逆变器设计 课程设计任务

逆变器设计课程设计任务

3KVA逆变器设计课程设计任务书

课程设计任务书

题目: 3KVA三相逆变器设计

初始条件：

输入直流电压220V。

要求完成的主要任务:（包括课程设计工作量及其技术要求，以及说明书撰写等具体要求）

设计容量为3KVA的三相逆变器，要求达到：

1、输出220V三相交流电。

2、完成总电路设计。

3、完成电路中各元件的参数计算。

时间安排：

6月5日~6月6日：完成选题，领取设计任务书，查阅相关资料，规划总体设计方案；

6月7日~6月11日：完成电力电子装置的具体设计方案，包括参数设计、器件选取等；

6月12日~6月14日：整理资料，完成设计论文撰写。

指导教师签名：年月日

系主任（或责任教师）签名：年月日

目录

摘要 (1)

1 设计意义及要求 (2)

1.1设计意义 (2)

1.2设计要求 (2)

2 方案设计 (3)

2.1设计原理及思路 (3)

2.1.1逆变电路 (3)

2.1.2 三相逆变原理介绍 (4)

2.1.3 SPWM逆变电路原理及其控制方法 (5)

2.1.4 设计思路 (8)

2.2方案设计与选择 (8)

2.2.1 逆变电路选择 (8)

2.2.2 SPWM采样方法选择 (10)

3 部分电路设计 (11)

3.1IGBT三相桥式逆变电路 (11)

3.2脉宽控制电路的设计 (12)

3.2.1 SG3524芯片 (12)

3.2.2 调制波及载波的产生 (13)

3.3驱动电路的设计 (14)

3.3.1 IR2110芯片 (14)

3.3.2 驱动电路 (14)

3.4LC滤波 (15)

3.5变压器升压模块 (16)

4 系统元件有关参数的计算 (17)

4.1开关管和二极管的选择 (17)

4.2L、C滤波器的设计 (17)

4.3变压器参数设计 (18)

5 基于MATLAB的原理仿真 (19)

结束语 (22)

参考文献 (24)

摘要

本次系统设计的是一个输入220V直流，输出电压220V，容量为3KVA的电压型三相逆变器，该三相逆变器是基于DSP的SPWM调制设计。系统硬件部分包括辅助电源模块，IGBT三相逆变桥模块，三相逆变驱动模块，电压检测模块，过流检测模块，后级升压滤波模块，DSP最小系统。

系统的SPWM波是由DSP专门的PWM口产生的，该系统的软件部分的SPWM波是采用的规则采样法。在本次设计中，查阅许多逆变器方面的资料，有感先进的功率器件及逆变控制器件对电力电子技术进步的推动作用，大大简化设计，极大提高系统的可靠性，达到以往设计无法达到的技术指标。

由于时间有限，无法对SVPWM逆变电路进行研究，而是采用正弦SPWM技术，实现了220V直流电到220V正弦交流电3KW的逆变，并且输出电压还可以在一定范围内调整。

关键词： DSP、逆变器、IGBT、SPWM

1 设计意义及要求

1.1 设计意义

与整流相对应，把直流电变成交流电称为逆变。当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时，称为有源逆变；当交流侧直接和负载连接时，称为无源逆变。

逆变电路应用非常广泛，在已有的各种电源中，蓄电池，干电池，太阳能电池等都是直流电源，当需要这些电源向交流负载供电时，就需要逆变电路。另外，交流电动机调速用变频器，不间断电源，感应加热电源等电力电子装置使用非常广泛，其电路的核心部分都是逆变电路。有人甚至说，电力电子技术早期曾处在整流器时代，后来则进入逆变器时代。

逆变电路在电力电子电路中占有十分突出的位置，当今世界逆变电源应用非常广泛，需求量逐年递增。逆变电源技术的核心部分是逆变器和其控制部分。逆变器是将直流变为定频定压或调频调压交流电的变换器，传统方法是利用晶闸管组成的方波逆变电路实现，但其含有较大成分低次谐波等缺点，由于电力电子技术的迅速发展，全控型快速半导体器件BJT，IGBT，GTO 等的发展和PWM 的控制技术的日趋完善，使SPWM 逆变器得以迅速发展并广泛使用众所周知。虽然在控制方法上已经趋于成熟，但有些控制方法实现起来仍很困难。随着开关频率的提高，会引起开关损耗的增加，逆变效率和直流利用率的降低，因此，对逆变电源技术进行深入地研究有很大的现实意义。

1.2 设计要求

初始条件：

输入直流电压220V。

要求完成的主要任务: （包括课程设计工作量及其技术要求，以及说明书撰写等具体要求）

设计容量为3KVA的三相逆变器，要求达到：

1、输出220V三相交流电。

2、完成总电路设计。

3、完成电路中各元件的参数计算。

2 方案设计

2.1 设计原理及思路

2.1.1逆变电路

逆变，是对电能进行变换和控制的一种基本形式，现代逆变技术是综合了现代电力电子开关器件的应用、现代功率变换技术、数字信号处理（DSP）技术、模拟和数字电子技术、PWM技术、频率和相位调制技术、开关电源技术和控制技术等的一门综合性技术。已被广泛地用于工业、军事或民用领域的各种功率变换系统和装置中。

自从50年代硅晶闸管问世以后，功率半导体器件的研究工作者为达到理想目标做出了不懈的努力，并已取得了世人瞩目的成就。60年代后期，可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能，并使斩波工作频率扩展到lkHz以上。70年代中期，高功率晶体管和功率MOSFET问世，功率器件实现了场控功能，使高频化成为可能。80年代，绝缘门极双极型晶体管（IGBT）问世，它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。IGBT的迅速发展，又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件——MOSFET门控晶闸管的研究。

现在许多国家已能稳定生产8000V/4000A的晶闸管。日本现在已能稳定生产8000V/4000A和6000V/6000A的光触发晶闸管（LTT）。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。近十几年来，由于自关断器件的飞速发展，晶闸管的应用领域有所缩小，但是，由于它的高电压、大电流特性，它在高压直流（HVDC）、静止无功补偿（SVC）、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍然占有十分重要的地位。

目前，GTO的最高研究水平为6000V/6000A以及9000V/10000A。这种GTO采用了大直径均匀结技术和全压接式结构，通过少子寿命控制技术折衷了GTO导通电压与关断损耗两者之间的矛盾。由于GTO具有门极全控功能，它正在许多应用领域逐步取代SCR。为了满足电力系统对lGVA以上的三相逆变功率电压源的需要，近期很有可能开发出10000A、12000V的GTO，并有可能解决30多个高压GTO串联的技术，可望使电力电子技术在电力系统中的应用再上一个台阶。

IGCT可以较低的成本，紧凑、可靠、高效率地用于0.3～10MVA变流器，而不需要串联或并联。如用串联，逆变器功率可扩展到100MVA而用于电力设备。虽然高功率IGBT