半导体三极管R解析

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1.3 半导体三极管R1解析

1.1.3 PN结一、PN结的形成
【】
内容回顾
1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; 2.内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; 3.当扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，形成PN结。二、PN结具有单向导电性： PN结加正向电压时导通， PN结加反向电压时截止。
1.2 半导体二极管
二极管的符号：
IR=(UI-UZ)/R=18mA
IDZ = IR- IL =6mA
∵ IZmin < IDZ < IZmax ∴ UO=6V
【例2】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。（1）分别计算UI为10V、20V、35V时输出UO的值。（2）若UI为35V时,负载开路，则会出现什么现象？
】【
内容回顾
I U
一、伏安特性
开启电压: 硅管0.5V,锗管0.1V。
导通电压:
硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V。
二、二极管的等效电路
【】
内容回顾
三、二极管的应用: 二极管整流、限幅
五、稳压二极管及应用 1. 稳压管的工作原理
稳压管的符号
2. 稳压管的主要参数
①稳定电压UZ
晶体管的放大作用: 小的基极电流可以控制大的集电极电流
共射放大电路
一、晶体管内部载流子的运动
1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC IB
IC
Uo’
∵ UO ′ <UZ ∴ 稳压管不工作，UO=3.33V
【例2】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。（1）分别计算UI为10V、20V、35V时输出UO的值。（2）若UI为35V时负载开路，则会出现什么现象？解：假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ′=RL/(RL+R) UI =6.7V ∵ UO ′>UZ 稳压管工作 IL=UZ/RL=12mA

半导体三极管R解析

2. 输出特性 4
iCfuC |EIB常数
IC(mA ) 100A
80A
3
此区域(截止区) IB=0, IC=ICEO≈0,
UBE< 开启电压
60A
2 40A
1
20A
IB=0
3
6
9
12
UCE(V)
IC(mA ) 4
此区域满足IC=IB称为线3 性区（放大区）
UBE>0 UCE>UBE
2
1
发射结正偏，集电3 结反偏。 6
【
PNP型
iB
iC
iE
发射极箭头的方向为射极电流的方向
】内容回顾
注意：NPN型与PNP型三极管符号的区别
1.3.2 晶体管的电流放大作用晶体管工作在放大状态的外部条件:
发射结: 正向偏置集电结: 反向偏置
晶体管的放大作用: 小的基极电流可以控制大的集电极电流
iB N iC
P N
共射放大电路
通常认为：，
iC i B U CE
iC
i E U CB
3. 特征频率fT ：使β的数值下降到1的信号频率。三、极限参数 1. 最大集电极耗散功率PCM 2. 最大集电极集电极电流ICM
3. 极间反向击穿电压
1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响温度升高时， ICBO增大。
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
电流关系： IC=IB , 且 IC = IB
电压关系：
（NPN)
（PNP）
UCUBUE UEUBUC
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。

三极管的工作原理

一¨川广————————————————』鼍黪蓬鎏三极管的工作原理三极管是最重要的电子器件。

如果没有三极管的发明，就没有今天的电子电路技术和微电子技术。

美国科学家巴丁制作成功世界上第一只半导体三极管．他因此而获得若贝尔奖。

三极管最重要的特性之一，是可以以小电流控制大电流，使信号放大成为可能。

如何实现信号放大并加以利用，这正是模拟电子技术需要研究的核心内容。

一、三极管内部结构及特点在普通三极管的外形如图１（ａ），其内部结构如图１（ｂ）所示．可以简要地把它归纳为。

两结三区三极”。

“两结”是发射结和集电结，“三区”是发射区、基区、集电区。

三极”是从三区分别引出的三个电极，即发射极、基极和集电极。

ＥＢＣＩａ）发射结集电结圈１三极管由两个ＰＮ结组成，但要注意，它们是一体的。

而不是独立的。

用两个二极管无论如何不可能组成一个三极管。

三极管的制作过程大体是这样的：在厚度极薄（微米级）的Ｐ型半导体基片的两侧，掺入大量的５价元素，形成两个Ｎ型区，因此出现了两个同体且彼此十分靠近的ＰＮ结。

这就是发射结和集电结。

这两个ＰＮ结将三极管分成三个区域。

通常把它们称作发射区、基区、集电区。

从这三个区引出三个电极。

就是发射极、基极和集电极。

分别用字母Ｅ、Ｂ、Ｃ来表示。

三极管结构中最主要的特点是：基区非常薄．使发射结和集电结靠的非常近；基区掺杂量极少，所以内部的载流子（空穴）数量也极少；发射区掺杂量很大。

所以内部载流子（电子）数量非常多；集电结的面积要比发射结大得多。

正是这几个特点。

三极管才具备了控制电流的功能。

成为最重要的电子器件。

二、三极管分类１．以制作材料分，根据制作的半导体材料不同．可以分为硅三极管和锗三极管。

２．以结构极性分，在制造中，如果基片是Ｐ型半导体．则两侧制作形成Ｎ型区．它的极性是ＮＰＮ；当然基片也可以是Ｎ型半导体，那么两侧制作形成Ｐ型区。

它的极性就是ＰＮＰ。

ＰＮＰ型三极管和ＮＰＮ型三极管在工作原理上是相同的，但内部流动的主体载流子极性是不同的。

三极管工作原理及详解

三极管工作原理及详解三极管是一种半导体器件，也被称为双极型晶体管。

它是由三个不同掺杂的半导体材料（P型、N型和P型）构成的。

三极管主要有三个区域，分别是发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。

三极管的工作原理是基于PN结和两个PN结之间的正偏压。

在三极管中，发射区被正向偏置，基极区与发射区之间的PN结是正向偏置的，而基极区与集电区之间的PN结是反向偏置的。

在正向偏置下，发射区和基极之间形成强烈的电子流。

三极管的工作原理可以通过以下过程来解释：1.关闭状态：当没有外部电压时，三极管处于关闭状态。

这时，发射区和基极之间的PN结是反向偏置的，导致电子无法通过这个结。

同时，基极区和集电区之间的PN结也是反向偏置的，阻止电流通过结。

2.开通状态：当在发射区和基极之间施加一定的正偏压时，发射区与基极之间的PN结将变得导电。

这时，电子从N区进入P区，然后重新组合成空穴进入基极区。

由于基极区非常薄，电子容易通过这个区域，这导致电子流从发射区进入基极区。

3.放大状态：在开通状态下，当电子进入基极区时，它们在基极区中会重新复合成空穴。

然而，由于基极区非常薄，复合的速度非常慢。

因此，大部分电子通过基极区，进入集电区而没有复合。

这样，发射区的电子流被放大，从而实现电流的放大功能。

总结起来，三极管的工作原理可以归结为以下三个步骤：1）施加正向偏压，使发射区和基极之间的PN结导电；2）电子从发射区进入基极区；3）电子在基极区中重新组合成空穴，并通过集电区。

除了电流放大功能之外，三极管还有其他重要的应用。

例如，它可以用于开关电路、放大电路和振荡电路。

在开关电路中，三极管可以用来控制开关的打开和关闭。

在放大电路中，三极管可以利用小信号输入来放大电流或电压。

在振荡电路中，三极管可以通过反馈来产生振荡信号。

总而言之，三极管是一种基本的半导体器件，其工作原理基于PN结和正向偏压的使用。

通过电子的流动和复合，三极管可以实现电流的放大和控制，从而为电子器件带来许多应用。

欧姆定律及二极管,三极管,MOST管知识讲解

雪崩二极管
雪崩二极管具有高耐压和高速开关特性，常用于高电压和高
频率的电路。
二极管的特性
单向导电性
01
二极管具有单向导电性，即电流只能在一个方向上通过二极管。
正向导通性
02
当二极管正向连接时，电流可以通过二极管，呈现低阻抗状态。
反向截止性
03
当二极管反向连接时，电流无法通过二极管，呈现高阻抗状态。
02
与三极管相比，MOST管具有更快的开关速度和更高的工作频率，同时具有更低的噪声和更高的集成度。
THANKS
感谢观看
集成度高
MOST管具有较大的输出电流和电压，能够高效地驱动电路和负载，减小功耗和提高系统性能。
MOST管可以与其他半导体器件集成在同一芯片上，实现高集成度的电路设计。
most管的应用
通信系统
MOST管适用于高速通信系统，如光纤通信、卫星通信和移动通信等，能够实现高速信号的传输和处理。
数字电路
大信号条件
在大信号条件下，欧姆定律可能不适用，因为电路可能进入饱和或截止状态。
02
二极管
二极管的种类
硅二极管
硅二极管是最常见的二极管类型，具有稳定性高、可靠性好
的特点。
锗二极管
锗二极管具有较低的门槛电压，适用于低电压的电路。
肖特基二极管
肖特基二极管具有高速开关特性和低功耗的特点，常用于高频电路。
的电流。
开关特性
三极管在一定条件下，可作为一个开关使用，即饱和与截止状态。
放大特性
三极管可以作为一个小型的放大器，将微弱的电信号放大成较强的信号。
三极管的应用
音频放大
利用三极管的放大特性，将音频信号放大后输出。

三极管知识及极性判别方法

三极管知识及极性判别方法一晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区''发射''的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区''发射''的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

二三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

三晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

四晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

第03章-半导体三极管及放大电路基础

VCC 、 VCC /Rc 2. 由直流负载线 VCE =VCC－ICRC 3. 得到Q点的参数IB 、IC 和VCE 。
退出
放大电路的动态图解分析
（1）交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，
其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc，
是交流负载电阻。
3.交流负载线是有交流输入信号时Q 点的运动轨迹。
退出
三极管电流分配
半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
退出
三极的工作原理
发射结加正偏时，从发射区将
有大量的电子向基区扩散，形成
的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩
散运动，但其数量小，形成的电
流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓
Av Vo /Vi
A I / I
i
oi
Ap Po / Pi Vo Io /Vi Ii
退出
(2) 输入电阻 Ri
输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数，Ri大放大电路从信号源吸取的电流小，反之则大。
Ri
Vi Ii
退出
(3) 输出电阻Ro
输出电阻是表明放大电路带负载的能力，
Ro大表明放大电路带负载的能力差，反之则强。
退出
双极型三极管的参数
参数型号
PCM
I CM
mW mA
3AX31D 125 125
3BX31C 125 125
3CG101C 100 30
3DG123C 500 50
3DD101D 5A
5A
3DK100B 100 30
3DKG23 250W 30A

用指针式万用表判断半导体三极管的极性和类型

用指针式万用表判断半导体三极管的极性和类型
1、先选量程：R﹡100或R﹡1K档位。

2、判别半导体三极管基极：
用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。

3、判别半导体三极管的c极和e极：
确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。

4、判别半导体三极管的类型：
如果已知某个半导体三极管的基极，可以用红表笔接基极，黑表笔分别测量其另外两个电极引脚，如果测得的电阻值很大，则该三极管是NPN型半导体三极管，如果测量的电阻值都很小，则该三极管是PNP 型半导体三极管。

三极管的工作原理详解，图文案例，立马教你搞懂

三极管的工作原理详解，图文案例，立马教你搞懂大家好，我是李工，希望大家多多支持我。

今天给大家讲一下三极管。

什么是三极管？三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。

通常指本征半导体三极管，即BJT管。

典型的三极管由三层半导体材料，有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。

施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。

三极管实物图三极管有哪三极？•基极：用于激活晶体管。

（名字的来源，最早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上，而这种基材形成了底座连接。

）•集电极：三极管的正极。

（因为收集电荷载体）•发射极：三极管的负极。

（因为发射电荷载流子）三极管的分类三极管的应用十分广泛，种类繁多，分类方式也多种多样。

根据结构•NPN型三极管•PNP型三极管根据功率•小功率三极管•中功率三极管•大功率三极管根据工作频率•低频三极管•高频三极管根据封装形式•金属封装型•塑料封装型根据PN结材料锗三极管硅三极管除此之外，还有一些专用或特殊三极管三极管的工作原理这里主要讲一下PNP和NPN。

PNPPNP是一种BJT，其中一种n型材料被引入或放置在两种p型材料之间。

在这样的配置中，设备将控制电流的流动。

PNP晶体管由2个串联的晶体二极管组成。

二极管的右侧和左侧分别称为集电极-基极二极管和发射极-基极二极管。

NPNNPN中有一种 p 型材料存在于两种 n 型材料之间。

NPN晶体管基本上用于将弱信号放大为强信号。

在NPN 晶体管中，电子从发射极区移动到集电极区，从而在晶体管中形成电流。

这种晶体管在电路中被广泛使用。

PNP和NPN 符号图三极管的3种工作状态分别是截止状态、放大状态、饱和状态。

接下来分享我在微信公众号看到的一种通俗易懂的讲法：三极管工作原理-截止状态三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。

这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。

用机械万用表判断半导体三极管的极性和类型

用机械万用表判断半导体三极管的极性和
类型
用万用表判断半导体三极管的极性和类型（用指针式万用表）
1.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位。

2.判别半导体三极管基极：
用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。

3.判别半导体三极管的c极和e极：
确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。

4.判别半导体三极管的类型。

如果已知某个半导体三极管的基极，可以用红表笔接基极，黑表笔分别测量其另外两个电极引脚，如果测得的电阻
值很大，则该三极管是NPN型半导体三极管，如果测量的电阻值都很小，则该三极管是PNP型半导体三极管。

三极管详细介绍

三极管百科名片三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。

什么是三极管三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。

其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。

三极管及其放大电路

第2章半导体三极管及其基本放大电路
2.1.3 .BJT的特性曲线
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。
工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特性曲线。
第2章半导体三极管及其基本放大电路
以共射放大电路为例：
输入特性：iBf vBEvCE 常数输出特性： iCf vCEiB常数
第2章半导体三极管及其基本放大电路
输出特性曲线可以划分为三个区域：饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
25℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
第2章半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小。此时Je正偏，Jc正偏。
电压增益2＝ 0lgAV dB 电流增益2＝ 0lgAI dB
由于功率与电压（或电流）的平方成比例，因此功率增益表示为：
功率增益＝10lgAP
【 AP
Po 】 Pi
第2章半导体三极管及其基本放大电路
2.2.2
+
VS
-
R
＝
i
Vi I i
输入电阻Ri
I i
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
2.3 共射基本放大电路
共射基本放大电路组成
放大的外部条件
输入回路
输出回路
两个回路正确的直流偏置
ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻
RC为集电极偏置电
阻
第2章半导体三极管及其基本放大电路

超详细的晶体三极管原理讲解和应用分析，以水龙头比喻太恰当了

超详细的晶体三极管原理讲解和应用分析，以水龙头比喻太恰当了什么是三极管？三极管，全称为半导体三极管、双极型晶体管或者晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

晶体三极管是一种三端器件，内部含有两个相距很近的PN结（发射结和集电结），两个PN结加上不同极性、不同大小的偏置电压时，晶体三极管呈现不同的特性和功能。

晶体三极管由于结构不同，可以分为NPN型三极管和PNP型三极管，NPN型三极管和PNP型三极管的逻辑符号如下图1所示。

图1 NPN型三极管和PNP型三极管逻辑符号三极管的三种工作状态是非常重要的，是无线电基础中的基础。

对此我是这样理解的。

无论是NPN型三极管还是PNP型三极管，当发射结加正向偏置电压，而集电结加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在放大模式；而当其发射结和集电结都加正向偏置电压时，该三极管就工作在饱和模式；而当发射结和集电结同时加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在截止模式。

为此我编了一句顺口溜：发正集反是放大；全正饱和全反截，希望对大家理解有用。

既然晶体三极管那么重要，那么我们改如何正确理解三极管的工作原理，并正确使用三极管呢？小何下面就跟大家一一分享。

三极管的工作原理三极管的放大原理如下图2所示，晶体管中大小与输入信号呈正比的输出信号可以认为是从电源来的，他们的输入信号从基级进入而从发射级出来，晶体管只是吸收此时输入信号的振幅信息，由电源重新产生输出信号，这就是放大的原理。

图2 三极管放大原理值得注意的是，对于三极管放大作用的理解，必须切记一点：根据能量守恒定律，能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。

晶体管的内部工作原理就是对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源，使基极-发射极间电流的数十至数百倍（因晶体管种类而异）的电流在集电极与发射极之间流动。

半导体三极管的高频等效线路

, ,
.
刀 a M n
及Ha n a 3 o He
B 曰c o K Hx
用公式 ( 5 的一 ( 6 1 ) 换算
电源的正方向如圆
5
“
电源
、
, ,
时
,
这些
.
q a e To T
,
圆
、
把公式 ( i ) 一 ( 6 )
及 (
53)一
及圆 7 的箭头所示 2 2 ( )一 ( 27 ) ( 35)一 ( 43 )
.
。
—
,
-
-
·
-
’
~
`
、
’
’
’
’
;
。
,
。
圈限制在分析一些这样的投备它的输出电压 ( 电流 ) 对蝙
入电压的相位改变是不很重耍的
.
。
。
杂
,
因而要完善地来分析针算这些现象对半导体三板管
。
P
u 侧提出的楼路是比较精确些了 l
1
.
引
曾
,
。
号
”
牟导体三扼管的频率特性决定于一系列的因素这些因素和三拯管中所菠生的现象的物理本臀有关它关联到非基本的载流子任移的扩散特性电位阻擂屠的电容量锡的效应内部和表面的复合等等现象是这样的复
,
。
,
。
羹
.
1
羹
}
1 1
意 1 一 6]

三极管工作原理介绍，NPN和PNP型三极管的原理图与各个引脚介绍

三极管工作原理介绍，NPN和PNP型三极管的原理图与各个引脚介绍三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

PNP与NPN两种三极管各引脚的表示：三极管引脚介绍NPN三极管原理图：PNP三极管原理图：常见的三极管为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。

其中9012与8550为pnp型三极管，可以通用。

其中9013与8050为npn型三极管，可以通用。

区别引脚：三极管向着自己，引脚从左到右分别为ebc，原理图中有箭头的一端为e，与电阻相连的为b，另一个为c。

箭头向里指为PNP（9012或8550），箭头向外指为NPN（9013或8050）。

如何辨别三极管类型，并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极①用指针式万用表判断基极b 和三极管的类型：将万用表欧姆挡置“R × 100” 或“R×lk” 处，先假设三极管的某极为“基极”，并把黑表笔接在假设的基极上，将红表笔先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都很小（或约为几百欧至几千欧），则假设的基极是正确的，且被测三极管为 NPN 型管；同上，如果两次测得的电阻值都很大（约为几千欧至几十千欧），则假设的基极是正确的，且被测三极管为 PNP 型管。

如果两次测得的电阻值是一大一小，则原来假设的基极是错误的，这时必须重新假设另一电极为“基极”，再重复上述测试。

②判断集电极c和发射极e：仍将指针式万用表欧姆挡置“R × 100”或“R × 1k” 处，以NPN管为例，把黑表笔接在假设的集电极c上，红表笔接到假设的发射极e上，并用手捏住b和c极（不能使b、c直接接触），通过人体，相当 b 、 C 之间接入偏置电阻，读出表头所示的阻值，然后将两表笔反接重测。

项目5-半导体三极管的检测与识别

身也要消耗一部分功率来产生热量。因为功率三极管在正常工作时，其集电结是反偏的，因此，管子的耗散功率主要是集中在集电结上，这就使集电结的结温迅速升高，而引起整个管子的温度升高，严重时会使管子烧毁。要保证管子的安全，必须将管子的热量散发出去。散热条件越好
则对应于相同结温所允许的管耗就越大，输出功率也就越大。为了减小热阻，改善散热条件，一般大功率三极管都必须加装散热片。表5.6列出了两种大功率三极管的在达到额定功率所要求的散热片的尺寸，还给出了没有加散热片时的输出功率情况。
项目相关知识
半导体器件是近60年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。常用三极管的外型和封装形式如图5.1所示。
图5.1 常用管型号由5部分组成，如表5.5所示
第一部分
第二部分
• （1）三极管的基极和管型的判断
• 将黑表笔任接一极，红表笔分别依次接另外两极。若在两次测量中表针均偏转很大（说明管子的PN结已通，电阻较小），则黑笔接的电极为b极，同时该管为NPN型；反之，将表笔对调（红表笔任接一极），重复以上操作，则也可确定管子的b极，其管型为PNP型。
• （2）三极管的质量好坏的判断
技能与技巧
指针式万用表的使用技巧
技巧1：“舍近求远”
转动万用表的拨盘时，一定要顺时针旋转，比如原来的挡位是 “R×100”，想要扭转到“R×1 k”挡，就要旋转一大圈才行，这样能有效地保护万用表的多刀多掷开关，使之不损坏。
技巧2：“偷工减料”
测量电路的通断或者是测量二极管和三极管的PN结电阻时，不必做欧姆挡的校准工作。
两种大功率三极管所需要的散热片尺寸（铝材）
表5.6
型号额定功率不加散热片时的输出功率达到几种典型功率所要求的散热片尺寸（长×宽×高）

模拟电子技术三极管详解

成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。
第 2 章半导体三极管
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th))
MOS工作原理
DS 间的电位差使沟道呈楔形， uDS ，靠近漏极端的沟道厚
度变薄。
预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前： uDS iD。
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管 2.2 单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数
第 2 章半导体三极管
第 2 章半导体三极管
二、耗尽型 N 沟道 MOSFET
Sio2 绝缘层中掺入正离子
D 在 uGS = 0 时已形成沟道；
B 在 DS 间加正电压时形成 iD，
G S
uGS UGS(off) 时，全夹断。
iD /mA
2V
0V
2V
uGS = 4 V
O
uDS /V
输出特性
当 uGS UGS(off) 时，
O
iiiBBB===
00 0uCE
第 2 章半导体三极管
2.1.3 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
4 iC / mA
1. 共发射极电流放大系数
3
— 直流电流放大系数
Q
II23CB.40NN5110II0CB63AA
IC8B2O ICBO
IC IB
2 1
— 交流电流放大系数