半导体三极管R解析

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解:假设稳压管不工作
UI为10V时
Uo’
UO ′=RL/(RL+R) UI =3.33V
∵ UO ′ <UZ ∴ 稳压管不工作,UO=3.33V
【例2】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、20V、35V时输出UO的值。 (2)若UI为35V时负载开路,则会出现什么现象? 解:假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ′=RL/(RL+R) UI =6.7V
5V
15V 5.7V 10.7V 1.4V
0.7V
§1.3
几种常见外形
双极型晶体管
晶体管的结构
1.3.1 晶体管的结构和类型
发射区 基区 集电区
NPN型
e 发射极
c
集电极
发射结 b
基极
集电结
发射极箭头的方向
为射极电流的方向
集电极
c
PNP型
NPN型
b
基极
P N
iB
iC
iB
iC
P e
iE
iE
发射极
流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。
稳压管正向工作时和二极管的特性完全相同。
注意!
4. 稳压管的应用 【例1】典型应用电路:
RL 为负载电阻,R 限流电阻, 当UI变化时, 由于稳压管的作用,输出UO不变。
【例2】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流 IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V时输出UO的
注意:NPN型与PNP型三极管 符号的区别
三极管的结构特点: 集电极 c
2、基区很薄且掺
杂浓度很低 b
3、集电结的
P
面积很大
N
基极
P
1、发射区的
e 掺杂浓度最高
发射极
1.3.2 晶体管的电流放大作用
晶体管工作在放大 状态的外部条件:
发射结: 正向偏置 集电结: 反向偏置
iB N iC
P N
晶体管的放大作用: 小的基极电流可以控 制大的集电极电流
∵ UO ′>UZ 稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA IDZ = IR- IL =6mA ∵ IZmin < IDZ < IZmax
∴ UO=6V
【例2】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、20V、35V时输出UO的值。 (2)若UI为35V时,负载开路,则会出现什么现象?
2. 稳压管的主要参数
①稳定电压UZ
UZ是指击穿后在电流为规定值时,管子两端的电压值。
②稳压电流IZ
IZ是稳压二极管正常工作时的参考电流。工作电流小
于此值时,稳压二极管将失去稳压作用。
③额定功耗PZM
PZM 等于稳定电压UZ与最大稳定电流IZM (或 IZmax )
的乘积。
3. 稳压管的稳压条件 必须工作在反向击穿状态;
1.2 半导体二极管
二极管的符号:
一、伏安特性
开启电压: 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通电压: 硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V。
【 】 内容 回顾 I
U
二、二极管的等效电路
【 】 内容 回顾
三、二极管的应用: 二极管整流、限幅
五、 稳压二极管及应用 1. 稳压管的工作原理
稳压管的符号
共射放大电路
一、晶体管内部载流子的运动
IC
1. 发射结加正向电压, 扩散运动形成发射极 电流IE
2. 扩散到基区的自由
IB
ห้องสมุดไป่ตู้
电子与空穴的复合运
动形成基极电流IB
3.集电结加反向电压, 漂移运动形成集电极 电流IC
值。
(2)若UI为35V时负载开路,则会出现什么现象?
首解先题假思设路稳压管不工作(开路),求出其两端电 压,是否满足稳压条件①;然后假设稳压管工作 (稳压),看其是否满足稳压条件②。
【例2】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、20V、35V时输出UO的值。 (2)若UI为35V时负载开路,则会出现什么现象?
UI为35V时,同理可求出 UO =6 V
UI为35V时负载开路 UO ′>UZ
假设稳压管工作 IR=(UI-UZ)/R=29mA IDZ = IR- IL =29mA
∵ IDZ > IZmax ∴稳压管将因功耗过大而损坏
【例3】两只稳压管的稳压值分别为5V和10V,正向 导通电压为0.7V,将它们串联或者并联,可能得到几 种电压值?
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