《模拟电子技术》复习题10套及答案
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个极（A、B、C）？A.发射极B.基极C.集电极D.以上都是答案：D2. 在放大电路中，为了提高输入阻抗，通常在输入端并联一个（A、B、C、D）？A.电感B.电容C.电阻D.电感耦合答案：C3. 运算放大器在电路中的作用主要是（A、B、C、D）？A.放大信号B.滤波信号C.转换信号D.以上都是答案：D4. 场效应晶体管的输入阻抗与（A、B、C、D）有关？A.栅极电压B.漏极电流C.源极电压D.源极电流答案：A5. 下列哪种电路具有反馈作用（A、B、C、D）？A.串联反馈B.并联反馈C.电压反馈D.电流反馈答案：D二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、_______和_______。
答案：基极、集电极2. 运算放大器是一种具有_______的高增益放大器。
答案：差分输入3. 整流电路的主要作用是将交流电信号转换为_______电信号。
答案：直流4. 稳压二极管的最大特点是当其两端电压超过_______时，电流会急剧增加。
答案：额定电压5. 在 RC 滤波器中，截止频率 fc 与电阻 R 和电容 C 的关系为_______。
答案：f c =1/(2πRC)三、判断题1. 晶体管的工作原理是利用电子在半导体中的迁移率来控制电流。
（）2. 运算放大器的输出阻抗很高，因此可以直接驱动负载。
（）3. 场效应晶体管的输入阻抗与栅极电压有关。
（）4. 并联反馈会降低放大器的输入阻抗。
（）5. 稳压二极管在电路中主要用于保护电源免受过大电压的影响。
（）答案：1.对 2.错 3.对 4.对 5.对四、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
答案：双极型晶体管（BJT）是一种三端半导体器件，具有发射极、基极和集电极。
它的工作原理是利用基极电流来控制发射极和集电极之间的电流。
当在基极施加一个适当的正向偏置电压时，基极-发射极间形成少数载流子注入，这些载流子在电场的作用下向集电极移动，并在集电极形成电流。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分，共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。
因此， RC的值越大，输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。
但Re过大，会使BJT的VCE减小，影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，因此，具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中，闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1，a+f=2n这两个条件，就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分，共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时，二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V，VC=3.6V，VE=3.4V，则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后，VO基本不变，应引入( )负反馈。
《模拟电子技术》复习题
《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A）B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A）B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在A 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在B 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。
（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。
（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术复习试题+答案
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
三、计算（20分）
电路如图所示，β=50,RB1=15KΩ，RB2=5KΩ，RL=5.1KΩ，RE=2.3KΩ， VCC=12V ，信号源的内阻RS=1KΩ，RC=5.1KΩ
28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）；
29、多级放大电路的耦合方式有（直接耦合）、（阻容耦合）、（变压器耦合）。
30、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入（电
压串联负）反馈。
31、有源滤波器的功能是（用于小信号处理），按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、（带通滤波）、
没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
10）两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为C
-200mv； -250mV； 10V； 100V。
3.电路如图所示，已知VCC＝12V，RC＝3k，β＝40 且忽略VBE,若要使静态时VCE＝9V，则RB应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？放大倍数为多少？（14分）
六、在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7RB2=15 kΩ，RE=2.3 kΩ，RC=RL=3 kΩ，VCC=12V。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，以下哪种元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的主要作用是什么？A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案：A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号？A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A4. 在模拟电路设计中，为了减小温度对电路性能的影响，通常采用哪种方法？A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案：A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性？A. 锗（Ge）B. 硅（Si）C. 氮化镓（GaN）D. 氧化锌（ZnO）答案：B二、填空题1. 在模拟电子技术中，______和______是构成振荡器的基本元件。
答案：电阻、电容2. 为了实现信号的放大，通常需要在电路中引入______。
答案：负反馈3. 在模拟信号处理中，______是用来描述信号频率内容的工具。
答案：傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案：低频5. 在模拟电路中，为了提高电路的稳定性和可靠性，常常使用______电源。
答案：稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件，主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中，晶体管可以作为放大器使用，通过小信号控制大信号的放大过程，实现信号的增益。
同时，晶体管还可以用作开关，控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中，运算放大器因其优良的放大性能和灵活性，被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中，是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
模拟电子技术复习题及答案
模拟电⼦技术复习题及答案⼀、填空题：1、电⼦电路中常⽤的半导体器件有⼆极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流⼦：电⼦和空⽳。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能⼒很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流⼦是电⼦；P型半导体——多数载流⼦是空⽳。
当把P型半导体和N型半导体结合在⼀起时，在两者的交界处形成⼀个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截⽌区、放⼤区区和饱和区。
为了对输⼊信号进⾏线形放⼤，避免产⽣严重的⾮线形性失真，应使三极管⼯作在放⼤区内。
当三极管的静态⼯作点过分靠近截⽌区时容易产⽣截⽌失真，当三极管的静态⼯作点靠近饱和区时容易产⽣饱和失真。
3、半导体⼆极管就是利⽤⼀个PN结加上外壳，引出两个电极⽽制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作⽤。
半导体⼆极管⼯作在反向击穿区时，即使流过管⼦的电流变化很⼤，管⼦两端的电压变化也很⼩，利⽤这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利⽤栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是⼀种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两⼤类。
5、多极放⼤电路常⽤的耦合⽅式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加⼊ 5 价元素可形成N型半导体，加⼊ 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常⽤的偏置电路有镜像电流源、⽐例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放⼤电路产⽣的影响不同。
正反馈使放⼤倍数提⾼；负反馈使放⼤倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作⽤是稳定静态⼯作点，交流负反馈能够改善放⼤电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因⽽减⼩了放⼤电路的输出电阻；⽽电流负反馈使输出电流保持稳定，因⽽增⼤了输出电阻。
串联负反馈增⼤了放⼤电路的输⼊电阻；并联负反馈则减⼩了输⼊电阻。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(十)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．模拟信号的特点是在时间上和（）上均连续。
2．由漂移形成的电流是反向电流，其大小决定于（），而与外电场（）。
3．三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
4．FET是（）控制电流的器件，只依靠一种载流子导电，因而属于单极型器件。
5．差分放大电路常用于集成电路的（）级，功率放大电路常用于集成电路的（）级。
6．为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈。
7．按结构来分，正弦波振荡电路主要有（）型和（）型两大类。
8．构成串联反馈式稳压电路的基本单元，除了调整管、基准电压产生电路外，还有（）电路和（）环节。
二、选择题1．图1所示为MOSFET转移特性曲线，该场效应管属于（）。
A．P沟道增强型B．N沟道耗尽型C．N沟道增强型D．P沟道耗尽型2．图2所示电路中二极管为理想二极管，判断它是否导通（）。
A、导通B、截止C、不能判断图1 图23．测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)4．差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5．整流的目的是( )。
A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将正弦波变为方波6．对功率放大电路与电流放大电路的区别的描述错误的是（）。
A前者比后者电流放大倍数大；B前者比后者效率高；C在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。
7．LC并联网络在谐振时呈( )。
A.容性B.阻性C.感性8．分析运放的两个依据是（）、（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1三、判断题1．（ ）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
2．（ ）在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
3．（ ）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
《模拟电子技术》复习题
《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在A 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在B 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。
（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。
（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
模拟电子技术复习题及答案
一、填空题：1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。
串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。
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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型++++++------Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR R R R R R R R2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1++++++------D2R Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VB=50Ui RfRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRRR RR R R 2R2R2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止 三、判断题（ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
（ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
（ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
（ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。
（ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。
（ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。
（ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。
（ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。
（ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。
四、分析题电路如图所示：（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
（2）电阻R 3和二级管D 1、D 2 的作用是什么？ （3）静态时T 4 管射级电位U E4 =？负载电流 I L =？ （4）动态时，若输出V O 出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件？怎样调才能消除失真？（5）判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少? （6）求负载R L 上最大输出幅度V om 和最大输出功率Pom 。
（设V CES =0V ，R L =24Ω） （7）若R f =100kΩ，R b2=2kΩ，求R L 上输出幅度最大时，输入V I 的有效值为多少？五、计算题1、电路如图所示，晶体管的β＝60，'100bb r =Ω。
（1）求电路的Q 点。
（2）画出微变等效电路，并计算u i o A R R 、、。
（3）设U s ＝10mV （有效值），问U i ＝？U o ＝？若C 3开路，则U i ＝？U o ＝？2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'100bb r =Ω，U BEQ ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 和R i 。
3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo与输入电压u I1、u I2的关系式。
《模拟电子技术》复习题一参考答案一、填空题1、自由电子， 空穴 。
2、绝缘栅型， 电压3、共射4、输入5、负反馈6、饱和， 放大， 截止7、放大电路， 选频网络 ， 正反馈网络 ，稳幅环节 二、选择题1、B2、B3、D4、B5、C6、A7、A8、C9、C 10、B 三、判断题1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、√ 四、分析题 答：（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。
（2）消除交越失真。
（3） U E4 =0， I L =0。
（4）为交越失真。
应调Ｒc3 ，应将阻值调大。
（5）电压串联负反馈。
221b fb I O uf R R R F V V A +===（6）V V M om 9.=（幅值）或V V om 29=(有效值)W R V P L om om 69.12429222=⨯==(7) 5121002=+=uf A V A V V uf om I 125.05129===五、计算题 1、解：（1）Q 点：（2）画出微变等效电路berbR CR bi bi iu LR动态分析：（3）设U s ＝10mV （有效值），则若C 3开路，则2、解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：A d 和R i 分析如下：3、解：由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器，运放A4组成反相输入比例运算电路运放A3组成差分比例运算电路以上各式联立求解得：《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。
2、二极管最主要的特性是。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。
图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-1图2-2图2-4R2RL1L2CUccUgsidRLRb Rc RbRb1Rb2Re1RcRLC1C1C2L50K 2.5KB=50UoUi+5VRfRe1Re2UccUcc UccC2Rs图2-2图2-5图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。
A NPN型B PNP型C 不正确2、N型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A 空穴B 三价元素C五价元素3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝2Ｖ，V2＝2.7Ｖ，V3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。
A 1：e、2：b、3：cB 1：c、2：e、3：bC 1：c、2：b、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：V b＝－12.3Ｖ，V e＝－12Ｖ，V c＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（）。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A 差B 好C 差不多8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为( )。
A P沟道增强型MOS管B P沟道结型场效应管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止10、图2-10所示电路是( ) 。
A差分放大电路B镜像电流源电路C微电流源电路三、判断题( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。
( )3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
( )4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。
( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。
( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
( )9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。
( )10、滤波是将交流变为直流。