L2003同步升压IC规格书

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干电池升压IC

1，干电池升压IC 升压输出3V,3,3V,5V等3V-5V可调2，单节锂电池升压IC 升压输出4.2V-15V可调3，单节锂电池充电IC 输入4.5V-20V，充电电流3MA-3000mA 4，单节锂电池保护IC 保护板5，双节锂电池升压IC 升压输出6V-20V6，双节锂电池充电IC 输入4.5V-20V，充电电流2000mA7，双节锂电池降压IC 降压输出1V-6V可调8，双节锂电池保护IC 保护板9，三节锂电池升压IC 升压13-30V10，三节锂电池充电IC 输入4.5V-20V，充电电流2000Ma11，三节锂电池降压IC 降压输出1.2V-9V12，三节锂电池保护IC 保护板1，干电池升压IC：PW5100 是一款低静态电流、高效率、PFM 模式控制的同步升压变换器。

PW5100 所需的外部元件非常少，只需要一个电感和输入、输出电容就可以提供3.0V~5.0V 的稳定的低噪声输出电压。

芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、纹波补偿电路、启动电路、振荡电路、参考电压电路、PFM 控制电路、过流保护电路、同步管控制以及功率管等。

产品特点➢最大效率可达：95％最高工作频率：1.2MHz宽输入电压范围：0.7V～5.0V输入静态电流：10uA➢输出电压固定可选：3.0V，3.3V，5.0V输出电压精度：±2.5%低纹波,低噪声：±10mV@Io=50mA➢输入开关电流： 1.5A6-1，PL7501C，输入5V，升压给两节锂电池充电，1A最大；6-2，PW4203，输入9V-20V，降压给两节锂电池充电，2A最大。

7两节锂电池输出电路7-1，PW2312，两节锂电池降压稳压到1.2V,3.3V,5V,6V等，最大1A7-2，PW2162，两节锂电池降压稳压到1.2V,3.3V,5V,6V等，最大2A7-3，PW2163，两节锂电池降压稳压到1.2V,3.3V,5V,6V等，最大3A7-4，PW2205，两节锂电池降压稳压到1.2V,3.3V,5V,6V等，最大5A7-5，PW6218，两节锂电池降压3V，3.3V，5V的LDO芯片，输入最大18V 7-6，PW6206，两节锂电池降压3V，3.3V，5V的LDO芯片，输入最大40V 7-7，PW5328B，两节锂电池升压到9V,12V,15V等，输出功率8W左右7-8，PW5600，两节锂电池升压到9V,12V,15V，输出电流2-3A8，三节锂电池保护电路8-1，S-82548-2，CW12339，三节锂电池充电电路9-1，PW4053，输入5V，升压给三节锂电池充电，最大1.2A；9-2，PW4203，输入15V-20V，降压给三节锂电池充电，最大2A。

屹晶微电子EG2003芯片应用手册说明书

版本变更记录目录1. 特性 (1)2. 描述 (1)3. 应用领域 (1)4. 引脚 (2)4.1 引脚定义 (2)4.2 引脚描述 (2)5. 结构框图 (3)6. 典型应用电路 (3)7. 电气特性 (4)7.1 极限参数 (4)7.2 典型参数 (5)7.3 开关时间特性 (6)8. 应用设计 (6)8.1 Vcc端电源电压 (6)8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 (6)8.3 自举电路 (8)9. 封装尺寸 (9)9.1 SOP8封装尺寸 (9)EG2003芯片数据手册V1.01. 特性◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达200V◼适应5V、3.3V输入电压◼最高频率支持500KHZ◼VCC和VB端电源带欠压保护◼低端VCC电压范围10V-20V◼输出电流能力I O+/- 0.3 A/0.6A◼内建死区控制电路◼HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出◼LIN输入通道低电平有效，控制低端LO输出◼外围器件少◼封装形式：SOP-82. 描述EG2003是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。

EG2003高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽10V～20V。

该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I O+/- 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

3. 应用领域◼移动电源高压快充开关电源◼无线充电驱动器变频水泵控制器◼DC-DC电源◼无刷电机驱动器4. 引脚4.1 引脚定义LIN图4-1. EG2003管脚定义4.2 引脚描述5. 结构框图LOGNDVCCHOVS VB图5-1. EG2003内部电路图6. 典型应用电路+15V+200VOUT图6-1. EG2003典型应用电路图7. 电气特性7.1 极限参数注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。

升压IC内置MOS管高性价比方案

n 5V 到40V 宽输入电压范围 n 0.22V 输出电流采样电压 n 输出可驱动2~10串1W LED n 固定400KHz 开关频率 n 最大2A 开关电流 n SW 内置过压保护功能 n 93%以上转换效率 n EN 脚TTL 关断功能 n 出色的线性与负载调整率 n 内置功率MOS n 内置频率补偿功能n 内置软启动功能 n 内置热关断功能 n 内置电流限制功能 n SOP-8L 封装应用n 升压恒流驱动 n 显示器LED 背光 n 通用LED 照明图1. XL6013封装器，可工作在DC5V 到40V 输入电压范围，低纹波，内置功率MOS 。

XL6013内置固定频率振荡器与频率补偿电路，简化了电路设计。

当输入电压大于或等于12V 时，XL6013可驱动5至10串1W LED 。

PWM 控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。

内置过电流保护功能与EN 脚逻辑电平关断功能。

内部补偿模块可以减少外围元器件数量。

400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器XL6013引脚配置SWEN FB VIN NCSW GNDGND图2. XL6013引脚配置表1.引脚说明引脚号引脚名描述1 EN 使能引脚，低电平关机，高电平工作，悬空时为高电平。

2 VIN 电源输入引脚，支持5V 到40V DC 范围电压输入，需要在VIN 与GND 之间并联电解电容以消除噪声。

3 FB 输出电流采样引脚，FB 参考电压为0.22V 。

4 NC 无连接。

5,6 SW 功率开关输出引脚，SW 是输出功率的开关节点。

7,8 GND接地引脚。

400KHz 60V 2A开关电流升压型LED 恒流驱动器XL6013 方框图图3. XL6013方框图典型应用L1 47uH/2A图4. XL6013系统参数测量电路400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013订购信息产品型号打印名称封装方式包装类型XL6013E1 XL6013E1 SOP-8L 2500只每卷XLSEMI无铅产品，产品型号带有“E1”后缀的符合RoHS标准。

EK8003同步升降压IC

EK8003 同步升降压IC功能概述：◆宽工作电压2-38V，广泛用于升压电路或者降压电路，也可以用于既需要升压又需要降压的电路，比如车载电源，电瓶恒流充电，或者LED恒流电源。

◆PWM 信号调光功能：内部集成调光功能,能接受一个0-100%占空比的低频PWM 信号进行LED 亮度调节，也可以用作开关控制。

◆大功率：最大可以输出5A的电流，◆较小的PCB尺寸，5W尺寸仅为30*15*13mm。

管脚序号管脚名称功能描述1 GND 电源地端2 CT 频率控制端3 CE 开关控制端4 FB 电压检测端5 CS 电流检测端6 VDD 电源输入端7 LX 输出端8 EXT 外接MOS端电路框图应用1．应用2．应用指南:1) 电压计算：V OUT=1.27x(1+R3/R1)，电流计算：I OUT=0.54V/R32) PWM/EN 端(3 脚)可以输入一个100~1000Hz 的低频PWN 信号进行亮度调节，如果不需调光则此端接地。

电感计算：一般来讲在输出相同电压的情况下，输出电流越小电感量要相对加大，而在输出相同电流的情况下，输出电压越高电感量要相对加大。

电感量调整不适当会发生电感响的问题。

4) 输出电容C3的计算：输出电流小的情况下可以用220uF，输出电流为300mA以上建议用470uF或者更大容量的电容，电容量小也会发生电感响的问题。

极限参数:参数符号测试条件件最小值典型值最大值单位工作频率 Fosc Ta=25℃ 20 300 KHz 工作电压 Vcc 2 38 V IC 各端极限电压 Vmax 38 V CE脚ON V CE0 1 V CE脚OFF V CE 2 38 V 电压检测端 V FB Ta=25℃ 1.24 1.27 1.3 V 调光频率 F PWM 100 500 1000 Hz LX最大输出电流 Iout 700 mA 电流检测端 SEN Vcc=3-36V Vpin3>V EN 0.510．54 0.57 mV 工作温度范围 Topr - 40 85 ℃储存环境温度 Tstg - 65 150 ℃焊接温度250±5℃ 260℃,10s抗静电强度 2000V 封装尺寸。

3.3V升降压芯片规格书,可调电压

3A，高效降压升压变换器一般说明PW2224是一种高效率的单电感Buck-Boost变换器，可以为负载供电电流高达4A。

它提供降压和升压模式之间的自动转换。

PW2224工作频率为2.4MHz，也可与外部频率从2.2MHz同步到2.6MHz。

直流/直流变频器在轻负载下以脉冲跳频方式工作。

可以禁用省电模式，强制PW2224在FPWM模式下运行。

在关机。

PW2224采用TDFN3X4-14包装。

特征⚫ 1.8V~5.5V输入电压运行⚫可调输出电压从2.8V到5.5V⚫96%效率DC/DC变换器⚫VIN>3.6V时3.3V时的3A输出电流⚫Buck和Boost之间的自动转换模式⚫轻载时的脉冲跳跃模式效率⚫内部软启动⚫DC/DC转换器可设置为较低轻载静态电流⚫固定2.4MHz频率和可能同步⚫内置循环电流限制和过电压保护⚫内置热关机功能⚫电源良好功能⚫TDFN3X4-14包装（3mmx4mm）应用⚫手机⚫智能手机典型应用电路引脚分配/说明PCB布局指南仔细的PCB布局是实现清洁和稳定运行的关键。

强烈建议复制PW2224评估工具包布局以获得最佳性能。

如果需要偏差，请遵循以下准则以获得良好的PCB布局：1将输入和输出电容器尽可能靠近输入和输出引脚。

2保持主电源线尽可能宽和短。

3将GND和裸露的焊盘连接到一个坚固的接地层上，以达到最大的散热效果以及噪音防护。

4开关节点经历高频电压波动，应在小范围内形成海带。

保持模拟元件远离开关节点，防止杂散电容噪声拾取。

ME2188 高效 PFM 同步升压 DC-DC 转换芯片说明书

ME2188高效PFM 同步升压DC-DC 转换芯片概述ME2188是一系列高转换效率、低功耗、高工作频率的PFM 同步升压DC-DC 转换芯片。

芯片利用PFM 控制电路，根据负载电流大小自动切换占空比系数，可获得低纹波、高效率、宽输出电压范围的一系列产品。

芯片内置同步开关管及芯片的低消耗电流，有效的提高了DC-DC 的转换效率和设备的使用周期。

外围仅需要三个元件，就可以完成低输入电池电压升压到所需的工作电压。

特点 ● 高效率：93%● 低启动电压： 0.9V @IOUT=1mA ● 低静态电流：7uA ● 频率：320KHz● 可选输出电压：1.9V~5.0V ● 输出精度：±2% ● 输出电流：300mA ● 低纹波、低噪声 ● 同步整流应用场合封装形式● 1~2节干电池的电子设备 ● 5-pin SOT23-5● 数码相机、LED 手电筒、LED 灯、血压计、 ● 3-pin SOT23、SOT23-3、SOT89-3、TO92 遥控玩具、无线耳机、无线鼠标键盘、医疗器械、汽车防盗器、充电器、VCR 、PDA 等手持电子设备典型应用图LX VOUTGNDME2188VINCIN10uFCOUT 100uFVOUT RLCEL22uF选购指南1. 产品型号说明产品功能:A/C/E/F ME 21 88封装形式:公司标识产品类别产品品种X GX 环保标识M3-SOT23-3M5-SOT23-5X-SOT23P-SOT89-3T-TO92X 产品电压值：33-3.3V产品型号产品说明ME2188A33M3G V OUT =3.3V ，不带使能端，封装形式：SOT23-3 ME2188C33M5GV OUT =3.3V ，带使能端，封装形式：SOT23-5目前产品的电压值共有11种：2.2V 、2.3V 、2.5V 、2.7V 、2.8V 、3.0V 、3.3V 、3.6V 、3.7V 、4.5V 、5.0V 。

P2003EVG_IC资料

OCT-20-2004 3
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P2003EVG
SOP-8 Lead-Free
OCT-20-2004 4
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
Gate-Source Charge2 Gate-Drain Charge
2 2
Turn-On Delay Time2 Rise Time
Turn-Off Delay Time Fall Time2
td(off) tf
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) Continuous Current Pulsed Current
1 2 3
IS ISM VSD IF = -1A, VGS = 0V
-2.1 -4 -1.2
A V
Forward Voltage1
Pulse test : Pulse Width ≤ 300 µsec, Duty Cycle ≤ 2 . Independent of operating temperature. 3 Pulse width limited by maximum junction temperature. REMARK: THE PRODUCT MARKED WITH “P2003EVG”, DATE CODE or LOT # Orders for parts with Lead-Free plating can be placed using the PXXXXXXG parts name.

同步整流升压ic

同步整流升压ic摘要：一、同步整流升压IC概述二、同步整流升压IC的工作原理三、同步整流升压IC的应用领域四、同步整流升压IC的选购与使用注意事项五、结论正文：同步整流升压IC是一种集成电路，广泛应用于电子设备中，主要用于提升输入电压，以满足设备对电源电压的要求。

本文将对同步整流升压IC进行详细介绍，包括其工作原理、应用领域、选购与使用注意事项等内容。

一、同步整流升压IC概述同步整流升压IC是一种采用同步整流技术进行电压提升的集成电路。

它具有高效、小巧、易于使用等优点，可广泛应用于各种电子设备中。

二、同步整流升压IC的工作原理同步整流升压IC的工作原理主要是通过开关管的导通与截止，将输入电压转换为高频脉冲电压，然后通过变压器进行升压，最后输出所需的电压。

在同步整流升压过程中，开关管的导通与截止由同步信号控制，以实现高效、低损耗的升压效果。

三、同步整流升压IC的应用领域同步整流升压IC广泛应用于各种电子设备中，如智能手机、平板电脑、无人机、电动汽车等。

在这些领域，同步整流升压IC发挥着至关重要的作用，为电子设备提供稳定、高效的电源。

四、同步整流升压IC的选购与使用注意事项1.在选购同步整流升压IC时，应根据实际应用场景选择合适的型号，注意查看产品参数，如输入电压、输出电压、电流、转换效率等。

2.使用同步整流升压IC时，应确保输入电压与输出电压符合设备要求，同时注意负载电流不宜过大，以免造成升压IC过热。

3.为了保证同步整流升压IC的稳定工作，应在电路设计中加入滤波电容等元器件，以抑制高频噪声和输出电压的波动。

4.同步整流升压IC的散热设计至关重要，应选择合适的散热器，确保升压IC在工作过程中不会过热。

五、结论同步整流升压IC作为一种高效、实用的电压提升解决方案，在电子设备领域具有广泛的应用。

通过对同步整流升压IC的深入了解和合理选用，可以确保电子设备获得稳定、可靠的电源，满足日益增长的性能需求。

大功率同步升压ic_概述说明以及解释

大功率同步升压ic 概述说明以及解释1. 引言1.1 概述在现代电子技术领域中，大功率同步升压IC作为一种重要的电源管理解决方案，起到了至关重要的作用。

它能够将输入电压提升到更高的输出电压，并具备较高的效率和可靠性。

本篇文章将对大功率同步升压IC进行详细介绍和解释。

1.2 文章结构本文分为引言、正文和结论三部分。

在正文部分中，我们将对大功率同步升压IC 的定义、工作原理及应用领域进行阐述。

在核心要点一和核心要点二中，我们将重点说明和解释该技术在不同领域中的关键应用。

最后，在结论部分我们会对文章进行总结概括，并强调论点一、论点二等重要内容。

1.3 目的本文旨在帮助读者更好地理解大功率同步升压IC这一技术，并认识到其广泛应用于各个领域的优势。

通过对该技术的详细说明和解释，读者能够系统性地了解大功率同步升压IC的基本原理以及其在实际应用中所起到的作用。

同时，本文也旨在为相关领域从业人员提供一份参考指南，以便他们能够更好地利用该技术解决电源管理方面的问题。

2. 正文:2.1 大功率同步升压IC的定义大功率同步升压IC是一种专门用于将低电压转换为高电压的集成电路。

它通过电力转换的方式，能够有效地提高输入电压至目标输出电压，并在此过程中保持高效率和稳定性。

该IC通常由多个功率开关、控制逻辑以及保护和监测功能等组成。

2.2 大功率同步升压IC的原理大功率同步升压IC采用了三种基本元件：功率开关、电感和瞬态二极管。

当输入电源施加到电感上时，闭合的功率开关将能量存储在电感中。

一旦开关打开，储存在电感中的能量将释放到负载中，从而提供所需的高输出电压。

同时，这些IC还包含了反馈控制回路来确保输出稳定。

它们通过监测输出并与参考信号进行比较来调整工作状态。

根据需要，反馈控制回路可以动态地调整操作频率以实现更高的效率和更好的响应速度。

2.3 大功率同步升压IC的应用领域大功率同步升压IC广泛应用于各种需要高电压供电的场景。

wt2003芯片资料

广州唯创电子有限公司MP3录音模块WT2003芯片资料V0.032014-01-03Note：WAYTRONIC ELECTRONIC CO.,L TD. reserves the right to change this document without prior notice. Information provided by WAYTRONIC is believed to be accurate and reliable. However, WAYTRONIC makes no warranty for any errors which may appear in this document. Contact WAYTRONIC to obtain the latest version of device specifications before placing your orders. No responsibility is assumed by WAYTRONIC for any infringement of patent or other rights of third parties which may result from its use. In addition,WAYTRONIC products are not authorized for use as critical components in life support devices/systems or aviation1.WT2003概述WT2003是广州唯创电子有限公司研发的一款小巧的新型高品质MP3芯片，支持WAV、MP3音频解码。

采用SOP16封装，体积更小，但响应速度更快。

支持SPI-FLASH或者TF卡作为存储介质，具有USB接口，可以通过PC机自由更换存储器音频内容，并具有USB声卡功能。

2.芯片特性兼容MCS-51指令系统最大支持48MHz系统时钟支持MP3、WMA、WAV解码支持MPEG-1, MPEG-2 ,MPEG-2.5 和 Layer 1、2、3解码两个多功能8位定时器，支持捕捉和PWM模式两个多功能16位定时器，支持捕捉和PWM模式一个全速USB 2.0收发器锁相环时钟发生器9路10位ADC上电自动复位内置双通道LDO 5V→1.8V；5V→3.3V3. WT2003系统功能框图注意：TF 方案和SPI-FLASH 方案对应不同的程序方案。

2003芯片参数

2003芯片参数
【原创实用版】
目录
1.2003 芯片参数概述
2.2003 芯片的主要参数
3.2003 芯片的应用领域
4.2003 芯片的未来发展趋势
正文
【2003 芯片参数概述】
2003 芯片，是一款具有划时代意义的集成电路芯片，其研发与应用，标志着我国信息技术领域的重大突破。

2003 芯片的参数特性，直接影响了其在各个领域的应用效果与范围。

【2003 芯片的主要参数】
2003 芯片的主要参数包括：处理器频率、内存容量、输入输出接口、存储扩展、显示接口等。

这些参数决定了 2003 芯片的性能、功能和应用领域。

【2003 芯片的应用领域】
2003 芯片广泛应用于计算机、通信、家电、工业控制等领域。

其高性能、低功耗的特点，使其成为各类设备的理想选择。

【2003 芯片的未来发展趋势】
随着科技的进步，2003 芯片的未来发展趋势可观。

更高的处理器频率、更大的内存容量、更多的输入输出接口等，都将进一步提升 2003 芯片的性能，拓宽其应用领域。

第1页共1页。

2003芯片

2003 THRU 2024x = digit to identify specific device. Characteristic shown applies to family of devices with remaining digits as shown. See matrix on next page.Data Sheet 29304FIdeally suited for interfacing between low-level logic circuitry and multiple peripheral power loads, the Series ULN20xxA/L high-voltage,high-current Darlington arrays feature continuous load current ratings to 500 mA for each of the seven drivers. At an appropriate duty cycle depending on ambient temperature and number of drivers turned ON simultaneously, typical power loads totaling over 230 W (350 mA x 7,95 V) can be controlled. Typical loads include relays, solenoids,stepping motors, magnetic print hammers, multiplexed LED andincandescent displays, and heaters. All devices feature open-collector outputs with integral clamp diodes.The ULN2003A/L and ULN2023A/L have series input resistors selected for operation directly with 5 V TTL or CMOS. These devices will handle numerous interface needs — particularly those beyond the capabilities of standard logic buffers.The ULN2004A/L and ULN2024A/L have series input resistors for operation directly from 6 to 15 V CMOS or PMOS logic outputs.The ULN2003A/L and ULN2004A/L are the standard Darlington arrays. The outputs are capable of sinking 500 mA and will withstand at least 50 V in the OFF state. Outputs may be paralleled for higher load current capability. The ULN2023A/L and ULN2024A/L will withstand 95 V in the OFF state.These Darlington arrays are furnished in 16-pin dual in-line plastic packages (suffix “A”) and 16-lead surface-mountable SOICs (suffix “L”). All devices are pinned with outputs opposite inputs to facilitate ease of circuit board layout. All devices are rated for operation over the temperature range of -20°C to +85°C. Most (see matrix, next page) are also available for operation to -40°C; to order, change the prefix from “ULN” to “ULQ”.FEATURESI TTL, DTL, PMOS, or CMOS-Compatible Inputs I Output Current to 500 mA I Output Voltage to 95 V I Transient-Protected OutputsI Dual In-Line Plastic Package or Small-Outline IC PackageHIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENTDARLINGTON ARRAYSDwg. No. A-959416151413126117108912345Note that the ULN20xxA series (dual in-line package) and ULN20xxL series (small-outline IC package) are electrically identical and share a common terminal number assignment.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSOutput Voltage, V CE(ULN200xA and ULN200xL)........ 50 V (ULN202xA and ULN202xL)........ 95 V Input Voltage, V IN ................................ 30 V Continuous Output Current,I C ................................................. 500 mA Continuous Input Current, I IN ........... 25 mA Power Dissipation, P D(one Darlington pair)..................... 1.0 W (total package)....................... See Graph Operating Temperature Range,T A .................................. -20°C to +85°C Storage Temperature Range,T S ................................. -55°C to +150°C查询2003供应商2003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTON ARRAYS115 Northeast Cutoff, Box 15036Worcester, Massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000V CE(MAX)50 V95 VI C(MAX)500 mA500 mALogic Part Number5VULN2003A*ULN2023A*TTL, CMOS ULN2003L*ULN2023L 6-15 V ULN2004A*ULN2024A CMOS, PMOSULN2004L*ULN2024L*Also available for operation between -40°C and +85°C. To order, change prefix from “ULN” to “ULQ”.Dwg. No. A-9651COM7.2K 3K2.7KX = Digit to identify specific device. Specification shown applies to family of devices with remaining digits as shown. See matrix above.Copyright © 1974, 1998 Allegro MicroSystems, Inc.Dwg. No. A-9898AULN20x4A/L (Each Driver)COM7.2K 3K10.5K50751001251502.50.5A L L O W AB L E P AC K A G E P O W E RD I S S I P A T I O N I N W A T T SAMBIENT TEMPERATURE IN °C2.01.51.025SUFFIX 'L', R = 90°C/W θJADwg. GP-006ASUFFIX 'A', R = 60°C/W θJAULN20x3A/L (Each Driver)DEVICE PART NUMBER DESIGNATIONPARTIAL SCHEMATICS2003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYSTest Applicable Limits Characteristic Symbol Fig.DevicesTest Conditions Min.Typ.Max.Units Output Leakage CurrentI CEX1AA ll V CE = 50 V, T A = 25°C—< 150µA V CE = 50 V, T A = 70°C—< 1100µA 1BULN2004A/LV CE = 50 V, T A = 70°C, V IN = 1.0 V—< 5500µA Collector-Emitter V CE(SAT)2A llI C = 100 mA, I B = 250 µA—0.9 1.1V Saturation Voltagel C = 200 mA, I B = 350 µA— 1.1 1.3V I C = 350 mA, I B = 500 µA—1.3 1.6V Input CurrentI IN(ON)3ULN2003A/L V IN = 3.85 V —0.93 1.35mA ULN2004A/LV IN = 5.0 V —0.350.5mA V IN = 12 V— 1.0 1.45mA I IN(OFF)4A ll l C = 500 µA, T A = 70°C5065—µA Input VoltageV IN(ON)5ULN2003A/LV CE = 2.0 V, l C = 200 mA—— 2.4V V CE = 2.0 V, I C = 250 mA—— 2.7V V CE = 2.0 V, l C = 300 mA—— 3.0V ULN2004A/LV CE = 2.0 V, l C = 125 mA—— 5.0V V CE = 2.0 V, l C = 200 mA—— 6.0V V CE = 2.0 V, I C = 275 mA——7.0V V CE = 2.0 V, l C = 350 mA——8.0V Input Capacitance C IN —A ll —1525pF Turn-On Delay t PLH 8All 0.5 E IN to 0.5 E OUT —0.25 1.0µs Turn-Off Delay t PHL 8All0.5 E IN to 0.5 E OUT —0.25 1.0µs Clamp DiodeI R 6A llV R = 50 V, T A = 25°C ——50µA Leakage Current V R = 50 V, T A = 70°C——100µA Clamp Diode V F7A llI F = 350 mA—1.72.0VForward VoltageComplete part number includes suffix to identify package style: A = DIP, L = SOIC.Types ULN2003A, ULN2003L, ULN2004A, and ULN2004LELECTRICAL CHARACTERISTICS at +25°C (unless otherwise noted).2003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTON ARRAYS115 Northeast Cutoff, Box 15036Worcester, Massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000Test Applicable Limits Characteristic Symbol Fig.DevicesTest ConditionsMin.Typ.Max.Units Output Leakage CurrentI CEX1AA ll V CE = 95 V, T A = 25°C—< 150µA V CE = 95 V, T A = 70°C—< 1100µA 1BULN2024A/LV CE = 95 V, T A = 70°C, V IN = 1.0 V—< 5500µA Collector-EmitterV CE(SAT)2A llI C = 100 mA, I B = 250 µA—0.9 1.1V Saturation Voltagel C = 200 mA, I B = 350 µA— 1.1 1.3V I C = 350 mA, I B = 500 µA—1.3 1.6V Input CurrentI IN(ON)3ULN2023A/L V IN = 3.85 V —0.93 1.35mA ULN2024A/LV IN = 5.0 V —0.350.5mA V IN = 12 V— 1.0 1.45mA I IN(OFF)4A ll l C = 500 µA, T A = 70°C5065—µA Input VoltageV IN(ON)5ULN2023A/LV CE = 2.0 V, l C = 200 mA—— 2.4V V CE = 2.0 V, I C = 250 mA—— 2.7V V CE = 2.0 V, l C = 300 mA—— 3.0V ULN2024A/LV CE = 2.0 V, l C = 125 mA—— 5.0V V CE = 2.0 V, l C = 200 mA—— 6.0V V CE = 2.0 V, I C = 275 mA——7.0V V CE = 2.0 V, l C = 350 mA——8.0V Input Capacitance C IN —A ll —1525pF Turn-On Delay t PLH 8All 0.5 E IN to 0.5 E OUT —0.25 1.0µs Turn-Off Delay t PHL 8All0.5 E IN to 0.5 E OUT —0.25 1.0µs Clamp Diode I R 6A llV R = 95 V, T A = 25°C ——50µA Leakage Current V R = 95 V, T A = 70°C——100µA Clamp Diode V F7A llI F = 350 mA—1.72.0VForward VoltageComplete part number includes suffix to identify package style: A = DIP, L = SOIC.Types ULN2023A, ULN2023L, ULN2024A, and ULN2024LELECTRICAL CHARACTERISTICS at +25°C (unless otherwise noted).2003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYSOPENOPENV CEI CEXµAV INOPENV CEI CEXµAI BOPENh FE =V CE VICI BI CV INOPENmAOPENI INOPENV CEI CµAI INµAVOPENV CEVV INI COPENV RI RµAI FOPENV FV 50%50%50%50%t pHLt pHLOUTPUTINPUTV INPULSE GENERATOR PRR = 10KHz DC = 50%INPUT 93 Ω50 pFOUT 30 Ω100 Ω+50 VDwg. No. A-9732A Dwg. No. A-9733ADwg. No. A-9734AFIGURE 6FIGURE 7FIGURE 8Dwg. No. A-9735ADwg. No. A-9736AV inULN20X3* 3.5 V ULN20X4*12 VTEST FIGURESFIGURE 1AFIGURE 1BFIGURE 2FIGURE 3FIGURE 4FIGURE 5*Complete part number includes a final letter to indicate package.X = Digit to identify specific device. Specification shown applies to family of devices with remaining digits as shown.Dwg. No. A-9731ADwg. No. A-9730ADwg. No. A-9729A115 Northeast Cutoff, Box 15036Worcester, Massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000Dwg. GP-067COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE Dwg. GP-068INPUT CURRENT IN µA2003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYSTYPICAL APPLICATIONSINPUT CURRENTAS A FUNCTION OF INPUT VOLTAGETypes ULN2004A, ULN2004L, ULN2024A, andULN2024L16151413126117108912345Dwg. No. A-9653A+V+V CCTTLOUTPUT16151413126117108912345Dwg. No. A-10,175+V+V CCTTL OUTPUTR PTypes ULN2003A, ULN2003L, ULN2023A, andULN2023L3.0Dwg. GP-0695.06.0INPUT VOLTAGE2.02.52.0I N P U T C U R R E N T I N m A — II N1.0MA X I M U M 0.51.54.0AREA OF NORMAL OPERATION WITH STANDARD OR SCHOTTKY TTLT Y P I C A L6Dwg. GP-069-11012INPUT VOLTAGE52.0I N P U T C U R R E N T I N m A — I I N1.0M AX I M U M0.51.58T Y P IC A L 79112003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTON ARRAYS115 Northeast Cutoff, Box 15036Worcester, Massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000PACKAGE DESIGNATOR “A”Dimensions in Inches (controlling dimensions)Dimension in Millimeters (for reference only)NOTES:1.Leads 1, 8, 9, and 16 may be half leads at vendor’s option.2.Lead thickness is measured at seating plane or below.3.Lead spacing tolerance is non-cumulative.4.Exact body and lead configuration at vendor’s option within limits shown.Dwg. MA-001-16A mm16189Dwg. MA-001-16A in161892003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYSPACKAGE DESIGNATOR “L”Dimensions in Inches (for reference only)Dimension in Millimeters (controlling dimensions)NOTES:1.Lead spacing tolerance is non-cumulative.2.Exact body and lead configuration at vendor’s option within limits shown.Dwg. MA-007-16A mm169Dwg. MA-007-16 in1692003 THRU 2024HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTON ARRAYS115 Northeast Cutoff, Box 15036Worcester, Massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000The products described here are manufactured under one or more U.S. patents or U.S. patents pending.Allegro MicroSystems, Inc. reserves the right to make, from time to time, such departures from the detail specifications as may be required to permit improvements in the performance, reliability, ormanufacturability of its products. Before placing an order, the user is cautioned to verify that the information being relied upon is current.Allegro products are not authorized for use as critical components in life-support devices or systems without express written approval.The information included herein is believed to be accurate and reliable. However, Allegro MicroSystems, Inc. assumes no responsi-bility for its use; nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use.。

2003芯片工作原理

2003芯片工作原理引言：2003芯片是一种常见的集成电路芯片，广泛应用于各种电子设备中。

本文将介绍2003芯片的工作原理，包括其结构、功能和工作方式。

一、2003芯片的结构2003芯片由多个功能模块组成，包括中央处理器（CPU）、内存、输入输出接口等。

这些模块通过内部总线相互连接，形成一个完整的电路系统。

二、2003芯片的功能1. 中央处理器（CPU）：2003芯片的核心部分，负责执行指令、进行数据处理和控制其他模块的工作。

2. 内存：用于存储程序和数据，包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。

3. 输入输出接口：用于与外部设备进行数据交换，包括串行接口、并行接口等。

三、2003芯片的工作方式1. 指令执行：CPU从内存中读取指令，并按照指令的要求执行相应的操作，如算术运算、逻辑运算等。

2. 数据处理：CPU通过内部总线将数据从内存中读取到寄存器中，进行各种运算和处理，然后将结果写回内存。

3. 输入输出：通过输入输出接口，2003芯片可以与外部设备进行数据交换，如读取键盘输入、显示图像等。

四、2003芯片的工作原理1. 时钟信号：2003芯片通过时钟信号来同步各个模块的工作，确保它们按照正确的顺序和时间进行操作。

2. 控制信号：CPU通过控制信号来控制各个模块的工作，包括读取指令、读写数据、选择输入输出设备等。

3. 数据传输：2003芯片通过数据总线将数据从一个模块传输到另一个模块，实现信息的交换和共享。

4. 中断处理：当外部设备需要CPU的处理时，会发送中断信号，CPU会立即中断当前的工作，转而处理中断请求。

结论：2003芯片是一种功能强大的集成电路芯片，通过其结构、功能和工作方式的介绍，我们可以更好地理解它的工作原理。

在电子设备中广泛应用的2003芯片，为我们的生活带来了便利和效率。

相信随着科技的不断进步，2003芯片将会有更广泛的应用领域。

2003芯片参数

2003芯片参数2003年是一个科技发展迅速的时期，许多新的技术和产品问世。

在这一年，有许多芯片也面世并引起了广泛的关注。

本文将介绍一些2003年的芯片参数，以展示当时的技术水平和发展趋势。

我们来看看当时的CPU芯片。

2003年，Intel推出了Pentium 4 3.2 GHz处理器。

该处理器采用了130纳米制造工艺，具有800 MHz的前端总线速度和2 MB的二级缓存。

这款处理器采用了新的NetBurst 微架构，使其在时钟频率和性能方面取得了显著的改进。

它还引入了超线程技术，可以同时处理多个线程，提高了多任务处理的效率。

除了Intel，AMD也在2003年推出了一些令人瞩目的处理器。

其中之一是Athlon 64 3200+，该处理器采用了Clawhammer核心，时钟频率为2.2 GHz。

它是AMD首款64位x86处理器，支持AMD64技术，为未来的64位操作系统和应用程序打下了基础。

2003年也是显卡技术突飞猛进的一年。

当时的顶级显卡包括NVIDIA的GeForce FX 5950 Ultra和ATI的Radeon 9800 XT。

GeForce FX 5950 Ultra是NVIDIA FX系列的旗舰产品，具有256位DDR2内存接口和475 MHz的核心频率。

Radeon 9800 XT是ATI的顶级显卡，采用256位DDR内存接口和412 MHz的核心频率。

这些显卡为当时的游戏和图形应用程序提供了卓越的性能和图像质量。

在存储器方面，2003年推出了许多新型的存储芯片。

例如，西部数据推出了第一款250 GB的SATA硬盘，它采用了7200 RPM的转速和8 MB的缓存，为用户提供了更高的容量和更快的数据传输速度。

同时，闪迪推出了512 MB的Cruzer Mini闪存驱动器，这是当时容量最大的便携式存储设备之一。

这些新型存储芯片改变了人们对数据存储的需求和方式。

除了以上提到的关键技术外，2003年还涌现出许多其他创新的芯片。

常见的电源管理IC,DC-DC升压芯片,DC-DC降压芯片,同步升压IC,降压横流IC,MOS管

常见的电源管理IC,DC-DC升压芯片，DC-DC降压芯片，同步升压IC，降压横流IC，MOS 管等DC-DC升压IC型号工作模式输出电压（V）启动电压（V）电压输出精度（%）转换效率输出流（mA）静态电流（uA）开关频率（KHz）封装形式可替代型号LYxxC PFM 2.7/3.0/3.3/5.0V 0.8V ±2.5% 86% 300mA 6 uA 100KHz SOT-23SOT89-3 TOREX: CX6383SEIKO: S832 RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY21Axx PFM 2.7/3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 V ±2.5% 90% 400 6 100 SOT-23SOT89-3 TOREX: CX6383SEIKO: S832 RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY21Bxx PFM 3.3/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% <400 6 100 SOT23SOT89-3 TOREX: CX6383 SEIKO: S832 RICOH: RH5RIRICHTEK: RT9261LY21Cxx PFM 3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% 400 6 100 SOT23-5 TOREX: CX6383 SEIKO: S832 RICOH: RH5RIRICHTEK: RT9261LY21Dxx PFM 3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% <400 6 100 SOT23-5 TOREX: CX6383 SEIKO: S832RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY21F PFM ADJ 0.8 ±2.5% 90% <400 6 100 SOT23-5 TOREX: CX6383 SEIKO:S832 RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY21(PWM) PWM 3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% 400 6 100 SOT23 SOT89-3 TOREX: CX6383 SEIKO: S832RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY2100系列PFM 2.7/3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% 400 6 100 SOT23 SOT89-3 TOREX: CX6383 SEIKO: S832 RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY2101系列PWM 2.7/3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% 400 6 100 SOT23 SOT89-3 TOREX: CX6383 SEIKO: S832 RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY2108系列PFM 2.7/3.0/3.3/3.6/4.5/5.0/5.6 0.8 ±2.5% 90% 400 6 100 SOT23 SOT89-3 TOREX: CX6383 SEIKO: S832 RICOH: RH5RI RICHTEK: RT9261LY3400 PWM ADJ 0.6 ±2.5% 97% 400 6 100 SOT23-6 LTC34002.DC-DC降压IC型号工作模式输出电压（V）输入电压（V）电压输出精度（%）转换效率输出电流（mA）静态电流（uA）开关频率（KHz）封装形式可替代型号LY3406A PWM 1.2/1.8/3.3/ADJ 0.9-6.5 ±2.0% 97% 600 1 1.5M SOT23-5 LTC3406LY3406B PFM/PWM 1.2/1.8/3.3/ADJ 0.9-6.5 ±2.0% 97% 600 1 1.5M SOT23-5 XC9216LY34063 PWM ADJ 3-40 ±2.0% 89% 1.2A/1.5A 23 52 SOP8LM34063，ST34063，MC340633.DC-DC反转倍压芯片型号工作模式输出电压（V）输入电压（V）电压输出精度（%）转换效率输出电流（mA）静态电流（uA）开关频率（KHz）封装形式可替代型号LY7660 DC/DC 电荷泵电压反转IC 1.5-10 99.90% 98% 40 10 SOP8，DIP8 ICL7660LY7661 三倍压DC/DC 电荷电压反转IC 1.5-6 99.90% 98% 2 20 SOP14，DIP14 SCI76614.LDO线性稳压IC型号工作模式输出电压（V）最高输入（V）电压输出精度（%）输出电流（mA）静态电流（uA）封装形式可替代型号LY6206A CMOS线性稳压器1.2/1.5/1.8/2.0/2.1/2.5/2.7/2.8/3.0/3.3/3.5/3.6 6.5 2% 300 3 SOT23，SOT89 TOREX:XC6206LY6206C 1.2/1.3/1.5/1.8/2.5/2.7/2.8/3.0/3.3 6.5 2% 300 65 SOT23-5RICHTEK:RT9193，TOREX:XC6219LY6206K 3.3 6.5 2% 300 5 SOT89-3TOREX:XC6206LY6206K1 3.3 6.5 2% 300 5 SOT89-3 TOREX:XC6206LY6206L 3.3 6.5 2% <400 8 SOT89-3TOREX:XC6206LY6211A 3.3 6.5 2% 500 50 SOT89-3 TOREX:XC6206LY6219 1.2---3.6 6.5 2% 300 65 SOT23，SOT89 RICHTEK:RT9193，TOREX:XC6219LY1117 1.2/1.5/1.8/2.5/3.3/5/ADJ 6.5 2% 300 2mA SOT89，SOT223 LM1117LY6204 1.2---3.6 6.5 2% 300 3 SOT89，SOT23TOREX:XC6204LY6401 2.8&1.8/1.8&2.8/1.8&2.5/3.3&3.3 6.5 2% 300 130 SOT23-5，SOT23-6TOREX:XC6401LY6411 1.5&3.0 6.5 2% 300 16 SOT23-5，SOT23-6 TOREX:XC64115.耐高压LDO型号工作模式输出电压（V）最高输入（V）电压输出精度（%）输出电流（mA）静态电流（uA）封装形式可替代型号LY71xx CMOS线性稳压器3.0/3.3/3.6/4.4/5.0 24 3% 50 3SOT89,TO92 HOLTEK:HT71xxLY75xx 3.0/3.3/3.6/4.4/5.0 24 3% 100 3 SOT89,TO92HOLTEK:HT75xxLY73xx 3.0/3.3/3.6/4.4/5.0 24 3% 300 3 SOT89,TO92HOLTEK:HT73xxLY6201Axx 3.0/3.3/3.6/4.4/5.0 24 2% 120 3 SOT89,TO92HOLTEK:HT75xx6.低电压检测IC&复位IC型号工作模式输出电压（V）输入电压（V）电压输出精度（%）复位时间（ms）静态电流（mA）封装形式可替代型号LY61Cxx C-沟道2.1/2.2/2.5/2.7/3.3/4.0/4.3/4.1 0.7-10 1% 10 SOT23,SOT89 TOREX:XC61CCLY61Nxx N-沟道 1.8/2.2/2.5/2.7/3.0/3.3/3.5/3.8/4.2/4.3 0.7-10 1% 10 SOT23,SOT89 TOREX:XC61CNLY809 C-沟道2.63/2.7/2.93/3.08 0.3-6 1% 140 10 SOT23,SOT89MAX809LY810 N-沟道2.63/2.7/2.93/3.08 0.3-6 1% 140 10 SOT23,SOT89MAX810LY2801A C-沟道1.1-6 0.7-10 1% 10 SOT23,SOT89 TOREX:XC61CCLY2802A N-沟道1.1-6 0.7-10 1% 10 SOT23,SOT89 TOREX:XC61CN7.充电保护管理IC型号工作特征输入电压（V）电压输出精度（%）/最大充电电流（mA）静态电流（uA）封装形式可替代型号LY4054充电电流监测，输入低电压闭锁4.25-6.5 1% 800 25 SOT23-5LY4056充电电流监测，输入低电压闭锁4.25-6.5 1% 1A 25 SOP8LY-DW01锂电池保护IC 1% SOT23-6，SOP8LY8205 MOSFET 1% SOT23-6，SOP88.LED恒流驱动IC型号工作特征最佳输出电流输入电压（V）输出电压（V）输出精度（%）转换效率静态电流（uA）封装形式可替代型号LY2106F升压恒流500Ma 0.9-6.5 5% 86% 20 SOT89-5 BL8532LY2206 升压恒流1A 0.8-3 5 86% 1 SOT23-6 PAM2803LY2305升压恒流1.5A 2.5-12 2.8-40 5 86% SOP8 ZXLD300LY7135系列降压恒流220mA/260mA/280mA/300mA/320mA/350mA/ 2.7-6 5 90%SOT89-3 AMC7135,T6335ALY7136降压恒流<350,可调2.7-6 5 90% SOT89-3LY5241降压恒流可调5.5-40 5 85% SOT23-6 ZXLD1350,ZXLD1360,PT4115,PAM2863LY9910降压恒流可调AC85-265 5 87% SOP8 HV9910LY9920降压恒流可调3.6-60 5 86% SOT23-6 PT41059.N-MOS管/P-MOS管型号工作特征最大漏源电压(V)最大栅源电压(V)最大电流(A)Rds(on)封装形式可替代型号LY2302 N-MOS 20V 8V 3A 29mΩSOT23 SI2302LY2306 N-MOS 20V 10V 5A 23mΩSOP8 CEM9926LY2308 N-MOS 20V 12V 6A 21mΩTSSOP8 CEG8205LY2310 N-MOS 30V 12V 5.7A 32mΩSOT23 AO3400LY2316 N-MOS 20V 12V 6A 22mΩSOT23-6 CEG8205LY2318 N-MOS 20V 12V 6A 19mΩTSSOP8 SI6968BEDQLY2301 P-MOS -20V -8V -3.1A 100mΩSOT23 SI2301LY2303 P-MOS -30V -12V -4.3A 50mΩSOT23 AO3401LY2307 P-MOS -30V -20V -4.3A 78mΩSOT23 AO3407,AO3409LY2309 P-MOS -30V -20V -6A 53mΩSOP8 FDS9435LY2311 P-MOS -30V -20V -6A 53mΩSOP8 FDS4953。

LY系列升压规格书

2、电感采用：47μH（r<0.5Ω）
3、电容采用钽电容，47μ
LY331 Vout=3.3V,Fosc=100kHz
符号
含义
测试条件
VOUT VIN
Vstart
输出电压输入电压
启动电压
Vhold
保持电压
IDD1
IDD2
ILX
ILXleak Fosc Maxdty η
输入电流 1
输入电流 2
开关管合闸电流

7-4
工作原理
升压转换器利用电感对能量的存储，并通过其与输入端电源共同的泄放作用，从而获得高于输入电压的输出电压。如下图：
开关式 DC/DC 升压转换器工作原理图
外部器件的选择及注意事项
外围电路对DC/DC性能影响很大，需要合理选择外部器件 1、外接电容值不宜小于 10μF（电容值过小将导致输出纹波过大，）同时要有良好的频率特
3、外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。
注意事项：
1、外部元器件与芯片距离越小越好，连线越短越好。特别是接到 VOUT端的元器件应尽量减短与电容的连线长度；建议在芯片VOUT 和Vss两端并接一 0.1µF的陶瓷电容。
2、Vss 端应充分接地，否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化，造成工作状态不稳定；
引脚排列图
深圳联益电子有限公司
0755-81278160

7-1
引脚分配
SOT23-3 1 3 2
引脚号 SOT89-3
1 2 3
功能模块图
TO-92 1 2 3
符号
引脚描述
Vss
接地引脚
Vout 输出电压监测，内部电路供电引脚

升压IC规格书

LY1038A27M 2.7V升压IC 2.7V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A27P 2.7V升压IC 2.7V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A27T 2.7V升压IC 2.7V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A28M 2.8V升压IC 2.8V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A28P 2.8V升压IC 2.8V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A30M 3V升压IC 3V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A30P 3V升压IC 3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A36M 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A36P 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A40P 4.0V升压IC 4.0V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A45P 4.5V升压IC 4.5V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A501D 5V升压IC 5V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A50M 5V升压IC 5V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A36M 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038A50P 5V升压IC 5V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038A56P 5.6V升压IC 5.6V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038B30P 3V升压IC 3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038B33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038B50P 5.0V升压IC 5.0V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038B56P 5.6V升压IC 5.6V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1038B56X 5.6V升压IC 5.6V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1038C30M 3.0V升压IC 3.0V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038C33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038C36M 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038C40M 4V升压IC 4V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038C50M 5V升压IC 5V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038D33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038D50M 5V升压IC 5V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038D56M 5.6V升压IC 5.6V升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1038F 可调升压IC ADJ升压芯片SOT23-5阳先生150****9998LY1028A30M 3V升压IC 3V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1028A30P 3V升压IC 3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1028A30T 3V升压IC 3V升压芯片TO92阳先生150****9998LY1028A33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1028A33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1028A33T 3.3V升压IC 3.3V升压芯片阳先生150****9998LY1028A50M 5.0V升压IC 5V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1028A50P 5V升压IC 5V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1028A50T 5V升压IC 5V升压芯片阳先生150****9998LY1028B33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-3阳先生150****9998LY1028B33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3阳先生150****9998LY1028B50M 5V升压IC 5V升压芯片SOT23-3LY1028B50P 5V升压IC 5V 升压芯片SOT89-3LY1036A30M 3V升压IC 3V升压芯片SOT23-3LY1036A30P 3V升压IC 3V升压芯片SOT89-3LY1036A33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-3LY1036A33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3 LY1036A36M 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT23-3LY1036A36P 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT89-3LY1036A45M 4.5V升压IC 4.5V升压芯片SOT23-3LY1036A45P 4.5V升压IC 4.5V升压芯片SOT89-3LY1036A50M 5V升压IC 5V升压芯片SOT23-3LY1036A50P 5V升压IC 5V升压芯片SOT89-3LY1036B30P 3V升压IC 3V升压芯片SOT89-3LY1036B33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-3LY1036B33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3LY1036B50P 5V升压IC 5V升压芯片SOT89-3 LY1036C30M 3V升压IC 3V升压芯片SOT23-5LY1036C33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-5LY1036C36M 3.6V升压IC 3.6V升压芯片SOT23-5 LY1036C45M 4.5V升压IC 4.5V升压芯片SOT23-5LY1036C50M 5V升压IC 5V 升压芯片SOT23-5LY1036D30M 3V升压IC 3V升压芯片SOT23-5阳先生150****6766LY1036D33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-5LY1036D50M 5V升压IC 5V升压芯片SOT23-5LY1036F 可调升压IC 可调升压芯片SOT23-5阳先生150****6766LY1039C535M 5.35V升压IC 5.35V升压芯片SOT23-5LY1039F 可调升压IC 可调升压芯片SOT23-5LY1029 可调3A升压IC 可调3A升压芯片SOT23-5LY8355 可调2A升压IC 可调2A升压芯片SOT23-5阳先生150****6766LY8355D535 5.35V2A升压IC 5.35V2A升压芯片阳先生150****6766LY1035A23P 2.3V同步整流升压IC 2.3V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A25P 2.5V同步整流升压IC 2.5V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A27M 2.7V同步整流升压IC 2.7V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035A27P 2.7V同步整流升压IC 2.7V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A27T 2.7V同步整流升压IC 2.7V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035A28T 2.8V同步整流升压IC 2.8V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035A28M 2.8V同步整流升压IC 2.8V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035A28P 2.8V同步整流升压IC 2.8V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A30M 3V同步整流升压IC 3V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035A30P 3V同步整流升压IC 3V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A33M 3.3V同步整流升压IC 3.3V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035C33M 3.3V同步整流升压IC 3.3V同步整流升压芯片SOT23-5LY1035A33P 3.3V同步整流升压IC 3.3V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A36M 3.6V同步整流升压IC 3.6V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035C36M 3.6V同步整流升压IC 3.6V同步整流升压芯片SOT23-5LY1035A36P 3.6V同步整流升压IC 3.6V同步整流升压芯片SOT89-3LY1035A33M 5V同步整流升压IC 5V同步整流升压芯片SOT23-3LY1035A33P 5V同步整流升压IC 5V同步整流升压芯片SOT89-3LY301BP升压ICLY301CP(G)升压IC LY301CM升压IC LY301CTG升压IC阳先生150****6766阳先生150****6766LY331BP升压ICLY331CP(G)升压ICLY331C1P升压IC LY331CT升压ICLY331CMG升压ICLY331C1MG升压ICLY501CPG升压ICLY501C1P升压ICLY501CMG升压ICLY501CTG升压ICLY501C1MG升压ICLY9899(SOP8) 2A升压IC 2A升压芯片LY9899(23-5)1A升压IC 1A升压芯片阳先生150****6766LY9899(SOT89)1.5A升压IC 1.5A升压芯片阳先生150****6766LY1060A19P 1.9V升压IC 1.9V升压芯片阳先生150****6766LY1060A30P 3V升压IC 3V升压芯片阳先生150****6766LY1060A33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片阳先生150****6766LY1060A50P 5V升压IC 5V升压芯片阳先生150****6766LY1060C25M 2.5V升压IC 2.5V升压芯片LY1060C33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片LY1033C50M 5V升压IC 5V升压芯片LY203 升压IC LY2263 升压IC LY3708 升压IC LY30A 升压IC LY9890 升压IC LY9890 升压IC LY9830同步高效率升压ICLY1046M1LY1046M LY9832同步高效率升压IC LY9880同步高效率升压IC LY9813同步2A高效升压ICLY8115升压IC LY1058F 升压IC LY1026F 可调3A升压ICLY2508A15M小*30*0.19LY2508A28M小*70*0.19 代收LY1053升压IC 阳先生150****6766LY1061(替代FP6291)升压IC阳先生150****6766LY9012阳先生150****6766LY9980(不带散热片）阳先生150****6766联益微供应升压IC：LY1028/LY1026/LY1035/LY1036/LY1038/LY1058/LY1059/LY 1061/LY1062/LY9899联益微供应 MOS管：LY5801/LY5803/LY5807/LY9435/LY4953/LY5802/ LY9926/LY5810/LY5813/LY8205/LY4606联益微供应充电IC：LY4054 /LY3083/LY4056/LY4055/LY5056/L Y3085/LY6600/LY5058联益微供应稳压IC：LY2508/LY2506/LY2507/LY2509/LY3508/LY71XX /LY75XX/LY73XX/LY76XX/LY27XX/LY1117/LY2521/LY2510联益微供应降压型LED恒流驱动IC：LY2203/LY7135/LY7136F/LY2 207/LY2208联益微供应升压型LED恒流IC：LY2106/LY2326/LY2329/LY2210/ LY4430/LY2517/LY2518联益微供应电压检测复位IC：LY60C/LY60N/LY61C/LY61N/LY70XX 联益微供应锂电池保护IC：LY2115/LY2003/LYDW01联益微供应DC-DC降压：LY9730/LY3406/LY3408/LY8259/LY973 7/LY5523/LY9319联益微供应同步高效升压：LY9830/LY3400/LY9182/LY8334联益微供应原边型AC-DC：LY6300/LY6305/LY6304/LY6310/LY6311/LY6312/LY63 13/LY6315联益微供应副边型AC-DC：LY6101/LY6105/LY6107/LY6110/LY6115/LY6119/LY62 00/LY6202/LY6204联益微供应高压MOS：LY1N60/LY2N60/LY4N60/LY7N60/LY8N60 /LY10N60LY2N65/LY2N65/LY4N65/LY7N65/LY8N65/LY10N65/LY12N65。

CD2003GP L版应用说明 2010年

CD2003GP特点该版电路应用中，FM OSC至PIN13耦合电容C4/47P必须短接（如下图所标处），设计PCB时PIN13与OSC线圈、PVC的FM OSC联定片相连通。

如有PIN6电源正极至高频PVC 地串接电阻，该电阻应改用导线短接。

波段转换不能采用晶体管控制，只能采用机械开关控制，请应用中予以充分注意。

该版电路经上述应用更改后，在FM87-108MHz应用中，FM低端不会停振，FM OSC 性能符合新的FCC国际标准。

配合CD3610频率显示电路应用时，无需加阻抗匹配缓冲放大级，但本振回路配定电容应减小5pF，以适应串接2.2pF后增大的分布电容影响。

在FM76-108MHz(IF-10.7MHz或+10.7MHz），PVC FM为F型（20p双联）应用时，由于线圈电感大，Q值高，振荡电压高，OSC线圈应并接2K2或3K3电阻，使符合Fcc标准。

FM ANT线圈为Φ4.5-3.5T的并接电容改为47p（原并接33p谐振在98MHz），使谐振在90MHz 左右。

在FM 64-108MHz应用时，由于线圈电感更大，Q值高（RF/QA 0.5-Φ3.6-10.5T；OSC/QA0.5-Φ3.6-8.5T），OSC线圈应并接2K2电阻，使符合FCC标准。

在FM 76-108MHz(IF-10.7MHZ)应用PVC为E型（40p双联）的，其FM线圈圈数较少，FM OSC线圈并接电阻(4K7)值时，应使OSC电压在70-80mV之间，以符合FCC要求，又工作在即接入PIN12的本振电压偏低，当适当提高该对地抽头匝数在15-20T时(L=370μH，总100T不变配PVC为443DF型)，可有效提高AM最大灵敏度。

市场应用部无。

2003芯片参数

2003芯片参数摘要：一、2003 年芯片技术发展背景1.全球半导体产业的繁荣2.我国芯片产业的崛起二、2003 年芯片主要参数1.工艺制程2.核心频率3.缓存容量4.功耗5.性能提升与市场需求三、2003 年芯片技术的应用领域1.个人电脑市场2.手机芯片市场3.嵌入式系统市场四、2003 年芯片技术对我国产业的影响1.推动了国内芯片产业的发展2.提高了我国电子产品竞争力3.培养了国内芯片设计人才五、2003 年芯片技术发展的展望1.未来芯片技术发展趋势2.我国芯片产业面临的挑战与机遇正文：2003 年，全球半导体产业正处于繁荣时期，我国芯片产业也在这一时期逐渐崛起。

当时的芯片技术参数成为了行业内关注的焦点，这些参数对于芯片性能的提升以及市场需求的满足具有重要意义。

在工艺制程方面，2003 年的芯片技术采用了先进的制程工艺，例如90 纳米、65 纳米等，这些工艺使得芯片集成度更高，性能更为强大。

核心频率也是衡量芯片性能的重要指标，当时的芯片核心频率达到了数GHz，为用户提供了更快的计算速度。

缓存容量在2003 年的芯片技术中也有显著提升，大容量的缓存能够提高数据处理速度，降低内存访问延迟，从而提升整体性能。

此外，功耗也是当时芯片设计的重要考量因素，低功耗芯片不仅有利于节能减排，还可以延长电子产品的使用寿命。

在性能提升的同时，2003 年芯片技术也满足了各个领域的市场需求。

在个人电脑市场，高性能芯片使得电脑处理任务更为迅速；在手机芯片市场，芯片技术的进步推动了手机功能的丰富和性能的提升；在嵌入式系统市场，芯片技术的发展为各种智能设备提供了强大的支持。

2003 年芯片技术的快速发展对我国产业产生了深远影响。

首先，芯片技术的引进和国产化推动了国内芯片产业的发展，为我国半导体产业奠定了坚实的基础。

其次，高性能的国产芯片提高了我国电子产品的竞争力，使得国内企业能够在国际市场上站稳脚跟。

最后，芯片技术的研发和应用培养了国内芯片设计人才，为我国芯片产业的持续发展储备了力量。

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