场效应管参数手册
场效应管系列参数
场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N<GDS IRF3205*N55V110A200W<8m GDS IRF3710*N<GDS IRFP054#N60V70A230W<14m GDS IRFP064#N60V70A300W<9m GDS IRFP140#N100V31A180W<77m GDS IRFP150#N100V41A230W<55m GDS IRFP240#N200V20A150W<0.18GDS IRFP250#N200V30A190W<85m GDS IRFP260#N200V46A280W<55m GDS IRFP264#N250V38A280W<75m GDS IRFP350#N400V16A190W<0.3GDS IRFP360#N400V23A280W<0.2GDS IRFP450#N500V14A190W<0.4GDS IRFP460#N500V20A280W<0.27GDS IRFZ44N*N60V50A150W<28m GDS IRFZ46N*N50V50A150W<24m GDS IRFZ48N*N60V50A190W<18m GDS IRFZ24N*N60V17A60W<0.1GDS场效应管系列参数(2)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位2SK30N NF/Uni,Ra50V Idss>0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v<SGD 2SK701N60V+_2A15W<0.6R SDG 2SK702N100V+_5A50W<0.45R GDS 2SK703N100V+_5A35W<0.45R GDS 2SK787N900V+_8A150W<1.6R GDS 2SK790N500V15A150W<0.4R GDS 2SK792N900V3A100W<4.5R GDS 2SK794N900V5A150W<2.5R GDS 2SK827N450V+_18A150W<0.38R GDS 2SK832N900V+_4A85W<4R GDS 2SK851N200V30A150W<85mr GDS 2SK957N900V2A40W<8.5R GDS 2SK962N900V8A150W<2R GDS 2SK1019N450V35A300W<0.2R GDS 2SK1020N500V30A300W<0.25R GDS 2SK1082N800V7A125W<2.2R GDS 2SK1117N600V6A100W<GDS 2SK1118N600V6A45W<GDS 2SK1119N1000V4A100W<GDS 2SK1120N1000V8A150W<GDS 2SK1169N450V20A120W<0.25R GDS 2SK1170N500V20A120W<0.27R GDS 2SK1271N1400V+_5A240W<4R GDS 2SK1317N1500V 2.5A100W<12R GDS 2SK1358N900V9A150W<1.4R GDS 2SK1359N1000V5A125W<3.8R GDS 2SK1426N60V100A200W<12mr GDS 2SK1500N500V+_25A160W<0.25R GDS延吉市大众摩配商店版权所有。
20n03场效应管参数
20n03场效应管参数20n03是一种场效应管，也被称为N沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOSFET）。
下面将解释20n03场效应管的主要参数：1. 额定电压（VDS）：20n03场效应管的额定电压是指可以在其两个端口之间施加的最大直流电压。
这个参数是非常重要的，因为超过额定电压可能会导致管子损坏。
2. 额定电流（ID）：20n03场效应管的额定电流是指在特定温度和电源电压下，可以通过管子的最大电流。
超过额定电流可能会导致过热和管子损坏。
3. 阈值电压（Vth）：20n03场效应管的阈值电压是指在其栅极和源极之间应用的电压，开始导通的电压。
当栅极电压超过阈值电压时，管子开始导通。
4. 最大功率（PD）：20n03场效应管的最大功率是指在特定条件下可以承受的最大功率。
超过最大功率可能会导致管子过热并损坏。
5. 开启电阻（RDS(on)）：20n03场效应管的开启电阻是指当管子完全导通时，通过管子的电阻。
这个参数反映了管子导通时的损耗。
6. 耗散功率（PD）：20n03场效应管的耗散功率是指在正常工作条件下，管子消耗的功率。
这个参数对于设计电路和散热系统非常重要。
7. 输出电容（Coss）：20n03场效应管的输出电容是指当管子导通时，栅极和源极之间的电容。
这个参数对于高频应用和交流电路设计非常重要。
8. 上升时间（tr）和下降时间（tf）：20n03场效应管的上升时间和下降时间分别是指从50%到90%和90%到50%的开关时间。
这些参数反映了管子开关速度的快慢。
9. 开关损耗（Psw）：20n03场效应管的开关损耗是指在开关过程中产生的能量损耗。
这个参数对于高频开关电路和功率转换器设计非常重要。
10. 芯片温度（Tj）：20n03场效应管的芯片温度是指管子内部的温度。
过高的芯片温度可能会导致管子损坏。
因此，散热系统的设计对于保持芯片温度在合理范围内非常重要。
这些是20n03场效应管的一些重要参数，可以通过它们来评估管子在特定应用中的性能和可靠性。
18n50场效应管参数
18n50场效应管参数
18N50是一款场效应管，其主要参数如下：
1. 最大漏极电压（VDS）：500伏
2. 最大漏极电流（ID）：18安
3. 典型门极电压（VGS）：±20伏
在正常工作条件下，18N50的门极电压通常为10V~15V。
4. 漏极源极电阻（RDS(on)）：0.35欧
这个参数表示，在特定工作条件下，18N50的漏极与源极之间的电阻值。
5. 建议工作温度范围：-55℃至+150℃
这个参数表示，18N50可以在-55℃至+150℃的环境温度下正常工作，适用于各种高温环境。
6. 封装类型：TO-247
18N50的封装采用TO-247形式，便于安装和维护。
除了上述参数，以下是18N50场效应管的其他主要参数：
1. 输入电容（Ciss）：1400皮法
这个参数表示，当门极电压为0V时，漏极与源极之间的电容。
输入电容越小，场效应管的响应速度越快。
2. 输出电容（Coss）：420皮法
这个参数表示，在特定工作条件下，漏极与源极之间的电容。
输出电容越小，场效应管的开关速度越快，同时功耗也越小。
3. 反向传导电流（EAS）：430焦耳
这个参数表示，在正常使用过程中，场效应管产生的反向电压所引起的最大能量损失。
4. 漏极截止电流（IDSS）：1微安
这个参数表示，在门极电压等于零的情况下，漏极与源极之间的截止电流。
需要注意的是，不同应用场景下，对场效应管的要求是不同的，因此在选择18N50场效应管时需要根据具体的应用环境和需求来选择合适的型号，不同厂家生产的18N50场效应管可能会有微小的差异，具体参数还需以实际产品手册为准。
irf9z24n场效应管参数
irf9z24n场效应管参数
IRF9Z24N是一款N沟道场效应晶体管，常用于功率开关和放大电路中。
以下是IRF9Z24N
的一些常见参数：
1. 最大耗散功率（Pd）：这是指在特定条件下，管子能够正常工作而不受损坏的最大功率。
对于IRF9Z24N，其最大耗散功率大约为54瓦。
2. 最大漏极电流（Id）：这是指在特定条件下，漏极电流的最大值。
IRF9Z24N的最大漏极
电流一般为16安培。
3. 输入电容（Ciss）：这是指当晶体管处于导通状态时，输入端（门极）与输出端（漏极）
之间的电容大小。
IRF9Z24N的输入电容大约为1460皮法。
4. 输出电导（Gfs）：这是指输出电流对于输入电压的变化率，也称为传导导纳。
IRF9Z24N
的输出电导一般为11.5西门式。
请注意，以上参数仅仅是IRF9Z24N的一些常见参数，具体的参数取决于厂家和型号，您
需要查找IRF9Z24N的数据手册或者官方资料以获取更加详细和准确的参数信息。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，常被用于放大、开关和调节电流等应用中。
它具有许多重要的参数，这些参数对于理解和设计电路至关重要。
本文将介绍场效应管的一些主要参数，并解释它们的作用和特点。
1. 漏极截止电压（VDS(off)）：漏极截止电压是指当场效应管关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off)为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于关闭状态。
VDS(off)的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的工作状态和电路的稳定性非常重要。
2. 饱和漏极电压（VDS(sat)）：饱和漏极电压是指当场效应管完全开启时，漏极和源极之间的最小电压。
在饱和区，场效应管的导通状态稳定，电流可以通过管子流动。
VDS(sat)的值取决于场效应管的特性和工作状态。
这个参数对于确定场效应管的工作范围和电路的性能至关重要。
3. 置零漏极电压（VDS(off) zero）：置零漏极电压是指当场效应管完全关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off) zero为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于完全关闭状态。
VDS(off) zero的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的截止状态和电路的稳定性非常重要。
4. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当场效应管开始导通时，栅极和源极之间的电压。
在阈值电压以上，场效应管开始导通，电流可以通过管子流动。
Vth的值取决于场效应管的类型和制造工艺。
这个参数对于确定场效应管的导通状态和电路的性能至关重要。
5. 压缩因子（K）：压缩因子是指栅极电压变化与漏极电流变化之间的比率。
K的值取决于场效应管的类型和特性。
较大的K值意味着场效应管具有较好的放大能力和线性特性。
这个参数对于确定场效应管的放大能力和电路的线性度至关重要。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极和源极之间的电容。
场效应管50n06参数
场效应管50n06参数
场效应管50n06是一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。
以下是它的一些主要参数:
1. 最大持续漏源电压(Vdss): 60V
2. 最大持续漏源电流(Id): 52A
3. 静态漏源电阻(Rds(on)): 0.035Ω(典型值)
4. 总功耗(Ptot): 150W
5. 最大结温(Tj): 175°C
6. 栅极电荷(Qg): 62nC(典型值)
7. 引线引导电感(Ld): 4.5nH
8. 反向传输电容(Crss): 130pF(典型值)
9. 输入电容(Ciss): 2800pF(典型值)
10. 外壳类型: TO-247
这些参数对于该器件的应用和电路设计都很重要。
例如,Vdss和Id 决定了器件的最大工作电压和电流,Rds(on)影响导通损耗,Qg和Ld 影响开关速度和效率,而Tj决定了热设计要求。
根据具体应用的需求,用户需要合理选择并满足这些参数的要求。
场效应管260参数表
场效应管260参数表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，具有广泛的应用领域。
本文将介绍场效应管260参数表，并详细解释各参数的含义和作用。
1. 管脚排列：场效应管260的管脚排列如下：- 1号引脚：栅极（Gate）- 2号引脚：漏极（Drain）- 3号引脚：源极（Source）2. 极间电压（VDS）：极间电压是指漏极与源极之间的电压差。
对于场效应管260，其额定极间电压一般在20V至30V之间。
3. 极间电流（ID）：极间电流是指漏极与源极之间的电流。
场效应管260的额定极间电流通常在几毫安左右。
4. 栅极-源极电压（VGS）：栅极-源极电压是指栅极与源极之间的电压差。
对于场效应管260，其额定栅极-源极电压一般在10V至20V之间。
5. 静态工作点（Q-point）：静态工作点是指场效应管在无输入信号时的工作状态。
它由静态漏极电流（IDSS）和静态栅极-源极电压（VGS(off)）决定。
静态漏极电流是在栅极-源极电压为0时的漏极电流值，通常在几毫安至几十毫安之间。
静态栅极-源极电压是在漏极电流为0时的栅极-源极电压值，通常在几伏至几十伏之间。
6. 压缩因子（α）：压缩因子是指场效应管的输出电流变化与输入电压变化之间的比例关系。
对于场效应管260，其压缩因子一般在0.95至1之间。
7. 转导电导（gm）：转导电导是指场效应管输出电流变化与输入电压变化之间的比例关系。
对于场效应管260，其转导电导一般在0.1至2.5毫安/伏之间。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管栅极与源极之间的电容。
它与场效应管的频率响应和输入阻抗有关。
对于场效应管260，其输入电容一般在10皮法至100皮法之间。
9. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管漏极与源极之间的电容。
它与场效应管的频率响应和输出阻抗有关。
对于场效应管260，其输出电容一般在10皮法至100皮法之间。
场效应管型号用途和参数查询手册
场效应管型号用途和参数本文讲述了部分场效应管型号，场效应管用途，场效应管的主要参数等相关知识。
型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.332SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.92SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.22SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.22SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.82SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.0652SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.652SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.252SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.0352SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.52SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.82SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.48 2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.40 2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.82SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40 FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 NMOS GDS 开关600V120AIRF130(铁)NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16 IRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 功放开关100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动以上由工控申保网申保小滔编辑整理。
三极管场效应管参数大全
三极管场效应管参数大全三极管和场效应管是两种常用的电子器件，用于放大电路、开关电路以及其他各种应用。
它们的参数可以帮助工程师选择适合的器件，并设计出稳定可靠的电路。
本文将介绍三极管和场效应管的主要参数，并对其进行详细说明。
1.最大耗散功率（Pd）：表示三极管能够稳定耗散的最大功率。
超过该功率，三极管可能会过热而损坏。
2.最大封装温度（Tj）：表示三极管能够稳定工作的最高温度。
超过该温度，三极管的性能可能会下降或损坏。
3.最大集电极电压（Vceo）：表示集电极与发射极之间的最大电压。
在工作条件下，该电压不超过该值，否则可能会损坏三极管。
4.最大基极电压（Vbeo）：表示基极与发射极之间的最大电压。
在工作条件下，该电压不超过该值，否则可能会损坏三极管。
5.最大输出功率（Pout）：表示三极管能够稳定输出的最大功率。
超过该功率，三极管可能会损坏。
6.最大集电极电流（Ic）：表示集电极电流的最大值。
超过该值，三极管可能会损坏。
7.最大基极电流（Ib）：表示基极电流的最大值。
超过该值，三极管可能会损坏。
8.最大放大倍数（hfe）：表示三极管的放大倍数。
该值表示三极管输出电流与输入电流之间的比例。
9.开关频率（fT）：表示三极管的开关速度。
该值表示三极管可以开关的最大频率。
10.输入阻抗（Zin）：表示输入端口的电阻。
该参数决定了输入信号在电路中的加载效果。
1.最大耗散功率（Pd）：类似于三极管的参数，表示场效应管能够稳定耗散的最大功率。
2.最大封装温度（Tj）：类似于三极管的参数，表示场效应管能够稳定工作的最高温度。
3.最大漏极电压（Vds）：表示漏极与源极之间的最大电压。
超过该电压，场效应管可能会损坏。
4.最大栅极电压（Vgs）：表示栅极与源极之间的最大电压。
超过该电压，场效应管可能会损坏。
5.最大漏极电流（Id）：表示漏极电流的最大值。
超过该值，场效应管可能会损坏。
6.最大栅极电流（Ig）：表示栅极电流的最大值。
65r380场效应管参数
65r380场效应管参数
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，它具有许多参数，以下是一些常见的参数：
1. 饱和漏-源电压（VDSsat），这是场效应管在完全导通状态下的漏-源电压。
它通常是用来描述场效应管在工作时的电压状态。
2. 饱和漏-源电流（IDsat），这是场效应管在完全导通状态下的漏-源电流。
它是描述场效应管在饱和状态下的电流参数。
3. 控制电压（VGS），这是用来控制场效应管导通的栅极-源极电压。
改变这个电压可以改变场效应管的导通状态。
4. 输入电阻（Rin），这是场效应管的输入电阻，它是指在栅极-源极电压不变的情况下，输入信号对栅极-源极电流的影响。
5. 输出电导（gm），这是场效应管的输出电导，它是指输出电流对输入电压的变化率，通常用来描述场效应管的放大特性。
6. 截止频率（ft），这是场效应管的截止频率，它是指场效应
管在高频工作时的极限频率。
以上是一些常见的场效应管参数，不同型号的场效应管可能具有不同的参数，具体参数需要参考相关的数据手册或规格书。
希望这些信息能够帮助到你。
irfz44场效应管参数
irfz44场效应管参数
IRFZ44是一种N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率放大和开关电路。
以下是IRFZ44的一些主要参数：
1. 导通状态参数：
•导通电阻 (Rds(on))：在MOSFET导通状态下，从源极到漏极的电阻。
通常以mΩ（毫欧）为单位。
2. 最大电压参数：
•漏极-源极最大电压(Vds)：允许的最大漏极-源极电压。
通常以伏特（V）为单位。
•门极-源极最大电压(Vgs)：允许的最大门极-源极电压。
通常以伏特（V）为单位。
3. 电流参数：
•漏极-源极持续漏极电流(Id)：在导通状态下，允许的持续漏极电流。
通常以安培（A）为单位。
•门极-源极阈值电压(Vgs(th))：当门极-源极电压达到此值时，MOSFET开始导通。
通常以伏特（V）为单位。
4. 功率参数：
•最大功率耗散 (Pd)：允许的最大功率耗散。
通常以瓦特（W）为单位。
5. 温度参数：
•工作温度范围： MOSFET的允许工作温度范围。
这些参数可能会有不同的数值，具体取决于制造商和产品系列。
因此，在使用IRFZ44之前，请查阅相关的数据手册或规格表，以获取准确的参数信息。