防止损坏电磁炉IGBT的方法 及维修经验

[电磁炉] 防止损坏电磁炉IGBT的方法

电磁炉里的IGBT实在是"娇气".弄不好几十块钱就没啦.!在检修时先去掉加热线圈,.测IGBT的栅级(也就是G点)对地电压.在待机状态下应小于等于0.5V.在开机时应在1~2.5V之间为正常,.前不久修理一个雅乐思电磁炉,G点电压为3,5V,结果加上线圈后,3,4分钟,就爆啦,原因是一个三极管NPN型的击穿,更换后,测G 点电压间隔出现1.9V电压,后又接上100W灯泡,也是间隔闪亮,最后通电试机,一切OK

压敏电阻短路从外表就可以看出来，使用市电不稳的地方压敏损坏率大些。

电磁烧igbt原因很多,这里建议修理电磁炉最好可以有台示波器.这样可以方面准确判断故障.

这里提供电磁炉爆igbt几大隐患问题.

一;同步电路异常(在线圈盘两端的有3~5个的300k~680k/2瓦的电阻,接到339的其中的一组的比较器)两端的电压相差应在0.2v之内.待机时电压在3v~5v左右,工作时在1.7v左右.

二;激励电路的脉宽过宽,尖峰,杂波等(脉宽过宽用示波器,在放上锅时,移走锅时示波器波形瞬间的波形变化不能超过0.2mv(示波器上两格)

三;散热不良

四;电路板自身设计存在问题(主要问题:地线不合理,线圈盘电感与电容匹配不良)此类很难解决

五;使用早期仙童fga25n120,fga15n120系列的igbt(igbt的后缀编号an和and)电磁炉,特别用此igbt用大功率的电磁炉上,电路设计稍微匹配不良,就很容易引起igbt 过热而烧毁.

六；一般电容坏的比较多,特别是整流滤波电容"5UF/275V~X2(400VDC)",逆程,谐振电容1200V0.3UF,两者都会威胁功率开关管，好一点的炉对前者会有保护功能，对后者，一般都会烧功率开关，所以碰到烧管的炉，一定先检查该电容有无开路，因为该两个电容经常工作在高温环境里，容易容量变小或开路,漏电

很多的朋友可能碰到过不少电磁炉间断加热的问题，有的是工作一秒钟就停掉了，再工作一秒，或者有的是几秒，就停掉，再工作几秒，如此反复，还有一种问题，跟这种情况差不多，就是正常放锅的时候就总是在检锅状态，而你把锅拿高一点就可以正常加热，这种问题，往往你检查的时候，却查不到什么问题，什么都换了却问题依旧，对付这种故障，经过本人的多次维修案例和研究，发现问题的根源是走线干扰，一般来说，从高压反馈回来的可能有2到4路，其中同步电路就占了两路，还有一路作浪涌监测，还有一路作高压检测，根据机型不同也许路数就不同，问题的根源呢就在这几条线，解决的方法呢，就是把从反馈电阻到339之间这几路的线路断开，要两边都断，然后再用导线连起来就可以了，也就是说中间的这一截线路不要，从反馈电阻的脚到339的脚完全用线连，这样呢这几条线就没有了干扰，电磁炉也就OK了。这些只是个人的维修经验，有不对的地方请大家批评指正

电磁炉的分类及修理事项

在修理中常见的电磁炉大致分为两类：

由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。

1：触发部分由正负两组电源，管子用PNP\NPN组成，类似这种电路，后级

大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。

2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；

这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT

这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。

对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。

不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.

2.1.2 IGBT

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。

IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。

从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。

IGBT的特点:

1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。

2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。

3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET 的Rds(on) 的10%。

4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。

5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。

IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。

目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:

(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。

(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。

(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时