场效应管参数查询库文库
场效应管参数大全
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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中应用广泛。场效应管是由金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和绝缘栅场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，简称IGFET）两种类型组成，它们具有不同的结构和工作原理，但共同具备一些重要的参数。下面将对这些参数进行详细介绍。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指场效应管在栅电压达到一定值时，源极-漏极之间形成导通的电压。它决定了场效应管是否开启。
2. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流是指场效应管在工作时，当栅电压接近阈值电压时，漏极-源极电压达到最小值的电流。饱和电流对于场效应管的工作状态和性能都具有重要影响。
3. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流，超过该值可能会导致管子损坏。
4. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大漏极-源极电压是指场效应管能够承受的最大漏极-源极电压，超过该值可能会导致管子损坏。
5. 输入电容（Input Capacitance）：输入电容是指场效应管输入端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输入阻抗，越小表示输入阻抗越大。
三极管场效应管参数大全
三极管场效应管参数大全
三极管、场效应管参数大
说明：三极管标有（达）字即达林顿管；（D）字即带阻尼管。2SA.2SB是PNP管 2SC.2SD是NPN管. 2管，2S、2SD是低频管.
三极管系列
型号结构外形参数
2N2222NPN TO-9260V 0.8A 0.5W
2N2907PNP TO-9260V 0.4A 0.4W
2N3055NPN TO-3100V 15A 117W
2N3772NPN TO-3100V 30A 150W
2N3904NPN TO-9260V 0.2A 0.3W
2N3906NPN TO-9240V 0.2A 0.3W
2N3907NPN TO-9260V 0.03A 60MHZ
2N4126PNP TO-9225V 0.2A 0.3W
2N4400NPN TO-9260V 0.6A
2N4401NPN TO-9260V 0.6A
2N4402PNP TO-9240V 0.6A
2N4403PNP TO-9240V 0.6A
2N5191NPN TO-12660V 4A 40W
2N5192NPN TO-12680V 4A 40W
2N5193PNP TO-12640V 4A 40W
2N5194PNP TO-12660V 4A 40W
2N5195PNP TO-12680V 4A 40W
2N5210PNP TO-926V 0.05A
2N5401PNP TO-92160V 0.6A 0.3W
2N5460PNP TO-9240V 1MA
2N5551NPN TO-92180V 0.6A 0.3W
场效应管参数对照表
场效应管参数对照表
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的
半导体器件，其工作原理基于场效应。场效应管分为两种基本类型：N-沟
道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的
初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。阈值电压决定了FET是否在
导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动
电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽
度（W）决定。尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导
通到截止或者从截止到导通的反应时间。开关速度快的场效应管适用于高
频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后
的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大
电压。一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
场效应管参数
2N3055 2N3055H 2N3251 2N3375 2N3439 2N3440 2N3441 2N3442 2N3495 2N3502 2N3553 2N3571 2N3583 2N3632 2N3646 2N3700 2N3707 2N3708 2N3716 2N3725 2N3740 2N3741 2N3742 2N3767 2N3771 2N3772 2N3773 2N3792 2N3819 2N3820 2N3821 2N3824 2N3866
耐压 35V 25V 30V 30V 75V 75V 120V 120V 60V 30V 15V 40V 40V 100V 100V 120V 40V 30V 12V 60V 60V 60V 45V 25V 40V 140V 60V 90V 100V
DS电流 0.15A 0.3A 0.3A 0.3A 1A 1A 0.5A 1A 5A 50mA 50mA 0.8A 0.8A 0.5A 0.5A 1A 0.2A 40mA 0.2A 0.6A 0.6A 0.6A 0.03A 0.1A 0.1A 1A 0.7A 4A 15A
5A 50mA 50mA 0.1A 10A 0.1A 50mA 0.8A 0.5A 2A 0.1A 17A 7A 10A 50mA 0.8A 0.05A 70mA 0.07A 0.14A 0.14A 2A 15A 17A 1.2A 0.5A 1.5A 12A 10A 2A 5A 5A 1.5A
场效应管参数查询库文库(精)
场效应管参数查询库文库.txt 型号电压电流功率封装极性 15N80 800V 15A TO-3PN IGBT 16N06 60V 16A 1N60 600V 1A 20N60 600V 20A TO-3PN N-FET
25N120 1200V 25A TO-3PN IGBT 2N60 600V 2A 54W TO-220 N-FET 2N60 小 N-FET 30N120 1200V 30A TO-3PN IGBT 4N50 500V 4A 75W TO-220 N-FET 4N80 800V 4A 75W TO-220 N-FET 50N06 46A 60V 105W TO-220 N-FET 6N60 600V 6A 125W TO-220F N-FET 7N60 600V 7A 147W TO-220F N-FET BUP203 1000V 23A 165W TO-220 IGBT BUP304 1000V 35A 310W TO-3PN IGBT GT40T101 1500V 40A TO-3PN IGBT GT60N90 900V 60A TO-3PN IGBT IRF1010E 55V 84A 170W TO-220 N-FET IRF150 100V 40A 150W TO-3PN N-FET IRF250 200V 30A 150W TO-3 N-FET IRF460 500V 21A 300W TO-3 N-FET IRF4905 55V 74A 200W TO-220 P-FET IRF530 100V 14A 79W TO-220 N-FET IRF5305 55V 31A 110W TO-220 N-FET IRF540N
常用场效应管参数
常用场效应管参数常用场效应管参数（一）
元件型号
分类
参数
封装
2N7000
DISCRETE MOS FET
60V,0.115A
TO-92
2N7002
DISCRETE MOS FET
60V,0.2A
SOT-23
IRF510A
DISCRETE MOS FET
100V,5.6A
TO-220
IRF520A
DISCRETE MOS FET
100V,9.2A
TO-220
IRF530A DISCRETE MOS FET 100V,14A
TO-220
IRF540A DISCRETE MOS FET 100V,28A
TO-220
IRF610A DISCRETE MOS FET 200V,3.3A
TO-220
IRF620A DISCRETE MOS FET 200V,5A
TO-220
IRF630A DISCRETE MOS FET 200V,9A
TO-220
IRF634A DISCRETE MOS FET 250V,8.1A
TO-220
IRF640A DISCRETE MOS FET 200V,18A
TO-220
IRF644A DISCRETE MOS FET 250V,14A
TO-220
IRF650A DISCRETE MOS FET 200V,28A
TO-220
IRF654A DISCRETE MOS FET 250V,21A
TO-220
IRF720A DISCRETE MOS FET 400V,3.3A
TO-220
IRF730A DISCRETE MOS FET 400V,5.5A
TO-220
IRF740A DISCRETE MOS FET 400V,10A
5000种场效应管参数
厂家沟道ID型号用途构造方式ixing(A)v111(V) IR2681IRFG6113*+0.85*±60
IR2680IRFG6110*+0.95*±100 IR2605IRFD9213P-0.3-150
IR2677IRFG1Z3N0.35*60
IR2579IRFD1Z3N0.460
IR2604IRFD9210P-0.4-200
IR2676IRFG1Z0N0.40*100
IR2591IRFD213N0.45150
IR2607IRFD9223P-0.45-150
IR2578IRFD1Z0N0.5100
IR2590IRFD210N0.6200
IR2601IRFD9113P-0.6-60
IR2606IRFD9220P-0.6-200
IR2683IRFG9113P-0.65*-60
IR2593IRFD223N0.7150
IR2600IRFD9110P-0.7-100
IR2932IRFS1Z3N0.7560
IR2682IRFG9110P-0.75*-100
IR2587IRFD113N0.860
IR2592IRFD220N0.8200
IR2603IRFD9123P-0.8-150
IR2679IRFG113N0.85*60
IR2931IRFS1Z0N0.9100
IR2595IRFD9012P-0.91-50
IR2678IRFG110N0.95*100
IR3006IRLD110N1100
IR2586IRFD110N 1.0100
IR2602IRFD9120P-1.0-100
IR2589IRFD123N 1.160
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全
型号材料管脚用途参数
3DJ 6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36
2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W
2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035
2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18
2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085
2SJ201 PMOS n
2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12
2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12
2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB
2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB
5000种场效应管参数
ID型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A) 12SJ11东芝DC, LF A, C J P D20GDS-10m
22SJ12东芝DC, LF A, J P D20GDS-10m
32SJ13东芝DC, LF A, C J P D20GDS-100m
42SJ15富士通DC, LF A J P18GDO-10m
52SJ16富士通DC, LF A J P18GDO-10m
62SJ17C-MIC J P20GDO0.5m
72SJ18LF PA J(V)P170GDO-5
82SJ19NEC LF D J(V)P140GDO-100m
92SJ20NEC LF PA J(V)P100GDO-10
102SJ22C-MIC J P D80GDO0.5m
112SJ39三菱LF A J P D50GDO-10m
122SJ40三菱LF A,A-SWJ P D50GDO-10m
132SJ43松下LF A J P D50GDS20m
142SJ44NEC LF LN A J P D40GDO-10m
152SJ45NEC LF A J P D40GDO-10m
162SJ47日立LF PA MOS P E-100DSX-7
172SJ48日立LF PA, HS P MOS P E-120DSX-7
182SJ49日立LF PA,HS PS MOS P E-140DSX-7
192SJ49(H)日立HS PSW MOS P E-140DSX-7
202SJ50日立LF/HF PA,HS MOS P E-160DSX-7
场效应管参数大全
场效应管参数大全
场效应管（Field Effect Transistor）是一种三端电子器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。在场效应管中，栅极控制电流的流动，输出电流由源极到漏极流动。场效应管广泛应用于电子设备和集成电路中，是数字和模拟电路中最重要的组成元件之一、下面是场效应管的一些重要参数：
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：场效应管的阈值电压（Vth）是指在栅极电压低于该值时，管子处于截止（OFF）状态，没有漏极电流流过。阈值电压是场效应管的重要特性之一，对于管子的工作状态和电路设计都有重要影响。
2. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流（Idmax）是指在给定的栅极-漏极电压下，场效应管可以承受的最大漏极电流。超过最大漏极电流的电流将损坏管子。
3. 转导电导（Transconductance）：转导电导（gm）是指单位栅极-漏极电压变化时，漏极电流的变化量。转导电导是场效应管的重要参数，也用来衡量管子的增益和灵敏度。
4. 漏极电压（Drain-Source Voltage）：漏极电压（Vds）是指场效应管的漏极与源极之间的电压差。漏极电压对场效应管的工作状态和性能有重要影响。
5. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流（Idsat）是指在给定的栅极电压下，场效应管的漏极电流达到饱和状态时的电流值。
6. 耗散功率（Power Dissipation）：耗散功率是指场效应管在工作中消耗的功率。场效应管的耗散功率深受设计要求和环境温度的影响。
场效应管参数
各种场效应管参数
晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm
IRFU02050V15A42W IRFPG421000V4A150W IRFPF40900V 4.7A150W IRFP9240200V12A150W IRFP9140100V19A150W IRFP460500V20A250W IRFP450500V14A180W IRFP440500V8A150W IRFP353350V14A180W IRFP350400V16A180W IRFP340400V10A150W IRFP250200V33A180W IRFP240200V19A150W IRFP150100V40A180W
晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm IRFP140100V30A150W IRFP05460V65A180W IRFI744400V4A32W IRFI730400V4A32W IRFD9120100V1A1W IRFD12380V 1.1A1W IRFD120100V 1.3A1W IRFD11360V0.8A1W IRFBE30800V 2.8A75W IRFBC40600V 6.2A125W
IRFBC30600V 3.6A74W IRFBC20600V 2.5A50W IRFS9630200V 6.5A75W
IRF9630200V 6.5A75W
IRF9610200V1A20W
晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm IRF954160V19A125W IRF953160V12A75W
IRF9530100V12A75W
场效应管型号用途和参数查询手册
场效应管型号用途和参数
本文讲述了部分场效应管型号，场效应管用途，场效应管的主要参数等相关知识。
型号材料管脚用途参数
3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36
2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W
2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5
2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15
2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3
2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035
2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18
2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085
2SJ201 PMOS n
2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12
2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12
2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB
2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全
-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(1)
-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管和晶体管参数大全
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应
IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应
IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应
IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应
IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应
IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应
IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应
IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应
IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应
IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应
IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应
系列场效应管型号技术参数
系列场效应管型号技术参数以下为一些常见的场效应管型号及其技术参数：1.IRFZ44N：
- 导通电阻（Rds(on)）：17mΩ
-最大承受电流（Id）：50A
-最大耗散功率（Pd）：94W
- 最大栅极源极电压（Vgss）：±20V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V-4V
- 最大栅极漏极电压（Vdss）：55V
2.VN10LP：
- 导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω
-最大承受电流（Id）：500mA
-最大耗散功率（Pd）：0.625W
- 最大栅极源极电压（Vgss）：±30V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V-2V
- 最大栅极漏极电压（Vdss）：60V
3.J310：
- 导通电阻（Rds(on)）：20Ω
-最大承受电流（Id）：25mA
-最大耗散功率（Pd）：225mW
- 最大栅极源极电压（Vgss）：±30V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V-4V
- 最大栅极漏极电压（Vdss）：25V 4.2N7000：
- 导通电阻（Rds(on)）：5Ω
-最大承受电流（Id）：200mA
-最大耗散功率（Pd）：350mW
- 最大栅极源极电压（Vgss）：±20V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.8V-3V
- 最大栅极漏极电压（Vdss）：60V
常用场效应管型号及参数表
常用场效应管型号及参数表（三）
2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR N 60 6.0 20 TO-205AF 2614 IRFF122 IR N 100 5.0 20 TO-205AF 2615 IRFF123 IR N 60 5.0 20 TO-205AF 2616 IRFF130 IR N 100 8.0 25 TO-205AF 2617 IRFF131 IR N 60 8.0 25 TO-205AF 2618 IRFF132 IR N 100 7.0 25 TO-205AF 2619 IRFF133 IR N 60 7.0 25 TO-205AF 2620 IRFF210 IR N 200 2.2 15 TO-205AF 2621 IRFF211 IR N 150 2.2 15 TO-205AF 2622 IRFF212 IR N 200 1.8 15 TO-205AF 2623 IRFF213 IR N 150 1.8 15 TO-205AF 2624 IRFF220 IR N 200 3.5 20 TO-205AF 2625 IRFF221 IR N 150 3.5 20 TO-205AF 2626 IRFF222 IR N 200 3.0 20 TO-205AF 2627 IRFF223 IR N 150 3.0 20 TO-205AF 2628 IRFF230 IR N 200 5.5 25 TO-205AF 2629 IRFF231 IR N 150 5.5 25 TO-205AF 2630 IRFF232 IR N 200 4.5 25 TO-205AF 2631 IRFF233 IR N 150 4.5 25 TO-205AF 2632 IRFF310 IR N 400 1.35 15 TO-205AF 2633 IRFF311 IR N 350 1.35 15 TO-205AF 2634 IRFF312 IR N 400 1.15 15 TO-205AF 2635 IRFF313 IR N 350 1.15 15 TO-205AF 2636 IRFF320 IR N 400 2.5 20 TO-205AF 2637 IRFF321 IR N 350 2.5 20 TO-205AF 2638 IRFF322 IR N 400 2.0 20 TO-205AF 2639 IRFF323 IR N 350 2.0 20 TO-205AF 2640 IRFF330 IR N 400 3.5 25 TO-205AF 2641 IRFF331 IR N 350 3.5 25 TO-205AF 2642 IRFF332 IR N 400 3.0 25 TO-205AF 2643 IRFF333 IR N 350 3.0 25 TO-205AF 2644 IRFF420 IR N 500 1.6 20 TO-205AF 2645 IRFF421 IR N 450 1.6 20 TO-205AF 2646 IRFF422 IR N 500 1.4 20 TO-205AF 2647 IRFF423 IR N 450 1.4 20 TO-205AF 2648 IRFF430 IR N 500 2.75 25 TO-205AF 2649 IRFF431 IR N 450 2.75 25 TO-205AF 2650 IRFF432 IR N 500 2.25 25 TO-205AF 2651 IRFF433 IR N 450 2.25 25 TO-205AF
场效应管参数
漏源电压栅源电压漏极电流耗散功率导通电阻
V DSS(V )
V GSS(V )
I D(A )
P D(W )
R DS (Ω)max
2SJ303602014350.1
A 2SJ160120157100A 2SJ161140157100A 2SJ162160157100A 2SJ1655070.10.2550A 2SJ1665070.10.250
A 2SJ76140±150.5 1.75A 2SJ77160±150.5 1.75A 2SJ78180±150.5 1.75A 2SJ79200±150.5 1.75A 2SK1056120157100F 2SK1057140157100F 2SK1058160157100F 2SK11236020401000.095F 2SK11325070.10.2550F 2SK11335070.10.250F 2SK1151L/S 45030 1.520 5.5F 2SK1152L/S 50030 1.5206F 2SK115545030550 1.4F 2SK115650030550 1.5F 2SK1157450307600.8F 2SK1158500307600.9F 2SK1159450308600.7F 2SK1160500308600.8F 2SK116145*********.8F 2SK116250*********.9F 2SK116345*********.7F 2SK116450*********.8F 2SK116545*********.55F 2SK116650*********.6F 2SK116745030151000.36F 2SK116850030151000.4F 2SK116945*********.25F 2SK117050*********.27
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场效应管参数查询库文库.txt
型号 电压 电流 功率 封装 极性
15N80 800V 15A TO-3PN IGBT
16N06 60V 16A
1N60 600V 1A
20N60 600V 20A TO-3PN N-FET
25N120 1200V 25A TO-3PN IGBT
2N60 600V 2A 54W TO-220 N-FET
2N60 小 N-FET
30N120 1200V 30A TO-3PN IGBT
4N50 500V 4A 75W TO-220 N-FET
4N80 800V 4A 75W TO-220 N-FET
50N06 46A 60V 105W TO-220 N-FET
6N60 600V 6A 125W TO-220F N-FET
7N60 600V 7A 147W TO-220F N-FET
BUP203 1000V 23A 165W TO-220 IGBT
BUP304 1000V 35A 310W TO-3PN IGBT
GT40T101 1500V 40A TO-3PN IGBT
GT60N90 900V 60A TO-3PN IGBT
IRF1010E 55V 84A 170W TO-220 N-FET
IRF150 100V 40A 150W TO-3PN N-FET
IRF250 200V 30A 150W TO-3 N-FET
IRF460 500V 21A 300W TO-3 N-FET
IRF4905 55V 74A 200W TO-220 P-FET
IRF530 100V 14A 79W TO-220 N-FET
IRF5305 55V 31A 110W TO-220 N-FET
IRF540N 100V 28A 150W TO-220 N-FET
IRF540N 100V 28A 150W TO-220 N-FET
IRF610 200V 3.3A 40W TO-220 N-FET
IRF620 200V 5A 40W TO-220 N-FET
IRF630 200V 9A 75W TO-220 N-FET
IRF630 200V 9A 75W TO-220 N-FET
IRF640 200V 18A 125W TO-220 N-FET
IRF640 200V 18A 125W TO-220 N-FET
IRF710原 400V 2A 36W TO-220 N-FET
IRF730 400V 5.5A 75W TO-220 N-FET
IRF730 400V 5.5A 75W TO-220 N-FET
IRF740 400V 10A 125W TO-220 N-FET
IRF740 400V 10A 125W TO-220 N-FET
IRF830 500V 4.5A 75W TO-220 N-FET
IRF830 500V 4.5A 75W TO-220 N-FET
IRF840 500V 8A 125W TO-220 N-FET
IRF840 500V 8A 125W TO-220 N-FET
IRF9530 100V 12A 75W TO-220 P-FET
IRF9530 100V 12A 75W TO-220 P-FET
IRF9540 100V 19A 125W TO-220 P-FET
IRF9630 200V 6.5A 75W TO-220 P-FET
IRF9630 200V 6.5A 75W TO-220 P-FET
IRF9640 200V 11A 125W TO-220 P-FET
IRF9Z34 60V 18A 74W TO-220 N-FET
IRFP150A 43A 100V 193W TO-3PN N-FET
IRFP250 200V 33A 180W TO-3PN N-FET
IRFP260 200V 46A 280W TO-3PN N-FET
IRFP264 250V 38A 280W TO-3PN N-FET
IRFP350A 400V 17A 200W TO-3PN N-FET
IRFP450 500V 14A 180W TO-3PN N-FET
IRFP460 500V 20A 250W TO-3PN N-FET
IRFZ44N 55V 49A 110W TO-220 N-FET
IRG4BC30F 600V 30A TO-220 IGBT
K1081 800V 7A 125W TO-3PN N-FET
K1082 800V 8A 125W TO-3PN N-FET
K1117 600V 6A 100W TO-220 N-FET
K1118 600V 6A 45W TO-220F N-FET
K1119 1000V 4A 100W TO-220 N-FET
K1120 1000V 8A 150W TO-3PN N-FET
K1358 900V 9A 150W TO-3PN N-FET
K1389 60V 50A 125W TO-3PN N-FET
K1489 1000V 12A 200W TO-3PN N-FET
K1507 600V 9A 50W TO-220F N-FET
K1531 500V 15A 150W TO-3PN N-FET
K1940 600V 12A 125W TO-3PN N-FET
K2028 600V 6A 35W TO-220F N-FET
K2141 600V 6A 35W TO-220F N-FET
K2333 700V 6A 50W TO-220F N-FET
K2543 500V 8A 40W TO-220F N-FET
K2545 600V 6A 40W TO-220 N-FET
K2610 900V 5A 125W TO-3PN N-FET
K2611 900V 9A 150W TO-3PN N-FET
K2645 600V 9A 50W TO-220F N-FET
K2645 600V 9A 50W TO-220F N-FET
K2648 800V 9A 150W TO-3PN N-FET
K2651 900V 6A 50W TO-220F N-FET
K2652 900V 6A 125W TO-3PN N-FET
K2654 900V 8A 150W TO-3PN N-FET
K2677 900V 10A 120W TO-3PN N-FET
K2750 600V 3.5A 35W TO-220F N-FET
K2761 600V 10A 50W TO-220F N-FET
K2765 800V 7A 125W TO-3PN N-FET
K727 900V 5A 125W TO-3PN N-FET
K787 900V 8A 150W TO-3PN N-FET
K902 250V 30A 125W TO-3PN N-FET
K952 800V 2.5A 45W TO-3PN N-FET
K955 800V 5A 125W TO-3PN N-FET
K956 800V 9A 150W TO-3PN N-FET
K962 900V 8A 150W TO-3PN N-FET
全新原装仙童系列
FQP50N06 FQP65N06 FQP85N06
FQP70N08 FQP90N08
FQP33N10 FQP55N10 FQP70N10
FQP90N10v2 100V/9A/0.01Ω/TO220
FQP46N15 150V/46A/0.14Ω/TO220
FQP34N20 200V/31A/0.065Ω/TO220
FQP13N50 500V/13A/0.33Ω/TO220
FQP18N50v2 500V/18A/0.225Ω/TO220
FQP5N60C 600V/4.5A/2Ω/TO220
FQP12N60 600V/12A/0.55Ω/TO220
HGTG5N120BND 1200V/21A/167W/Tf130ns
HGTG10N120BND 1200V/35A/298W/Tf100ns
HGTG11N120CND 1200V/43A/298W/Tf190ns
HGTG18N120BND 1200V/24A/192W/Tf70ns
FGA15N120AND 1200V/40A/310W/Tf70ns
FGA25N120AND 1200V/40A/310W/Tf70ns
FGA25N135AND 1350V/40A310W/Tf70ns
SGP10N60RUFD 600V/16A/75W/TO220
SGP15N60RUFD 600V/24A/160W/TO-3P
SGP20N60RUFD 600V/32A/195W/TO-3P
SGP30N60RUFD 600V/48A/235W/TO-3P
SGP50N60RUFD 600V/80A/250W/TO264
FQP6N80C 800V5.5A/2.1Ω/TO220
FQP7N80C 800V6.6A/2.1Ω/TO220
FQP4N90C 900V4A/3.5Ω/TO220
FQP4N90 900V4.2A/2.7Ω/TO220
FQP5N90 900V5.4A/1.8Ω/TO220
FQP6N90C 900V6A/1.93Ω/TO220
FQP9N90C 900V/8A/1.12Ω/TO220
FQA90N08 80V/90A/0.012Ω/TO3P
FQA160N08 80V/160A/0.0056Ω/TO3P
FQA70N10 100V/70A/0.019Ω/TO3P
FQA140N10 100V/140A/0.008Ω/TO3P
FQA70N15 150V/70A/0.023Ω/TO3P
FQA90N15 150V/90A/0.014Ω/TO3P
FQA34N20 200V/34A/0.06Ω/TO3P
FQA48N20 200V/48A/0.037Ω/TO3P
FQA65N20 200V/65A/0.025Ω/TO3P
FQA40N25 250V/40A/0.051Ω/TO3P
FQA55N25 250V/50A/0.03Ω/TO3P
FQA62N25C 250V/62A/0.029Ω/TO3P
FQA17N40 400V/17A/0.21Ω/TO3P
FQA35N40 400V/35A/0.08Ω/TO3P
FQA16N50 500V/16A/0.25Ω/TO3P
FQA24N50 500V/24A/0.156Ω/TO3P
FQA28N50 500V/28A/0.126Ω/TO3P
FQA24N60 600V/23.5A/0.18Ω/TO3P
FQA10N80C 800V/10A/0.93Ω/TO3P
FQA13N80 800V/13A/0.58Ω/TO3P
FQA7N90 900V/7.4A/1.2Ω/TO3P
FQA9N90C 900V/9A/1.12Ω/TO3P
FQA11N90C 900V/11A/0.91Ω/TO3P
FQA40N50 500V/40A/0.085Ω/TO264
全系列原装仙童
型号 参数
FQP6N80C 800V5.5A/2.1Ω/TO220
FQP7N80C 800V6.6A/2.1Ω/TO220
FQP4N90C 900V4A/3.5Ω/TO220
FQP4N90 900V4.2A/2.7Ω/TO220
FQP5N90 900V5.4A/1.8Ω/TO220
FQP6N90C 900V6A/1.93Ω/TO220
FQP9N90C 900V/8A/1.12Ω/TO220
FQA90N08 80V/90A/0.012Ω/TO3P
FQA160N08 80V/160A/0.0056Ω/TO3P
FQA70N10 100V/70A/0.019Ω/TO3P
FQA140N10 100V/140A/0.008Ω/TO3P
FQA70N15 150V/70A/0.023Ω/TO3P
FQA90N15 150V/90A/0.014Ω/TO3P
FQA34N20 200V/34A/0.06Ω/TO3P
FQA48N20 200V/48A/0.037Ω/TO3P
FQA65N20 200V/65A/0.025Ω/TO3P
FQA40N25 250V/40A/0.051Ω/TO3P
FQA55N25 250V/50A/0.03Ω/TO3P
FQA62N25C 250V/62A/0.029Ω/TO3P
FQA17N40 400V/17A/0.21Ω/TO3P
FQA35N40 400V/35A/0.08Ω/TO3P
FQA16N50 500V/16A/0.25Ω/TO3P
FQA24N50 500V/24A/0.156Ω/TO3P
FQA28N50 500V/28A/0.126Ω/TO3P
FQA24N60 600V/23.5A/0.18Ω/TO3P
FQA10N80C 800V/10A/0.93Ω/TO3P
FQA13N80 800V/13A/0.58Ω/TO3P
FQA7N90 900V/7.4A/1.2Ω/TO3P
FQA9N90C 900V/9A/1.12Ω/TO3P
FQA11N90C 900V/11A/0.91Ω/TO3P
FQA40N50 500V/40A/0.085Ω/TO264
FQP50N06 FQP65N06 FQP85N06
FQP70N0
8 FQP90N08
FQP33N10 FQP55N10 FQP70N10
FQP90N10v2 100V/9A/0.01Ω/TO220
FQP46N15 150V/46A/0.14Ω/TO220
FQP34N20 200V/31A/0.065Ω/TO220
FQP13N50 500V/13A/0.33Ω/TO220
FQP18N50v2 500V/18A/0.225Ω/TO220
FQP5N60C 600V/4.5A/2Ω/TO220
FQP12N60 600V/12A/0.55Ω/TO220
FQP50N06 FQP65N06 FQP85N06
FQP70N08 FQP90N08
FQP33N10 FQP55N10 FQP70N10
FQP90N10v2 100V/9A/0.01Ω/TO220
FQP46N15 150V/46A/0.14Ω/TO220
FQP34N20 200V/31A/0.065Ω/TO220
FQP13N50 500V/13A/0.33Ω/TO220
FQP18N50v2 500V/18A/0.225Ω/TO220
FQP5N60C 600V/4.5A/2Ω/TO220
FQP12N60 600V/12A/0.55Ω/TO220
专业原装正品仙童IGBT系列,广泛用于UPS电源,AC&DC马达驱动,电磁炉等产品设备
以下是常用IGBT型号,因板面有限,未能尽详,如需详细产品技术资料请致电我司.
FGA25N120AND TO-3P IGBT 40A 1200V 310W
FGA15N120AND TO-3P IGBT 25A 1200V 192W
SGH10N120RUFD TO-3P IGBT 16A 1200V 125W
SGH15N120RUFD TO-3P IGBT 24A 1200V 180W
SGH20N120RUFD TO-3P IGBT 32A 1200V 230W
SGL25N120RUFD TO-264 IGBT 40A 1200V 270W
HGTG11N120CND TO-247 IGBT 43A 1200V 298W (11N120CND)
HGTG10N120BND TO-247 IGBT 35A 1200V 298W (10N120BND)
HGTG18N120BND TO-247 IGBT 54A 1200V 390W(18N120BND)
SGL60N90DG3 TO-264 IGBT 60A 900V 180W
FGL60N100D TO-264 IGBT 60A 1000V 176W
FGL40N150D TO-264 IGBT 40A 1500V 200W
FGL60N170D TO-264 IGBT 60A 1700V 200W
HGTG12N60A4D TO-247 IGBT 54A 600V 167W (12N60A4D)
HGTP12N60A4D TO-220AB IGBT 54A 600V 167W(12N60A4D)
HGT1S12N60A4DS TO-263 IGBT 54A 600V 167W(12N60A4D)
HGTG20N60A4D TO-247 IGBT 70A 600V 290W(20N60A4D)
HGTG30N60A4D TO-247 IGBT 75A 600V 463W(30N60A4D)
FGH40N6S2D TO-247 IGBT 75A 600V 290W
FGH50N6S2D TO-247 IGBT 75A 600V 463W
FGK60N6S2D TO-247 IGBT 75A 600V 625W
SGP13N60UFD TO-220 IGBT 13A 600V 60W
SGH23N60UFD TO-3P IGBT 23A 600V 100W
SGH40N60UFD TO-3P IGBT 40A 600V 160W
SGH80N60UFD TO-3P IGBT 80A 600V 195W
SGL160N60UFD TO-264 IGBT 160A 600V 250W
SGL5N150UF TO-264 IGBT 10A 1500V 125W
SGP10N60RUFD TO-220 IGBT 16A 600V 75W
SGH15N60RUFD TO-3P IGBT 24A 600V 160W
SGH20N60RUFD TO-3P IGBT 32A 600V 195W
SGH30N60RUFD TO-3P IGBT 48A 600V 235W
SGL50N60UFD TO-264 IGBT 80A 600V 250W
FMG2G100US60 7PM-GA IGBT 100A 600V 400W(模块)
FMG2G150US60 7PM-HA IGBT 150A 600V 595W(模块)
FMG2G200US60 7PM-HA IGBT 200A 600V 695W(模块)
FMG2G300US60 7PM-IA IGBT 300A 600V 892W(模块)
FMG2G400US60 7PM-IA IGBT 800A 600V 1136W(模块)
FMG2G150US60E 7PM-GA IGBT 300A 600V 500W(模块)
FMG2G300US60E 7PM-HA IGBT 300A 600V 892W(模块)
FGH50N3 TO-247 IGBT 75A 300V 463W
ISL9R460P2,ISL9R460S2,ISL9R460S3S TO-220AC,TO-262,TO-263AB 4A 600V 58W
ISL9R860P2,ISL9R860S2,ISL9R860S3S TO-220AC,TO-262,TO-263AB 8A 600V 85W
ISL9R156G2,ISL9R150P2,ISL9R1560S2,ISL9R1560S3S TO-247,TO-220AC,TO-262,TO0263AB
ISL9R3060G2,ISL9R3060P2, TO-247 TO-220AC 30A 600V
ISL9K3060G3 TO-247 30A 600V ************************************************
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