碳化硅电子元器件简介

碳化硅材料的优点

•高电子饱和速度 （2x Si ）

•高击穿电压 （10x Si ）

•Wide band gap （3x Si ）

•大禁带宽度 （3x Si ）

•高熔点 （2x Si ）

✓导通电阻低 ✓高频特性好 ✓耐高压 ✓高温特性好

•可以超高速开关，大大提高产品效率，减小散热设备面积

•可以实现设备小型化 （如电动汽车充电器）

•可在高压下稳定工作 （高速列车，电力等）

•可在高温环境下稳定使用 （电动汽车等）

材料

器件 应用

碳化硅器件的耐温特性

GPT SIC DIODES VS SILICON FRD（ 600V10A ）

Company A

Company A

ＧＰＴ

SiC SBD

主要产品

政府项目:

SiC BJT: 1200V10A

SiC MOS: 1200V40m Ω/80mΩ

碳化硅 BJT/MOS

650V200A/1200V450A

碳化硅混合模块

650V: 3A/4A/5A/6A/8A/10A/20A/30A/50A/80A/100A

1200V: 2A/5A/10A/20A/40A/50A

1700V: 10A/30A

3300V: 0.6A/1A/2A/3A/5A/50A

碳化硅肖特基二极管

产品认证

ISO 9001 认证可靠性试验报告Rohs 认证CE 认证

应用市场

PFC

EV Car/Train Traction

UPS

Solar Inverter

• 耐高温

•使用碳化硅器件使得光伏逆变器输出功率从10kW 提升至40kW ，但是碳化硅器件的高温特性不需要更大体积的散热片系统，从而避免额外增加系统体积和重量。

• 高开关效率

更高工作频率下使用碳化硅开关器件大大减小每千瓦输出功率所要求的的电容体积。

• 低传导损耗

•碳化硅器件可加倍电流输送。同样芯片面积的碳化硅器件即可承担硅器件输出功率的4倍以上。

1200V 20A 碳化硅二极管反向恢复时间特性

-100

-50

50

100

1.00E-06

1.50E-06

2.00E-06

2.50E-06

3.00E-06

Time （us ）

I （A ）

泰科天润SiC SBD Si FRD

GPT SiC

Company A SiC

Si FRD

Reduction rate compared with Si

FRD

I RM (A)

18.1

16.9 94.8 80.91% T rr (us)

0.048

0.047 0.53 90.94% Q rr (nC)

0.51

0.47 16.5 96.91% E rec (mJ)

0.44

0.44 8.17 94.61% E on (mJ)

4.57

5.23

6.57 30.44% E off (mJ)

10.23

10.51

10.27

0.39%

E total (mJ)

14.8

15.74 16.84 12.11%

GPT Company A Si FRD

碳化硅器件性能对比

功率器件专用设备的外协工艺

高温离子注入服务高温退火与碳膜建设服务离子种类

（一价/二价/全种类）

Al, N, P, Ar, and etc

注入能量10KeV~400KeV 一价离子注入20KeV~800KeV 二价离子注入

注入剂量5E11~1E16 倾斜度0°— 89°旋转度0°— 359°温度常温~500℃

温度范围≤1850℃

氛围气体Ar

碳膜溅射膜厚可根据客户要求订制