电子技术基础课后答案2_庄丽娟ppt课件
《电子技术基础》教学课件PPT
学习目的与要求
了解本征半导体、P型和N型半导体的特征 及PN结的形成过程；熟悉二极管的伏安特性 及其分类、用途；理解三极管的电流放大原 理，掌握其输入和输出特性的分析方法；理 解双极型和单极型三极管在控制原理上的区 别；初步掌握工程技术人员必需具备的分析 电子电路的基本理论、基本 知识和基本技能。
4. 本征半导体
本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数 量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量 杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。
＋4
＋4
＋4
掺入磷杂质的硅半
+
P
导体晶格中，自由 电子的数量大大增
＋4
＋4
＋4
加。因此自由电子
五价元素磷(P)
是这种半导体的导 电主流。
1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ，但少子对温度 非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很 大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓
学习与归纳 度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
2. 半导体受温度和光照影响，产生本征激发现象而出现电子、空 穴对；同时，其它价电子又不断地 “转移跳进”本征激发出现 的空穴中，产生价电子与空穴的复合。在一定温度下，电子、空 穴对的激发和复合最终达到动态平衡状态。平衡状态下，半导体 中的载流子浓度一定，即反向电流的数值基本不发生变化。
由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参 与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。
受光照或温度
＋4
＋4
＋4
此时整个晶 体带电吗？
上升影响，共
为什么？
价键中其它一
些价电子直接
跳进空穴，使
＋4
＋4
电子技术基础知识ppt课件
12
（2）反向特性 反向电压VR＜VRM（反向击穿电压）时，反向电流IR很 小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的 电压VRM称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
（1）P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素（3价）所 形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
空
穴
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
2
自由电子
（2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价） 所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载 流子为空穴。
1、放大电路的组成及作用 （1）晶体管V。放大元件， 用基极电流iB控制集电 极电流iC。
共发射极基本放大电路
39
（2）直流电源UCC 放大电路的能源； 使晶体管的发射结正偏，集电结反 偏，晶体管处在放大状态，提供电流IB 和IC，UCC一般在几伏到十几伏之间。 （3）基极偏置电阻RB。 为基极提供一个合适的偏置电流IB， 使晶体管有一个合适的工作点， 一般为几十千欧到几百千欧。 共发射极基本放大电路 （4）集电极电阻RC。 将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大， 一般为几千欧。 （5）耦合电容或隔直电容Cl、C2。 用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大 电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传 递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至 40 几十微法，通常采用电解电容器。
自由电子 空 穴
多数载流子（简称多子）
少数载流子（简称少子）
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术第2部分基础实训课件
实训14 触发器的功能测试与应用
一、实训目的 1.掌握RS触发器、D触发器、JK触发器的工作原理。 2.学会正确使用RS触发器、D触发器、JK触发器。
实训14 触发器的功能测试与应用
四、测试图、测试步骤及测试结果 1.实训内容1测试图、测试步骤、测试结果 2.实训内容2测试图、测试步骤、测试结果 3.双JK触发器74LS73中一个触发器的功能测试方案
一、实训目的 1.研究由集成运算放大器组成的比例、加法、减法等基本运算电路的功能。 2.了解运算放大器在实际应用时应考虑的一些问题。
三、实训原理 在线性应用方面，可组成比例、加法、减法运算电路。
1.反相比例运算电路 2.反相加法运算电路 3.同相比例运算电路 4.差动放大电路(减法运算电路)
实训5 比例、加法、减法运算电路的组装与测试
实训6 积分、微分运算电路的组装与测试
五、实训内容及步骤 1.积分运算实训电路 2.微分运算实训电路 3.积分一微分运算实训电路
六、实训报告 整理实训中的数据及波形，总结积分、微分运算电路的特点。 分析实训结果与理论计算的误差原因。
实训7 分立元件稳压电源
一、实训目的 1.研究单相式整流、电容滤波及稳压电路的特性。 2.掌握串联型小功率稳压电源的设计、参数运算、器件选择、安装和主要技术指标的测试方法。
实训15 计数器及寄存器的应用
四、实训任务及步骤 双向移位寄存器: (1)逻辑功能测试 (2)用74LS194芯片组成环形计数器
五、实训报告要求 1.总结移位寄存器的逻辑功能表。 2.画出相应的输人、输出波形图。
实训16 555定时开关电路
一、实训口的 熟悉555集成时基电路的电路结构、工作原理及其特点。 掌握555集成时基电路的基本应用。
电子技术基础项目教程PPT课件
于开关的断开状态。 2.饱和区 定义：将UCE≤UBE时是区域称为饱和区。 接法：三极管发射结和集电结均为正偏. 特点：在理想状态下，三极管的发射极—集电极之间相
当于短路，类似于开关的闭合状态。
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3.放大区 定义：将UCE＞UBE且=0以上的区域称为放大区。 接法：三极管的发射结正偏，集电结反偏。 特点：三极管的输出电流和输入电流的关系满足
2.载流子在基区中扩散与复合的过程 由发射区注入基区的电子载流子不断地向集电结方
向扩散。由于基区宽度制作得很小，且掺杂浓度也很 低，从而大大地减小了复合的机会，使注入基区中的 电子载流子绝大部分都能到达集电结。故基区中是以 扩散电流为主的，且扩散与复合的比例决定了晶体管 的电流放大能力。 3.集电区收集载流子的过程
第22页/共62页
2.晶体管的识别 如果晶体管上有型号，可根据表2-1判别晶体管，若没
有用万用表进行测试。测试前应先将万用表调到R×1k 档，并调零。 （1）晶体管类型和管脚的判别 1）晶体管类型和基极的判别：用万用表的第一根表笔依 次接晶体管的一个引脚，而第二根表笔分别接另两根管 脚，轮流测量，直至两个电阻均很小。这时第一根表笔 所接的那个电极即为基极b，如果红表笔接基极则可判 定晶体管为PNP型；如果黑表笔接基极b，则为NPN型。 2）晶体管集电极和发射极的判定：判定晶体管集电极和 发射极的方法有以下两种。
集电结 P
基极b
N
发射结 P
集电区
基区 发射区
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发射极e
三区、三极、二结： 三个区：发射区、基区、集电区 三个极：发射极e、基极b、集电极c
最新《电子技术基础》中国劳动与社会保障出版社-第四版(100P)ppt课件
(1）按材料分: 有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极 管等。
(2）按结构分: 根据PN结面积大小,有点接触型、面 接触型二极管。
(3）按用途分: 有整流、稳压、开关、发光、光电、 变容、阻尼等二极管。
(4）按封装形式分:有塑封、玻璃封及金属封装等。 (5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。
《电子技术基础》教案
《电子技术基础》教案
§2－1 半导体三极管
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一、半导体三极管的结构、符号和类型
1、结构和符号 （1）、NPN结构三极管
3块半导体区
集电极（c）
N
2个PN结 3个电极
2个PN结
集电结
基极（b）
P
发射结
注意：这3块半导体和2个PN结的发射工结艺的特电流殊方，向 所以：
（1）、不能简单理解成2个二极管的反向串联
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《电子技术基础》教案
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《电子技术基础》教案
P
PN结（即二极管）的基本特性
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实验结论： PN结具有单向导电性
电流只能单个方向流过PN结，只能由P区流 向N区，即从二极管正极流向负极。
N
＋
—
正向偏置——导通；
反向偏置——截止
《电子技术基础》教案
§1－2 半导体二极管
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二极管的种类
（2）、集电结和发射结不能互换使用。
N
发射极（e）
《电子技术基础》教案
§2－1 半导体三极管
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一、半导体三极管的结构、符号和类型
1、结构和符号
（1）、NPN结构三极管 （2）、PNP结构三极管
集电极（c）
基极（b）
发射结的电流方向
电子技术基(第二版)础答案
电子技术基础1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。
因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN 结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。
《电子技术基础技能实训教程》课件
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
2.额定功率P
额定功率P 是指在一定条件下,电阻器能长期连续负荷
而不改变性能的允许功率。额定功率的大小也称为瓦(W)数
的大小,如1/8 W、1/4 W、1/2 W、1-W、2 W、3 W、5 W、
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
5.实训总结与分析
(1)了解所使用的磁电系微安表头的性能和使用方法。
磁电系微安表头是根据通电线圈在磁场中受力的原理制成的
指针式指示器,指针偏转的角度与通过线圈电流的大小成正
比。
(2)熟悉电阻元件分压、分流的基本原理和运算公式。
若测量50μA 以上的直流电流,应在表头上并入分流电阻RP,如
(3)根据上述要求确定测量电路,并计算出各电阻的参数
值。
(4)检测元器件。
(5)连接和调试电路。
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
在通电前,要先检查实训电路的连接是否正确,并用万用
表检查各器件间接触是否良好。用直流稳压电源模拟被测电
压信号(若用电压源模拟电流信号,应在电压源的输出端串入
一个相应的电阻)时,应先将输出电压的幅值调至最小。待检
作如图1.7所示。
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
图 1.7 万用表机械调零示意图
第1章 电阻元件的识别、检测与应用
(3)选择倍率挡。测量某一电阻器的阻值时,先把转换
开关旋钮旋到电阻挡(标有符号“Ω”处),然后再依据电阻器
的阻值正确选择倍率挡。
(4)电阻挡调零。在测量电阻之前还必须进行电阻挡调
接触电阻器的两引出端。此时,可从万用表表盘上读出读数。
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4、3 振荡的基本概念与原 理
(1)电路结构 与电感反馈式的区别:一是 LC 回路中,将电感支路与电 容支路对调,且在电容支路中将电容 C1、C2 接成串联分压形式, 通过 C2 将电压反馈到基极;二是在集电极加接电阻Re ,用以提供 集电极直流通路。
(2)工作原理 振幅起振条件:适当的选择 C1、C2 的数值,改变反馈量,即 可满足条件。
自激振荡器:依靠反馈维持振荡的振荡器称为反馈式自激 振荡器。
自激振荡器包括两个基本环节:放大器与反馈网络。
4、3 振荡的基本概念与原 理
方框图如图所示。
4、3 振荡的基本概念与原 理
3、自激振荡的条件
(1)相位平衡条件 反馈信号的相位必须与输入信号同相位,即反馈极性必须 是正反馈。
(2)振幅平衡条件 反馈信号 vf 的振幅应等于输入信号 vi 的振幅。即
反馈放大器与基本放大器的区别: (1)输入信号是信号源与反馈信号叠加后的净输入信号。
(2)输出信号在输送到负载的同时,还要取出部分或全部再回 送到原放大器的输入端。
(3)引入反馈后,使信号既有正向传输也有反向传输,电路形 成闭合环路。
4、1 反馈的基本概念
4、1、2 反馈的基本类 型
1、正反馈与负反馈 正反馈:反馈信号起到增强输入信号的作用。
f0 2
1 ( L1 L2 2M )C
式中,M 是线圈 L1 与 L2 之间的互感系数。
(2)特点 这种振荡电路易起振且振幅大,振荡频率可达几十兆赫。 缺点是振荡波形失真较大。
4、3 振荡的基本概念与原
理
3、电容反馈式振荡器 又称电容三点式振荡器。在图(b)交流通路中,三极管的三 个电极与电容支路的三个点相接,故而得名。电容三点式振荡电 路如图所示。
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负反馈
电压串联负反馈
交流负反馈
电压并联负反馈 电流串联负反馈
电流并联负反馈
5
2-5 在图中所示电路中，哪些可以实现交流电压放大？哪些 不能实现交流电压放大？为什么？
RB
+
ui C1
RC UCC
+
C2 u0
RB
+
ui
C1
RC UCC
+
C2 u0
RB
+
ui C1
a)
U CC
+
C2 u0
c)
b)
RC
U CC
d） 不能；交流通路，输入电阻ri短路为0。
8
2-6 画出图中电路的直流通路和交流通路。设各电路工作 在小信号状态，画出它们的微变等效电路。
RB1
C1 + +
ui
RB 2
RC
+
C2
RE
+
C3
U CC
+
u0
+ C1R+B
ui
U CC
+ C2 +
RE
RL u0
a)
b)
9
a) 直流通路
交流通路
RB1 RB1
3
2-3 射极跟随器有哪些特点？应用在哪些场合？
特点：1）电压放大倍数Au≈1且输出电压与输入电压相 位相同。
2）输入电阻大 3）输出电阻小
应用：①作为多级放大器的第一级，以减少信号电压在信 号源内阻上的损耗，尽可能获得较大的净输入信号电压。 ② 作为多级放大器的输出级，以增强带负载能力。
4
2-4 放大电路的负反馈有哪些类型？ 直流负反馈
+ ui
+
RB
+
C2
U BB
u0
d)
6
RB
+
ui C1
RC UCC
+
C2 u0
a)
RB
+
ui
C1
RC UCC
+
C2 u0
b)
解：a） 能；共发射极放大电路。 b） 不能；无静态工作点。
7
RB
+
ui C1
U CC
+
C2 u0
c)
RC
U CC
+ ui
+
RB
+
C2
U BB
u0
d)
c） 不能；交流通路中，无RC,输出电阻ro=0，从 而使输出电压为0。
倍数和总的电压放大倍数。
3）后级采用射极跟随器，有何优点？
RB1
+
ui RB2
RC1 VT1
RE1
U CC RB3
VT2 RE 2
+
RL u0
17
解：1）直流通路如下；
RB1
I RC1
CQ1
RB3
U CC
I CQ 2
VT1
RB 2
I BQ1
RE1
I EQ1
VT2
I BQ 2
RE 2
I EQ 2
RB
+
C1R+B
ui
RE
RE
U CC
+ C2
RL
U CC
+ ui+
+u0 ui
C1R+B
RB
RB
U CC
RE
+
CR2L
+ u+0
RE
RL u0
微变等效电路
ib
ic
+
rbe
ib
ui RB
RE RL
+
u0
11
2-7 在用示波器观测图a中所示电路的输出波形时，出现了图b所 示的波形，试分析此属于何种失真？应如何调节RB来消除失真？
12 4.5 3000
2.5mA
I BQ
ICQ
2.5103 5105 A 50
取 UBEQ 0.6V
RB
UCC U BEQ I BQ
12 0.6 5 105
228k
14
2-9 电路如图所示，晶体管的型号为3DG130，β=100，
rbe=1kΩ，RB1=30kΩ，RB2=51kΩ，RE=2kΩ，UCC=12V。
④ 耦合电容 C1 和 C2: 隔直流，通交流。
⑤ 直流电源UCC： 为放大器提供正常工作电流或电压。
2
2-2 设置静态工作点的目的是什么？偏低或偏高对输出波形 有什么影响？
目的：合适的静态工作点能保证放大电路不产生失真 偏低会使晶体管进去截止区，引起截止失真 偏高会使晶体管进去饱和区，引起饱和失真
1）试估算RB=0与RB=100kΩ时的ri。（补充：不考虑RL的值）
2）说明RB的作用。
U CC
解：1）交流通路如下； C1
RS
+
+
US
ui
RB1
RB
RB 2
+
RE RL
u0
RB1
RB RB 2
C2
+
RE RL u0
15
+
ui
RB1
RB
RB 2
+
RE RL
u0
微变等效电路如下；
ib
ic
+
2）RB能够增大输入电阻。 16
2-10 在图中所示两级阻容耦合放大电路中，已知UCC=12V, RB1=22kΩ，RB2=15kΩ， RC1=3kΩ，RE1=4kΩ， RB3=120kΩ， RE2=3kΩ, RL=3kΩ，β1=β2=50。 1）试求各级静态工作点。设UBE=0.7V。 2）画出放大电路的微变等效电路，并求各级电路的电压放大
RB rbe
ib
ui
RB1
RB 2 RE
RL
+
u
0
ri
ri，
ri， rbe 1 RE / /RL
=1k+101 2k=203k
ri ri，/ / RB RB1 / / RB2 =203 / / RB 18.9
RB 0时 ri =203 / /18.9 17k
RB 100k时
ri =203 / /118.9 75k
C1 + +
uRi B 2
RRB 2E
RC RCUCC UCC RB1
RC
+
C2
RE
+
C3
++ uu0ui+i
C1 +
RB1 RB 2
RB1 RB 2
RE
+
CR2C
R+C
C3
U CC
+
+ u0
u0
微变等效电路 ib
+
ui
RB1
RB 2
rbe
ic
+
ib RC u0
10
b) 直流通路
交流通路
RC
U CC
u0
RB
+
+
++
ui C1
C2 u0
O
t
a)
b)
解：饱和失真，为了消除失真，得让静态工作点
从饱和区移到放大区，则要减小IBCQ、ICQ。于是根 据分析直流通路，需要提高RB。
12
2-8 电路如图所示，调节电位器可以调节放大器的静态工作点。
已知RC=3kΩ，电源Ucc=12V，晶体管为3DG100，β=50。 1）如果要求ICQ=2mA，RB值应为多大？ 2）如果要求UCEQ=4.5V，RB值又应为多大？
RB
+ +
ui C1
RC
+
C2
UCC 解：1）直流通路如下；
+
u0
RB
RC U CC
Q
I BQ
ICQ
2 103 50
4105 A
取 UBEQ 0.6V
RB
UCC U BEQ I BQ
12 0.6 4105 285k
13Biblioteka 2）直流通路如下；RB
RC U CC
Q
ICQ
UCC
U CEQ RC
第二章 基本放大电路
习题解答
1
2-1 放大电路由哪几部分组成，各元器件的作用是什么？ 组成部分：信号源、晶体管、输出负载、电源偏置电路
各元器件作用： ① 三极管VT ：电流放大元件
② 偏置电阻Rb： 一是给发射结提供正偏电压通路； 二是决定电路基极电流的大小。
③ 集电极电阻 RC: 一是给集电结提供反偏电压通路； 二是将集电极电流转换为电压。
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