变容二极管
变容二极管的作用和工作原理
变容二极管的作用和工作原理二极管是一种具有两个电极的电子元件，通常用于电路中的整流、开关和信号检测等功能。
二极管有两种类型，即普通二极管和变容二极管。
本文将重点介绍变容二极管的作用和工作原理。
一、变容二极管的作用变容二极管，也称为调谐二极管或可变电容二极管，是一种具有可变电容特性的电子元件。
它的主要作用是通过调节电压或电流来控制电容值的变化，从而实现对信号频率的调节和过滤。
变容二极管在通信、广播、无线电等领域中被广泛应用，用于调谐电路、频率合成器、局部振荡器等电路中。
具体来说，变容二极管的作用有以下几个方面：1.调谐功能：变容二极管可以实现对信号频率的调节，通过调整电压大小来改变电容值，从而调谐电路的谐振频率。
这种特性在无线电收音机、电视机、调频收音机等设备中被广泛应用。
2.信号过滤：变容二极管可以在电路中作为可变电容滤波器，实现对特定频率信号的过滤。
通过调节电压或电流来改变电容值，可以实现对不同频率信号的滤波效果。
3.频率合成：在频率合成器中，变容二极管可以通过调整电容值来合成不同频率的信号，实现信号合成和频率调整的功能。
4.模拟调节：变容二极管还可以用于模拟电路中的调节，如电路中的电容开关、电容调节器等，可以通过调整电压或电流来改变电容值，从而实现对电路性能的调节。
总的来说，变容二极管主要作用是通过调节电容值来实现对信号频率的调节、过滤和合成，广泛应用于通信、广播、电视和无线电等领域。
二、变容二极管的工作原理变容二极管的工作原理基于PN结的载流子注入效应和电场调制效应。
通常情况下，变容二极管是由PN结和衬底构成的，其中PN结具有可变电容的特性。
当在PN结上施加反向偏置电压时，PN结形成耗尽层，此时二极管的电容值很小；而当施加正向偏置电压时，PN结导通，电容值增大。
具体来讲，变容二极管的工作过程如下：1.反向偏置状态：当施加反向偏置电压时，PN结会形成耗尽层，载流子注入现象几乎不存在，此时二极管的电容值很小。
变容二极管、普通 mos 管可变电容、反型 mos 管可变电容和积累型 mos 管可变电容。
变容二极管、普通MOS管可变电容、反型MOS管可变电容和积累型MOS管可变电容，它们都是电子元件中用来改变电容量的器件，但各自的工作原理和结构有所不同：1. 变容二极管（Varactor Diode）变容二极管是一种特殊的半导体二极管，其工作在反向偏置状态。
当反向电压变化时，PN结的耗尽区宽度也随之改变，从而影响结电容大小。
随着反向电压增加，耗尽层变宽，电容减小；反之，电容增大。
变容二极管被广泛应用于射频电路中的调谐和频率控制。
2. 普通MOS管作为可变电容MOS电容器是金属-氧化物-半导体结构，通常MOSFET（场效应晶体管）用于开关或放大等目的，但通过控制栅极与源极/漏极之间的电压，可以改变氧化层下的感应电荷分布，进而实现对电容的调控。
不过，MOSFET本身的寄生电容（栅极-源极电容Cgs和栅极-漏极电容Cgd）在某些特定应用场合下可以作为可变电容使用。
3. 反型MOS管可变电容在微波集成电路中，有时候会专门设计一种所谓的反型层电容（Depletion-mode MOS Varactor）。
在这种情况下，MOS管工作在完全反型的状态下，通过改变栅极电压来调整沟道区域的厚度（即有效面积），从而改变电容值。
由于这种可变电容利用了MOS结构，所以它的电容量受控特性优良，噪声低且集成度高。
4. 积累型MOS管可变电容积累型MOS（Accumulation-mode MOS Varactor）也可用作可变电容，它是指在栅极上施加负电压时，在沟道区域形成的积累载流子层改变了绝缘层下的电荷分布，进而产生电容效应。
相比于反型MOS可变电容，积累型MOS变容器主要工作在负栅压下，并且在微波频率应用中因其较低的Q因子而有特定用途。
这四种类型的可变电容都体现了通过电压控制电容特性的基本思想，但具体结构和操作方式有所区别，适应于不同的应用场景和需求。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种1.阈值电压（VT）：变容二极管的工作电压范围，一般以伏特（V）为单位。
2.最大顶峰电流（IPK）：变容二极管能够承受的最大电流峰值，通常以安培（A）为单位。
3.最大连续电流（IO）：变容二极管能够持续承受的最大电流值，通常以安培（A）为单位。
4.最大反向电流（IR）：在反向偏置时，变容二极管所能承受的最大反向电流值，通常以安培（A）为单位。
5. 回复时间（TRR）：变容二极管从正向偏置到反向偏置的时间延迟，通常以纳秒（ns）为单位。
6.反向导电性（RR）：变容二极管在反向偏置时的导电能力，通常以欧姆（Ω）为单位。
7.串联电阻（RS）：变容二极管正向电压条件下的串联电阻，通常以欧姆（Ω）为单位。
8.导通电压（VF）：变容二极管正向偏置时的导通电压，通常以伏特（V）为单位。
9.导通电流（IF）：变容二极管正向偏置时的导通电流，通常以安培（A）为单位。
10.最大反向耐压（VR）：变容二极管能够承受的最大反向电压，通常以伏特（V）为单位。
11.最大耗散功率（PD）：变容二极管能够耗散的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。
12.最大峰值倒换电流（IFSM）：变容二极管在瞬态工作条件下能够承受的最大倒换电流，通常以安培（A）为单位。
13. 最大工作温度（TJ max）：变容二极管能够工作的最高温度，通常以摄氏度（°C）为单位。
14. 最小存储温度（TSTG min）：变容二极管能够存储的最低温度，通常以摄氏度（°C）为单位。
15.包装类型：变容二极管的封装形式，如导线封装、表面封装、贴片封装等。
16. 尺寸：变容二极管的尺寸，通常以毫米（mm）为单位。
17.重量：变容二极管的重量，通常以克（g）为单位。
18.可靠性：变容二极管的可靠性参数，如寿命、失效率等。
以上是常见的变容二极管参数，不同型号的变容二极管可能具有不同的参数组合。
根据具体的应用需求，选择适合的变容二极管型号进行设计和应用。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种变容二极管是一种特殊的二极管，具有可调节电容值的功能。
它可以用于各种电子电路中，常见的有18种参数。
1. 最大电压（Maximum voltage）：变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个值，会导致二极管破裂或烧毁。
2. 最小电容（Minimum capacitance）：变容二极管可以调节的最小电容值。
3. 最大电容（Maximum capacitance）：变容二极管可以调节的最大电容值。
4. 调节电压（Adjustment voltage）：用于调节变容二极管电容值的电压范围。
5. 零电压电容（Zero-voltage capacitance）：当变容二极管施加的电压接近于零时的电容值。
6. 最小调节电压（Minimum adjustment voltage）：可以使变容二极管电容值发生变化的最小电压。
7. 最大调节电压（Maximum adjustment voltage）：可以使变容二极管电容值发生变化的最大电压。
8. 失调电容（Mismatch capacitance）：在同一调节电压下，不同变容二极管之间电容值的差异。
9. 带宽（Bandwidth）：变容二极管在特定电压范围内，可以稳定工作的频率范围。
10. 线性度（Linearity）：变容二极管电容值和施加电压之间的关系是否是线性的。
12. 串联电容（Series capacitance）：多个变容二极管可以串联使用，得到更大的电容值。
13. 并联电容（Parallel capacitance）：多个变容二极管可以并联使用，得到更小的电容值。
14. 温度系数（Temperature coefficient）：变容二极管电容值随温度变化的比率。
15. 稳定性（Stability）：变容二极管在长时间使用和不同温度条件下，电容值是否保持稳定。
16. 导通电阻（On-resistance）：当变容二极管施加最小调节电压时，其电阻值。
变容二极管调频原理
变容二极管调频原理一、变容二极管调频原理简介变容二极管（又称肖特基二极管）是一种特殊的二极管，其主要特性是在反向偏置下具有可变的电容值。
这种特殊的二极管可用于调频（Frequency Modulation，FM）电路中，实现信号的调制与解调。
二、调频方式的基本原理在调频电路中，信号的频率起着关键的作用。
调频的基本原理是通过改变信号的频率来携带信息。
变容二极管通过改变电容值来调制信号的频率。
三、变容二极管调频的原理及过程1. 调制过程：- 步骤1：将待调制的信号输入到变容二极管的输入端，在电路中形成一个振荡器。
- 步骤2：控制变容二极管的电压，使其在频率调制范围内的电容值随时间变化。
- 步骤3：根据信号的幅度和方向为变容二极管施加不同的电压，使其电容值相应地改变。
2. 解调过程：- 步骤1：将调频信号输入到变容二极管的输入端。
- 步骤2：将变容二极管的电容值传递到解调器电路中。
- 步骤3：通过解调器电路的处理，提取出原始的调制信号。
四、变容二极管调频的优势- 变容二极管调频的优势在于其频率范围广泛，可实现高精度的频率调制和解调。
- 由于变容二极管可以在微秒级别内响应电压变化，因此调频速度快，可满足高要求的调频应用。
五、变容二极管调频的应用领域- 广播电台：使用变容二极管调频技术可以实现音乐、语音等信号的传输和接收。
- 通信系统：调频技术可用于无线通信系统，实现高质量的语音和数据传输。
- 遥控设备：变容二极管调频可用于遥控设备中，如遥控器、汽车智能钥匙等。
六、结论变容二极管调频原理是一种重要的调频技术，通过改变变容二极管的电容值来实现信号的调制与解调。
在广播、通信和遥控等领域有着广泛的应用前景。
变容二极管
用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。通过施加反向电压，使其PN结的静电容 量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极 管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言， 其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路， 常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
主要用途
制作工艺
用于调谐电路
材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材 料电阻率有关的串联电阻。对于不同用途，应选用不同C和Vr特性的变容二极管，如有专用于谐振电路调谐的电 调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。
变容二极管
电压变化而改变结电容的半导体
01 主要参量
03 工作原理 05 其他信息
目录
02 作用特点 04 用途和制作工艺
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的 特Байду номын сангаас制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十pF 到几百pF，最大电容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视 接收机的调谐回路中作可变电容。
图3二极管用于调谐电路如图3所示，改变不同的R2，二极管(D)的反向电压被改变，这会引起二极管的电容 量改变。因此改变谐振频率其中的变容二极管就可调出并联谐振带通滤波器中所需电容量的全部变化范围。
isv149变容二极管电路
isv149变容二极管电路变容二极管（Variable Capacitance Diode，简称VCD）是一种具有可调电容特性的半导体二极管。
它主要应用于无线通信、广播电视、数据传输等领域，具有广泛的应用价值。
本文将介绍变容二极管的基本原理、电路应用以及选型与使用注意事项。
一、变容二极管的基本原理变容二极管的工作原理是基于PN结电容的可调性。
当输入电压或电流发生变化时，PN结的电容也会随之发生变化，从而实现电容的可调。
变容二极管一般由半导体材料制成，如硅、锗等。
其结构包括P型半导体、N型半导体以及连接两者的PN结构。
在一定的电压范围内，变容二极管的电容与电压呈线性关系。
二、变容二极管的电路应用1.调制器：变容二极管广泛应用于调制器电路，如无线电发射机、电视发射机等。
通过改变输入电压或电流，实现对发射信号的调制。
2.电容器：变容二极管可作为可调电容器使用，在通信、广播等领域具有广泛应用。
如滤波器、谐振器、定时电路等。
3.电压控制振荡器：利用变容二极管的电容变化特性，可以实现电压控制振荡器（VCO）的输出频率调整。
4.信号处理：变容二极管可用于信号处理电路，如衰减器、放大器等，实现对信号的放大、衰减和调整。
三、变容二极管的选型与使用注意事项1.选型：根据实际应用需求，选择合适的变容二极管型号。
主要考虑电容变化范围、工作电压、功耗、频率响应等因素。
2.使用注意事项：（1）避免过载：变容二极管具有额定工作电压，使用时应避免超过额定电压，以免损坏器件。
（2）散热：变容二极管在工作过程中会产生一定的热量，应确保散热良好，以延长器件使用寿命。
（3）匹配电容：在使用变容二极管进行调制等电路时，应注意与匹配电容的配合，以获得最佳的电路性能。
总之，变容二极管作为一种重要的半导体器件，在通信、广播等领域具有广泛的应用。
了解其基本原理、电路应用以及选型和使用注意事项，对于电子工程师而言是十分必要的。
变容二极管调谐电路
变容二极管调谐电路
摘要：
一、变容二极管概述
二、变容二极管在调谐电路中的作用
三、调谐电路的组成与原理
四、变容二极管在调谐电路中的应用实例
五、总结
正文：
一、变容二极管概述
变容二极管，又称可变电容二极管，是一种具有可调电容特性的半导体器件。
它主要用于电子电路中的频率调谐、振荡、放大等电路。
变容二极管的结构主要由N 型半导体和P 型半导体构成，通过调整两者之间的接触面积，可以改变其电容值。
二、变容二极管在调谐电路中的作用
在调谐电路中，变容二极管的作用主要体现在以下两个方面：
1.调整电路的频率：通过改变变容二极管的电容值，可以改变振荡电路的频率，从而达到调谐的目的。
2.改善电路的性能：在实际电路中，由于各种原因，如元器件参数的不一致、温度变化等，可能导致电路的性能发生变化。
通过调整变容二极管的电容值，可以有效地补偿这些因素对电路性能的影响。
三、调谐电路的组成与原理
调谐电路主要由LC 振荡电路和变容二极管组成。
其中，LC 振荡电路包括主电感L1、电容C1 和C2（串联电容）等元器件。
在电路中，通过改变变容二极管的电容值，可以改变LC 振荡电路的谐振频率，从而达到调谐的目的。
四、变容二极管在调谐电路中的应用实例
在实际电路中，变容二极管广泛应用于调谐电路，如收音机、通信设备等。
例如，在收音机的调谐电路中，通过调整变容二极管的电容值，可以使收音机接收到不同频率的广播信号。
五、总结
综上所述，变容二极管在调谐电路中具有重要作用。
通过调整其电容值，可以改变电路的频率，从而达到调谐的目的。
《变容二极管》课件
02
变容二极管的构造和类型
变容二极管的构造
变容二极管是由半导体材料制成的电子元件，其结构包括两个电极和中间的半导体 介质。
两个电极通常为金属材料，如金、银、铝等，而半导体介质则根据不同的变容二极 管类型而有所不同，常见的有硅、锗等。
的重要参数。
03
变容二极管的应用
调频调相应用
调频调相是变容二极管的重要应用之一，通过改变变容二极管的反向偏置电压，可以改变其 结电容，从而改变信号的频率或相位。
在调频应用中，变容二极管可以作为调频器或调相器中的关键元件，用于实现信号频率或相 位的调制。
调频调相技术广泛应用于通信、雷达、电子对抗等领域，可以实现信号的加密、抗干扰和远 距离传输。
变容二极管的检测与维护
使用万用表等检测工具，检测变容二极 管的正反向电阻值，判断其是否正常工
作。
检查变容二极管的外观是否有破损、裂 纹等现象，确保其结构完，并分析原因，避免类似问题
再次发生。
05
变容二极管的发展趋势和未 来展望
当前变容二极管的发展趋势
在调频立体声广播中，变容二极管作为调制器中的关键元件，能够将立 体声音频信号调制到高频载波上，实现信号的传输和广播。
调频立体声广播具有音质清晰、抗干扰能力强、传输距离远等优点，是 现代广播领域中的主流技术之一。
04
变容二极管的选用和注意事 项
如何选用变容二极管
根据电路需求选择合适的变容 二极管型号和规格，考虑其电 压、电流、结电容等参数是否 满足电路要求。
变容二极管的主要参数
反向击穿电压
指变容二极管所能承受 的最大反向电压，是变 容二极管的重要参数之
变容二极管介绍
变容二极管介绍变容二极管VCD（Variable-Capacitance Diode）是利用反向偏压来改变PN结电容量的特殊半导体器件。
它与普通二极管有相同之处，都用PN结，但也有重要区别。
对于一般的半导体二极管，人们总希望尽量减小其结电容。
对于变容二极管，却是要利用结电容。
因为变容二极管的结电容能随外加的反向偏压而变化，所以它被用作调频、扫频及相位控制。
目前，变容二极管的应用已相当广泛。
例如，彩色电视机普遍采用具有记忆功能（预选台）的电子调谐器，其工作原理就是通过控制直流电压来改变变容二极管的结电容量，以选择某一频道的谐振频率。
下面介绍其工作原理与检测方法。
1．构造原理变容二极管的构造原理参见图11(a)。
从本质上讲，它属于反偏压的二极管，其结电容就是耗尽层的电容。
可近似反耗尽层视为平行板电容器，两个导电板之间有介质。
因此，结电容C1的容量与耗尽层的宽度d成反比，有公式C1∝1/d (5.3.3)，又因为d与反向偏压V R 的n次方成正比（n是与掺杂浓度有关的常数），故C1∝1/V Rn，因此，反向偏压愈高，耗尽区就愈宽，而结电容量愈小。
反之亦然。
(a)图中，V R1＞V R2，故d2＞d1，C j2＜C j1。
变容二极管的简化等效电路及电路符号分别如图1(b)、(c)所示。
图中用一只可变电容来表示结电容。
R2是半导体材料的电阻。
图2给出了国产型B 11-1A变容二极管的结电容与反向偏压(C1- VR)之特性曲线。
这种管子的反向偏压中心值为2～6V，标称电容量是7～14pF。
由特性曲线不难看出，当反向偏压V R1=1V时，C j1≈40pF；当V R2=10V时，C j2≈3pF。
因此，该管的结电容变化范围大致是40pF～3pF。
利用下式计算电容调谐比T R值： T R= C j1/ C j2将C j1≈40pF，C j2≈3pF代入式(5.3.3)中，T R≈13.3。
2．检测方法检测变容二极管的专用仪器有：C-V特性仪、扫频仪、射频电桥先等。
稳压二极管和变容二极管
稳压二极管和变容二极管稳压二极管和变容二极管是电子元件中常见的两种二极管。
它们在电路中的作用和特点有何不同呢？稳压二极管，也称为Zener二极管，是一种特殊的二极管，它的主要作用是稳定电压。
当稳压二极管的反向电压达到某个特定值时，它会开始导通，从而使电路中的电压保持在一个稳定的水平。
稳压二极管通常用于电源电路中，以保证电路中的电压不会因为电源电压的波动而发生变化。
稳压二极管还可以用于电压检测电路中，以检测电路中的电压是否达到了预设值。
变容二极管，也称为调谐二极管，是一种可以改变电容值的二极管。
变容二极管的电容值随着反向电压的变化而变化，因此可以用于调节电路中的频率。
变容二极管通常用于无线电接收机中，以调节接收机的频率，使其能够接收不同频率的无线电信号。
变容二极管还可以用于电路中的振荡器电路中，以产生稳定的振荡信号。
稳压二极管和变容二极管的主要区别在于它们的作用不同。
稳压二极管用于稳定电路中的电压，而变容二极管用于调节电路中的频率。
此外，稳压二极管的电压稳定性比较好，可以保证电路中的电压变化很小，而变容二极管的电容值变化范围比较大，可以调节电路中的频率范围很广。
在实际应用中，稳压二极管和变容二极管常常会被组合使用。
例如，在无线电接收机中，稳压二极管和变容二极管可以一起使用，以保证接收机的频率稳定性和电压稳定性。
此外，稳压二极管和变容二极管还可以和其他电子元件一起使用，以实现更复杂的电路功能。
总之，稳压二极管和变容二极管是电子元件中常见的两种二极管。
它们在电路中的作用和特点有所不同，但常常会被组合使用，以实现更复杂的电路功能。
在实际应用中，我们需要根据具体的电路需求来选择合适的二极管。
常见变容二极管参数
常见变容二极管参数1. 最大主偏压（Vfmax）：最大主偏压是指在正向工作状态下，变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个电压，变容二极管可能会损坏。
2. 最大副偏压（Vrmax）：最大副偏压是指在反向工作状态下，变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个电压，变容二极管可能会损坏。
3. 最大通过电流（Ifmax）：最大通过电流是指变容二极管在正向工作状态下，可以通过的最大电流。
超过这个电流，变容二极管可能会过载而烧坏。
4.反向漏电流（Ir）：反向漏电流是指在副偏压下，没有施加正向电压时，变容二极管会有一个微小的反向电流。
反向漏电流越小，表示变容二极管的质量越好。
5.容量比：容量比是指变容二极管的电容值与DC电压值的比值。
容量比越大，表示变容二极管的变化范围越大。
6.交流响应时间：交流响应时间是指变容二极管在响应信号时的速度。
交流响应时间越小，表示变容二极管在变化时的快速响应能力越强。
常见的变容二极管有PIN二极管和反变容二极管。
其参数如下：1.PIN二极管：最大主偏压：一般在数百伏特到几千伏特之间。
最大副偏压：一般在数伏特到数十伏特之间。
最大通过电流：一般在几十毫安到几百毫安之间。
反向漏电流：一般在几微安到几十微安之间。
容量比：一般在0.01至1之间。
交流响应时间：一般在纳秒级以上。
2.反变容二极管：最大主偏压：一般在数十伏特到几百伏特之间。
最大副偏压：一般在几伏特到几十伏特之间。
最大通过电流：一般在几毫安到几十毫安之间。
反向漏电流：一般在几百纳安到几微安之间。
容量比：一般在0.1至10之间。
交流响应时间：一般在微秒级以上。
需要注意的是，不同的变容二极管具体参数可能会有所不同，生产商也可能会提供更为详细和精确的参数。
因此，在使用变容二极管时，需要参考其具体型号的参数手册或者数据表来确定具体的参数。
常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。
图1 （a ）变容二极管的等效电路 （b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）； 's L ——外部引线电感；s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。
通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。
一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V=(1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）； 为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下，选 =1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选 =2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t = + =时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V = 。
图2 变容二极管的j C v 特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V=(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。
图1 （a ）变容二极管的等效电路 （b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）；'s L ——外部引线电感； s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。
通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。
一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。
图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
mulstium 变容二极管
mulstium 变容二极管多晶二极管：变容简介多晶二极管是一种半导体器件，它利用材料的非线性电容特性来实现可变电容和变频功能。
变容二极管（varactor diode）是多晶二极管的一种特定类型，具有高度可调的结电容，可在施加反向偏置电压时改变。
工作原理变容二极管的工作原理基于 p-n 结的电容特性。
当反向偏置电压施加到 p-n 结时，结中的耗尽区宽度会增加。
耗尽区的宽度与电容成反比，因此耗尽区越宽，电容越小。
在变容二极管中，反向偏置电压通过一个外部直流电压源或射频信号施加。
通过改变反向偏置电压的幅度，可以控制耗尽区宽度，从而改变结电容。
特性变容二极管的主要特性包括：高可调电容：变容二极管的电容可在很宽的范围内调整，通常从几皮法拉到几百皮法拉。
低电容损耗：变容二极管具有很低的电容损耗，这对于射频应用非常重要。
快速切换时间：变容二极管具有快速的切换时间，这使其适用于调频应用。
耐用性：变容二极管具有很强的耐用性，可以在恶劣环境中可靠地工作。
应用变容二极管广泛用于各种电子应用中，包括：调频（FM）调谐：变容二极管用于 FM 收音机和电视机中，以改变调谐电路的电容，从而调谐到不同的频率。
振荡器：变容二极管用于振荡器电路中，以提供可调谐的电容，从而控制振荡频率。
相位调制器：变容二极管用于相位调制器中，以改变射频信号的相位。
参量放大器：变容二极管用于参量放大器中，以提供可调谐的电抗，从而放大微弱的信号。
设计注意事项设计变容二极管时，需要考虑以下因素：最大反向偏置电压：变容二极管的最大反向偏置电压取决于其材料和结构。
电容范围：变容二极管的可调电容范围取决于其尺寸、掺杂水平和偏置电压。
电容损耗：变容二极管的电容损耗应尽可能低，以最大限度地提高效率。
切换时间：变容二极管的切换时间应尽可能快，以实现快速频率调谐或信号处理。
封装变容二极管通常封装在各种封装中，包括：DO-35 玻璃封装：适用于低功率应用。
SOT-23 表面贴装封装：适用于紧凑型设计。
变容二极管参数
变容二极管参数
变容二极管，也称为变容二极管势垒电容二极管，是一种特殊的二极管。
它是由一对不同类型的半导体材料组成，其中一侧为p型半导体，而另一侧为n型半导体。
变容二极管的主要参数包括以下几个方面：
1. 反向电压（Reverse Voltage）：即变容二极管允许通过的最大反向电压。
超过该电压，二极管会击穿而失去正常工作状态。
2. 势垒电容（Junction Capacitance）：即变容二极管的势垒区的电容大小。
势垒电容决定了变容二极管在正向偏置状态下的电容值。
3. 倒向增益（Reverse Recovery Gn）：指在变容二极管从正向偏置状态切换到反向偏置状态时，其电流迅速减小或截止的情况下，所需要消耗的电荷量。
倒向增益越小，二极管的反向切换速度越快。
4. 倒向恢复时间（Reverse Recovery Time）：指变容二
极管从正向偏置状态切换到反向偏置状态时所需要的时间。
倒向恢复时间较短，表示二极管在快速切换场景下的反向
恢复能力较强。
除了以上参数外，变容二极管的工作温度范围、最大正向
电流、最大反向电流等参数也是重要的评估指标。
这些参
数的具体数值可以从器件的数据手册或制造商提供的规格
表中获取。
变容二极管结电容与外接电压的关系式
变容二极管（Varactor Diode）是一种具有可变电容的二极管，也被称为调制二极管、容变二极管等。
它的电容随着外接电压的变化而变化，因此被广泛应用于各种射频电子设备中，如频率调制、振荡器和滤波器等。
本文将介绍变容二极管的结电容与外接电压的关系式。
1. 变容二极管的基本原理变容二极管是一种PN结型的二极管，其具有正向偏置和反向偏置两种工作状态。
在正向偏置状态下，二极管结处会形成一个耗尽区，此时其电容较小；而在反向偏置状态下，耗尽区会扩展，导致电容增大。
这种特性使得变容二极管的电容可以被外界的电压信号所控制。
2. 变容二极管的结电容公式变容二极管的结电容可以用以下公式来表示：C = C0 / (1 + V / VA)^m其中，C为变容二极管的实际电容，C0为零偏电压下的最小电容，V为外接的反向偏置电压，VA为特定的开路电压，m为非线性指数。
3. 公式中的参数解释- C0：即零偏电压下的最小电容，这是指在没有外界电压作用时，变容二极管的最小电容值。
- V：外接的反向偏置电压，当V增大时，变容二极管的电容会随之减小。
- VA：特定的开路电压，是的变容二极管的电容达到最大值所需要的电压。
- m：非线性指数，它描述了变容二极管电容与电压的非线性关系。
一般情况下，m的值在1到2之间。
4. 结电容与外接电压的关系从上面的公式可以看出，变容二极管的结电容与外接电压呈指数关系。
当外界电压作用于变容二极管时，其电容随之减小，但减小的速度是随着电压的增大而减缓的。
可以通过调节外界电压来控制变容二极管的电容值，实现对射频信号的调制和调谐。
5. 应用举例变容二极管的结电容与外接电压的关系式在实际应用中具有重要意义。
在射频滤波器中，可以通过改变变容二极管的电容值来实现对特定频率信号的滤波。
又如在频率调制电路中，可以利用变容二极管的特性来实现对载波频率的调制。
变容二极管的结电容与外接电压的关系式为工程师们设计各种射频电子设备提供了重要参考，也为射频技术的发展提供了强大的支持。
变容二极管
变容二极管Varactors,又称为电压调谐电容Voltage variable Capactors,VVC 或调谐二极管Tuning Diodes,当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小;变容二极管优点主要表现在：1体型小巧易于安装；2易于实现自动电子调谐Auto Electronic Tuning,方便遥控的电子调谐器的设计;如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成;1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图4-7a 所示;图4-7 a 变容二极管的等效电路 b 变容二极管的简化等效电路其中,Rp ——反向偏压的结电阻Junction Resistance ；'Ls ——外部引线电感；Ls ——内部引线电感；Cc ——封装电容；Rs ——二极管体电阻；j C ——结电容;通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图4-7b 所示;一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为 γ)1(0Dj j V v C C -= 4-5 j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容；D V 为变容管PN 结内建电位差硅管D V =,锗管D V =；γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压;在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频;变容二极管的v C j -特性曲线如图2所示;当加入的反向电压为t V V v V v m Q Q Ω+=+=ΩΩcos 时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为V C k t ∆∆=;图4-8 变容二极管的v C j -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值1变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为R C ,可得近似的变容比率为 γ⎥⎦⎤⎢⎣⎡≈=min max max min )()(V V V C V C C R 4-6 式中,)(min V C ——在偏压最小时的结电容值；)(max V C ——在偏压最大时的结电容值; 可见,变容比率R C 与γ值有关,γ值愈大变容比率R C 愈大;2变容二极管Q 值由简化的等效电路,可导出变容二极管的元件Q 值为222)2(2p s j p s p j R R fC R R R fC Q ππ++= 4-7可见,变容二极管的Q 值并非为定值,而是随外加偏压及频率的变化而变化;通常,s R 阻值小于１欧姆,p R 阻值为1010Ω级,在较高频率时,因)()2(22p s p s j R R R R fC +>>π,可得高频时的Q 值为 sj s R fC Q Q π21=≈ 4-8 可见,由于二极管中等效串联电阻s R 的影响,高频时Q 值将会降低;而在较低频率时,由于等效电路以p R 为主导,忽略22)2(p s j s R R fC R π+的影响,可得此时的Q 值为p j p R fC Q Q π2=≈ 4-9可见,在低的频率段,随着频率的上升,Q 值会有所提高；而在低的频率段的低区,由于反向偏压所引起的结电阻基本为恒值,会导致Q 值下降;由上面的分析可知,变容二极管主要存在以下不足：1品质因素Q 值不够高;早期所用的机械式调谐电容器,元件本身的品质因数Q 值都很高,一般都可达几千;因而应用这类调谐电容器的电路,电路Q 值可由振荡线圈、振荡电容、谐振电阻等元件而定；采用变容二极管为调谐电容后,变容二极管的Q 值通常在几十至几百之间,因而必须注意其Q 值对电路的影响,尤其是频率的低端与高端;2容易受温度影响;由于变容二极管为半导体器件,因而在温度效应上,仍有其先天不足,因此在设计时,应注意温度补偿的问题;常用的补偿设计,可采用的二极管正向导通压降来实现对变容二极管的温度补偿,当温度上升时,二极管正向导通的压降随之减少,因而可使变容二极管上的反向偏压改变;如图4-9所示,二极管D1的正向压降D V 设为,当温度上升后,若D V 降至约为,而in V 保持为恒定,则输出至变容二极管v D 的偏压o V 将会增加;所增加的电压,将会使变容二极管的电容量下降,因而可抵消因温度改变而增加的量;在实际应用时,为使这一电路能有效工作,补偿用二极管的材质特性,宜与变容二极管的相当;且在电路中的安装位置,应与变容二极管处于相同的温度环境;另外,以变容二极管设计的电容控制振荡器co V ,为锁相环路中的主体,且由于其本身已具有反馈环路,由于外因导致的变容二极管上容量产生变化,都可经由反馈而取得补偿,因而不需再加额外的补偿装置;图4-9 正向二极管温度补偿在工程应用中,要注意以下几点：1进行调谐电视频道或调幅广播时,需要较宽的频率范围,因而通常选用1≥γ的超突变结变容二极管；2电容量大的,多用于频率较低的系统,如应用在10M 以下的调幅AM 广播频段； 3调谐变容二极管在选用时应尽量配对使用,因为在几个调谐电路中用的是同一个调谐电压,则要求变容二极管在同一变化的电压下,容量的变化相同,即电压、容量特性的一致性;所以在选用更换时要求要同型号、同色点或同字母;以保证调谐的准确和良好的接收效果;4在很多的技术资料上,都设in V =4V 为最佳工作状况的最低反向偏压值;有时为取得更高的变容比率,可以降低V值,不过必须以牺牲变容二极管Q Q值为代价;m in5在降低反向偏压时,必须注意外加信号电压峰值大小,以避免变容二极管工作在正向导通状态;且在信号电压过大时,将会引发电容调制效应而产生失真;6实际应用变容比率C时,都较手册理论值低,在设计应用时需加注意;R。
变容二极管参数 (3)
变容二极管参数1. 引言变容二极管是一种具有特殊电学性质的二极管，其参数对于电路设计和性能评估具有重要意义。
本文将介绍变容二极管的常见参数及其含义，帮助读者更好地理解和应用这种元件。
2. 基本参数2.1 最大电容量（Cj）最大电容量是变容二极管能够容纳的最大电荷量，通常以皮法（pF）作为单位。
它反映了变容二极管在正向偏置情况下的电容大小。
较大的最大电容量意味着更高的电容效果，但也可能伴随着较高的串扰和损耗。
2.2 漏电流（Ir）漏电流是变容二极管在正向偏置条件下的泄漏电流，通常以微安（μA）为单位。
漏电流一般很小，但在高温环境下可能会增加。
较低的漏电流表示更好的性能。
2.3 正向电压（Vf）正向电压是变容二极管在正向偏置下的电压降，通常以伏特（V）为单位。
正向电压主要取决于二极管材料和工艺，一般是固定值。
较低的正向电压对于功耗和电路性能优化非常重要。
3. 动态参数3.1 变化电容（ΔC）变化电容是指变容二极管在反向偏置条件下，当电压发生变化时，电容的变化量。
变化电容通常以皮法（pF）为单位，并且是动态响应的重要参数。
较大的变化电容意味着更好的电容调节效果。
3.2 变容时间（τ）变容时间是指变容二极管从一个电容状态到另一个电容状态所需的时间。
变容时间通常以纳秒（ns）为单位，较短的变容时间意味着较好的动态响应。
3.3 变容电压（ΔV）变容电压是指变容二极管在反向偏置条件下，当电压发生变化时，电容的变化电压。
变容电压通常以伏特（V）为单位。
较大的变容电压意味着更大的电容调节范围。
4. 温度参数4.1 温度系数（TC）温度系数是指变容二极管电容值随温度变化的比率。
温度系数通常以百分比/摄氏度（% / ℃）表示，正值表示电容随温度升高而增加，负值表示电容随温度升高而减小。
较小的温度系数意味着更稳定的性能。
4.2 温度漂移（Td）温度漂移是指变容二极管的电容值随温度变化的偏离程度。
温度漂移通常以皮法/摄氏度（pF / ℃）表示，用于衡量电容的稳定性。
变容二极管介绍
变容二极管介绍变容二极管是一种特殊的二极管，它具有可以改变电容值的功能。
在电子领域中，电容器是一种常见的元件，用于存储电荷和调节信号的频率响应。
而变容二极管则可以根据外部电压的变化，自动调节其电容值，从而实现对电路的精确控制。
变容二极管的结构与普通二极管相似，由两个不同材料的半导体构成。
其中，P型半导体的一侧被掺杂了大量杂质，形成了一个贫穷区；而N型半导体的一侧则掺杂了少量杂质，形成了一个富集区。
两个区域之间形成的PN结使得电流只能单向通过，从而实现了二极管的整流功能。
与普通二极管不同的是，变容二极管的富集区可以通过外部电压的变化而改变其宽度。
当外部电压较低时，富集区较窄，电容值较小；而当外部电压较高时，富集区较宽，电容值较大。
这种电容值的改变是非常灵活且可靠的，因此变容二极管被广泛应用于各种电路中。
变容二极管的应用非常广泛，特别是在无线通信领域。
例如，在手机中，变容二极管常被用于调节天线的工作频率。
由于无线信号的频率范围很广，因此需要能够灵活调节的元件来匹配不同频率的信号。
变容二极管的电容值可以根据信号频率的变化而自动调节，从而实现对天线的精确调谐。
变容二极管还可以用于电子滤波器的设计。
电子滤波器是一种用于调节信号频率响应的电路，常见的有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
通过调节变容二极管的电容值，可以改变滤波器的截止频率，从而实现对信号的精确调节和滤波。
除了无线通信和滤波器应用外，变容二极管还可以用于电容式触摸屏的设计。
电容式触摸屏是现代电子产品中常见的输入设备，通过感应人体电荷的变化来实现触摸操作。
变容二极管作为电容器的关键组成部分，可以根据触摸的位置和力度来调节电容值，从而实现对触摸信号的精确响应。
总的来说，变容二极管是一种非常有用的电子元件，具有改变电容值的特殊功能。
它在无线通信、滤波器和触摸屏等领域有着广泛的应用。
通过灵活调节电容值，变容二极管可以实现对电路的精确控制，从而提高了电子设备的性能和功能。
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元件封装 (Footprint) RB7.6-15
2
C, C1, C2, C3, Cap
RAD-0.3
C4, C6, C10, C11,
C12, C13, Cb,
Cb3, Cc, Ce3, Ce4
3
Dc
2CC1C
SOT23A
4
L
Inductor
0402-A
5
L1, L2, L3
Inductor Iron AXIAL-0.9
(3.1)
根据式（3.1）可得，相应的变容二极管结电容变化规律为
(1) 当调制信号电压为 u t 0 时，即为载波状态。此时 ur t VQ ，对应的变容二极管
结电容为
Cj
C j0
1
VQ VD
n
(2) 当调制信号电压 u t U m cos t 时，对应的变容二极管的结电容与载波状态时变
容二极管的结电容关系为
AP PC Pi
式中 Pi 为功放的输入功率，它与功放的输入电压 Vim 及输入电阻 Ri 的关系为 Vim 2Ri Pi
集电极基波电压的振幅
VC1m I C1m R p
式中,IC1m 为集电极基波电流的振幅:RP 为集电极负载阻抗。 丙类功放的基极偏置电压–VBE 是利用发射极电流的直流分量 IE0(IE0 IC0)在射极电
Cj
C jQ
n
1
Vm
cost
VD VQ
令 m Vm 为电容调制度，则可得 VQ VD
Cj
C jQ
1 mcostn
上式表示的是变容二极管的结电容与调制电压的关系。而变容二极管调频器的瞬时频率 与调制电压的关系由振荡回路决定。
无调制时，谐振回路的总电容为：
CQ
C1
CC CQ CC CQ
PC
1 2 VC1m I C1m
1 2
I
2 C1m
RP
1 VC21m 2 RP
直流电源 VCC 供给的直流功率
PD VCC I C0
式中，IC0 为集电极电流脉冲 iC 的直流分量。电流脉冲 iC 经傅立叶级数分解，
可得峰值 Icm 与分解系数 n(θ)的关系式
I Cm IC0
I C1m I Cm
这次课程设计让我认识到了知识和实践的重要性。只有牢固掌握了所学的知识，
才能有清晰的思路，知道每一步该怎样走。才能顺利的解决每一个问题。就以这次课 程设计为例，刚拿到题目的时候，大致看一下要求，根据平时所学的知识，脑海中就 立刻会想到应该用到的元器件，然后再去图书馆去查这些元器件的资料，很快地初步 方案以及大概的电路原理图就出来了。但是，在具体的细节设计上，我却不知道为什 么，从而明白了自己基础知识掌握得不牢固。所以，这次课程设计在让我认识了知识 的重要性之外，更让我明白了自己理论知识和实践知识的欠缺。
T2
Trans CT Ideal TRF_5
设计体会
备注
Polarized Capacitor (Radial) Capacitor
Variable Capacitance Diode Inductor Magnetic-Core Inductor NPN General Purpose Amplifier Resistor
图 4.1 调频信号产生电路
图 4.2 调频电路仿真图
图 4.3 电容三点式振荡电路
4.2 调制灵敏度
单位调制电压所引起的最大频偏称为调制灵敏度，以 Sf 表示，单位为 kHz/V，即
Sf
fm Vm
VΩm 为调制信号的幅度；△ fm 为变容管的结电容变化△Cj 时引起的最大频偏。所以回路 总电容的变化量为
。所以，C1↓Sf↑
△
f
↑。
调制灵敏度 Sf 可以由变容二极管 Cj-v 特性曲线上 VQ 处的斜率 kc 计算。Sf 越大， 说明调制信号的控制作用越强，产生的频偏越大。 改变 CC 的值可以使变容二极管的工 作点调节到最佳状态。
4.3 高频功率放大器设计
图 4.5 高频功率放大器的设计
晶体管 T1 与高频变压器 Tr1 组成宽带功率放大器，晶体管 T2 与选频网络 L2、C2 组成丙类谐振功率放器。
阻 RE2 上产生的压降来提供的，故称为自给偏压电路。 当放大器的输入信号 vi 为正弦波时，集电极的输出电流 iC 为余弦脉冲波。利用谐
振回路 L2C2 的选频作用可输出基波谐振电压 vC1、电流 iC1。 为获得最大不失真输出功率，静态工作点 Q 应选在交流负载线 AB 的中点。 集电极输出功率
晶体管 T1 与 RB1、RB2、RE1、RF 组成的宽带功率放大器工作在甲类状态。其特点 是：晶体管工作在线性放大区。其静态工作点的计算方法与低频电路相同。
宽带功率放大器集电极的输出功率 PC 为：
PC PH T
式中，PH 为输出负载上的实际功率；T 为变压器的传输效率，一般 T = 0.75~0.85。 集电极的输出功率 PC 的表达式为
6
Q1, Q2, Q3, Q4 3DG100
TO-92A
7
R1, R2, R3, Rb1, Res2
AXIAL-0.4
Rb2, Rb3, Rb4,
Rb5, Rb6, Rc, Re,
Re4, Re21, Re31,
Re32, RL
8
Res2
Res Adj2
AXIAL-0.6
9
T1
Trans
TRANS
Hale Waihona Puke 10C p2C j
在频偏较小时，△fm 与△C∑的关系可采用下面近似公式，即
fm 1 C
fo
2 CQ
所以，p↑ △ f ↑ ，△Cj↑ △ f ↑。
调制灵敏度 S f
f0 2CQ
C CQ
，
式中，△C∑为回路总电容的变化量；CQ∑为静态时谐振
回路的总电容，
即 CQ
C1
CC CQ CC CQ
变容二极管直接调频电路设计
1 引言
本设计载波油 LC 电容反馈三端振荡器组成主振回路，振荡频率由电路电感和电容 决定，当受调制信号控制的变容二极管接入载波振荡器的振荡回路，则振荡频率受调制 信号的控制，从而实现调频。
2 课程设计内容及要求
主要性能指标要求：主振频率 f0 10MHz ，频率稳定度 fo / fo 10 3 / 小时，主振 级的输出电压Vo 1V ，最大频偏 fm 10kHz 。输出负载 RL 75Ω ，发射功率（输出负 载 RL 上的功率） P0 50mW ，调制频率 F=500Hz～3kHz，总效率 ηA>50%。
设调制信号为 u t U m cos t ，加在二极管上的反向直流偏压为 VQ，VQ 的取值
应保证在未加调制信号时振荡器的振荡频率等于要求的载波频率，同时还应保证在调制 信号 uΩ(t)的变化范围内保持变容二极管在反向电压下工作。加在变容二极管上的控制电
压为
ur t VQ um cos t
变容二极管的结电容 Cj 随调制电压 uΩ(t)的变化，而且还与 C1 和 C2 的大小有关。因为 变容二极管部分接入振荡回路，其中心频率稳定度比全部接入振荡回路要高，但其最大 频偏要减小。
4 电路各模块工作原理 4.1 LC 振荡电路
本电路采用常见的电容三点式震荡电路实现 LC 振荡，如图 4.1，简便易行，变容二 极管电容作为组成 LC 振荡电路的一部分，电容值会随加在其两端的电压的变化而变化， 从而达到了变频的目的。
Rc，Re，RB1，RB2 设置 LC 震荡电路的静态工作点，L1，C1 构成 LC 震荡电路，CC,DC 接入 LC 振荡电路改变振荡频率构成调频电路。R1、R2、R3 提供变容二极管工作所需的 直流偏置。信号 VΩ从 C5 接入，电感 L2 是一低通线圈，可以过滤掉信号的高频部分。图 4.2 为调频电路的交流等效电路。变容二极管的接入方式为部分接入，如果去掉与之串 联的 CC 则为全部接入。
AP
Po Pi
或 AP
10 lg
Po Pi
dB
如图4.4所示，丙类功放的输出回路采用变压器耦合方式。其作用一是实现阻抗匹配， 将集电极的输出功率送至负载；二是与谐振回路配合，滤除谐波分量。
集电极谐振回路为部分接入，谐振频率
0
1 LC
或f 0
2
1 LC
(2) 负载特性 当功放处于临界工作状态 A 点时，管子的集电极电压正好等于管子的饱和压降
其中，CQ 为静态工作点所对应的变容二极管结电压。 当有调制时，谐振回路的总电容为：
C
C1
CCC j CC C j
这回路的总电容的变化量为：
C C CQ ；
频偏 ΔC 与 Δf 的关系为：
f
1 2
f0
C CQ
。
由变容二极管部分接入振荡器振荡回路的等效电路。调频特性取决于回路的总电容 C∑，而 C∑可以看成一个等效的变容二极管，C∑随调制电压 uΩ(t)的变化规律不仅取决于