第二章 光学曝光技术课件(2)分析
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《曝光机要点技术》课件
详细描述
机械故障表现为运动部件异常、卡滞或磨损；电路故障表现为电源故障、传感器故障或控制电路故障；软件故障表现为程序崩溃、数据传输错误或系统更新失败。解决方案包括定期维护保养、检查更换损坏部件、修复电路故障和更新软件系统等。
总结词
06
CHAPTER
曝光机维护与保养
每天使用柔软的干布擦拭曝光机表面，保持清洁。
详细描述
高精度和高分辨率的曝光机需要采用先进的曝光技术，如光学曝光、电子束曝光等，同时还需要采用精密的制造工艺，如超精密加工、纳米加工等，以确保设备的稳定性和可靠性。
01
02
03
04
总结词：高效能和稳定性是曝光机发展的另一个重要趋势。详细描述：高效能的曝光机能够提高生产效率，降低生产成本，而高稳定性的曝光机能够保证设备的长期可靠运行，减少维护和维修成本。为了实现高效能和稳定性，需要采用先进的控制系统和精密的部件。总结词：高效的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制。详细描述：先进的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制，从而提高设备的加工效率和精度。同时，高效的控制系统还能够实现设备的自动化和智能化，进一步提高设备的生产效率和稳定性。
总结词：智能化和自动化已经成为现代曝光机的重要特征。详细描述：智能化和自动化的曝光机能够实现自动化加工、智能化检测和故障诊断等功能，从而提高设备的生产效率和可靠性。智能化和自动化的曝光机还能够减少人工干预，降低人为因素对设备精度和稳定性的影响。总结词：为了实现智能化和自动化，需要采用先进的人工智能技术和传感器技术。详细描述：先进的人工智能技术能够实现设备的自适应控制和自主学习，从而提高设备的智能化水平。传感器技术则能够实现设备的实时监测和故障预警，进一步提高设备的可靠性和稳定性。
机械故障表现为运动部件异常、卡滞或磨损；电路故障表现为电源故障、传感器故障或控制电路故障；软件故障表现为程序崩溃、数据传输错误或系统更新失败。解决方案包括定期维护保养、检查更换损坏部件、修复电路故障和更新软件系统等。
总结词
06
CHAPTER
曝光机维护与保养
每天使用柔软的干布擦拭曝光机表面，保持清洁。
详细描述
高精度和高分辨率的曝光机需要采用先进的曝光技术，如光学曝光、电子束曝光等，同时还需要采用精密的制造工艺，如超精密加工、纳米加工等，以确保设备的稳定性和可靠性。
01
02
03
04
总结词：高效能和稳定性是曝光机发展的另一个重要趋势。详细描述：高效能的曝光机能够提高生产效率，降低生产成本，而高稳定性的曝光机能够保证设备的长期可靠运行，减少维护和维修成本。为了实现高效能和稳定性，需要采用先进的控制系统和精密的部件。总结词：高效的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制。详细描述：先进的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制，从而提高设备的加工效率和精度。同时，高效的控制系统还能够实现设备的自动化和智能化，进一步提高设备的生产效率和稳定性。
总结词：智能化和自动化已经成为现代曝光机的重要特征。详细描述：智能化和自动化的曝光机能够实现自动化加工、智能化检测和故障诊断等功能，从而提高设备的生产效率和可靠性。智能化和自动化的曝光机还能够减少人工干预，降低人为因素对设备精度和稳定性的影响。总结词：为了实现智能化和自动化，需要采用先进的人工智能技术和传感器技术。详细描述：先进的人工智能技术能够实现设备的自适应控制和自主学习，从而提高设备的智能化水平。传感器技术则能够实现设备的实时监测和故障预警，进一步提高设备的可靠性和稳定性。
微细和纳米加工技术 光学曝光技术2.1 引言 2.2光学曝光方式与原理.ppt
图2.2 接触式、接近式与投影式3种曝光方式的示意
4
图
2.2.1掩模对准式曝光
★掩模对准式曝光可以真实地再现掩模图形，但是它要求掩模必 须与光刻胶表面完全接触。
★掩模对准式曝光又可分为接触式曝光和接近式曝光（非接触式 光学曝光）。
掩模对准式曝光
5
1．接触式曝光
★接触式曝光又可分为 ①硬接触与②软接触 曝光。
参数。
★由式可见，若要曝光成像与掩模设计图形尽可能一致，只有 减小间隙和缩短照明波长。
10
2.2.2投影式曝光
★投影式曝光既有接触式曝光的高分辨率，而又避免了接触式 曝光容易产生缺陷的弊端。
★光学投影成像曝光技术是用光学投影的方法将掩模版图形的 影像(以等倍方式或缩小的方式)投影在半导体基片表面上，这 时掩模版作为光学成像系统的物方，基片表面上的光致抗蚀 剂层为像方。
λ ：照明光波长； NA：光学透镜的数值孔径； K2：一个与具体的曝光系统及光刻胶工艺特性
有关的常数。
★由上式可见，焦深与数值孔径的平方成反比。
★单纯地追求分辨率会使焦深大大减低。
R k1 NA
21
焦深甚至比分辨率更为重要
★大规模集成电路的硅晶圆直径都是在6～8in，甚至是12in。大的晶圆本 身就不可能做到绝对的平整，加之每一道曝光工序都是在前面已经加工 过的晶圆上进行，前道工序已在晶圆表面形成了高低起伏的电路结构形 貌。如果曝光系统的焦深很小，则掩模成像只能在很小的高度起伏范围 内才能保证聚焦，超出这一范围就散焦了。散焦的结果，使得分辨率下 降。
★投影式曝光的光学分辨率(R)取决于照明光波长(λ)、光学透 镜的数值孔径(NA)和工艺条件，如下式所示：
R k1 NA
摄影曝光及用光ppt讲解
摄影曝光及用光ppt 讲解
• 摄影曝光基础知识 • 用光技巧与实例分析 • 曝光控制方法与技巧 • 特殊场景曝光与用光策略 • 后期处理中曝光和色彩调整 • 总结与展望
目录
Part
01
摄影曝光基础知识
曝光定义与原理
曝光定义
曝光是指相机在拍摄过程中，通过控制光线进入相机的时间和强度，使感光元件（胶片 或数字传感器）获得适当的光量，从而记录下被摄物体的影像。
作品三
肯定了曝光控制和色彩还原上的准 确性，建议加强主题表达和情感传 递的深度。
未来发展趋势预测
1 2 3
技术创新
随着科技的进步，未来摄影技术将更加注重智能 化、自动化和高效能，例如AI辅助构图、智能曝 光控制等。
艺术与科技的融合
摄影将更加注重与其他艺术形式的跨界融合，如 虚拟现实、增强现实等技术的结合，创造出更加 丰富多样的视觉体验。
测光模式
2
介绍了评价测光、中央重
点平均测光和点测光的原
理及应用场景。
曝光补偿 3 阐述了在复杂光线条件下，
如何运用曝光补偿功能来 调整曝光量。
学员作品点评与改进建议
作品一
点评了构图、光线运用和主题表 现等方面的优点，提出了在曝光 控制和色彩处理上的改进建议。
作品二
分析了创意构思和用光技巧上的亮 点，指出了在画面层次感和细节表 现上的不足。
Part
03
曝光控制方法与技巧
测光模式选择及调整策略
矩阵测光
对画面整体进行测光，适 用于光线均匀的场景。
中央重点测光
以画面中央区域为重点进 行测光，适用于主体位于 画面中央的场景。
点测光
对画面中的特定点进行测 光，适用于光线复杂或需 要精确控制曝光的场景。
• 摄影曝光基础知识 • 用光技巧与实例分析 • 曝光控制方法与技巧 • 特殊场景曝光与用光策略 • 后期处理中曝光和色彩调整 • 总结与展望
目录
Part
01
摄影曝光基础知识
曝光定义与原理
曝光定义
曝光是指相机在拍摄过程中，通过控制光线进入相机的时间和强度，使感光元件（胶片 或数字传感器）获得适当的光量，从而记录下被摄物体的影像。
作品三
肯定了曝光控制和色彩还原上的准 确性，建议加强主题表达和情感传 递的深度。
未来发展趋势预测
1 2 3
技术创新
随着科技的进步，未来摄影技术将更加注重智能 化、自动化和高效能，例如AI辅助构图、智能曝 光控制等。
艺术与科技的融合
摄影将更加注重与其他艺术形式的跨界融合，如 虚拟现实、增强现实等技术的结合，创造出更加 丰富多样的视觉体验。
测光模式
2
介绍了评价测光、中央重
点平均测光和点测光的原
理及应用场景。
曝光补偿 3 阐述了在复杂光线条件下，
如何运用曝光补偿功能来 调整曝光量。
学员作品点评与改进建议
作品一
点评了构图、光线运用和主题表 现等方面的优点，提出了在曝光 控制和色彩处理上的改进建议。
作品二
分析了创意构思和用光技巧上的亮 点，指出了在画面层次感和细节表 现上的不足。
Part
03
曝光控制方法与技巧
测光模式选择及调整策略
矩阵测光
对画面整体进行测光，适 用于光线均匀的场景。
中央重点测光
以画面中央区域为重点进 行测光，适用于主体位于 画面中央的场景。
点测光
对画面中的特定点进行测 光，适用于光线复杂或需 要精确控制曝光的场景。
《曝光机要点技术》课件
分类
介绍曝光机的不同分类，如直接曝光机和半导体曝光机。
曝光机要点技术
1 曝光时间和曝光量的
关系
解析曝光时间和曝光量之 间的关系，掌握如何调整 曝光参数。
2 调试方法
分享曝光机的调试方法和 技巧，确保获得高质量的 曝光效果。
维护保养
指导学员们进行曝光机的 日常维护和保养工作，延 长设备寿命。
曝光机的操作方法
基本操作流程
详细说明曝光机的操作步骤， 从准备工作到曝光结束。
常见问题及处理方法
介绍曝光机常见问题的排查和 解决方法，确保正常的工作流 程。
安全操作注意事项
强调曝光机的安全操作规范， 避免潜在伤害。
结语
通过本课程，学员们将深入了解曝光机的基本原理和要点技术，提高曝光工 作的质量和效率。
《曝光机要点技术》PPT 课件
本课程旨在介绍曝光机的基本原理、构成及操作方法，让学员们掌握曝光机 的要点技术。
课程概述
本课程将深入介绍曝光机的基本原理、构成及操作方法，帮助学员们全面掌 握曝光机的要点技术。
曝光机基本原理
工作原理
探索曝光机的内部工作原理，了解光的作用和影响。
主要构成部分
探索曝光机的各个构成部分，包括光源、反射镜和底片等。
介绍曝光机的不同分类，如直接曝光机和半导体曝光机。
曝光机要点技术
1 曝光时间和曝光量的
关系
解析曝光时间和曝光量之 间的关系，掌握如何调整 曝光参数。
2 调试方法
分享曝光机的调试方法和 技巧，确保获得高质量的 曝光效果。
维护保养
指导学员们进行曝光机的 日常维护和保养工作，延 长设备寿命。
曝光机的操作方法
基本操作流程
详细说明曝光机的操作步骤， 从准备工作到曝光结束。
常见问题及处理方法
介绍曝光机常见问题的排查和 解决方法，确保正常的工作流 程。
安全操作注意事项
强调曝光机的安全操作规范， 避免潜在伤害。
结语
通过本课程，学员们将深入了解曝光机的基本原理和要点技术，提高曝光工 作的质量和效率。
《曝光机要点技术》PPT 课件
本课程旨在介绍曝光机的基本原理、构成及操作方法，让学员们掌握曝光机 的要点技术。
课程概述
本课程将深入介绍曝光机的基本原理、构成及操作方法，帮助学员们全面掌 握曝光机的要点技术。
曝光机基本原理
工作原理
探索曝光机的内部工作原理，了解光的作用和影响。
主要构成部分
探索曝光机的各个构成部分，包括光源、反射镜和底片等。
曝光原理课件
50 100 200 400 800 1600
3200 6400 12800 25600
在数码相机中ISO定义和胶卷相同，代表着 CCD或者CMOS感光元件的感光速度，ISO数 值越高就说明该感光材料的感光能力越强。
数码相机能自由调整感光度。
如设为高感光度，就能提高接受光信号的 数量，从而在黑暗环境下实现较快的快门 速度(或较小的光圈)，但也有其缺陷，由于 数码相机是通过放大电子信号实现高感光 度的，所以同时也会增加不明显的微小噪 点。
感光度——表示感光材料感光的快慢程度。感光 度的单位用“度”或“定”来表示，如“ISO100” 表示感光度为100度(21定)的胶卷。感光度越高， 胶片越灵敏（就是在同样的拍摄环境下正常拍摄 同一张照片所需要的光线量越少，其表现为能用 更高的快门或更小的光圈）。200度的胶卷感光 的灵敏度是100度胶卷的2倍，400度的胶卷的灵 敏度是200度胶卷的2倍，其余以此类推。
类似拍摄图例照片中人物时，远摄端不仅可 以将远处的人物拉近，还可将远处的背景虚 化，从而突出了画面中的人物。
• 最便捷的曝光模式推荐：光圈优先 A或AV
•
光圈优先：拍摄者根据自己需要的景深效果设定光圈， 曝光速度让相机自动确定的曝光方式。
•
当光线或背景异常导致拍摄照片曝光不正常，偏暗或偏 亮，这时候就需要曝光补偿。
，例如荧光灯的光偏绿、钨丝灯的光偏红或 偏桔色。白平衡的功能就是对光线颜色的影 响进行补偿。在这里，让我们来看看白平衡 的种类和效果
与胶片相机不同，数码相机具有不管在何
种光源下都能以正确的色调进行拍摄的特征， 而白平衡就是用于实现色调调节的。白平衡 的基本概念是“不管在任何光源下，都能将 白色物体还原为白色”，对在特定光源下拍 摄时出现的偏色现象，通过加强对应的补色 来进行补偿。
3200 6400 12800 25600
在数码相机中ISO定义和胶卷相同，代表着 CCD或者CMOS感光元件的感光速度，ISO数 值越高就说明该感光材料的感光能力越强。
数码相机能自由调整感光度。
如设为高感光度，就能提高接受光信号的 数量，从而在黑暗环境下实现较快的快门 速度(或较小的光圈)，但也有其缺陷，由于 数码相机是通过放大电子信号实现高感光 度的，所以同时也会增加不明显的微小噪 点。
感光度——表示感光材料感光的快慢程度。感光 度的单位用“度”或“定”来表示，如“ISO100” 表示感光度为100度(21定)的胶卷。感光度越高， 胶片越灵敏（就是在同样的拍摄环境下正常拍摄 同一张照片所需要的光线量越少，其表现为能用 更高的快门或更小的光圈）。200度的胶卷感光 的灵敏度是100度胶卷的2倍，400度的胶卷的灵 敏度是200度胶卷的2倍，其余以此类推。
类似拍摄图例照片中人物时，远摄端不仅可 以将远处的人物拉近，还可将远处的背景虚 化，从而突出了画面中的人物。
• 最便捷的曝光模式推荐：光圈优先 A或AV
•
光圈优先：拍摄者根据自己需要的景深效果设定光圈， 曝光速度让相机自动确定的曝光方式。
•
当光线或背景异常导致拍摄照片曝光不正常，偏暗或偏 亮，这时候就需要曝光补偿。
，例如荧光灯的光偏绿、钨丝灯的光偏红或 偏桔色。白平衡的功能就是对光线颜色的影 响进行补偿。在这里，让我们来看看白平衡 的种类和效果
与胶片相机不同，数码相机具有不管在何
种光源下都能以正确的色调进行拍摄的特征， 而白平衡就是用于实现色调调节的。白平衡 的基本概念是“不管在任何光源下，都能将 白色物体还原为白色”，对在特定光源下拍 摄时出现的偏色现象，通过加强对应的补色 来进行补偿。
摄影技术之准确曝光PPT课件
第六章 准确曝光
CHENLI
5
第一节 曝光
一、曝光(Exposure)
摄影时控制照相机的光圈和快门速度，让外界景物所反射的 适量光线通过镜头到达图像传感器上形成影像，这个过程就称为 曝光。
曝光是否准确是由曝光量决定的。
准确曝光
CHENLI
6
二、曝光量
第
曝光量的科学定义是光线的强度乘以光线所作用的时间。
曝 光
该变焦镜头在不同焦距下的光圈系数是不同的。如焦距为28～80毫米的
量
变焦镜头，最小光圈系数为F／3.6-5.6，这光圈系数范围中的前一数值
的
因
（3.6）是对应最短焦距的光圈系数，后一数值（5.6）对应最长焦距下
素
的光圈系数。在手动控制曝光摄影时要注意这个问题。
第六章 准确曝光
CHENLI
21
一、光圈系数
光 量
秒……1／8000秒，即所标快门速度表示实际快门开启时间(单位为秒)的
的
倒数，快门速度值越大，快门开启时间越短。
因
素
部分照相机还有长于1秒的快门速度档。照相机档次越高，快门速度档
位越多，适合拍摄的范围越广。
第六章 准确曝光
CHENLI
28
二、快门速度
第
1.快门速度
二
节
决
有的数字相机还有B档、T档快门。它们都是供长时间曝光使
第六章 准确曝光
CHENLI
25
一、光圈系数
2. 光圈对曝光量的控制
第 二 节
决
定
数字单反照相机一般是在未按快门释放按钮时，无论光圈
曝 光
系数是哪一挡，光圈孔径都开到最大，这样便于取景、聚焦、
第二章-光学曝光技术PPT课件
虽然业界一再强调EUV的技术,我们有理由相信，EUV （极端远紫外光刻）将是未来纳米级光刻技术的主流工艺， 而一直沉默不语的Intel是否已经使用了这种技术呢？
10
Intel巨资开发的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
IMEC开发的EUV alpha demonstration tool
敏感性
差
好 非常好 一般 一般
分辨率 很好 一般 很差 好 很好
侧壁光滑性 很好 很差 很差 好 很好
耐强腐蚀 差 很好 好 很差 很好
在基底地 好 好 好 差 好 粘附性能
27
LIGA技术应用
微齿轮（sandia 国家实验室）
28
29
LIGA技术的优点:
( 1) 深宽比大, 准确度高。所加工的图形准确度小于 0. 5微米, 表面粗糙度仅10nm, 侧壁垂直度>89. 9°, 纵向高度可500微米以上; ( 2) 用材广泛。从塑料( PMMA、聚甲醛、聚酰胺、 聚碳酸酯等) 到金属( Au, Ag, Ni, Cu) 到陶瓷( ZnO2) 等, 都可以用LIGA技术实现三维微结构; ( 3) 由于采用微复制技术, 可降低成本, 进行批量生 产。 LIGA的缺点： （1）成本昂贵（X光源需要昂贵的加速器） （2）用于X光光刻的掩膜板本身就是3D微结构，复 杂，周期长
东南大学 · 南京
MEMS
教育部重点实验室
5
(1) 光学无掩模光刻
无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩模光刻（Optical Maskless Lithography）和带电粒子无掩膜光刻（Charged Particle Maskless Lithography）。
光学无掩膜技术是从传统的光学光刻机 构造发展而来的，最大的不同是掩膜版 被一排光调制器（DMD，Digital Micromirror Device，数字微镜阵列）取代， 通过实时控制制作出需要的图形。
10
Intel巨资开发的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
IMEC开发的EUV alpha demonstration tool
敏感性
差
好 非常好 一般 一般
分辨率 很好 一般 很差 好 很好
侧壁光滑性 很好 很差 很差 好 很好
耐强腐蚀 差 很好 好 很差 很好
在基底地 好 好 好 差 好 粘附性能
27
LIGA技术应用
微齿轮（sandia 国家实验室）
28
29
LIGA技术的优点:
( 1) 深宽比大, 准确度高。所加工的图形准确度小于 0. 5微米, 表面粗糙度仅10nm, 侧壁垂直度>89. 9°, 纵向高度可500微米以上; ( 2) 用材广泛。从塑料( PMMA、聚甲醛、聚酰胺、 聚碳酸酯等) 到金属( Au, Ag, Ni, Cu) 到陶瓷( ZnO2) 等, 都可以用LIGA技术实现三维微结构; ( 3) 由于采用微复制技术, 可降低成本, 进行批量生 产。 LIGA的缺点： （1）成本昂贵（X光源需要昂贵的加速器） （2）用于X光光刻的掩膜板本身就是3D微结构，复 杂，周期长
东南大学 · 南京
MEMS
教育部重点实验室
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(1) 光学无掩模光刻
无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩模光刻（Optical Maskless Lithography）和带电粒子无掩膜光刻（Charged Particle Maskless Lithography）。
光学无掩膜技术是从传统的光学光刻机 构造发展而来的，最大的不同是掩膜版 被一排光调制器（DMD，Digital Micromirror Device，数字微镜阵列）取代， 通过实时控制制作出需要的图形。
曝光控制技巧ppt课件
相机的快门是从时间上控制感光元件曝光 的一种计时装置。
快门可分：高速快门和低速快门 安全快门：指镜头焦段的倒数 快门的作用：控制曝光时间、定格瞬间或
营造动感。
.
快门速度：指快门开启的曝光时 间。速度用T表示。
一般照相机上的速度档位有： 2秒、1秒、1/2秒、1/4秒 、 1/8秒、 1/16秒、1/30秒、1/60秒、1/125秒、 1/500秒、1/1000秒等。
1、遮挡分区多次曝光 2、黑色背景前的多次曝光 3、浅色背景前的多次曝光
.
.
.
.
.
.
.
九、影响曝光的主要因素
1、感光度的设定 2、光源照度的强弱 3、被摄体的受光情况 4、被摄体的反光率 5、光线投射方向 6、拍摄对象周围光线的环境影响 7、镜头前有无附加镜
感光度的设定和光源的照度是影响曝光量的重 要因素
.
1、光圈： 指快门开启时,光线通过的截面参数。
光圈用F表示。 一般照相机上的光圈指数有:
1.4 、1.7 、 2 、 2.8 、3.5 、4、 4.5、 5.6 、8、 11 、 16 、 22 、32 、64 等。
.
值大，光圈小
.
控制进光量
.
光圈控制景深
.
感光度的调节
.
1、感光度提高后画面增加曝光量 2、感光度提高后画面噪点增加
感光度与光圈的关系 感光度与快门的关系 根据需要选择感光度
.
1/15 ISO200 F2.8 1/30 ISO400 F2.8
.
1/60 ISO200 F5
1/120 ISO400 F5
.
.
曝光量
每一个光圈和每一个快门都可以组合。 保持相同的曝光量，光圈和快门可以有不 同的组合，如：
快门可分：高速快门和低速快门 安全快门：指镜头焦段的倒数 快门的作用：控制曝光时间、定格瞬间或
营造动感。
.
快门速度：指快门开启的曝光时 间。速度用T表示。
一般照相机上的速度档位有： 2秒、1秒、1/2秒、1/4秒 、 1/8秒、 1/16秒、1/30秒、1/60秒、1/125秒、 1/500秒、1/1000秒等。
1、遮挡分区多次曝光 2、黑色背景前的多次曝光 3、浅色背景前的多次曝光
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.
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.
九、影响曝光的主要因素
1、感光度的设定 2、光源照度的强弱 3、被摄体的受光情况 4、被摄体的反光率 5、光线投射方向 6、拍摄对象周围光线的环境影响 7、镜头前有无附加镜
感光度的设定和光源的照度是影响曝光量的重 要因素
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1、光圈： 指快门开启时,光线通过的截面参数。
光圈用F表示。 一般照相机上的光圈指数有:
1.4 、1.7 、 2 、 2.8 、3.5 、4、 4.5、 5.6 、8、 11 、 16 、 22 、32 、64 等。
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值大，光圈小
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控制进光量
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光圈控制景深
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感光度的调节
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1、感光度提高后画面增加曝光量 2、感光度提高后画面噪点增加
感光度与光圈的关系 感光度与快门的关系 根据需要选择感光度
.
1/15 ISO200 F2.8 1/30 ISO400 F2.8
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1/60 ISO200 F5
1/120 ISO400 F5
.
.
曝光量
每一个光圈和每一个快门都可以组合。 保持相同的曝光量，光圈和快门可以有不 同的组合，如：
曝光机概论培训资料课件(2)
故障二
曝光图像模糊
排除方法
检查镜头是否清洁，检查曝光参数是否设置正确。
曝光机运行缓慢
故障三
排除方法
清理设备内部灰尘，检查散热系统是否正常工作。
04
曝光机的发展趋势
与展望
新型曝光机技术的研发
纳米压印技术
利用高分子材料和纳米结 构，实现高分辨率、高效 率的曝光。
电子束曝光技术
利用电子束在材料表面进 行精细加工，适用于高精 度、小规模制造。
根据用途，曝光机可分为接触式曝光机和非接触式曝光机。
接触式曝光机是指掩模版直接与基板接触，通过物理接触将图案转移到基板上。
非接触式曝光机是指掩模版与基板保持一定距离，通过投影镜头将图案投射到基板 上。
曝光机在生产中的
02
应用
曝光机在PCB制造中的应用
曝光机在PCB制造中主要用于将电路板上的图案转移到光敏材料上，通 过光化学反应将图案刻画在光敏材料上，为后续的蚀刻和电镀等工艺提 供基础。
曝光机在光刻技术中需要高分 辨率和高对比度，以实现精细 电路的刻画。
曝光机在光刻技术中还需要与 其它设备如涂胶机、显影机和 蚀刻机等配合使用，完成整个 集成电路制造流程。
曝光机的维护与保
03
养
曝光机的日常保养
01
02
03
每日清洁
使用柔软的干布清洁曝光 机表面，保持设备整洁。
检查设备连接
确保曝光机与电源、电脑 等设备的连接稳定。
操作过程中的安全注意事项
1 2
注意辐射安全
曝光机在工作过程中会产生辐射，操作时应避免 直接接触设备，尽量减少暴露时间，防止对身体 健康造成影响。
避免触电
操作时应避免接触设备内部的电线和电器元件， 以防触电。
曝光图像模糊
排除方法
检查镜头是否清洁，检查曝光参数是否设置正确。
曝光机运行缓慢
故障三
排除方法
清理设备内部灰尘，检查散热系统是否正常工作。
04
曝光机的发展趋势
与展望
新型曝光机技术的研发
纳米压印技术
利用高分子材料和纳米结 构，实现高分辨率、高效 率的曝光。
电子束曝光技术
利用电子束在材料表面进 行精细加工，适用于高精 度、小规模制造。
根据用途，曝光机可分为接触式曝光机和非接触式曝光机。
接触式曝光机是指掩模版直接与基板接触，通过物理接触将图案转移到基板上。
非接触式曝光机是指掩模版与基板保持一定距离，通过投影镜头将图案投射到基板 上。
曝光机在生产中的
02
应用
曝光机在PCB制造中的应用
曝光机在PCB制造中主要用于将电路板上的图案转移到光敏材料上，通 过光化学反应将图案刻画在光敏材料上，为后续的蚀刻和电镀等工艺提 供基础。
曝光机在光刻技术中需要高分 辨率和高对比度，以实现精细 电路的刻画。
曝光机在光刻技术中还需要与 其它设备如涂胶机、显影机和 蚀刻机等配合使用，完成整个 集成电路制造流程。
曝光机的维护与保
03
养
曝光机的日常保养
01
02
03
每日清洁
使用柔软的干布清洁曝光 机表面，保持设备整洁。
检查设备连接
确保曝光机与电源、电脑 等设备的连接稳定。
操作过程中的安全注意事项
1 2
注意辐射安全
曝光机在工作过程中会产生辐射，操作时应避免 直接接触设备，尽量减少暴露时间，防止对身体 健康造成影响。
避免触电
操作时应避免接触设备内部的电线和电器元件， 以防触电。
摄影技术学习之摄影曝光问题课件
ISO：感光度，表示相机传感器对光线的敏感程度，影响照片的亮度和噪点。
03
曝光技巧与运用
正确曝光的判断标准
曝光过度：照片过亮，细节丢失 曝光不足：照片过暗，细节不清晰 曝光正确：细节丰富，色彩还原自然 对比度合适：明暗过渡自然，层次感强
曝光补偿的运用
曝光补偿的概念：在 拍摄过程中，通过调 整相机曝光参数来控 制照片亮度的技术。
确定测光点 位置
实际操作并 分析结果
不同场景下的曝光实战案例
阳光明媚的户外场景：通过调整光圈和快门速度，确保画面明亮自然，细节清晰 室内低光环境：使用高感光度和大光圈，提高曝光补偿，减少噪点，保持画面清晰 夜景拍摄：利用三脚架和慢速快门，搭配合适的曝光参数，展现城市夜景的繁华与宁静 动态拍摄：根据运动主体的速度和方向，快速调整曝光参数，捕捉精彩瞬间
局部曝光问题
背景过曝：适当 减少曝光补偿， 或缩小光圈
前景欠曝：适当 增加曝光补偿， 或使用反光板补 光
动态范围超出相 机能力：采用多 张合成或HDR技 术
局部细节丢失： 使用中性密度滤 镜或后期处理软 件进行修复
05
实践操作与案例分析
如何使用测光表进行测光
了解测光表 的工作原理
选择合适的 测光模式
展望未来摄影技术的发展趋势
人工智能技术：AI将进一步优化摄影技术，实现更精准的曝光控制和智能化的后期处理
5G技术：5G将为摄影带来更快的传输速度和更稳定的图像质量，实现实时远程拍摄和实时预 览
传感器技术：未来传感器技术将更加先进，能够实现更高的像素和更低的噪声，提升摄影画质
虚拟现实技术：VR将为摄影带来全新的视角和体验，实现沉浸式的拍摄和观影效果
感谢观看
汇报人：XX
03
曝光技巧与运用
正确曝光的判断标准
曝光过度：照片过亮，细节丢失 曝光不足：照片过暗，细节不清晰 曝光正确：细节丰富，色彩还原自然 对比度合适：明暗过渡自然，层次感强
曝光补偿的运用
曝光补偿的概念：在 拍摄过程中，通过调 整相机曝光参数来控 制照片亮度的技术。
确定测光点 位置
实际操作并 分析结果
不同场景下的曝光实战案例
阳光明媚的户外场景：通过调整光圈和快门速度，确保画面明亮自然，细节清晰 室内低光环境：使用高感光度和大光圈，提高曝光补偿，减少噪点，保持画面清晰 夜景拍摄：利用三脚架和慢速快门，搭配合适的曝光参数，展现城市夜景的繁华与宁静 动态拍摄：根据运动主体的速度和方向，快速调整曝光参数，捕捉精彩瞬间
局部曝光问题
背景过曝：适当 减少曝光补偿， 或缩小光圈
前景欠曝：适当 增加曝光补偿， 或使用反光板补 光
动态范围超出相 机能力：采用多 张合成或HDR技 术
局部细节丢失： 使用中性密度滤 镜或后期处理软 件进行修复
05
实践操作与案例分析
如何使用测光表进行测光
了解测光表 的工作原理
选择合适的 测光模式
展望未来摄影技术的发展趋势
人工智能技术：AI将进一步优化摄影技术，实现更精准的曝光控制和智能化的后期处理
5G技术：5G将为摄影带来更快的传输速度和更稳定的图像质量，实现实时远程拍摄和实时预 览
传感器技术：未来传感器技术将更加先进，能够实现更高的像素和更低的噪声，提升摄影画质
虚拟现实技术：VR将为摄影带来全新的视角和体验，实现沉浸式的拍摄和观影效果
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曝光与测光剖析PPT学习教案
第55页/共73页
2、中央重点平均测光： 测光读数是以取景画面“一定面积”的景
物亮度为主，其余部分景物的亮度为辅 测光重点多在画面中央或中央偏下 其准确性要大于平均测光 单反相机内测光多属于此测光方式
第56页/共73页
3、局域测光与点测光： 仅仅测量画面中央很小部分的景物亮度 测光区域面积一般只占整个画面的3－10％ 是一种精确测光模式 可在距离较远的地方对被摄主体进行测光 但使用时需小心，稍一疏忽就会偏离被摄主体而指向其他景物 可与“亮部法”和“暗部法”的测光技巧 相配合
第4页/共73页
1、光线的强弱
自然光（日光）: 在一年之中的不同季节、 一天之中的不同时段，
人工光：光源功率、数量、照射距离、
第5页/共73页
2、被摄体的表面性质及受光情况
常见反射面的反射系数 ： 白雪98％— 100％、白墙90％ 黑绒2％ 人脸(黄种人)30％ 一般景物18％ 江河湖水35％ 绿色 植物8％
光圈，以兼顾亮部层次
第52页/共73页
5、曝光值（EV值）
用数值来表示拍摄某一景物时胶片所需要的曝光量 对于同一被摄物体，在同一曝光量下可以有不同的光圈与快门组
合，如: F5.6＋1/250=F8+1/125=F4+1/500
为方便，人们把同一曝光量用同一个数值来表示，这个数值就是 “曝光值” （即，EV＝AV+TV ）
当对曝光量估计没有把握时宁可把曝光当对曝光量估计没有把握时宁可把曝光量估计得多一些让其曝光过度也不要估量估计得多一些让其曝光过度也不要估计少了而导致曝光不足计少了而导致曝光不足第20页共73页人眼的视觉适应性很强即便在昏暗的光人眼的视觉适应性很强即便在昏暗的光线下也能看得清物体但胶片却不行线下也能看得清物体但胶片却不行胶片曝光宽容度所能允许曝光过度的能力胶片曝光宽容度所能允许曝光过度的能力显著地大于曝光不足的能力显著地大于曝光不足的能力即使曝光严重过度只不过是导致影像质即使曝光严重过度只不过是导致影像质量下降你总还能得到影像而当曝光不量下降你总还能得到影像而当曝光不足时往往是使你失去了影像足时往往是使你失去了影像第21页共73页仅适用于负片仅适用于负片如果是反转片则应该宁少勿多如果是反转片则应该宁少勿多第22页共73页22梯级曝光法梯级曝光法又称包围曝光法加减曝光法又称包围曝光法加减曝光法即对同一光线条件下的同一被摄对象采用即对同一光线条件下的同一被摄对象采用若干个不同的曝光量拍摄若干个不同的曝光量拍摄3355张第23页共73页六相机测光系统的性能与运用六相机测光系统的性能与运用11测光系统的核心部件测光系统的核心部件光敏元件能够把光信号转化成电流光敏元件能够把光信号转化成电流光信号越强电流强度就越大光信号弱光信号越强电流强度就越大光信号弱电流强度就越小电流强度就越小第24页共73页硫化镉光敏元件硫化镉光敏元件cdscds
2、中央重点平均测光： 测光读数是以取景画面“一定面积”的景
物亮度为主，其余部分景物的亮度为辅 测光重点多在画面中央或中央偏下 其准确性要大于平均测光 单反相机内测光多属于此测光方式
第56页/共73页
3、局域测光与点测光： 仅仅测量画面中央很小部分的景物亮度 测光区域面积一般只占整个画面的3－10％ 是一种精确测光模式 可在距离较远的地方对被摄主体进行测光 但使用时需小心，稍一疏忽就会偏离被摄主体而指向其他景物 可与“亮部法”和“暗部法”的测光技巧 相配合
第4页/共73页
1、光线的强弱
自然光（日光）: 在一年之中的不同季节、 一天之中的不同时段，
人工光：光源功率、数量、照射距离、
第5页/共73页
2、被摄体的表面性质及受光情况
常见反射面的反射系数 ： 白雪98％— 100％、白墙90％ 黑绒2％ 人脸(黄种人)30％ 一般景物18％ 江河湖水35％ 绿色 植物8％
光圈，以兼顾亮部层次
第52页/共73页
5、曝光值（EV值）
用数值来表示拍摄某一景物时胶片所需要的曝光量 对于同一被摄物体，在同一曝光量下可以有不同的光圈与快门组
合，如: F5.6＋1/250=F8+1/125=F4+1/500
为方便，人们把同一曝光量用同一个数值来表示，这个数值就是 “曝光值” （即，EV＝AV+TV ）
当对曝光量估计没有把握时宁可把曝光当对曝光量估计没有把握时宁可把曝光量估计得多一些让其曝光过度也不要估量估计得多一些让其曝光过度也不要估计少了而导致曝光不足计少了而导致曝光不足第20页共73页人眼的视觉适应性很强即便在昏暗的光人眼的视觉适应性很强即便在昏暗的光线下也能看得清物体但胶片却不行线下也能看得清物体但胶片却不行胶片曝光宽容度所能允许曝光过度的能力胶片曝光宽容度所能允许曝光过度的能力显著地大于曝光不足的能力显著地大于曝光不足的能力即使曝光严重过度只不过是导致影像质即使曝光严重过度只不过是导致影像质量下降你总还能得到影像而当曝光不量下降你总还能得到影像而当曝光不足时往往是使你失去了影像足时往往是使你失去了影像第21页共73页仅适用于负片仅适用于负片如果是反转片则应该宁少勿多如果是反转片则应该宁少勿多第22页共73页22梯级曝光法梯级曝光法又称包围曝光法加减曝光法又称包围曝光法加减曝光法即对同一光线条件下的同一被摄对象采用即对同一光线条件下的同一被摄对象采用若干个不同的曝光量拍摄若干个不同的曝光量拍摄3355张第23页共73页六相机测光系统的性能与运用六相机测光系统的性能与运用11测光系统的核心部件测光系统的核心部件光敏元件能够把光信号转化成电流光敏元件能够把光信号转化成电流光信号越强电流强度就越大光信号弱光信号越强电流强度就越大光信号弱电流强度就越小电流强度就越小第24页共73页硫化镉光敏元件硫化镉光敏元件cdscds
曝光原理与曝光机2讲课文档
曝光原理与曝光机
现在一页，总共四十九页。
課程綱要
• 多層板製程 • 曝光製程 • 光阻曝光原理 • 曝光光源系統 • 曝光量測
现在二页，11总/共50四十九页。
多層板製程
现在三页，1总1/共50四十九页。
多層板Multilayer PCB 結構
線寬
線距
孔環Annular Ring 孔徑
線路
絕緣介質層
– L4/L5 0.38mm, 1/1: 17.8 mil
– 7628: 7.0 mil – 1080: 2.5 mil
– L6 - 1/2 oz, 0.7 mil
– Total = 64 mil = 1.6 mm
现在七页，11总/共50四十九页。
多層板製程示意
现在八页，1总1/共50四十九页。
基板處理 內層製程 壓合鑽孔鍍銅 外層製程
– 濕膜：塗佈→預烘→曝光→顯像→蝕刻→剝膜 liquid film 10~15m厚，需80~120 mj/cm2 因無Mylar層可做較細線路
现在十二页1，1总/5共0四十九页。
曝光製程 - 外層
• 外層 Pattern Plate
– 光阻在線路製作製程 中使用，電鍍完成後除去
• 外層曝光 (負片流程)
• 外層曝光
– 負片流程 Pattern Plate
• 曝光聚合部分非線路 • 曝光顯像電鍍蝕刻
– 正片Tenting 流程 Tent and Etch
• 曝光聚合部分保護線路 • 曝光顯像蝕刻
现在十四页1，1总/5共0四十九页。
內層與外層製作比較
內層流程
外層負片電鍍流程
现在十五页1，1总/5共0四十九页。
成品檢查
內層AOI 鍍一次銅 外層剝膜
现在一页，总共四十九页。
課程綱要
• 多層板製程 • 曝光製程 • 光阻曝光原理 • 曝光光源系統 • 曝光量測
现在二页，11总/共50四十九页。
多層板製程
现在三页，1总1/共50四十九页。
多層板Multilayer PCB 結構
線寬
線距
孔環Annular Ring 孔徑
線路
絕緣介質層
– L4/L5 0.38mm, 1/1: 17.8 mil
– 7628: 7.0 mil – 1080: 2.5 mil
– L6 - 1/2 oz, 0.7 mil
– Total = 64 mil = 1.6 mm
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多層板製程示意
现在八页，1总1/共50四十九页。
基板處理 內層製程 壓合鑽孔鍍銅 外層製程
– 濕膜：塗佈→預烘→曝光→顯像→蝕刻→剝膜 liquid film 10~15m厚，需80~120 mj/cm2 因無Mylar層可做較細線路
现在十二页1，1总/5共0四十九页。
曝光製程 - 外層
• 外層 Pattern Plate
– 光阻在線路製作製程 中使用，電鍍完成後除去
• 外層曝光 (負片流程)
• 外層曝光
– 負片流程 Pattern Plate
• 曝光聚合部分非線路 • 曝光顯像電鍍蝕刻
– 正片Tenting 流程 Tent and Etch
• 曝光聚合部分保護線路 • 曝光顯像蝕刻
现在十四页1，1总/5共0四十九页。
內層與外層製作比較
內層流程
外層負片電鍍流程
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成品檢查
內層AOI 鍍一次銅 外層剝膜
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东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
厚胶曝光技术
超大规模集成电路加工追求的是光学曝光的极限分辨率，而微 系统或微机电系统追求的是光学曝光的另一个极端——超厚胶 曝光。
东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
(1) 光学无掩模光刻
无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩模光刻（Optical Maskless Lithography）和带电粒子无掩膜光刻（Charged Particle Maskless Lithography）。
光学无掩膜技术是从传统的光学光刻机 构造发展而来的，最大的不同是掩膜版 被一排光调制器（DMD，Digital Micromirror Device，数字微镜阵列）取代， 通过实时控制制作出需要的图形。
虽然业界一再强调EUV的技术,我们有理由相信，EUV （极端远紫外光刻）将是未来纳米级光刻技术的主流工艺， 而一直沉默不语的Intel是否已经使用了这种技术呢？
Intel巨资开发的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
IMEC开发的EUV alpha demonstration tool
干涉光学曝光技术原理示意图
(3) 灰度曝光技术
灰度曝光技术——制造准三维浮雕结构的光学曝光技术，可以产生曲面的光刻胶剖 面。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来 表示的。一般实现灰度掩膜板有下列几种方法：改变透光点的大小；改变透光点的 数目；将灰度区划分为许多单元。 注意： （1）单纯按剖面高度分布函数来确定灰度掩模并不能得到预想的光刻胶剖面，还 必须考虑各种成像的非线性因素，对掩模的灰度加以校正。 （2）并非所有的光刻胶都可以用于灰度曝光。光刻胶要具有较大的黏度；光刻胶 要具有比较低的对比度；光刻胶的抗蚀比尽量与衬底材料接近。
光刻工艺模拟的作用
最大限度提高半导体制造商 对现有曝光机的利用率，实 现对光刻工艺战略的快速定 义并认证，从而缩短进入市 场的时间； 缩短量产化进程 ，对光刻结 果提供可靠的预测能够对光 刻过程，结构设计及掩模进 行校正； 提高生产率和增加收益 ，减 少暇疵提高，缩小IC设计与
成品之间的差距。
光刻工艺模拟技术简介
PROLITH（ KLA-Tencor）
SIGMA-C （ SOLID-C ）
SAMPLE（Berkeley）
曝光质量比较
① 模拟的目的是找出最佳的工艺条件和曝光条件，找出最佳的掩模设计方案。 光学曝光质量的比较的标准—Ⅰ：比较光学像;Ⅱ:比较显影后的光刻胶图形。 Ⅰ：比较光学像—光学像的比较主要是比较像分布的对比度和焦深。比较光学像可 排除光刻胶及具体工艺条件的影响，直接对光学系统和掩模系统进行评价。是一种
干涉光学曝光技术——又叫作“全 息曝光”。 实现干涉光学曝光技术的关键是要 获得具有较好的空间和时间相干性 的相干光，为了实现这一目的，通 常需要特制的相位光栅调制来获得 干涉光分布。 干涉光学曝光技术的优点：设备简 单；不需要光学掩模。 缺点：只能形成二维平面周期分布 的线条图形。 提高曝光分辨率的方法：调整曝光 光刻胶的曝光阈值；采用浸没式曝 光。
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
最大的优点就是降低了掩模的成本。由 于采用了无掩模光刻工具，可以根据所 需制造芯片结构的变化而做出相应的改 变，不需针对每一种芯片专门制造一套 掩模。 总体生产率仍较低，光束校正确认、套 准误差控制、光束的选择、分辨力的延 展性以及光束调节器等
(2)干涉曝光技术
投影式曝光适用于大规模生产，但由于其设备过于昂贵，并不 适用于科学研究，故开发了一系列的低成本曝光技术，同样可 以获得100nm以下的曝光能力。
台积电公司订购ASML公司极紫外光 刻系统Twinscan NXE3100
Intel应用EUV技术获得的一些实验结果
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
(4) EUV（极端远紫外光）光刻技术
EUV是目前距实用话最近的一种深亚微米的光刻技术。 他仍然采用前面提到的分步投影光刻系统，只是改变光源的 波长，即采用波长更短的远紫外线。采用的EUV进行光刻的 主要难点是很难找到合适的制作掩膜版的材料和光学系统。
EUV光刻技术
EUV极端远紫外光所处的位置 上图中，我们可以明确看到EUV极端远紫外光在光谱中的位置， 这是一种波长极短的光刻技术，其曝光波长大约为13.5nm。按 照目前理论上认为的波长与蚀刻精度关系，EUV技术能够蚀刻 出5nm以下工艺的晶体管。
定性的评价。
Ⅱ:比较显影后的光刻胶图形—对某一种光刻胶比较曝光剂量和散焦对图形关键尺寸 CD的影响。
（1） 驻波效应；
（2） CD随散焦量和曝光剂量的变化。
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
① 部分相干光成像理论——对于大数值孔径的光学曝光系统，需考 虑光波的矢量 效应，通过求解三维完全电磁方程的方法来计算曝。有些软件以标量衍射理论 计算投影式曝光的光强分布。 ② 以Dill方程计算光刻胶的曝光过程，以Dill模型或Mack模型来计算光刻胶的显影 过程。 光 刻 过 程 及