光电制程半导体制程设备供应链与技术研发地图

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《中国制造2025》10大重点领域技术路线图PPT课件

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技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.4智能制造核心信息设备
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技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.4智能制造核心信息设备
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技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.4智能制造核心信息设备
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技术路线图 2、高档数控机床和机器人
2.1高档数控机床与基础制造装备
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技术路线图 2、高档数控机床和机器人
6.3智能网联汽车
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技术路线图 6、节能与新能源汽车
6.3智能网联汽车
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技术路线图 6、节能与新能源汽车
6.Байду номын сангаас智能网联汽车
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技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
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技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
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技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
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技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
《中国制造2025》 10大重点领域技术路线图
1
背景
10月30日，中华人民共和国工业和信息化部正式发布《<中国制造2025>重点领域技术路线图（2015年版）》电子版，明确了新材料产业等10大领域以及23 个重点发展方向。
《中国制造2025》围绕经济社会发展和国家安全重大需求，选择10大优势和战略产业作为突破点，力争到 2025年达到国际领先地位或国际先进水平。
3.3航空机载设备与系统
37
技术路线图 3、航空航天装备
3.3航空机载设备与系统
38
技术路线图 3、航空航天装备
3.4航天装备
39
技术路线图 3、航空航天装备
3.4航天装备

半导体制造工艺流程图

外延层淀积
1.VPE〔Vaporous phase epitaxy> 气相外延生长硅
SiCl4+H2→Si+HCl 2.氧化
Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox SiO2
N-epi
N+-BL
N+-BL
P-SUB
第二次光刻—P+隔离扩散孔
• 在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离.
• 2.阱区注入及推进,形成阱区
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 3.去除SiO2,长薄氧,长Si3N4
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 4.光II---有源区光刻
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
Wafer Fab、 • 晶圆针测制程〔Wafer Probe； • 後段〔Back End • 构装〔Packaging、 • 测试制程〔Initial Test and Final Test
一、晶圆处理制程
• 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件〔如电晶体、电容体、逻辑闸等,为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ,以微处理器〔Microprocessor为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘〔Particle均需控制的无尘室〔Clean-Room,虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗〔Cleaning之後,接著进行氧化〔Oxidation及沈积, 最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作.

半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】

DIP
Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
lead
18~124
Ceramic
0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Grinding (Optional)
lead
3~25
Through Hole Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40

半导体封装制程与设备材料知识介绍

24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
封裝型式
Shape
Tester
Digital
Credence
SC312
Digital
Teradyne
J750
Mix-Signal Credence
Quartet one and one+
Mix-Signal HP
HP93000 P600
Mix-Signal HP
HP93000 C400
Mix-Signal Teradyne
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing

半导体封装制程及其设备介绍-PPT

Substrate
Solder paste pringting
Stencil
Chip shooting
Nozzle Capacitor
Reflow Oven
Hot wind
DI water cleaning
Automatic optical
inpection
DI water
Camera
PAD PAD
Wafer tape
Back Grind
Wafer Detape
Wafer Saw
Inline Grinding & Polish -- Accretech PG300RM
Coarse Grind 90%
Fine Grind 10%
Centrifugal Clean
Alignment & Centering
Die distance Uniformity
4。PICKING UP
3。EXPANDING
No contamination
TAPE ELONGATION
WEAK ADHESION
3.Grinding 辅助设备
A Wafer Thickness Measurement 厚度测量仪一般有接触式和非接触式光学测量仪两种；
Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.

半导体技术-半导体制程

半导体制程一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。

但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。

为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。

洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。

所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。

为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1．内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。

所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。

2．为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。

换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。

3．所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。

4．所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。

5．所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。

6．人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。

) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。

7．除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。

一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染MOS晶体管的载子信道（channel），影响半导体组件的工作特性。

去离子水以电阻率 (resistivity) 来定义好坏，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。

半导体制程简介

图形化工艺
阐述图形化工艺的基本原理和方法，包括光刻、刻蚀、镀膜等步骤，以及这些步骤对半导体性能的影响。
掺杂与退火
讲解掺杂剂的种类和作用，以及掺杂工艺的基本步骤和退火工艺对半导体性能的影响。
制程环境与设备
制程环境
介绍半导体制造所需的环境条件，如洁净度、温度、湿度等，以及这些环境因素对半导体性能的影响。
03
常见的半导体材料有硅、锗、砷化03
半导体材料具有高纯度、低缺陷等特性。
硅是最常用的半导体材料，具有资源丰富、制备工艺成熟等优势。
锗是一种具有高迁移率的半导体材料，适用于高速电子器件。
半导体产业概述
01
半导体产业包括半导体制造、半导体设备、半导体材料等领域。
案例三：纳米半导体器件制程
总结词
纳米半导体器件制程是一种制造纳米级尺寸的半导体器件的制程，具有高频率、低功耗、小尺寸等特点。
详细描述
纳米半导体器件制程采用先进的纳米制造技术，如纳米压印、电子束光刻等，将半导体材料加工成纳米级别的器件。该制程在微电子、光电子、生物医学等领域具有广泛的应用前景。
5G和物联网的驱动
5G和物联网技术的发展将推动半导体产业持续增长，对低功耗、高性能半导体的需求不断增加。
中国市场的崛起
中国半导体市场已成为全球最大的市场之一，政府支持力度大，产业发展迅速，国际合作与竞争日益激烈。
国际合作与竞争
国际合作
随着半导体产业的发展，国际合作成为提高技术水平和竞争力的重要手段，各国纷纷建立合作机制，加强技术交流和联合研发。
详细描述
半导体技术可以用于开发太阳能、风能等新能源发电设备中的半导体器件，提高能源利用效率；同时也可以用于环保领域的半导体传感器、气体检测器等设备的开发，实现环境污染的监测与治理。

国际半导体技术发展路线图

ＣｈｉｎａｌｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｌｔ国际半导体技术发展路线图（ＩＴＲＳ）２０１３版综述（１）黄庆红1译，黄庆梅2校（1.工业和信息化部电子科学技术情报研究所，北京，100040;2.北京理工大学光电学院，北京，100081）摘要：国际半导体技术发展路线图（The I nt er nat i onal Technol ogy R oadm ap f or Sem i conduct or s，I TR S）自1999年第1版问世后，每偶数年份更新，每单数年份进行全面修订。

I TR S的目标是提供被工业界广泛认同的对未来15年内研发需求的最佳预测，对公司、研发团体和政府都有指导作用。

路线图对提高各个层次上研发投资的决策质量都有重要意义。

本篇是连载一。

关键词：国际半导体技术发展路线图；2013版International Technology Roadmapfor Semiconductors（2013Edition）HUANG Qing-hong1,HUANG Qing-mei2（1.Electronic Technical Information Research Institute,MII.Beijing100040,China;2.School of Optoelectronics,Beijing Institute of Technology,Beijing100081,China）Abstract:The first International Technology Roadmap for Semiconductors（ITRS）published in1999.Since then,the ITRS has been updated in even-numbered years and fully revised in odd-numbered years.The overall objectiveof the ITRS is to present industry-wide consensus on the“best current estimate”of the industry’s research anddevelop-ment needs out to a15-year horizon.As such,it provides a guide to the efforts of companies,universities,governments, and other research providers or funders.The ITRS has improved the quality of R&D investmentdecisions made at all levels and has helped channel research efforts to areas that most need research breakthroughs.Key words:ITRS；2013１综述１．１不断变化的环境简介半导体工业诞生于20世纪70年代。

光伏国际技术路线图(中文翻译版)

光伏国际技术路线图1.摘要光伏企业需要制造发电产品用来抗衡传统能源和其他可再生资源，一种国际技术路线图(ITRPV)可以帮助我们认清并明确一些改进的趋势和要求。

国际半导体设备材料产业会(SEMI)光伏国际路线图的一个目标就是提供给供应商和客户有关晶硅光伏行业的预期技术走势，并鼓励人们对规格和改进方面的讨论。

该路线图的目的并不是向人们介绍需要改进领域的详细技术改进方案，而是强调需要改进的光伏技术点并推动综合解决方案的发展。

目前，ITRPV的第六版联合26家包括多晶硅制造商、硅片供应商、晶硅太阳能电池制造商、组件制造商、光伏设备供应商、生产原材料供应商以及光伏研究院等机构，共同做好了准备。

目前的出版物涵盖了整个的晶硅光伏价值链，包括晶化、硅片、电池制造、组件制造以及光伏系统。

早期出版物公布的一些重要参数与新的参数在一起作了修正，同时也公布了光伏行业一些新兴趋势的讨论。

2014年估算的全球光伏组件装机量已经达到了45~55GWp，晶硅市场大约占据了90%的市场份额，薄膜技术占据了不到10%的市场份额(基本没有改变)。

路线图描述了晶硅组件生产的技术革新和趋势。

经过2013年一个短暂的平稳期后，组件价格在2014年连续下降。

先进电池技术的实施以及改良材料的使用提升了组件的平均功率，2014年一些厂家盈利的部分原因归结于对光伏价值链每个步骤降本的不断努力。

价格曲线继续维持着20%的降速，与历史经验曲线速率相吻合。

通过引入双面电池及单面接触电池的概念，配合改善硅片、电池正面和背面以及组件技术，在以后的几年内，这种速率还会继续维持。

ITRPV这一期的修订版中将继续讨论这方面的问题。

这些领域改善的最终结果是，到2025年，标准多晶硅组件的平均输出功率将超过310Wp(60个电池片)。

电池和组件的性能提升以及生产成本的大幅下降将会降低光伏系统的成本，确保光伏发电的长期竞争力。

路线图活动与SEMI将会继续合作，最新信息将会每年出版一次，以确保整个产业链生产商和供应商的良好沟通，更多信息请登录网址。

半导体制程简介

半导体制程简介半导体制程是指制造半导体器件所需的一系列工艺步骤和设备。

它是将材料转换为具有特定功能的半导体器件的过程，多数情况下是芯片制造的关键部分。

半导体制程通常分为六个主要步骤：前道工艺、IC 设计、曝光与衬底处理、薄膜沉积、刻蚀与清洗、以及后道工艺。

前道工艺是半导体制程的起始阶段。

在这个阶段，制造商会选择适合的衬底材料（通常是硅），并使用一系列的物理和化学方法准备它，以便于后续的加工。

IC 设计是将半导体器件的功能、结构和电路设计成电子文件的过程。

这些文件将被用于后续的曝光与衬底处理。

曝光与衬底处理是半导体制程的关键步骤之一。

在这个步骤中，使用光刻机将设计好的电子文件投射到光敏材料上，形成模式。

然后，通过化学方法去除暴露的材料，从而得到衬底上的所需结构。

这些步骤会多次重复，以逐渐形成多层结构。

在薄膜沉积阶段，使用化学蒸气沉积（CVD）或物理蒸镀（PVD）等方法将薄膜材料沉积到衬底上。

这些膜层将用于实现器件的不同功能，如导电层、绝缘层和隔离层等。

刻蚀与清洗是将多余的材料从衬底上去除的过程。

使用化学或物理方法，将不需要的材料刻蚀掉，并进行清洗和检查，确保器件的质量和一致性。

后道工艺是半导体制程的最后阶段。

在这个阶段中，制造商会进行结构和线路的连接，以及器件的测试和封装等。

这些步骤将半导体器件转换为实际可用的芯片。

半导体制程是一个复杂而精细的过程。

通过精确的控制和不断的优化，制造商可以获得高质量、高性能的半导体器件。

这些器件在现代技术中发挥着重要的作用，包括计算机、通信设备、消费电子产品等。

因此，半导体制程在推动科技进步和社会发展中扮演着重要的角色。

半导体制程在现代科技领域扮演着极为重要的角色。

随着信息技术的发展和人们对高性能电子设备的需求不断增长，半导体制程成为了现代社会的基石之一。

在这方面，特别值得一提的是摩尔定律。

摩尔定律是一种经验规律，它指出在相同面积上可以容纳的晶体管数量每隔大约18-24个月将翻一番，同时造价也会下降50%。

技术研发路线图解读PPT

定期评估和审查技术研发路线图，确保其与市场需求和公司战略保持一致
建立灵活的调整机制，根据市场变化、技术进步和资源状况及时调整和优化路线图
加强与跨部门、跨领域的沟通和协作，共同参与路线图的制定和调整，提高其针对性和实用性
培养一支具备专业知识和创新思维的技术研发团队，为路线图的制定和实施提供人才保障
技术研发路线图的未来展望
项目背景：介绍项目的起源、市场需求和目标
技术研发重点：说明项目的技术难点和关键技术
创新点：介绍项目的技术创新和优势
某高校科研管理技术路线图
案例背景：某高校为了提高科研管理效率和成果转化率，制定了一份技术路线图。
制定过程：该高校邀请了行业专家、校内科研团队代表共同参与制定，经过多次讨论和修订，最终形成了完整的技术路线图。
政策目标：通过技术研发路线图，引导企业和研究机构进行科技创新，提高产业竞争力。
政策内容：包括财政支持、税收优惠、金融扶持等多方面措施，为企业提供全方位的支持和服务。
实施效果：通过技术研发路线图的实施，政府成功地推动了科技创新和产业升级，提高了国家的整体竞争力。
某创新创业项目技术路线图
技术路线图：详细展示项目的技术发展路径和时间节点
路线图为高校和研究机构提供了一个可视化的管理工具，方便跟踪和评估科研进展
路线图有助于高校和研究机构整合资源，提高科研效率和成果转化率
技术研发路线图用于规划高校和研究机构的科研方向和重点领域
技术研发路线图案例分析
某企业技术研发路线图
技术研发背景：介绍企业面临的市场竞争和技术瓶颈
研发目标：明确技术研发要解决的问题和期望达到的目标
政府科技政策制定
确定科技发展目标与重点领域
引导和调控科技创新活动

OLED产品技术路线图

OLED产品技术路线图(Roadmap of OLEDproduction)有机电致发光的英文名称为Organic Electro luminescence，做成器件后在欧美称为有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)，在日、韩被称为有机电致发光显示器（OELD）是一种在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致有机材料发光的显示器件。

与其他平板显示器相比，OLED具有成本低、全固态、主动发光、亮度高、对比度高、视角宽、响应速度快、厚度薄、低电压直流驱动、功耗低、工作温度范围宽、可实现软屏显示等特点，被称为“梦幻显示器”。

一、OLED概述1、与其它平板显示器的比较优势首先，OLED视野角度宽、轻薄、便于携带。

作为自发光器件，OLED的视角上下、左右一般可以达到160度以上，没有视角范围限制。

因为OLED是薄膜层叠结构，包括封装在内总厚度仅为2毫米左右，因此可以说是世界上最轻便的显示器。

图1 平板显示器性能对比图资料来源：Universal Display其次，它亮度、对比度高、色彩丰富、响应速度快。

与LCD相比，OLED的亮度和色彩具有明显的优势。

OLED显示器件单个像素的响应速度在1O微秒左右，而LCD显示器的响应速度通常是几千至几万微秒，两者相差悬殊。

因此，0LED显示器更适合于显示各种活动图像，如用于便携电视和游戏机等领域。

更加独特的是，OLED产品可实现软屏。

OLED的生产更近似于精细化工产品，因此可以在塑料、树脂等不同的材料上生产。

如果将有机层蒸镀或涂布在塑料基衬上，就可以实现软屏。

一旦该技术成熟并加以应用，将彻底改变目前很多电器的外观形态，使得令人神往的可折叠电视、电脑的制造成为可能。

OLED还有工作温度范围宽、低压驱动、工艺简单、成本低等优点。

OLED的工作温度在-40℃～70℃之间，因此可以运用在很多具有特殊要求的工作场合。

同时，OLED的驱动电压仅需2V～l0V，而且安全、噪声低，容易实现低功率。

半导体技术发展趋势及中芯国际RDppt课件

SMIC shall not be responsible for any party’s reliance on these materials.
3
国际主流逻辑技术路线图
Foundry 2H12 1H13 2H13
1H14 2H14 1H15
2H15 1H16 2H16 1H17 2H17
T
20nm Planar
In addition to the information contained in this document, you should also consider the information contained in our other filings with the SEC, including our annual report on Form 20-F filed with the SEC on April 14, 2014, especially in the “Risk Factors” section and such other documents that we may file with the SEC or SEHK from time to time, including on Form 6-K. Other unknown or unpredictable factors also could have material adverse effects on our future results, performance or achievements. In light of these risks, uncertainties, assumptions and factors, the forward-looking events discussed in this document may not occur. You are cautioned not to place undue reliance on these forward-looking statements, which speak only as of the date stated or, if no date is stated, as of the date of this document.

《中国制造2025》10大重点领域技术路线图

技术路线图 3、航空航天装备
3.2航空发动机
技术路线图 3、航空航天装备
3.2航空发动机
技术路线图 3、航空航天装备
3.3航空机载设备与系统
技术路线图 3、航空航天装备
3.3航空机载设备与系统
技术路线图 3、航空航天装备
3.3航空机载设备与系统
技术路线图 3、航空航天装备
3.3航空机载设备与系统
技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
技术路线图 7、电力装备
7.1发电装备
技术路线图 7、电力装备
7.2输变电装备
技术路线图 7、电力装备
十大重点领域：
新一代信息技术产业高档数控机床和机器人航空航天装备海洋工程装备及高技术船舶先进轨道交通装备节能与新能源汽车电力装备农业装备新材料生物医药及高性能医疗器械
技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.1集成电路及专用设备
技术路线图 1、新一代信息技术产业
技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.4智能制造核心信息设备
技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.4智能制造核心信息设备
技术路线图 1、新一代信息技术产业
1.4智能制造核心信息设备
技术路线图 2、高档数控机床和机器人
2.1高档数控机床与基础制造装备
技术路线图 2、高档数控机床和机器人
2.1高档数控机床与基础制造装备
10.1生物医药
技术路线图 10、生物医药及高性能医疗器械

长期技术研发路线图展示PPT

资源分配：为每个任务分配必要的资源和支持
风险管理：识别和应对可能出现的风险和挑战
研发项目的时间表和里程碑
研发项目1：研发项目2：研发项目3：研发项目4：研发项目5：
时间表和里时间表和里时间表和里时间表和里时间表和里
程碑
程碑
程碑
程碑

程碑
研发项目6：时间表和里程碑
6
技术研发资源需求和保障措施
研发团队：研发人员、管理人员、支持人员
研发进度：项目启动、需求分析、设计开发、测试验证、成果转化
研发成果：新产品、新工艺、新设备、新技术
任务分解和分工
研发项目：确定项目的目标和范围
任务分解：将项目分解为多个子任务分工：根据团队成员的技能和经验分配任务
进度安排：为每个任务设定时间表和里程碑
监控研发进度：定期检查研发进度，确保研发按计划进行
调整研发策略：根据市场变化和研发进展，适时调整研发策略和计划
5
研发项目和任务分解
研发项目概述
研发项目背景：市场需求、技术趋势、公司战略
研发目标：提高产品质量、降低成本、提高效率
研发范围：产品研发、工艺改进、设备更新
技术选择：确定研发所需的关键技术，如人工智能、大数据等
研发阶段：划分研发过程的不同阶段，如概念验证、原型开发、量产等
资源配置：为每个研发阶段分配必要的资源，如人力、资金、设备等
风险管理：识别和评估研发过程中可能遇到的风险，并制定应对策略
成果评估：设定评估标准和方法，以衡量研发成果是否符合预期目标
关键技术分析
关键技术定义：对行业发展具有重要影响的