模拟电子技术基本概念复习题与答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。
7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术基础试题(附答案)
(120)1.纯净的半导体叫()。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。
A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。
A.扩散B.漂移C.小D.大3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。
A.双极B.空穴C.单极D.自由电子4.负反馈放大电路的含义是()。
A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路之外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。
A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.低通D.有源11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。
A.比较B.滤波C.调整(210)1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。
()3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
()4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
()5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术复习试题和答案
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。
A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。
C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。
D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ,输入电阻最小的电路是 ② ,输出电阻最小的电路是 ③ ,频带最宽的电路是 ② ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 ① ;只能放大电流,不能放大电压的电路是 ③ ;只能放大电压,不能放大电流的电路是 ② 。
2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B -E 间动态电阻为r be 。
填空:(1)静态时,I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ,I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=; ,U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=(2)电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ,输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ,输出电阻的表达式为 C R R =0;(3)若减小R B ,则I CQ 将 A ,r bc 将 C ,uA 将 C ,R i 将 C ,R o 将B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数A = 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻u为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。
(2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。
(4)×。
.(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
,【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术基本概念题--填空题及答案
填空题二极管:1. 在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。
(电场,浓度差)2. 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
(单向导电性,IF ,UR )3. 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V ;硅二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V 。
(0.1, 0.3, 0。
5, 0。
7)4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。
(减小)5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。
(反向击穿区)晶体管及放大电路基础:6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。
它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。
(NPN ,PNP ;硅,锗;电子,空穴)7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 (P 区和N 区的位置不同)8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。
-般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。
(集电极)10. 已知晶体管β=99,IE=1mA ,ICBO=0,则IB= ,IC= 。
(0。
01mA ,99mA)11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。
(共射,共集,共基)12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。
(降低,增大,增大)13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。
硅管的死区电压约为 ,锗管约为 ;晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大,硅管的UBE 约为 .锗管的UBE 约为 。
(0.5 0。
1 0.7 0。
2)14. 从晶体管的输出特性可知,当基极电流增大,集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。
(减小)15. 温度升高时,晶体管的共射极输入特性曲线将 ,输出特性曲线将 。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(九)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.在模拟电子电路测试中,常用()信号作为标准信号使用。
2.N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是(),PN结具有()特性。
3.三极管是()控制元件。
4.场效应管是一种利用()效应来控制电流大小的半导体器件。
根据结构不同,场效应管分为两大类:结型场效应管和()场效应管。
5.差分放大电路能够抑制()信号,放大()信号。
6.为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用()负反馈,为了减小输出电阻采用()负反馈。
7.为了抑制混入输入信号中的工频干扰信号,在电子系统中常选用()滤波电路来滤除;而()滤波电路能够有效抑制高频干扰信号。
8.在小功率直流稳压电源中,多采用()式稳压电路;大功率稳压电源一般采用()稳压电路。
二、选择题1.图1所示为MOSFET转移特性曲线,该场效应管属于()。
A.P沟道增强型B.N沟道耗尽型C.N沟道增强型D.P沟道耗尽型图1 图22.图2所示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通()。
A.导通B.截止C.不能判断3.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
A.(B、C、E)B.(C、B、E)C.(E、C、B)D.(NPN)E.(PNP)4.差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ()倍。
A.1B.2C.35.直流稳压电源中滤波电路的作用是( )。
A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉6.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是()。
A.都使输出电压大于输入电压;B.都使输出电流大于输入电流;C.都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
7.信号频率时,RC 串并联网络呈( )。
A.容性B.阻性C.感性8.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( )状态。
A .正偏B .反偏C .截止9.为了使放大器带负载能力强,一般引入( )负反馈。
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是,输入电阻最小的电路是,输出电阻最小的电路是,频带最宽的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是;只能放大电流,不能放大电压的电路是;只能放大电压,不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。
填空:(1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为(2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为(3)若减小R B,则I CQ将,r bc将,A 将,R i将,R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数A =;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则u放大电路的输入电阻R i=。
(2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 。
(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将增大或将减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路,其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用滤波电路,而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围,应采用稳压电路。
二、判断题(下列各题是否正确,对者打“√”错者打“×”)1、半导体中的空穴带正电。
模拟电子技术基本概念复习题及答案
模电基本概念复习题一、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系;√×2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P;×3、当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析;×4、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”;×5、在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和;√6、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同; √7、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电;×8、因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电;×9、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体;√10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;√11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的;×12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;×13、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;×14、共集电极电路没有电压和电流放大作用;√15、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用;√16、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;×17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;×18、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用;×19、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真;×20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻;×21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共射放大电路的输入电阻最小;×22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共基放大电路的输出电阻最小;×23、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号;√24、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响; ×25、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,是电流控制器件,沟道越宽电流越大;×26、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中,若V小于零,则i D=0;×GS27、若增强型N沟道MOS管的v GS大于开启电压V T,则输入电阻会明显变小;×28、N沟道JFET在正常工作时的v GS不能大于零;√29、耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用;√30、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即源极自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式;√31、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式;×32、增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流i D必为零;√33、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000;×34、集成运放内部第一级是差动放大电路,因此它有两个输入端; √35、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响;√36、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路;√37、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同;√38、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号;×39、对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模输入交流通路中,长尾电阻R e一概可视为短路;×40、用电流源代替R e后电路的差模电压放大倍数增加;×41、带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性范围内,不论是双端输出还是单端输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小无关;√42、集成运放的输入失调电压V IO是两输入端电位之差;×43、反馈量仅仅决定于输出量;√44、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压串联负反馈;√45、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变;×46、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压并联负反馈; ×47、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈;√48、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈;×49、共集放大电路A u<1,电路不可能有反馈;×50、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激;×51、负反馈能扩大放大电路的通频带,因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管;×52、负反馈可以抑制一切干扰;×53、在深度负反馈条件下,A f=1÷F与原来的A无关,所以可以任选管子;×54、在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大;×55、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以微变等效电路已不再适用;√56、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率;√57、输入信号越大,非线性失真也越大;交越失真属于非线性失真,因此,大信号时更为严重;×58、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真;√59、功率放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用;×60、只有两个晶体管的类型相同都为NPN管或都为PNP管时才能组成复合管;×61、复合管的类型取决于第一个管子的类型;√62、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积;√63、只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡;×64、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡;×65、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏,故在任何情况下放大器均不采用正反馈;×66、在电压比较器中,其输出只有两种状态;√67、在电压比较器中,集成运放一直处于非线性工作状态;×68、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈;√69、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高;×70、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使性能得到改善;×71、放大电路的级数越多,引入的反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定;×72、一个理想对称的差分放大电路,能放大差模输入信号,也能放大共模输入信号; ×73、负反馈放大电路不可能产生自激振荡;×74、正反馈放大电路有可能产生自激振荡; √75、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路,就一定能产生正弦波振荡;√76、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区;×77、对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就有可能自行起振;×78、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用带通有源滤波器; √79、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电;√80、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流;√81、滤波是将交流变为直流;×82、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半;√二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是 A ;A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零B.输入信号为零时,输出处于零电位C.频带宽度从零到无穷大D.开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是A;A.反相输入端为虚地;B.输入电阻大;C.电流并联负反馈;D.电压串联负反馈;3、欲将方波转换为三角波,应选用 D ;A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.求和运算电路D.积分运算电路4、当温度下降高时,二极管的反向饱和电流将;A.增大B.不变C.减少5、P型半导体主要靠 B 导电A.正电荷B.空穴C.自由电子D.负电荷6、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ;A.温度B.掺杂工艺的类型C.杂质浓度D.晶体中的缺陷7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A ;A.变窄B.基本不变C.变宽D.不定8、外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将A ;A.增大B.减小C.不变9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的A;A.大B.小C.相等10、对于稳压二极管,它正常工作时是处于B 状态;A.正向导通B.反向击穿C.截止D.随外加电压变化而变化11、 根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B =-6.3V ,V E =-7V ,V C =-4V ,可以判定此晶体管是 管,处于 ; DA . NPN 管,饱和区B . PNP 管, 放大区C . PNP 管,截止区D . NPN 管, 放大区12、 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA,那么它的β约为 C ;A .83B .91C .10013、 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW,I CM =20mA,U BRCEO =15V ,则下列 A 是正常工作状态;A .U CE =3V ,I C =10mAB .U CE =2V ,IC =40mAC .U CE =6V ,I C =20mAD .U CE =16V ,I C =30mA14、 测得放大电路中三极管的各极电位如图所示,则该三极管为 C ;A .NPN,硅管B .PNP,硅管C .NPN,锗管D .PNP,锗管15、 在同时比较三种基本放大电路的特点时,下列描述正确是 B ;A . 共射电路的R i 最大B . 共集电路的A V 最小C . 共基电路的A V 最小D . 共射电路的R o 最小16、 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为2KHz,20mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 A ;A .饱和失真B .截止失真C .频率失真D .交越失真17、 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz 、5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真;这种失真是 A ;A .饱和失真B .截止失真C .交越失真D .频率失真18、图2所示共射放大电路,设静态时I CQ =2mA,晶体管饱和管压降U CES =0.6V ,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现失真,其输出波形的 将削去一部分;A .饱和;底部B .饱和;顶部C .截止;底部D .截止;顶部 19、 在图2所示电路中,已知U T =26mV ,静态时I CQ =2mA,晶体管参数:β=100,200bb r '=Ω,i u +-c R L R 3k Ω2C +(12V)+CC V +1C 3k ΩbR O u +-正弦交流输入电压i 0.022sinu t=ω,则交流输出u o为A ;A.o 22sin()u tωπ=+B.o 22sin()u tω=C.o 42sin()u tωπ=+D.o 42sin()u tω=20、当一个NPN三极管工作于放大状态时,其三个电极的偏置电压满足关系式 C ;A.U B>U E ;U B>U C B.U B<U E ;U B<U CC.U C>U B>U E D.V C<U B<V E21、测得某三极管各极电流为I1=2.4 mA,I2=0.6mA,I3=-3 mA电流方向流入为正;则各电极分别是C;A.①-e,②-b,③-c B.①-b,②-c,③-eC.①-c,②-b,③-e D.其它情况22、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系,在线性放大条件下对同一个电路测了四组数据;其中错误的一组是 D ;A.I C =0.5mA,U i=10mV,U o =0.37V B.I C =1.0mA, U i =10mV,U o=0.62VC.I C=1.5mA, U i =10mV,U o =0.96V D.I C =2mA, U i =10mV,U o =0.45V23、某一工作在放大状态的电路,当输入电压为10mV时,输出电压为7V,输入电压为15mV时,输出电压为6.5V以上均为直流电压;它们的电压放大倍数为 C ;A.700 B.100 C.-100 D.43324、如图所示为放大电路及输出电压波形,若要使输出电压u0波形不失真,则应 B ;A.R C增大B.R B增大C.R B减小D.β增大25、共射电路中,若静态工作点设置过低,在输入信号增大时放大器会首先产生C ;A.交越失真B.饱和失真C.截止失真D.不能确定的失真26、带射极电阻R e的共射放大电路,在R e上并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将B;A.减小;B.增大;C.不变;D.变为零;27、放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kΩ 的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 C ;A.10kΩ B.2 kΩ C.1 kΩ D.0.5 kΩ28、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入C ;A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路29、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的B ;A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小30、对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是 A ;A.输出电压与输入电压相位相同B.输入电阻,输出电阻适中C.电压放大倍数大于1 D.电流放大倍数大于131、设图所示的的放大电路处于正常放大状态,各电容都足够大;则该电路的输入电阻为D;A.Ri=Re||rbe+Rb1+ Rb2B.Ri=Re||rbeC.Ri=Re||{rbe+Rb1+ Rb2 /1+β}D.Ri=Re||rbe/1+β32、由两只β值相同且远大于1的NPN管组成的复合管,其复合管的β值约为C ;A.β B.2β C.β2D.1+β33、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时,图所示的abcd接法中,___b____是正确的;34、对于单管共射放大电路,当f=f L时,v o滞后v i C ;A.90°B.45°C.135°D.180°35、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是B ;A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体极间电容和分布电容的存在C.半导体的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适36、下列对场效应管的描述中,不正确的是 C ;A.场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B.场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;C.场效应管工作时多子、少子均参与导电;D.场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器;37、V GS为正、负值都能够工作在恒流区的场效应管为 C ;A.结型管B.增强型MOSFET C.耗尽型MOSEFT管D.BJT38、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B ;A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区39、场效应管放大电路的输入电阻,主要由C 决定;A.管子类型B.g m C.偏置电路D.U GS40、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式或变压器耦合式多级放大电路相比,低频响应B ;A.差B.好C.差不多41、集成放大电路采用直接耦合的原因是C ;A .便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容 D .克服零点漂移42、图电路中,I=1mA,则I C3=A ;A.1mA;B.0.5mA;C.0.3mAK越大,表明电路 C ;43、共模抑制比CMRA.放大倍数越稳定;B.交流放大倍数越大;C.抑制温漂能力越强;D.输入信号中的差模成分越大;44、放大电路产生零点漂移的主要原因是 A ;A.环境温度变化引起参数变化B.增益太大C.采取了直接耦合方式D.外界干扰45、集成运放的互补输出级采用,输入级采用 B ;A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法46、集成运放中间级的作用是 C ;A.提高共模抑制比B.提高输入电阻C.提高放大倍数D.提供过载保护47、差动放大电路的主要特点是 A ;A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;48、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是 D ;A.增加一倍B.为双端输入时的一半C.不变D.不确定49、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是A ,而提高共模抑制比;A.抑制共模信号B.抑制差模信号C.放大共模信号D.既抑制共模信号又抑制差模信号50、双端输入,双端输出,差分式放大电路如图;已知:静态时,V C1=V C2=10V,v O=v C1-v C2=0,求:1设|Avd|=100,AVC=0,Vi1=10mV,Vi2=5mV. 则|V o|为 D ;A.125mV B.200mV C.250mV D.500mV2设Avd=-10,Vi1=0.1V,Vi2=-0.1V,则V C1为A,V C2为CA.9V B.10V C.11V D.12V3为提高电路的KCMR,Re可用B代替;A.大电容B.电流源C.电压源D.断开51、某差动放大电路如图,选择正确答案1静态时,要使V o= 0,应调整元件是AA.R w B.R c C.R e D.R b2差模放大时,开关S从1转至2,V o值变化是 CA.增大B.减小C.基本不变3共模放大时,开关S从2转至1,实测共模放大倍数|Avc|值的变化是BA .增大B .减小C .基本不变52、 为增大电压放大倍数,集成运放中间级多采用 A ;A .共射放大电路;B .共集放大电路;C .共基放大电路53、 欲将正弦电压移相+90°,应选用 C ;A .反相比例运算电路B .同相比例运算电路C .积分电路D .求和电路54、 多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是 B ;A .各级电路的参数很分散B .回路增益AF 大C .闭环增益大D .放大器的级数少55、 组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D ;A .电压放大倍数高B .输出电流小C .输出电阻增大D .带负载能力强56、 在串联负反馈电路中,信号源的内阻 B ,负反馈的效果越好;A .越大,B .越小,C .越恒定,D .越适当57、 某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选 A ;A .电流串联负反馈B .电压并联负反馈C .电流并联负反馈D .电压串联负反馈58、 在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ,则说明引入的是负反馈;A 电路稳定性变差B 输出量增大C 净输入量增大D 净输入量减小59、 负反馈所能抑制的干扰和噪声是 B ;A . 输入信号所包含的干扰和噪声; B. 反馈环内的干扰和噪声;C. 反馈环外的干扰和噪声;D. 输出信号中的干扰和噪声;60、 欲将电流信号转换成与之成比例的电压信号,应在放大电路中引入 B ;A . 电压串联负反馈B . 电压并联负反馈C . 电流串联负反馈D . 电流并联负反馈61、为了使放大器带负载能力强,一般引入 A 负反馈;A .电压B .电流C .串联62、某负反馈放大电路,其开环增益9.9mS iu A =,反馈系数10K ui F =Ω,开环输入电阻i 5.0K R '=Ω,可推算出其闭环输入电阻ifR '= A ;A.500KΩ;B.50KΩ;C.50Ω;D.5Ω63、功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是C ;A.都使输出电压大于输入电压B.都使输出电流大于输入电流C.都使输出功率大于信号源提供的输入功率;64、在OCL乙类互补对称功放中,若最大输出功率为1W,则电路中每管的最大管耗为C ;A.1W B.0.5W C.0.2W65、与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是 C ;A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.效率高D.无交越失真66、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足D 才能起振;A .A V = 1 B.A V= 3 C.A V<3 D.A V>367、信号频率f = f 0时,RC串并联网络呈 B ;A.容性B.阻性C.感性68、在桥式文氏桥RC正弦波振荡电路中, C ;A.φA=-1800,φF=+1800 B.φA=+1800,φF=+1800 C.φA=00,φF=0069、当我们只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用B滤波器;A.低通B.高通C.带阻D.带通70、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的 B 倍;A.1 B.2 C.1.5 D.0.571、桥式整流电路若变压器二次电压为2Vu tω=,则每个整流管所承受的最大反向电压为A;A.B.C.20V D;72、单相桥式整流、电容滤波电路中,已知变压器副边电路的有效值为U2=10V,R L C>4T/2T为电网电压的周期,测得输出电压平均值U OA V可能的数值为:A.14V B.12V C.9V D.4.5V1正常情况下U OA V≈B ;2电容虚焊时U OA V≈9 ;3负载开路时U OA V≈ A ;4一只整流管和电容同时开路时U OA V≈D ;73、单相桥式整流电路中,若有一只二极管接反,则 C ;A.输出电压约为2U D B.变为半波直流C.整流管将因电流过大而烧坏;三、填空题答案附后1、频率失真是由于放大电路的不够宽引起的,非线性失真是由于放大器件的特性引起的;2、工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是虚短, 虚断;理想集成运算放大器的放大倍数A v=,输入电阻r i=,输出电阻r o=;3、比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流;4、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_________;负反馈5、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是;6、本征半导体是,其载流子是和,两种载流子的浓度;7、当PN结外加正向电压时,P区接电源极,N区接电源极;8、当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流;9、PN结的P区接电源的正极,N区接负极称PN结为;10、二极管的正向电阻,反向电阻,故二极管最主要的特性是;11、硅二极管导通后,其管压降是基本不变的,典型值为伏;其门坎电压U th约为伏;12、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要;13、二极管最主要的特性是_ __,它的两个主要参数是反映正向特性的_和反映反向特性的_ ;14、三极管能起放大作用的内部条件是:发射区掺杂浓度,基区掺杂浓度比发射区掺杂浓度,基区宽度;15、BJT的输出特性上可划分为三个区分别、、;16、当温度升高时,双极型三管的β将,反向饱和电流I CEO ;17、当温度升高时,双极性三极管的正向结压降V BE ;18、BJT工作在放大区的外部条件是:;19、BJT工作在饱和区时二个PN结的偏置情况为:发射结,集电结;20、测得某电路中NPN管得VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判定它工作在_ _区;21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示;试判断各晶体管的类型是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管,并区分e、b、c三个电极;A管;B管;C管 ;22、放大电路中动态工作点在负载线上移动;23、双极型三极管是控制型控制器件;24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,试判断这些晶体管分别处于那种工作状态饱和、截止、放大、倒置或已损坏;A管;B管;C管 ;25、图a和b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型,用半导体材料___________和___________制成,电流放大系数β分别为___________和___________;26、在模拟电子电路测试中,常用信号作为标准信号使用;27、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,组态有电流放大作用, 组态有倒相作用;组态带负载能力强;28、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,放大电路的输入电阻最小,放大电路的输出电阻最小;29、对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电路的电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用组态;若希望高频性能好,应选用组态;30、 共发射极电路又可称为 ,共集电极电路又可称为 ,共基极电路又可称为 ;A 电压跟随器;B 反相电压放大器;C 电流跟随器31、某PNP 三极管构成的共射放大电路其输出波形出现顶部失真则为 失真,原因是Q 点 ,可以使I B 来消除;32、 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示,负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 V;33、多级放大电路中,后一级的 电阻是前一级的负载; 34、在多级放大器中,上一级的输出电阻可作为下一级的 ; 35、多级放大电路常用的耦合方式有 、 、 耦合; 36、当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时, 放大倍数的值为中频时的 倍; 37、 对于单极共射放大电路,当f =f L 时,v o 与v i 相位关系是 ,当f =f H 时,v o与v i 相位关系是 ;38、某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz; 39、 一个放大电路的对数幅频特性如图所示,由图可知中频放大倍数|A vm |=_______, f L 为_______,f H 为________,当信号频率为f L 或f H 时,实际的电压增益为 ________;40、 电路如图所示用a 增大,b 减小,c 不变或基本不变填空1若将电路中Ce 由100μF ,改为10μF,则|A vm |将_______,f L 将________,f H 将 ________ ,中频相移将 _________;2若将一个6800pF 的电容错焊到管子b,c 两极之间,则|A vm |将______,f L 将_______, f H 将________;3若换一个f T 较低的晶体管,则|A vm |将_______,f L 将_______,f H将_______;41、场效应管是一种利用效应来控制电流大小的半导体器件;42、场效应管是控制性器件,只依靠导电;43、场效应管的漏极特性上的三个区域分别为、、;44、图所示场效应管的转移特性曲线,由图可知,该管的类型是________沟道________MOSEET管;45、RC耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率f L将,放大电路通频带BW将;46、影响单级共射极放大电路的低频响应的主要因素是;47、集成运放内部电路中,偏置电路由电路构成;输入级由电路构成;48、共模抑制比K CMR = ,电路的K CMR越大,表明电路的能力越强;49、集成运放内部电路主要有由、、、、这几个部分组成;50、差模输入电压是指差分放大器的两个输入端输入的电压;51、在长尾式差动电路中,长尾R e的主要作用是;52、差动放大电路的基本功能是对差模输入信号的作用和对共模输入信号的作用;53、串联负反馈只在信号源内阻时,其反馈效果才显著;54、欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入的反馈类型为;55、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入的反馈类型为;56、在输入量不变的情况下,若引入反馈后输出量,则说明引入的反馈是负反馈;57、在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入________;若要稳定放大倍数,应引入________;希望展宽频带,可以引入________;如要改变输入或输出电阻,可以引入________;为了抑制温漂,可以引入________;a.直流负反馈,b.交流负反馈,c.直流负反馈和交流负反馈58、如希望减小放大电路从信号源索取的电流,则可引入________;如希望取得较强的反馈作用而信号源内阻很大,则宜引入________;如希望负载变化时输出电流稳定,则应引入________;如希望负载变化时输出电压稳定,则应引入________;a.电压负反馈,b.电流负反馈,c.串联负反馈,d.并联负反馈59、为了增大放大电路输出电阻,应在放大电路中引入反馈;60、电流负反馈的反馈信号与输出成比例;一反馈放大电路的开环增益为1000,反馈系数为0.099,则其闭环增益为;61、负反馈放大电路的自激条件是,其实质是放大电路在中频段的负反馈在高或低频段变成了;62、乙类互补推挽功率放大电路会产生失真;63、在OCL乙类互补对称功放电路中,静态工作点Q设置在输出特性的区;64、OCL乙类互补对称功放电路中每个晶体管的导通角是,该放大器的理想效率为,每个管子所承受的最大电压为;65、在一阶RC高通电路的相频特性中当f=f L时,相角Φ= ;66、正弦波振荡电路通常由放大电路, , 和四部分组成;67、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振;68、正弦波振荡器自激振荡的幅值平衡条件为、相位平衡条件为;69、为了抑制混入输入信号中的工频干扰信号,在电子系统中常选用滤波电路来滤除;而滤波电路能够有效抑制高频干扰信号;70、电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的输出状态发生跃变,滞回比较器的输出状态发生次跃变;71、小功率直流稳压电源由变压、_ _、_ __、四部分电路组成;。
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷试卷号:B140011校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________(请考生注意:本试卷共 页)一、选择正确答案填入空内,只需填入A 、B 、C 、D (本大题分6小题, 每小题9分, 共54分)1、填空:晶体管的各类反向击穿电压和反向漏电流的定义如图所示。
对于同一个晶体管来说,在四种漏电流中________________最小,________________最大;在四种击穿电压中________________最小,________________最大。
e 开路bCBOU R2、场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图所示,说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路,用a 、b 、c 、d 填空。
1.结型场效应管可以采用图示电路中的 ____; 2.增强型MOS 场效应管可以采用图示中的_____;3.耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的_____。
(a )( b )( c )( d )3、从括号中选择正确答案,用A 、B 、C 、D 填空。
已知图示电路中场效应管的m g =3mS 。
该放大电路的中频电压放大倍数mu A 为_____(A .10, B .20, C .30);下限截止频率L f 约为 ____Hz (A .10 , B .50, C .100);当输入信号频率f =L f 时,输出电压与输入电压相位差为 ____。
(A .45°,B .-45°,C .-135°,D .-225°)。
V u 4、R e 的阻值减小时,试就下列问题选择正确答案填空(答案:A .增大,B .减小,C .不变或基本不变)。
1.差模电压放大倍数I2I1Od u u u A u -=__;2.差模输入电阻R id __;3.共模电压放大倍数()I2I1Oc 21u u u A u +=__;4.共模输入电阻R ic __。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合(半导体基础知识、单管共射放大电路)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(六)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电路的电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用组态;若希望高频性能好,应选用组态。
2.一个放大电路,空载输出电压为6V,负载电阻为4Ω时输出电压为4V,则其输出电阻为。
3.集成运算放大器是多级放大电路,其第一级通常采用,因为这种电路能有效抑制现象。
4.一个放大电路,为稳定输出电流和减小输入电阻,应引入负反馈。
5.乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。
二、选择题1.()藕合放大电路具有良好的低频特性。
A、阻容B、直接C、变压器2.某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。
A、P 沟道增强型MOS 管B、P 沟道耗尽型MOS 管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管图1 图23.在如图2所示电路中,电阻R E的主要作用是()。
A、提高放大倍数B、稳定直流静态工作点C、稳定交流输出D、提高输入电阻4.在串联负反馈电路中,信号源的内阻(),负反馈的效果越好。
A、越大,B、越小,C、越恒定,D、越适当5.用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是()。
A、(B、C 、E)B、(C 、B、E) C 、(E、C 、B)6.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不定7.稳压管的稳压区是其工作在()。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、热击穿8.功率放大电路的效率是指()。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上说法均不正确9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U o=()U z。
A、0.45B、0.9C、1.210. 一个晶体管的极限参数为P CM=100mW,I CM=20mA,U(BR)CEO=15V,则下列( )是正常工作状态。
模拟电子技术复习题及答案
模拟电⼦技术复习题及答案⼀、填空题:1、电⼦电路中常⽤的半导体器件有⼆极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流⼦:电⼦和空⽳。
纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能⼒很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:N型半导体——多数载流⼦是电⼦;P型半导体——多数载流⼦是空⽳。
当把P型半导体和N型半导体结合在⼀起时,在两者的交界处形成⼀个PN结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:截⽌区、放⼤区区和饱和区。
为了对输⼊信号进⾏线形放⼤,避免产⽣严重的⾮线形性失真,应使三极管⼯作在放⼤区内。
当三极管的静态⼯作点过分靠近截⽌区时容易产⽣截⽌失真,当三极管的静态⼯作点靠近饱和区时容易产⽣饱和失真。
3、半导体⼆极管就是利⽤⼀个PN结加上外壳,引出两个电极⽽制成的。
它的主要特点是具有单向性,在电路中可以起整流和检波等作⽤。
半导体⼆极管⼯作在反向击穿区时,即使流过管⼦的电流变化很⼤,管⼦两端的电压变化也很⼩,利⽤这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利⽤栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流,是⼀种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两⼤类。
5、多极放⼤电路常⽤的耦合⽅式有三种:阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加⼊ 5 价元素可形成N型半导体,加⼊ 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常⽤的偏置电路有镜像电流源、⽐例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放⼤电路产⽣的影响不同。
正反馈使放⼤倍数提⾼;负反馈使放⼤倍数降低;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作⽤是稳定静态⼯作点,交流负反馈能够改善放⼤电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定,因⽽减⼩了放⼤电路的输出电阻;⽽电流负反馈使输出电流保持稳定,因⽽增⼤了输出电阻。
串联负反馈增⼤了放⼤电路的输⼊电阻;并联负反馈则减⼩了输⼊电阻。
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《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时,管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件,基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
× 23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。
× 24、 输出电阻越大,放大电路带负载的能力越弱。
√25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共射放大电路的输入电阻最小。
× 26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共基放大电路的输出电阻最小。
× 27、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,它只能放大交流信号。
√ 28、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。
× 29、场效应管也是一种由PN 结组成的半导体器件,是电流控制器件,沟道越宽电流越大。
×30、由MOSFET 管组成的放大电路中0G i 。
√ 31、在由耗尽型N 沟道MOSFET 管组成的放大电路中,若GS V 小于零,则i D =0。
× 32、若增强型N 沟道MOS 管的v GS 大于开启电压V T ,则输入电阻会明显变小。
× 33、N 沟道JFET 在正常工作时的v GS 不能大于零。
√ 34、耗尽型MOS 管在栅源电压u GS 为正或为负时均能实现压控电流的作用。
√ 35、 结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
√36、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
× 37、增强型MOS 管采用自给偏压时,漏极电流i D 必为零。
√ 38、 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
×39、通频带BW 等于放大电路的上限频率H f 和下限频率L f 的平均值。
× 40、集成运放部第一级是差动放大电路,因此它有两个输入端。
√ 41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
√ 42、集成运放部是直接耦合的多级放大电路。
√ 43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
√ 44、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。
× 45、 对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模输入交流通路中,长尾电阻R e 一概可视为短路。
×46、用电流源代替R e 后电路的差模电压放大倍数增加。
× 47、 带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性围,不论是双端输出还是单端输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小无关。
√48、 集成运放的输入失调电压V IO 是两输入端电位之差。
×49、反馈量仅仅决定于输出量。
√50、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压串联负反馈。
√51、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。
×52、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压并联负反馈。
×53、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
√54、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
×55、共集放大电路A u<1,电路不可能有反馈。
×56、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。
×57、负反馈能扩大放大电路的通频带,因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。
×58、负反馈可以抑制一切干扰。
×59、在深度负反馈条件下,A f=1÷F与原来的A无关,所以可以任选管子。
×60、在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。
×61、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以微变等效电路已不再适用。
√62、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
√63、输入信号越大,非线性失真也越大。
交越失真属于非线性失真,因此,大信号时更为严重。
×64、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。
√65、功率放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
×66、在OTL功放电路中,若在负载8Ω的扬声器两端并接一个同样的8Ω扬声器,则总的输出功率不变,只是每个扬声器得到的功率比原来少一半。
×67、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管时)才能组成复合管。
×68、复合管的类型取决于第一个管子的类型。
√69、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
√70、只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。
×71、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡。
×72、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏,故在任何情况下放大器均不采用正反馈。
×73、比较器是模拟电路和数字电路的“接口”。
√74、在电压比较器中,其输出只有两种状态。
√75、在电压比较器中,集成运放一直处于非线性工作状态。
×76、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,一般情况电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈。
√77、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
×78、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使性能得到改善。
×79、放大电路的级数越多,引入的反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。
×80、一个理想对称的差分放大电路,能放大差模输入信号,也能放大共模输入信号。
×81、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
×82、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。
√83、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路,就一定能产生正弦波振荡。
×84、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
×85、对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就有可能自行起振。
×86、石英谐振器相当于一个高Q值的RC电路。
×87、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用带通有源滤波器。
√88、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
×89、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。
√90、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。
√91、滤波就是将正弦交流电压滤波为单向脉动电压。
×92、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。
√二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是( A )。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零B.输入信号为零时,输出处于零电位C.频带宽度从零到无穷大D.开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是(A)。
A.反相输入端为虚地;B.输入电阻大;C.电流并联负反馈;D.电压串联负反馈。
3、欲将方波转换为三角波,应选用( D )。
A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.求和运算电路D.积分运算电路4、 当温度下降高时,二极管的反向饱和电流将 ( )。
A .增大B .不变C .减少5、 P 型半导体主要靠( B )导电A . 正电荷B . 空穴C .自由电子D .负电荷6、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A .温度B .掺杂工艺的类型C .杂质浓度D .晶体中的缺陷7、 PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。
A .变窄B .基本不变C .变宽D .不定8、 外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。
A . 增大B . 减小C . 不变9、 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( A )。
A . 大B . 小C . 相等10、 对于稳压二极管,它正常工作时是处于( B )状态。
A . 正向导通B . 反向击穿C . 截止D .随外加电压变化而变化11、 根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B =-6.3V ,V E =-7V ,V C =-4V ,可以判定此晶体管是 管,处于 。
( D )A . NPN 管,饱和区B . PNP 管, 放大区C . PNP 管,截止区D . NPN 管, 放大区12、 处于饱和状态的晶体管其特点有:( B )A .b ,1C CE I i U β><B .b ,1C CE I i U β<<C .b ,1C CE I i U β<>D .b ,1C CE I i U β=>13、 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 ( C )。
A .83B .91C .10014、 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ,I CM =20mA ,U (BR)CEO =15V ,则下列( A )是正常工作状态。