材料科学基础第3 4章小结及习题课讲解

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材料科学基础(课后习题讲解)

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2-2-1 珠光体奥氏体化时奥氏体晶核优 先形核的部位是( c )
(A)在铁素体内 ; (B) 在渗碳体内; (C)在铁素体和渗碳体相界上;(D) 在珠光体团边界
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2-5 为什么铁素体和渗碳体不能同时消失,而总有部 为什么铁素体和渗碳体不能同时消失, 分渗碳体剩余? 分渗碳体剩余? 按相平衡理论, 相图可以看出, 按相平衡理论 , 从 Fe-Fe3C相图可以看出 , 在高 相图可以看出 温度, 刚刚形成的奥氏体, 靠近Cem的 C浓度 于 AC1 温度 , 刚刚形成的奥氏体 , 靠近 的 浓度 高于共析成分较少,而靠近F处的 处的C浓度低于共析成 高于共析成分较少 , 而靠近 处的 浓度低于共析成 分较多( 线的斜率较大, 线的斜率较小 线的斜率较小) 分较多( 即ES线的斜率较大,GS线的斜率较小)。 线的斜率较大 所以,在奥氏体刚刚形成时, 全部消失时, 所以,在奥氏体刚刚形成时,即F全部消失时,奥氏 全部消失时 体的平均C浓度低于共析成分 这就进一步说明, 浓度低于共析成分, 体的平均 浓度低于共析成分,这就进一步说明,共 析钢的P刚刚形成的 的平均碳含量降低, 刚刚形成的A的平均碳含量降低 析钢的 刚刚形成的 的平均碳含量降低 , 低于共析 成分,必然有部分碳化物残留,只有继续加热保温, 成分,必然有部分碳化物残留,只有继续加热保温, 残留碳化物才能逐渐溶解。 残留碳化物才能逐渐溶解。
(2)合金元素的影响 一般规律:钢中常见的合金元素, 可以提高Ms外 一般规律:钢中常见的合金元素,除Al和Co可以提高 外,其它 和 可以提高 合金元素均使Ms 降低。 降低。 合金元素均使
2、奥氏体化条件对Ms的影响 、奥氏体化条件对 的影响 在完全奥氏体条件下,温度高时间长,将使Ms有所提高 有所提高( 在完全奥氏体条件下 , 温度高时间长 , 将使 有所提高 ( 约在几度 到几十度范围内) 到几十度范围内) 18

武汉理工大学材料科学基础课后习题和答案

武汉理工大学材料科学基础课后习题和答案

武汉理工大学材料科学基础(第2版)课后习题和答案(总51页)-本页仅作为预览文档封面,使用时请删除本页-第一章绪论1、仔细观察一下白炽灯泡,会发现有多少种不同的材料每种材料需要何种热学、电学性质2、为什么金属具有良好的导电性和导热性3、为什么陶瓷、聚合物通常是绝缘体4、铝原子的质量是多少若铝的密度为cm3,计算1mm3中有多少原子?5、为了防止碰撞造成纽折,汽车的挡板可有装甲制造,但实际应用中为何不如此设计说出至少三种理由。

6、描述不同材料常用的加工方法。

7、叙述金属材料的类型及其分类依据。

8、试将下列材料按金属、陶瓷、聚合物或复合材料进行分类:黄铜钢筋混凝土橡胶氯化钠铅-锡焊料沥青环氧树脂镁合金碳化硅混凝土石墨玻璃钢9、 Al2O3陶瓷既牢固又坚硬且耐磨,为什么不用Al2O3制造铁锤第二章晶体结构1、解释下列概念晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、配位数、离子极化、同质多晶与类质同晶、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应.2、(1)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求出该晶面的米勒指数;(2)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的米勒指数。

3、在立方晶系的晶胞中画出下列米勒指数的晶面和晶向:(001)与[210],(111)与[112],(110)与[111],(322)与[236],(257)与[111],(123)与[121],(102),(112),(213), [110],[111],[120],[321]4、写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。

5、已知Mg2+半径为,O2-半径为,计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。

6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。

7、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。

MgO的熔点为2800℃,NaC1为80l℃, 请说明这种差别的原因。

材料科学基础课后习题及答案_第三章

材料科学基础课后习题及答案_第三章

第三章答案3-2略。

3-2试述位错的基本类型及其特点。

解:位错主要有两种:刃型位错和螺型位错。

刃型位错特点:滑移方向与位错线垂直,符号⊥,有多余半片原子面。

螺型位错特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺施状,称螺型位错。

3-3非化学计量化合物有何特点?为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料?解:非化学计量化合物的特点:非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;非化学计量化合物都是半导体。

由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩(n型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩(p型)半导体。

3-4影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些?解:影响形成置换型固溶体影响因素:(1)离子尺寸:15%规律:1.(R1-R2)/R1>15%不连续。

2.<15%连续。

3.>40%不能形成固熔体。

(2)离子价:电价相同,形成连续固熔体。

(3)晶体结构因素:基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。

(4)场强因素。

(5)电负性:差值小,形成固熔体。

差值大形成化合物。

影响形成间隙型固溶体影响因素:(1)杂质质点大小:即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。

(2)晶体(基质)结构:离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。

一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。

(3)电价因素:外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。

3-5试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。

解:影响有:(1)稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生;(2)活化晶格,形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应;(3)固溶强化,溶质原子的溶入,使固溶体的强度、硬度升高;(4)形成固溶体后对材料物理性质的影响:固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。

《材料科学基础》习题集讲解

《材料科学基础》习题集讲解

材料科学基础习题集第1章原子结构与键合概念与名词:分子,原子;主量子数n,轨道角动量量子数l,磁量子数m,自旋角动量量子数s;能量最低原理,Pauli不相容原理,Hund规则;元素,元素周期表,周期,族;结合键,金属键,离子键,共价键,范德华力,氢键;第2章固体结构概念与名词:晶体,非晶体;晶体结构,空间点阵,阵点,晶胞, 7 个晶系, 14 种布拉菲点阵;宏观对称元素,微观对称元素,点群,空间群;极射投影,极点,吴氏网,标准投影;晶向指数,晶面指数,晶向族,晶面族,晶带轴,共价面,晶面间距;面心立方,体心立方,密排立方,多晶型性,同素异构体;点阵常数,晶胞原子数,配位数,致密度,四面体间隙,八面体间隙;合金,相,固溶体,中间相,短程有序参数a ,长程有序参数 S ;置换固溶体,间隙固溶体,有限固溶体,无限固溶体,无序固溶体,有序固溶体;正常价化合物,电子化合物,电子浓度,间隙相,间隙化合物,拓扑密堆相;离子晶体, NaCl 型结构,闪锌矿型结构,纤锌矿型结构,硅酸盐 [SiO 4 ] 4- 四面体;共价晶体,金刚石结构;聚集态结构,球晶,缨状微束模型,折叠链模型,伸直链模型;玻璃,玻璃化转变温度[ U V W ] 与 [ u v t w ] 之间的互换关系:晶带定律:立方晶系晶面间距计算公式:六方晶系晶面间距计算公式:电子浓度计算公式:1.假定有一个晶向BC ,通过坐标原点O 作直线与BC 平行,在直线上任取一点P ,P 点在三个坐标轴上的坐标分别为Xa=a/2,Yb=b/2,Zc=c,求晶相BC 的晶相指数,并画出晶向BC 。

2.已知一个晶向在四轴上坐标分别为OX=a ,OY=-1/2b ,OU=-1/2d ,OZ=0;求该晶向的晶向指数,并画出该晶向。

3. 四方晶系,a=b 、c=1/2a ,一个晶面在X 、Y 、Z 轴上的截距分别为2a,3b,6c,求该晶面的晶面指数,并用图表示。

4. 在四轴定向的六方晶体中,一个晶面在四个结晶轴上截距分别为∞、b 、-d 、∞,求该晶面的晶面指数,并画出该晶面。

材料科学基础(第三版)

材料科学基础(第三版)

材料科学基础(第三版)第1章原子结构与键合1.1 原子结构1.1.1 物质的组成1.1.2 原子的结构1.1.3 原子的电子结构1.1.4 元素周期表1.2 原子间的键合1.2.1 金属键1.2.2 离子键1.2.3 共价键1.2.4 范德瓦耳斯力1.2.5 氢键1.3 高分子链1.3.1 高分子链的近程结构1.3.2 高分子链的远程结构第2章固体结构2.1 晶体学基础2.1.1 空间点阵和晶胞2.1.2 晶向指数和晶面指数2.1.3 晶体的对称性2.1.4 极射投影2.1.5 倒易点阵2.2 金属的晶体结构2.2.1 三种典型的金属晶体结构2.2.2 晶体的原子堆垛方式和间隙2.2.3 多晶型性2.3 合金相结构2.3.1 固溶体2.3.2 中间相2.4 离子晶体结构2.4.1 离子晶体的结构规则2.4.2 典型的离子晶体结构2.4.3 硅酸盐的晶体结构2.5 共价晶体结构2.6 聚合物的晶态结构2.6.1 聚合物的晶体形态2.6.2 聚合物晶态结构的模型2.6.3 聚合物晶体的晶胞结构2.7 准晶态结构2.8 液晶态结构2.8.1 液晶的分子结构特征与分类2.8.2 液晶的结构2.9 非晶态结构第3章晶体缺陷3.1 点缺陷3.1.1 点缺陷的形成3.1.2 点缺陷的平衡浓度3.1.3 点缺陷的运动3.2 位错3.2.1 位错的基本类型和特征3.2.2 伯氏矢量3.2.3 位错的运动3.2.4 位错的弹性性质3.2.5 位错的生成和增殖3.2.6 实际晶体结构中的位错3.3 表面及界面3.3.1 外表面3.3.2 晶界和亚晶界3.3.3 孪晶界3.3.4 相界第4章固体中原子及分子的运动4.1 表象理论4.1.1 菲克第一定律4.1.2 菲克第二定律4.1.3 扩散方程的解4.1.4 置换型固溶体中的扩散4.1.5 扩散系数D与浓度相关时的求解4.2 扩散的热力学分析4.3 扩散的原子理论4.3.1 扩散机制4.3.2 原子跳跃和扩散系数4.4 扩散激活能4.5 无规则行走与扩散距离4.6 影响扩散的因素4.7 反应扩散4.8 离子晶体中的扩散4.9 高分子的分子运动4.9.1 分子链运动的起因及其柔顺性4.9.2 分子的运动方式及其结构影响因素4.9.3 高分子不同力学状态的分子运动解说第5章材料的形变和再结晶5.1 弹性和黏弹性5.1.1 弹性变形的本质5.1.2 弹性变形的特征和弹性模量5.1.3 弹性的不完整性5.1.4 黏弹性5.2 晶体的塑性变形5.2.1 单晶体的塑性变形5.2.2 多晶体的塑性变形5.2.3 合金的塑性变形5.2.4 塑性变形对材料组织与性能的影响5.3 回复和再结晶5.3.1 冷变形金属在加热时的组织与性能变化5.3.2 回复5.3.3 再结晶5.3.4 晶粒长大5.3.5 再结晶退火后的组织.5.4 热变形与动态回复、再结晶5.4.1 动态回复与动态再结晶5.4.2 热加工对组织性能的影响5.4.3 蠕变5.4.4 超塑性5.5 陶瓷材料变形的特点5.6 高聚物的变形特点第6章单组元相图及纯晶体的凝固6.1 单元系相变的热力学及相平衡6.1.1 相平衡条件和相律6.1.2 单元系相图6.2 纯晶体的凝固6.2.1 液态结构6.2.2 晶体凝固的热力学条件6.2.3 形核6.2.4 晶体长大6.2.5 结晶动力学及凝固组织6.2.6 凝固理论的应用举例6.3 气-固相变与薄膜生长6.3.1 蒸气压6.3.2 蒸发和凝聚的热力学条件6.3.3 气体分子的平均自由程6.3.4 形核6.3.5 薄膜的生长方式6.3.6 应用举例(巨磁电阻多层膜和颗粒膜) 6.4 高分子的结晶特征第7章二元系相图和合金的凝固与制备原理7.1 相图的表示和测定方法7.2 相图热力学的基本要点7.2.1 固溶体的自由能-成分曲线7.2.2 多相平衡的公切线原理7.2.3 混合物的自由能和杠杆法则7.2.4 从自由能-成分曲线推测相图7.2.5 二元相图的几何规律7.3 二元相图分析7.3.1 匀晶相图和固溶体凝固7.3.2 共晶相图及其合金凝固7.3.3 包晶相图及其合金凝固7.3.4 溶混间隙相图与调幅分解7.3.5 其他类型的二元相图7.3.6 复杂二元相图的分析方法7.3.7 根据相图推测合金的性能7.3.8 二元相图实例分析7.4 二元合金的凝固理论7.4.1 固溶体的凝固理论7.4.2 共晶凝固理论7.4.3 合金铸锭(件)的组织与缺陷7.4.4 合金的铸造和二次加工7.5 高分子合金概述7.5.1 高分子合金的相容性7.5.2 高分子体系的相图及测定方法7.5.3 高分子合金的制备方法7.5.4 高分子合金的形态结构7.5.5 高分子合金性能与组元的一般关系7.5.6 高分子及其合金的主要类型7.6 陶瓷合金概述7.6.1 陶瓷粉体的合成7.6.2 陶瓷粉体的成型和烧结7.6.3 玻璃的制备7.6.4 陶瓷材料的性能第8章三元相图8.1 三元相图的基础8.1.1 三元相图成分表示方法8.1.2 三元相图的空间模型8.1.3 三元相图的截面图和投影图8.1.4 三元相图中的杠杆定律及重心定律8.2 固态互不溶解的三元共晶相图8.3 固态有限互溶的三元共晶相图8.4 两个共晶型二元系和一个匀晶型二元系构成的三元相图8.5 包共晶型三元系相图8.6 具有四相平衡包晶转变的三元系相图8.7 形成稳定化合物的三元系相图8.8 三元相图举例8.9 三元相图小结第9章材料的亚稳态9.1 纳米晶材料9.1.1 纳米晶材料的结构9.1.2 纳米晶材料的性能9.1.3 纳米晶材料的形成9.1.4 纳米碳管简介9.2 准晶态9.2.1 准晶的结构9.2.2 准晶的形成9.2.3 准晶的性能……第10章材料的功能特性中英对照的关键词参考文献。

材料科学基础习题与参考答案

材料科学基础习题与参考答案

第一章材料的结构一、解释以下基本概念空间点阵、晶格、晶胞、配位数、致密度、共价键、离子键、金属键、组元、合金、相、固溶体、中间相、间隙固溶体、置换固溶体、固溶强化、第二相强化。

二、填空题1、材料的键合方式有四类,分别是(),(),(),()。

2、金属原子的特点是最外层电子数(),且与原子核引力(),因此这些电子极容易脱离原子核的束缚而变成()。

3、我们把原子在物质内部呈()排列的固体物质称为晶体,晶体物质具有以下三个特点,分别是(),(),()。

4、三种常见的金属晶格分别为(),()和()。

5、体心立方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),晶胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有体心立方晶格的常见金属有()。

6、面心立方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),晶胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有面心立方晶格的常见金属有()。

7、密排六方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),具有密排六方晶格的常见金属有()。

8、合金的相结构分为两大类,分别是()和()。

9、固溶体按照溶质原子在晶格中所占的位置分为()和(),按照固溶度分为()和(),按照溶质原子与溶剂原子相对分布分为()和()。

10、影响固溶体结构形式和溶解度的因素主要有()、()、()、()。

11、金属化合物(中间相)分为以下四类,分别是(),(),(),()。

12、金属化合物(中间相)的性能特点是:熔点()、硬度()、脆性(),因此在合金中不作为()相,而是少量存在起到第二相()作用。

13、CuZn、Cu5Zn8、Cu3Sn的电子浓度分别为(),(),()。

14、如果用M表示金属,用X表示非金属,间隙相的分子式可以写成如下四种形式,分别是(),(),(),()。

《材料科学与工程基础》顾宜 第三章 课后答案

《材料科学与工程基础》顾宜 第三章 课后答案

3-1.解释以下名词:金属键、晶格、晶胞、合金、组元、相、机械混合物、铁素体、奥氏体、渗碳体、马氏体、黄铜、青铜、形变铝合金、非晶态金属键:是化学键的一种,主要在金属中存在。

由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成。

无方向性和饱和性.晶格:表示晶体结构周期重复规律的简单几何图形.晶胞:晶体内部的基本重复单元(最小重复单元).合金:是由两种或两种以上的金属与金属或非金属经一定方法所合成的具有金属特性的混合物。

一般通过熔合成均匀液体和凝固而得。

组元:组成合金的独立的、最基本的单元称为组元,组元可以是组成合金的元素或稳定的化合物。

相:指一个宏观物理系统所具有的一组状态,也通称为物态。

机械混合物:指由两种或以上的互不相溶晶体结构(纯金属、固溶体或化合物)机械地混合而形成的显微组织。

机械混合物的性能主要取决于组成它的各组成物的性能以及其数量、形状、大小和分布情况。

铁素体:是碳溶解在α-Fe中的间隙固溶体,常用符号F表示。

具有体心立方晶格,其溶碳能力很低.奥氏体:是钢铁的一种层片状的显微组织,通常是ɣ-Fe中固溶少量碳的无磁性固溶体,也称为沃斯田铁或ɣ-Fe。

一般由等轴状的多边形晶粒组成,晶粒内有孪晶。

渗碳体:铁与碳形成的稳定化合物,其化学式为Fe3C。

渗碳体的含碳量为ωc=6.69%,熔点为1227℃。

其晶格为复杂的正交晶格,硬度很高HBW=800,塑性、韧性几乎为零,脆性很大。

马氏体:是黑色金属材料的一种组织名称,是碳在α-Fe中的过饱和固溶体黄铜:由铜和锌所组成的合金,由铜、锌组成的黄铜就叫作普通黄铜,如果是由二种以上的元素组成的多种合金就称为特殊黄铜。

黄铜有较强的耐磨性能,黄铜常被用于制造阀门、水管、空调内外机连接管和散热器等。

青铜:是金属冶铸史上最早的合金,在纯铜(紫铜)中加入锡或铅的合金,有特殊重要性和历史意义,与纯铜(紫铜)相比,青铜强度高且熔点低(25%的锡冶炼青铜,熔点就会降低到800℃。

材料科学基础课后习题答案讲解

材料科学基础课后习题答案讲解

《材料科学基础》课后习题答案第一章材料结构的基本知识4. 简述一次键和二次键区别答:根据结合力的强弱可把结合键分成一次键和二次键两大类。

其中一次键的结合力较强,包括离子键、共价键和金属键。

一次键的三种结合方式都是依靠外壳层电子转移或共享以形成稳定的电子壳层,从而使原子间相互结合起来。

二次键的结合力较弱,包括范德瓦耳斯键和氢键。

二次键是一种在原子和分子之间,由诱导或永久电偶相互作用而产生的一种副键。

6. 为什么金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体为高?答:材料的密度与结合键类型有关。

一般金属键结合的固体材料的高密度有两个原因:(1)金属元素有较高的相对原子质量;(2)金属键的结合方式没有方向性,因此金属原子总是趋于密集排列。

相反,对于离子键或共价键结合的材料,原子排列不可能很致密。

共价键结合时,相邻原子的个数要受到共价键数目的限制;离子键结合时,则要满足正、负离子间电荷平衡的要求,它们的相邻原子数都不如金属多,因此离子键或共价键结合的材料密度较低。

9. 什么是单相组织?什么是两相组织?以它们为例说明显微组织的含义以及显微组织对性能的影响。

答:单相组织,顾名思义是具有单一相的组织。

即所有晶粒的化学组成相同,晶体结构也相同。

两相组织是指具有两相的组织。

单相组织特征的主要有晶粒尺寸及形状。

晶粒尺寸对材料性能有重要的影响,细化晶粒可以明显地提高材料的强度,改善材料的塑性和韧性。

单相组织中,根据各方向生长条件的不同,会生成等轴晶和柱状晶。

等轴晶的材料各方向上性能接近,而柱状晶则在各个方向上表现出性能的差异。

对于两相组织,如果两个相的晶粒尺度相当,两者均匀地交替分布,此时合金的力学性能取决于两个相或者两种相或两种组织组成物的相对量及各自的性能。

如果两个相的晶粒尺度相差甚远,其中尺寸较细的相以球状、点状、片状或针状等形态弥散地分布于另一相晶粒的基体内。

如果弥散相的硬度明显高于基体相,则将显著提高材料的强度,同时降低材料的塑韧性。

材料科学基础前三章课程要点总结

材料科学基础前三章课程要点总结

1.绪论材料科学基础的核心问题:材料结构和性能的关联2. 第一章第1节(1)晶体和非晶体的区别(2)空间点阵和结点的定义(3)点阵的基本特征:周期性和等同性(4)晶胞和晶格常数的定义(5)七大晶系的名称、结构特征和对称性规律(要求记忆)(6)14种布拉维点阵并理解其来源(去掉重复的和保持对称性)(7)布拉维点阵和晶体结构的关系,如何从晶体结构获得点阵信息(熟悉ɑ铀, NaCl, Zn三个例子)(8)掌握密排六方HCP的结构,画出完整的中间层原子结构图,掌握c/a比值(9)晶胞与原胞的区别3. 第一章第2节(1)掌握三种晶体结构FCC,BCC,HCP并记住代表性材料(2)理解钢球模型,掌握原子半径、晶胞原子数、配位数、堆垛密度的计算方法(3)间隙的概念和种类,间隙大小的定义(4)掌握FCC,BCC,HCP三种晶体结构中八面体、四面体间隙的位置(坐标),数量以及尺寸。

4. 第三章第3节(1)晶面指数的标定步骤及立方晶系常见的晶面指数(2)掌握晶面族的概念,能写出{100},{110},{111},{112}, {123}晶面族所包含的晶面(3)掌握晶向指数的标定方法,常见的晶向指数,了解行走法确定晶向指数,能写出<100>, <111>, <110>, <112>晶向族所包括的晶向;(4)六方晶系四指数晶面指数标定方法,能写出底面、侧面、对角面的晶面指数;掌握四指数晶向指数的标定方法,熟记轴向、角二等分线方向的晶向的写法及长度,基于此能够熟练写出特殊晶向的指数。

掌握六方晶系的中由三指数晶向变换为四指数的方法;(5)面密度和线密度的概念及计算方法。

5. 第一章第4节(1)掌握晶体的堆垛方式和堆垛次序的概念;(2)简单立方沿{100},{110}晶面的堆垛次序;(3)HCP{0001}面的堆垛次序以及错位矢量;(4)FCC{200}面的堆垛次序以及错位矢量,重点掌握{111}面的堆垛次序及错位矢量。

《材料科学基础》习题及参考答案

《材料科学基础》习题及参考答案

形核功,还是可以成核的。
答案
(7)测定某纯金属铸件结晶时的最大过冷度,其实测
值与用公式ΔT=0.2Tm计算值基本一致。
答案
(8) 某些铸件结晶时,由于冷却较快,均匀形核率N1
提高,非均匀形核率N2也提高,故总的形核率为N=
N1 +N2。
答案
返回
53
(9) 若在过冷液体中,外加10 000颗形核剂,则结晶
❖ ②比较Cu-10% Sn合金铸件和Cu-30%合金铸件的铸造性能 及铸造组织,说明Cu-10% Sn合金铸件中有许多分散砂眼的 原因。
③ω(Sn}分别为2%,11%和15%的青铜合金,哪一种可进行 压力加工?哪种可利用铸造法来制造机件?
答案
返7回8
❖ 9.如下图所示,已知A,B,C三组元固态完全不互溶,质量 分数分别84%A,,10%B,10%C的O合金在冷却过程中将进 行二元共晶反应和三元共晶反应,在二元共晶反应开始时, 该合金液相成分(a点)为60%A,20%B,20%C,而三元共 晶反应开始时的液相成分(E点)为50%A,10%B,40%C。
答案
返回
6
❖ 6.位错受力后运动方向处处垂直于位错线,在运动
过程中是可变的,晶体作相对滑动的方向应是什么
方向?
答案
❖ 7.位错线上的割阶一般如何形成?
答案
❖ 8.界面能最低的界面是什么界面?
答案
❖ 9. “小角度晶界都是由刃型位错排成墙而构成的”这
种说法对吗?
答案
返回
7
三、综合题
❖ 1. 作图表示立方晶体的(123)(0 -1 -2) (421)晶面及[-102][-211][346]晶向。 答案
❖ 9. 在Fe中形成1mol 空位的能量为104. 67kJ,

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解
表示 ,模的大小表示该晶向上原子间的距离。
b a u2 v2 w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式:滑移和攀移
滑移(slip):三种位错的滑移过程 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动,
第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征(几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上
晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面 称为晶界。
亚晶界:每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的 亚晶粒所组成,相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。
确定晶界位置方法: (1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。
晶界分类(按θ的大小): 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
(3)刃型位错标记 正刃型位错用“⊥”表示,负刃型位错用“┬”表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
表面能(γ):产生单位面积新表面所做的功。 表示法:①γ= dw/ds ②γ= T/L (N/m) ③γ= [被割断的结合键数/形成单位新表面]×[能量/每个键] 影响γ的因素: (1)晶体表面原子排列的致密程度。 (2)晶体表面曲率。 (3)外部介质的性质。 (4)晶体性质。

第三版胡赓祥材料科学基础的知识点总结及课后答案

第三版胡赓祥材料科学基础的知识点总结及课后答案

第三版胡赓祥材料科学基础的知识点总结及课后答案第一章材料科学基础概念知识点总结1. 材料的定义与分类:材料是制造各种结构和器件的物质基础,可分为金属材料、无机非金属材料、有机高分子材料和复合材料等。

2. 材料的性能:包括力学性能、热性能、电性能、磁性能等,是评价材料性能好坏的重要指标。

3. 晶体结构:晶体是由原子、离子或分子按照一定的空间点阵排列成的周期性结构,常见的晶体结构有金属晶体、离子晶体、共价晶体和分子晶体等。

4. 材料的制备方法:包括合成、加工、处理等,如熔炼、铸造、轧制、挤压、拉伸、热处理、腐蚀等。

5. 材料的设计与性能调控:根据材料的使用性能要求,进行结构、组成和制备工艺的设计,以实现性能的优化。

课后答案1. 材料是什么?请举例说明。

答案:材料是制造各种结构和器件的物质基础,如钢铁、水泥、塑料、玻璃等。

2. 材料的性能有哪些?它们对材料的用途有何影响?答案:材料的性能包括力学性能、热性能、电性能、磁性能等,不同的性能影响材料在不同领域的应用。

例如,塑料的具有良好的柔韧性和耐腐蚀性,广泛应用于包装、建筑等领域;金属材料具有良好的导电性和导热性,广泛应用于电子、能源等领域。

3. 晶体结构有哪些类型?请简要介绍。

答案:晶体结构有金属晶体、离子晶体、共价晶体和分子晶体等类型。

金属晶体是由金属原子按照一定的空间点阵排列成的结构,具有较高的强度和韧性;离子晶体是由正负离子按照一定的空间点阵排列成的结构,具有较高的熔点和硬度;共价晶体是由共价键连接的原子按照一定的空间点阵排列成的结构,具有较高的硬度和脆性;分子晶体是由分子按照一定的空间点阵排列成的结构,具有较低的熔点和脆性。

4. 材料的制备方法有哪些?它们对材料性能有何影响?答案:材料的制备方法包括合成、加工、处理等,如熔炼、铸造、轧制、挤压、拉伸、热处理、腐蚀等。

不同的制备方法对材料的性能有不同的影响。

例如,熔炼法制备的金属材料具有较高的纯度和均匀性;热处理工艺可以改变金属材料的组织结构和性能,如提高硬度和强度等。

中南大学 材料科学基础 课后习题答案

中南大学 材料科学基础 课后习题答案

第一章 原子排列与晶体结构1. [110], (111), ABCABC…, 0.74 , 12 , 4 ,a r 42=; [111], (110) , 0.68 , 8 , 2 , a r 43= ; ]0211[, (0001) , ABAB , 0.74 , 12 , 6 , 2a r =。

2.0.01659nm 3 , 4 , 8 。

3.FCC , BCC ,减少 ,降低 ,膨胀 ,收缩 。

4. 解答:见图1-1 5. 解答:设所决定的晶面为(hkl ),晶面指数与面上的直线[uvw]之间有hu+kv+lw=0,故有:h+k-l=0,2h-l=0。

可以求得(hkl )=(112)。

6 解答:Pb 为fcc 结构,原子半径R 与点阵常数a 的关系为a r 42=,故可求得a =0.4949×10-6mm 。

则(100)平面的面积S =a 2=0.244926011×0-12mm 2,每个(100)面上的原子个数为2。

所以1 mm 2上的原子个数s n 1==4.08×1012。

第二章 合金相结构一、 填空1) 提高,降低,变差,变大。

2) (1)晶体结构;(2)元素之间电负性差;(3)电子浓度 ;(4)元素之间尺寸差别3) 存在溶质原子偏聚 和短程有序 。

4) 置换固溶体 和间隙固溶体 。

5) 提高 ,降低 ,降低 。

6) 溶质原子溶入点阵原子溶入溶剂点阵间隙中形成的固溶体,非金属原子与金属原子半径的比值大于0.59时形成的复杂结构的化合物。

二、 问答1、 解答: α-Fe 为bcc 结构,致密度虽然较小,但是它的间隙数目多且分散,间隙半径很小,四面体间隙半径为0.291Ra ,即R =0.0361nm ,八面体间隙半径为0.154Ra ,即R =0.0191nm 。

氢,氮,碳,硼由于与α-Fe 的尺寸差别较大,在α-Fe 中形成间隙固溶体,固溶度很小。

复旦大学材料科学导论课后习题答案解析[搭配_石德珂《材料科学基础》教材]

复旦大学材料科学导论课后习题答案解析[搭配_石德珂《材料科学基础》教材]

材料科学导论课后习题答案第一章材料科学概论1.氧化铝既牢固又坚硬且耐磨,但为什么不能用来制造榔头?答:氧化铝脆性较高,且抗震性不佳。

2.将下列材料按金属、陶瓷、聚合物和复合材料进行分类:黄铜、环氧树脂、混泥土、镁合金、玻璃钢、沥青、碳化硅、铅锡焊料、橡胶、纸杯答:金属:黄铜、镁合金、铅锡焊料;陶瓷:碳化硅;聚合物:环氧树脂、沥青、橡胶、纸杯;复合材料:混泥土、玻璃钢3.下列用品选材时,哪些性能特别重要?答:汽车曲柄:强度,耐冲击韧度,耐磨性,抗疲劳强度;电灯泡灯丝:熔点高,耐高温,电阻大;剪刀:硬度和高耐磨性,足够的强度和冲击韧性;汽车挡风玻璃:透光性,硬度;电视机荧光屏:光学特性,足够的发光亮度。

第二章材料结构的基础知识1.下列电子排列方式中,哪一个是惰性元素、卤族元素、碱族、碱土族元素及过渡金属?(1) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d7 4s2(2) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6(3) 1s2 2s2 2p5(4) 1s2 2s2 2p6 3s2(5) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d2 4s2(6) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1答:惰性元素:(2);卤族元素:(3);碱族:(6);碱土族:(4);过渡金属:(1),(5)2.稀土族元素电子排列的特点是什么?为什么它们处于周期表的同一空格内?答:稀土族元素的电子在填满6s态后,先依次填入远离外壳层的4f、5d层,在此过程中,由于电子层最外层和次外层的电子分布没有变化,这些元素具有几乎相同的化学性质,故处于周期表的同一空格内。

3.描述氢键的本质,什么情况下容易形成氢键?答:氢键本质上与范德华键一样,是靠分子间的偶极吸引力结合在一起。

它是氢原子同时与两个电负性很强、原子半径较小的原子(或原子团)之间的结合所形成的物理键。

当氢原子与一个电负性很强的原子(或原子团)X结合成分子时,氢原子的一个电子转移至该原子壳层上;分子的氢变成一个裸露的质子,对另外一个电负性较大的原子Y表现出较强的吸引力,与Y之间形成氢键。

材料科学和工程基础第三章答案解析

材料科学和工程基础第三章答案解析

3.8 铁具有BCC晶体结构,原子半径为0.124 nm,原子量为55.85g/mol。

计算其密度并与实验值进行比较。

答:BCC结构,其原子半径与晶胞边长之间的关系为:a = 4R/3= 4⨯0.124/1.732 nm = 0.286 nmV = a3 = (0.286 nm)3 = 0.02334 nm3 = 2.334⨯10-23 cm3BCC结构的晶胞含有2个原子,∴其质量为:m = 2⨯55.85g/(6.023⨯1023) = 1.855⨯10-22 g密度为ρ= 1.855⨯10-22 g/(2.334⨯10-23 m3) =7.95g/cm3 3.9 计算铱原子的半径,已知Ir具有FCC晶体结构,密度为22.4g/cm3,原子量为192.2 g/mol。

答:先求出晶胞边长a,再根据FCC晶体结构中a与原子半径R的关系求R。

FCC晶体结构中一个晶胞中的原子数为4,ρ= 4⨯192.2g/(6.023⨯1023⨯a3cm3) = 22.4g/cm3,求得a = 0.3848 nm由a = 22R求得R = 2a/4 = 1.414⨯0.3848 nm/4 = 0.136 nm3.10 计算钒原子的半径,已知V 具有BCC晶体结构,密度为5.96g/cm3,原子量为50.9 g/mol。

答:先求出晶胞边长a,再根据BCC晶体结构中a与原子半径R的关系求R。

BCC晶体结构中一个晶胞中的原子数为2,ρ= 2⨯50.9g/(6.023⨯1023⨯a3cm3) = 5.96 g/cm3,求得a = 0.305 nm由a = 4R/3求得R = 3a/4 = 1.732⨯0.305 nm/4 = 0.132 nm3.11 一些假想的金属具有图3.40给出的简单的立方晶体结构。

如果其原子量为70.4 g/mol,原子半径为0.126 nm,计算其密度。

答:根据所给出的晶体结构得知,a = 2R =2⨯0.126 nm = 0.252 nm 一个晶胞含有1个原子,∴密度为:ρ= 1⨯70.4g/(6.023⨯1023⨯0.2523⨯10-21cm3)= 7.304 g/cm33.12 Zr 具有HCP晶体结构,密度为6.51 g/cm3。

材料科学基础课后习题及答案

材料科学基础课后习题及答案

第二章答案2-1略。

2-2〔1〕一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求该晶面的晶面指数;〔2〕一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的晶面指数。

答:〔1〕h:k:l==3:2:1,∴该晶面的晶面指数为〔321〕;〔2〕h:k:l=3:2:1,∴该晶面的晶面指数为〔321〕。

2-3在立方晶系晶胞中画出以下晶面指数和晶向指数:〔001〕与[],〔111〕与[],〔〕与[111],〔〕与[236],〔257〕与[],〔123〕与[],〔102〕,〔〕,〔〕,[110],[],[]答:2-4定性描述晶体构造的参量有哪些.定量描述晶体构造的参量又有哪些.答:定性:对称轴、对称中心、晶系、点阵。

定量:晶胞参数。

2-5依据结合力的本质不同,晶体中的键合作用分为哪几类.其特点是什么.答:晶体中的键合作用可分为离子键、共价键、金属键、范德华键和氢键。

离子键的特点是没有方向性和饱和性,结合力很大。

共价键的特点是具有方向性和饱和性,结合力也很大。

金属键是没有方向性和饱和性的的共价键,结合力是离子间的静电库仑力。

范德华键是通过分子力而产生的键合,分子力很弱。

氢键是两个电负性较大的原子相结合形成的键,具有饱和性。

2-6等径球最严密堆积的空隙有哪两种.一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙.答:等径球最严密堆积有六方和面心立方严密堆积两种,一个球的周围有8个四面体空隙、6个八面体空隙。

2-7n个等径球作最严密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙.不等径球是如何进展堆积的.答:n个等径球作最严密堆积时可形成n个八面体空隙、2n个四面体空隙。

不等径球体进展严密堆积时,可以看成由大球按等径球体严密堆积后,小球按其大小分别填充到其空隙中,稍大的小球填充八面体空隙,稍小的小球填充四面体空隙,形成不等径球体严密堆积。

2-8写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。

答:面心立方格子的单位平行六面体上所有结点为:〔000〕、〔001〕〔100〕〔101〕〔110〕〔010〕〔011〕〔111〕〔0〕〔0〕〔0〕〔1〕〔1〕〔1〕。

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第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征 (几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括 空位、间隙原子 、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小 ,另外两个方向上
3.2 位 错
? 位错是一种线缺陷,它是晶体中某处一列或若干列原子发 生了有规律错排现象;错排区是细长的管状畸变区,长度 可达几百至几万个原子间距,宽仅几个原子间。
3.2.1 位错的基本类型和特征 3.2.2 柏氏矢量 3.2.3 位错的运动 3.2.5 位错的生成和增殖 3.2.6 实际晶体结构中的错位
3.2.1 位错的基本类型和特征
位错的类型: 刃型位错 螺型位错 混合位错
1. 刃型位错
(1)刃型位错的产生 完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对
应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。
(2) 刃型位错的定义 晶体中位错线若垂直于滑移方向,则会存在一多余半排
原子面,它象一把刀刃插入晶体中,使此处上下两部分晶体 产生原子错排,这种晶体缺陷称为刃型位错。
刃型位错
螺型位错
(1)有一个额外半原子面;
(1) 无额外半原子面;
(2) 位错线是一个具有一定宽度的 (2) 位错线是一个具有一定宽度的
细长晶格畸变管道,其中既有正应 细长的晶格畸变管道,其中只有切
变,又有切应变;
应变,而无正应变;
(3)位错线与晶体滑移的方向垂直, (3) 位错线与滑移方向平行 ,位错 即位错线运动的方向垂直于位错线。线运动的方向与位错线垂直。
很大,包括表面、晶界、亚晶界、相界、孪晶界等。
3.1.2 点缺陷的产生
? 平衡点缺陷及其浓度
点缺陷都是由于原子的热运动产生的,它们的产生和 存在使体系的自由能发生一定的变化。
在绝对零度以上的任何温度,晶体中最稳定的状态是含有 一定浓度的点缺陷的状态。
平衡点缺陷数目: C = n/N = exp (△Sf/k)exp(-△Ev/kT )
实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小。 只有刃 型位错才能发生攀移
? 交割(cross/interaction)和扭折(kink)
3. 位错的增殖
增殖方式有多种;增殖位错的地方称为位错源。在塑性较 好的晶体中以滑移方式进行。
位错的增殖模型: ①L 型位错滑移增殖 ②弗兰克-瑞德(Frank-Read) 源增殖 ③双交滑移增殖模型 ④位错攀移增殖模型
螺型位错; ② 一定是直线,与滑移矢量平行,位错线移动方向与晶体
滑移方向垂直; ③ 滑移面不是唯一的,包含螺型位错线的平面都可以作为
它的滑移面; ④ 位错周围点阵也发生弹性畸变,但只有平行于位错线的
切应变而无正应变,即不引起体积的膨胀和收缩; ⑤ 位错畸变区也是几个原子间距宽度,同样是线位错。
两种位错特征的比较
= Aexp(-△Ev/kT )
C与T、Ev之间呈指数关系,T上升、C升高。
? 过饱和点缺陷的产生
在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低,系统最 稳定。当在一定的温度下,晶体中点缺陷的数目明显超 过其平衡浓度时,这些点缺陷称为过饱和点缺陷,通常 有三种方式产生: 淬火(quenching) 冷加工(cold working) 辐照(radiation)
刃型分量be 螺型分量bs
用矢量图解法表示位错:数量积、向量积等
5. 柏氏矢量表示法:
与晶向指数相似,只不过晶向指数没有“大小”的概 念,而柏氏矢量必须在晶向指数的基础上把矢量的模也表 示出来,因此柏氏矢量的大小和方向要用它在各个晶轴上 的分量,即点阵矢量a,b和c来表示。
立方晶系中 b=(a/n)[uvw,] 其大小成为位错强度,用模
3.混合位错
(1) 混合位错定义: 晶体中位错线既不平行也不垂直于滑移方向,即
滑移矢量与位错线成任意角度,这种晶体缺陷称为混 合型位错。
(2) 混合位错特征: 混合位错可分为刃型分量和螺型分量,它们分别具有
刃位错和螺位错的特征。 刃:ξ⊥b ; 螺: ξ∥b ;
位错环是一种典型的混合位错。
3.用柏氏矢量判断位错类型
⑤ 位错畸变区只有几个原子间距,是狭长的管道,故是线 缺陷。
2.螺型位错
(1)螺型位错定义
晶体中位错线若平行于滑移方向,则在该处附近原子 平面已扭曲为螺旋面,即位错线附近的原子是按螺旋形 式排列的,这种晶体缺陷称为螺型位错。
(2)螺型位错的特点 ① 无额外的半原子面,原子错排程轴对称,分右旋和左旋
表示 ,模的大小表示该晶向上原子间的距离。
b ? a u2 ? v2 ? w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式 :滑移和攀移
? 滑移(slip):三种位错的滑移过程 ? 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动,
用柏氏矢量判断位错类型:
? (1) 刃型位错 ξe⊥be
右手法则 :食指指向位错线方向,中指指向柏氏矢量 方向,拇指指向代表多余半面子面位向,向上为正, 向下为负。
? (2) 螺型位错 ξs∥bs
正向(方向相同)为右螺旋位错,负向(方向相反) 为左螺旋位错。 ? (3) 混合位错 柏氏矢量与位错线方向成夹角φ
3.1.3 点缺陷对结构和性能的影响
? 点缺陷引起 晶格畸变, 能量升高,结构不稳定,易发 生转变。
? 点缺陷的存在会引起性能的变化: (1)物理性质 、如比热容、电阻率、扩散系数、介电常 数等; (2)力学性能: 采用高获得过饱和点缺陷,如使 σS提 高; (3)影响固态相变,化学热处理等。
(3)刃型位错标记 正刃型位错 用“⊥” 表示,负刃型位错 用“┬” 表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
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