050、8550三极管图③ s9013系列三极管引脚图④ NPN、PNP三极管符号图⑤ 单管驱动继电器(二) 系列三极管技术参数:9011NpN低噪放大，50Ⅴ0.3A.0.4w;9012pNp低噪放大，50v0.5A.0.625w;9013NpN低频放大，50v0.5A.0.625w;9014NpN低噪放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9015pNp低躁放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9018NpN高频放大，30v.0.05A.0.4w;8050NpN高频放大，40v.1.5A.1w;8550pNp高频放大，40v1.5A.1w。
(三) 它们的主要作用.用途:以上系列三极管，是半导体基本元器件之一，具有开关和电流放大作用;它们作为音频放大和收音机推挽1w输出及电子玩具、灯具放大和开关等电路。
(四) 三极管应用电路2例:图① NpN、PNP单管驱动发光管图② P NP、NpN三管推挽电路以上s9011一9018，s8050、8550系列三极管是目前市场上和产品上常用和使用最多的元器件，广泛应用于各种小功率电路产品中，很受欢迎。
三极管 SS8550
COLLECTOR POWER DISSIPATION Pc (mW)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
VOLTAGE V
(mV)
CEsat
DC CURRENT GAIN h FE
SS8550
h FE
——
I
C
500
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10 -0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
V =-1V CE -1000
-100
Ta=100℃ Ta=25℃
-10
-1 0.2
100
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C /C ob ib
——
V /V CB EB
-900 -1000
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
fT
——
I
C
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
100
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
VCE-10V
Ta=25 oC
10
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C ib
β=10
-1000
f=1MHz
I =0/ I =0
E
C
Ta=25 oC
C ob
1 -0.2
三极管8550
三极管8550三极管8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。
PNP型种类及参数1.PNP型三极管8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管。
8550三极管（TO-92封装）管脚图1、发射极2、基极3、集电极2种类及参数集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃to +150℃和8050（NPN）相对主要用途：开关应用、射频放大8550三级管参数：类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHzPE8550 硅NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8550 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8550 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8550 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8550 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC、ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400。
8550三级管引脚参数
8550三级管引脚参数
【原创实用版】
目录
1.8550 三极管简介
2.8550 三极管引脚功能及参数
3.8550 三极管的主要用途
4.8550 与其他三极管的比较
5.8550 三极管的封装形式
正文
一、8550 三极管简介
8550 是一种低电压、大电流、小信号的 pnp 型硅三极管。
它是一种非常常见的三极管，广泛应用于各种电子设备中，如开关应用、射频放大等。
二、8550 三极管引脚功能及参数
8550 三极管有三个引脚，分别是：
1.发射极（Emitter，E）：发射极是电子和空穴发射出来的地方，用于放大电路中的信号输出。
2.基极（Base，B）：基极是用于控制三极管导通或截止的极，通过改变基极的电流，可以控制三极管的电流放大倍数。
3.集电极（Collector，C）：集电极是收集电子和空穴的地方，用于放大电路中的信号输入。
8550 三极管的主要参数有：
1.集电极 - 基极电压（vcbo）：-40V
2.工作温度：-55℃ to 150℃
三、8550 三极管的主要用途
8550 三极管主要用于开关应用、射频放大等电子电路中，具有较高的电压放大倍数和较低的噪声。
四、8550 与其他三极管的比较
8550 三极管与 8050（npn 型）三极管相对应，它们的主要区别在于结构和参数。
8550 是 pnp 型三极管，而 8050 是 npn 型三极管。
在电路应用中，它们具有各自的优势和特点。
五、8550 三极管的封装形式
8550 三极管有多种封装形式，常见的有 SOT-23 封装、TO-92 封装等。
三极管8050和8550对管的参数
三极管8050和8550对管的参数图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
S8550数据手册_引脚图_参数
500 100
10 -1
-500
h —— FE
I
C
Ta=100ć Ta=25ć
COMMON EMITTER V =-1V
CE
-10
-100
-500
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I C
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
6\PERO
A A1 b c D D1 E e e1 L ĭ h
'LPHQVLRQV ,Q 0LOOLPHWHUV
0LQ
0D[
3.300
3.700
1.100
1.400
0.380
0.550
0.360
0.510
4.
4.700
3.430
4.300
4.700
1.270 TYP
2.440
2.640
14.100
CE
T =25ć a
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
P —— T
C
a
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (ć) a
),$XJ 201
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
CAPACITANCE C (pF)
72 3DFNDJH 2XWOLQH 'LPHQVLRQV
0.015
72 6XJJHVWHG 3DG /D\RXW
)$XJ
72 7DSHDQG5HHO
8550三级管引脚参数
8550三级管引脚参数摘要：I.8550 三级管简介A.三极管的基本概念B.8550 三级管的特点和应用II.8550 三级管的引脚参数A.引脚概述B.各个引脚的参数和功能III.8550 三级管的工作原理A.三极管的工作原理B.8550 三级管的放大作用IV.8550 三级管的应用领域A.电子设备中的应用B.通信领域的应用C.汽车电子领域的应用V.8550 三级管的选购和替换A.选购时的注意事项B.替换时的注意事项正文：8550 三级管是一种广泛应用于电子设备、通信和汽车电子领域的半导体器件。
作为一款三级管，它具有很多优点，例如低电压、大电流和小信号等。
在深入了解8550 三级管之前，我们先来了解一下三极管的基本概念。
三极管，又称为晶体管，是一种用于放大和开关电信号的半导体器件。
它具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极。
通过改变基极的电流，可以控制集电极的电流，从而实现信号的放大和开关功能。
8550 三级管具有以下特点：1.低电压：8550 三级管可以在较低的电压下工作，这使得它在低电压应用中具有优势。
2.大电流：8550 三级管具有较高的电流放大能力，可以在需要大电流的场合使用。
3.小信号：8550 三级管具有较小的信号失真，适用于需要高质量信号的应用。
8550 三级管广泛应用于开关电源、放大器、振荡器、信号处理器和其他电子设备中。
在通信领域，它可用于放大和开关信号；在汽车电子领域，它可用于控制汽车的各种电子设备，如灯光、音响等。
8550 三级管的引脚参数包括：1.发射极（Emitter，E）：发射极是电子和空穴发射出来的地方，通常连接到电路的地。
2.基极（Base，B）：基极是用于控制发射极和集电极之间电流的地方，通过改变基极的电流，可以控制集电极的电流。
3.集电极（Collector，C）：集电极是收集电子或空穴的地方，通常连接到电路的正极。
8550 三级管的工作原理是基于电子和空穴的移动。
SS8550三极管规格书：三极管SS8550参数与封装尺寸
DC current gain
hFE(1) hFE(2)
VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-800mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-10mA
Transition frequency
fT
VCE=-10V,IC=-50mA , f=30MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
V(BR)EBO IE=-100µA, IC=0
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-40V, IE=0
Collector cut-off current
ICEO
VCE=-20V, IB=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
Parameter
Symbol
Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=-100µA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
几种常见8050的区别
几种常见8050的区别8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
FOSAN富信电子 三极管 SS8550-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点PNP Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-40VCollector-Emitter Voltage集电极发射极电V CEO-25V压Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标SS8550=Y2ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =-100uA ，I E =0)BV CBO -40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =-100uA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =-40V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =-20V ，V BE =0)I CES ——-100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-100mA)H FE （1）120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-1500mA)H FE （2）40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V CE(sat)——-0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V BE(sat)——-1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =-10V ，I C =-50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =-10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—18—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
三极管引脚图与管脚识别
9011,9012,9013,9014,9015,9016,9017,9018,8050,8550三极管引脚图与管脚识别(含贴片)s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册首页可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×1 00或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。
8550三极管 原理
8550三极管原理详解引言三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
本文将详细解释8550三极管的原理，包括其结构、工作原理以及应用。
一、8550三极管概述8550三极管是一种PNP型晶体管，具有三个区域：发射区（E），基区（B）和集电区（C）。
它是由掺杂不同类型的半导体材料构成的。
图1：8550三极管结构示意图二、基本原理1. PN结PN结是指由N型半导体和P型半导体组成的结。
P型半导体中带正电荷的空穴（正载流子），N型半导体中带负电荷的自由电子（负载流子）。
当两者结合时，空穴会向N区移动，自由电子会向P区移动，形成一个耗尽层。
在耗尽层中，正负载流子重新组合并产生一个静电势阻止进一步扩散。
2. 器件工作原理8550三极管具有两个PN结：发射结和集电结。
当PNP三极管的基极电压为正时，基区与发射区之间的耗尽层被击穿，电流可以从发射区注入到基区。
这个过程称为正向活化。
当基极电压为负时，耗尽层阻止了电流的流动，这个过程称为反向截止。
在正常工作状态下，8550三极管处于放大模式。
当输入信号施加于基极时，就会改变PNP三极管的工作状态。
如果输入信号足够大，它将导致PNP三极管的饱和。
3. 工作特性•饱和区：当PNP三极管处于饱和状态时，集电结被正向偏置，并且发射结也被正向偏置。
此时，8550三极管可以承受较大的集电电流，并且其饱和压降很小。
•截止区：当PNP三极管处于截止状态时，集电结被反向偏置，并且发射结也被反向偏置。
此时，8550三极管无法通过任何集电电流。
三、8550三极管的应用8550三极管在电子电路中有多种应用，下面列举几个常见的应用场景：1. 放大器8550三极管可以作为放大器的关键组件。
当输入信号施加于基极时，输出信号可以通过集电极获得放大。
这种放大器称为共射放大器。
2. 开关8550三极管也可以作为开关使用。
当基极电压足够高时，PNP三极管处于饱和状态，此时可通过集电区传递较大的电流。
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解
s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解(一) 系列三极管S9011、9012、9013、9014、9015、9018、8050、8550系列三极管是小功率三极管。
大部分是NpN型管，只有9012、9015丶8550是PNP型三极管。
这里值得注意的是: 一般地，在三极管前面如果加ss，那么这个三极管是原装进口的; 而只帶一个s，那么应是国产的。
例如: ss8050是进口的，而s8050是国产的。
(二)系列三极管如图①，图②，图③，图④，图⑤图① s9013系列三极管图② s8050、8550三极管图③ s9013系列三极管引脚图④ NPN、PNP三极管符号图⑤ 单管驱动继电器(二) 系列三极管技术参数:9011NpN低噪放大，50Ⅴ0.3A.0.4w;9012pNp低噪放大，50v0.5A.0.625w;9013NpN低频放大，50v0.5A.0.625w;9014NpN低噪放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9015pNp低躁放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9018NpN高频放大，30v.0.05A.0.4w;8050NpN高频放大，40v.1.5A.1w;8550pNp高频放大，40v1.5A.1w。
(三) 它们的主要作用.用途:以上系列三极管，是半导体基本元器件之一，具有开关和电流放大作用;它们作为音频放大和收音机推挽1w输出及电子玩具、灯具放大和开关等电路。
(四) 三极管应用电路2例:图① NpN、PNP单管驱动发光管图② P NP、NpN三管推挽电路以上s9011一9018，s8050、8550系列三极管是目前市场上和产品上常用和使用最多的元器件，广泛应用于各种小功率电路产品中，很受欢迎。