半导体三极管及其放大电路练习及答案

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6-10复习题及答案.

第六章基本放大电路一、填空题1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。

（发射极，集电极，基，集电）2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。

（共基电路，共射电路，共集电路）3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

（输入特性，输出特性）4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

（IB，VBE ）5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。

（截止，减小，增大）6、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

（基极，集电极）7、共射组态既有放大作用，又有放大作用。

（电压，电流）8、画放大器交流通路时，和应作短路处理。

（电容，电源）二、选择题1、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。

（B）A、10B、50C、80D、1002、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（D）A、增大B、减少C、反向D、几乎为零3、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（D）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏4、测得三极管IB=30μA时，IC = 2.4mA ；IB=40μA时，IC = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。

（B）A、80B、60C、75D、1005、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。

（C）A、iCB、uCEC、iBD、iE6、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。

（B）A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法7、放大电路的三种组态。

（C）A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用8、晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是（D）A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是三、问答题：1. 放大电路中为什么要设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？答：为了不失真地放大交流信号，必须在电路中设置合适的静态工作点。

电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答

第二章半导体三极管及其电路分析题有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。

你以为应选用哪个管子较稳固？解：选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。

题有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。

试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？解：甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。

题共射电路如图题所示。

现有以下各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。

图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；(3)工作在放大状态(工作在放大区)；(4)工作在放大状态(工作在放大区)。

题从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。

（1）是锗管仍是硅管？（2）是NPN 型仍是PNP 型？（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断仍是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

第五章FET三极管及其放大管考试试题及答案

B
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ）无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。（1）求 i r 和 0r ；（2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。

晶体三极管及其放大电路答案1

晶体三极管及其放大电路一、填空题。

1. 三极管有二个PN结，即发射结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏, 集电结必须反偏.2. 三极管有 NPN 型和 PNP 型。

3。

三极管各电极电流的分配关系是IE =IC+IB。

4. 三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即放大区、截止区和饱和区。

当三极管工作在放大区时,关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在截止区时，IC=0；当三极管工作在饱和区时，UCE=05. 有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA;B管的β=60,ICEO=15μA; B 管比 A管性能好。

6. 三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而增大，穿透电流ICEO随温度升高而增大，β值随温度的升高而增大。

7. 某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1。

2mA，则发射极电流IE=1.23mA 。

如果基极电流IB 增大到50uA时,IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 40 。

8。

工作在放大状态的三极管可作为放大器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。

9。

处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是 I C=βI B，处于饱和状态的三极管I C 不受IB控制，不能实现放大作用，处在截止状态的三极管IC0A .10。

PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中发射极电位最高，集电极电位最低。

11. 放大电路的功率放大倍数为100,功率增益为 10dB 。

12. 输入电压为400mV，输出电压为4V,放大电路的电压增益为 10 dB 。

13. 晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生截止失真。

14. 在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变,则晶体三极管负载线变上升 .共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的集电与发射极.15. 用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变,则三极管的集电极电流将升高。

半导体三极管与基本电路试题和答案

第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。

2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。

3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。

6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。

7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。

10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。

11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。

14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。

15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。

16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。

17、(2-2，低)在多级放大器里。

前级是后级的，后级是前级的。

三极管及放大电路测试题

、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D1．已知图示电路中晶体管的100β，k 1be r ，在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时，估计输出电压有效值为____过____。

（ A ．0.5V ， B ．1V ， C ．2V ， D ．5V ）。

+V CC C 2C 1R b 300k 2k(+12V)10F10F 2kR L R c u iu o？？？2.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。

3.放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（）。

？？4.放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（）。

A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答： B答：BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： B5.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(D. CBOBR CEO BR EBO BR U U U )()()(答： B6.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。

A.C BEI I I B. ?BC I βI C. CEO CBOI I )1( D.答： C7.图示电路中，欲增大U CEQ ，可以（）。

A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大？？？8、射极输出电路如图所示，分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响，选择：2（1）．保持i U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____；（2）．保持s U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____。

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。

(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。

(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。

(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。

(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。

(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。

(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。

(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。

(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。

(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。

设U BEQ=0,I CQ为( )。

(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。

半导体三极管及其基本电路试题及答案

2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。

3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。

6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。

7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。

10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。

11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e,b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。

14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。

15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。

16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。

17、(2-2，低)在多级放大器里。

前级是后级的，后级是前级的。

电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案

第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题1发射极，集电极，基，集电2、共基电路，共射电路，共集电路。

3、输入特性，输出特性4、I B，V BE5、合适的静态工作点，幅度适中6、截止，减小，增大7、输出电压，输入电压8、基极，集电极9、电压，电流10、发射，集电11、饱和，NPN12b，e，c ，NPN，硅13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B14、增加，上移15、增大，减小16、电容，电源17、信号源，负载18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。

19、第一级，输入级，差动放大电路20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合22、提高（增加），增加22、降低，降低23、直流，负，串联24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）25、RC，LC26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类，乙类，甲乙类29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类二、选择题1、A2、B3、C4、C5、D6、D7、D8、A9、A10、C 11、B12、A13、D14、B15、C16、A17、B18、C19、C20、D21、A22、B23、B24、B25、B26、D27、C28、A29、B30、C31、A32、D33A30、D35、D36、A37、B38、D39、C40、D、A41、B42、C43、C44、C45、B46、B47、D48、D49、B50、B51、D52、B53、B54、C55、B56、C57、D58、C59、B60、D61、B62、A63、A64、B65、C66、B三、判断题1、错2、对3、错4、错5、错6、错7、错8、对9、错10、错11、错12、错13、错14、对15、错16、对17、错18、错19、对20、错21、错22、错23、错24、错25、错26、错27、错28、错29、错30、对31、错32、对33、错34、对35、对36、对37、对38、错39、错40、错41、错42、错43、对44、错45、对46、错47、错48、对49、错四、简答题1、(2-1，中)什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？答：放大电路在没有输入信号时所处的状态称为静态，又称直流状态。

电子技术基础第二单元《半导体三极管及其放大电路》测试卷

《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名：学号：一、填空题：1、放大电路设置静态工作点的目的是。

2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。

3、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压u i相位。

4、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im，并且要大于发射结的。

5、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路交流通路时，把和看成短路。

6、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。

7、小功率三极管的输入电阻r be= 。

8、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真。

基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。

9、若放大电路的电源电压U CC增大，其他条件不变，这放大器的静态工作点将移。

10、共射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，R C=3Ω，U CC=12V，β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ，I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。

11、在分压偏置电路中，已知R B1=20kΩ，R B2=10kΩ，R C=2kΩ，R E=2kΩ，U CC=12V,β=50,R L=2kΩ，设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。

12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。

13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un，则总的电压放大倍数为A u= 。

二、选择题：1、三极管构成放大器时，根据公共端不同，可有（）种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指（）A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指（）A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号（）三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（）A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是（）A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指（）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图中（）A B C12、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（）A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图所示，则引起波形失真的原因是（）A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻的自动调节，会使（）A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为（）A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（）A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2= —50，A u3=1，则总的电压放大倍数是（）A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题：1、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真（）2、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升（）3、放大器具有能量放大作用（）4、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器（）5、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量（）6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡（）7、放电电路静态工作点过高时，在U CC和R C不变情况下，可增加基极电阻R B（）8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动（）9、放大电路的静态工作点一经设定后，不会守外界因素的影响（）10、实际放电电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大（）11、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响（）12、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点相互牵制（）13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C （）四、综合题：1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R C=3KΩ,R L=3kΩ，晶体三极管的β=50，求：（1）放大单路的静态工作点（2）放电电路的输入电阻、输出电阻（3）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示，已知U CC=12V，R B=200kΩ，R C=4kΩ，RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线，并确定静态工作点（2）当RC由4kΩ增加到6kΩ，工作点将移至何处（3）当RB由200kΩ变为100kΩ时，工作点将移至何处（4）当电源电压由12V变为6V时，工作点将移至何处（5）在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中，RB1=60kΩ,RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=16V，β=50。

第2章半导体三极管及基本放大电路(精)

第2章半导体三极管及基本放大电路1．温度升高时，晶体管的电流放大系数和反向饱和电流I CBO______，正向结压降V BE______；共射输入特性曲线将______，输出特性曲线将______，而且输出特性曲线之间的间隔将______。

A．变大，变小，左移，上移，增大B．变大，变大，右移，上移，增大C．变大，变小，左移，下移，增大D．变小，变大，右移，上移，增大2．现有八种半导体器件，其型号分别是3AX22，2CZ11，3DG6，2AP9，3DJ13，2CP10，3DD1，2CW11。

说明哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管。

A．2AP9 二极管，2CZ11锗二极管，2AP9硅稳压管B．2AP9硅二极管，2CP10锗二极管，2CW11硅稳压管C．2CW11硅二极管，2AP9锗二极管，2CP10硅稳压管D．2CP10硅二极管，2AP9锗二极管，2CW11硅稳压管3．三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V(BR)CEO=30V，若其工作电压V CE=10V，则工作电流不得超过______mA；若V CE=1V，则工作电流不得超过______mA；若工作电流I C=1mA，则工作电压V CE不得超过______V。

A．15；100；150B．15；150；150C．15；150；30D．15；100；304．对双极型晶体管下列说法正确的是( )A．发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构对称B．发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的电流基本相同C．发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射极掺杂浓度比集电极高D．发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射极掺杂浓度比集电极低5．晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时的关系是：A．饱和区的电流放大系数大于放大区工作时的电流放大系数B．饱和区的电流放大系数等于放大区工作时的电流放大系数C．饱和区的电流放大系数小于放大区工作时的电流放大系数D．饱和区的电流放大系数与放大区的电流放大系数的关系不能确定6．对于晶体基区的叙述下面正确是是。

三极管及放大电路基础试题及答案

三极管及放大电路基础试题及答案一、单选题1.在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100， RB＝100kΩ。

当Ui ＝0V时，测得UBE＝0.7V，若要基极电流IB＝20μA，则RW为( )kΩ。

A、465B、565C、400D、300【正确答案】：A2.有些放大器在发射极电阻上并联一个电容CE，则CE的作用是( )A、稳定静态工作点B、交流旁路，减少信号在RE上的损耗C、改善输出电压波形D、减小信号失真【正确答案】：B3.放大电路设置偏置电路的目的是A、使放大器工作在截止区B、使放大器工作在饱和区C、使放大器工作在线性放大区D、使放大器工作在集电极最大允许电流ICM状态下【正确答案】：C4.温度上升时，三极管的反向饱和电流( )A、增大B、减小C、不变D、上下波动【正确答案】：A5.在共射基本电路中，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为( )A、Rb开路B、Rb过小C、Rc开路D、Re过小【正确答案】：A6.如果三极管的基极电流是40μA ，集电极电流是2mA ，则三极管的电流放大系数为A、20B、50C、200D、500【正确答案】：B7.多级放大器的输出电阻Rｏ就是( )A、第一级输出电阻B、最后一级输出电阻C、每级输出电阻之和D、每级输出电阻之差【正确答案】：B8.放大器的低频区指的是A、上限频率以上的频率范围B、下限频率以上的频率范围C、下限频率以下的频率范围D、放大器上限频率和下限频率之间的频率范围【正确答案】：C9.多级放大电路与单级放大电路相比，总的频带宽度( )A、变窄B、变宽C、不变D、为0【正确答案】：A10.分压式工作点稳定电路如图所示，已知β=60，UCE( )=0.3VUBE=0.7V。

三极管基极电位UB约为( )A、2VB、3VC、４ＶD、５Ｖ【正确答案】：C11.以下关于三极管的说法中，正确的是A、三极管属于单极型器件B、三极管内存在有三个PN结C、三极管的穿透电流随温度升高而增大D、三极管的正向导通电压随温度升高而增大12.以下关于输入电阻的叙述中，正确的是A、输入电阻越小，对信号源的影响就越小B、输入电阻越大，对信号源的最响就越小C、输入电阻大小对输出电阻有影响D、输入电阻大小对信号源无影响【正确答案】：B13.用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接23脚时，指针偏转角均较大。

(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案

59.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）
答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）答案：×
三、解答题
r'
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，试求：
（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。
bb=100Ω，静态时｜UBEQ｜≈0.7V。
a zb 30MHzc 3MHz
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在
量值上有度的附加值。
a180b 90c45
53 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的
a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c
27.在放大电路中，直流负反馈可以
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点答案：c
28.可以放大电压，但不能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：c
a 差b 好c 差不多