半导体三极管

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三极管

Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决定的那一条输出特性曲线的交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路中交流分量流过的通路。画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。

三极管的概念

三极管的概念
三极管的概念：
三极管，也称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

其主要功能是将微弱信号放大成幅度值较大的电信号，同时也用于实现无触点的开关操作。

三极管通常由一个N型半导体和一个P型半导体组成的两个PN结构成，这两个PN结将半导体基片分割成三个区域：基区、发射区和集电区。

基区位于中间，两侧分别为发射区和集电区。

三极管的结构包括三个端子，分别是基极（用字母b表示）、集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。

这些端子允许电流从一个区域流向另一个区域，从而实现了信号的放大和切换功能。

三极管的工作状态可以是放大状态，此时它起到放大作用；也可以是饱和状态，这时它可以作为开关使用。

三极管是电子电路的核心元件，广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、振荡器、开关电路以及稳压器等。

此外，根据三极管的类型不同，可以分为NPN型和PNP型。

在使用三极管时，可以通过对其电流放大系数的测量来确定其好坏，这个系数通常用符号β表示。

总结来说，三极管是一种能够控制电流的半导体设备，主要用于信号放大和开关应用，它是电子学中最基本的组件之一。

半导体三极管

放大截止饱和倒置
正向反向三极管饱和反向时的管压降反向正向UCE被称作正向
为三极管的反向饱和压降
放大状态时有： IC=β IB+ICEO≈βIB
UCE=UCC-IC*Rc 减小Rb，IB增大； IC增大，UCE减小集电结反偏电压减小。饱和后，UCE≈0, IC=(UCC-UCES)/Rc IC≈UCC/Rc 饱和条件： IB>IC/β IB>(UCC-UCES)/βRc≈UCC/(β Rc）
半导体三极管
3.1 概述
半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT）
c
N P N 集电极集电结
NPN型 c b
PNP型
c b
b
基极
发射结
e
e
发射极
e
三极管的发射极的箭头方向，代表三极管工作在放大，饱和状态时，发射极电流（IE）的实际方向。
半导体三极管的分类：
按材料分：按结构分：按使用频率分：按功率分：硅管、锗管 NPN、 PNP 低频管、高频管小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
NPN: 0.35V,0.3V,1V 1V
+VCC
-VCC
PNP: -0.2V,0V,-0.05V -0.05V -0.2V
PNP
0.35V
NPN
0.3V
0V
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态发射结电压集电结电压
放大截止饱和
正向反向正向
反向反向正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 4、不饱和则看有没有两个电压差为正向导通电压例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V

什么是三极管

什么是三极管三极管，又被称为晶体管，是一种常见的电子元件。

它是一种半导体器件，能够用来放大电流、开关电路或作为电流稳定源。

三极管的结构和工作原理决定了它在电子电路中的重要性和广泛应用。

本文将详细介绍三极管的定义、结构、工作原理以及应用领域。

一、定义三极管是一种包含三个电极的半导体器件，通常由两种不同类型的半导体材料组成。

它的三个电极分别为基极、发射极和集电极。

三极管可用于控制电流流动，并在电子电路中实现信号放大功能。

二、结构三极管的结构由两种类型的半导体材料构成：P型半导体和N型半导体。

这两种材料的结合形成了两个 P-N 结，分别被称为基结和发射结。

其中，发射结夹在基结中间，集电极连接到基结，而发射极连接到发射结。

三、工作原理三极管的工作原理是通过调节基极电流控制集电极电流的大小。

当基极电流很小或者没有流过时，三极管处于截止状态，完全不导电。

当基极电流逐渐增大时，三极管进入放大区。

此时，三极管的集电极电流将正比于基极电流，且比基极电流大很多倍。

当基极电流进一步增大时，三极管会饱和，此时集电极电流不再随基极电流的增大而增大，达到饱和电流后保持不变。

四、应用领域由于三极管具有信号放大和电流控制的特点，因此在电子领域有广泛的应用。

以下是几个常见的三极管应用领域：1. 放大器: 三极管可以作为放大电路的关键元件，用于放大音频、视频等信号。

通过调节输入信号的电流，可以实现不同增益的放大效果。

2. 开关电路: 三极管可以用作开关电路的控制器。

在开关状态下，三极管可以让电流通过或者阻断，从而实现开关的功能。

3. 正反馈电路: 三极管可以用于正反馈电路的构建，从而实现自激振荡。

在振荡器、发射机等电子设备中都有广泛应用。

4. 电流稳定源: 三极管可以作为电流稳定源，提供一个稳定且可控的电流。

这在一些需要精确电流控制的电路中特别有用。

结论通过了解三极管的定义、结构、工作原理和应用领域，我们可以看到三极管在电子电路中的重要性和多功能性。

什么是三极管

什么是三极管半导体三极管又称"晶体三极管"或"晶体管"。

具有三个电极，能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP(或NPN)结构。

中间的N区(或P区)叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c。

结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有PNP和NPN两种组合。

三个接出来的端点依序称为发射极(Emitter，E)、基极(Base，B)和集电极(Collector，C)，名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。

图中也显示出NPN与PNP三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。

在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的P型区和N型区隔开。

三极管的电特性和两个PN接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓"正向活性区"(Forwardactive)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的PN接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。

为一PNP三极管在此偏压区的示意图。

EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。

图片画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。

三极管和两个反向相接的PN二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。

以上述之偏压在正向活性区之PNP三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。

当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。

第03章-半导体三极管及放大电路基础

VCC 、 VCC /Rc 2. 由直流负载线 VCE =VCC－ICRC 3. 得到Q点的参数IB 、IC 和VCE 。
退出
放大电路的动态图解分析
（1）交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，
其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc，
是交流负载电阻。
3.交流负载线是有交流输入信号时Q 点的运动轨迹。
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三极管电流分配
半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
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三极的工作原理
发射结加正偏时，从发射区将
有大量的电子向基区扩散，形成
的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩
散运动，但其数量小，形成的电
流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓
Av Vo /Vi
A I / I
i
oi
Ap Po / Pi Vo Io /Vi Ii
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(2) 输入电阻 Ri
输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数，Ri大放大电路从信号源吸取的电流小，反之则大。
Ri
Vi Ii
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(3) 输出电阻Ro
输出电阻是表明放大电路带负载的能力，
Ro大表明放大电路带负载的能力差，反之则强。
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双极型三极管的参数
参数型号
PCM
I CM
mW mA
3AX31D 125 125
3BX31C 125 125
3CG101C 100 30
3DG123C 500 50
3DD101D 5A
5A
3DK100B 100 30
3DKG23 250W 30A

半导体三极管(BJT)

3.1 半导体三极管（BJT ）3.1.1 BJT 的结构简介：半导体三极管有两种类型：NPN 型和PNP 型。

结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。

3.1.2 BJT 的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

1. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子；集电区：收集载流子；基区：传送和控制载流子（以NPN 为例）。

以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。

2. 电流分配关系3. 三极管的三种组态共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE 表示。

共基极接法：基极作为公共电极，用CB 表示。

共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC 表示。

载流子的传输过程ααββ-=⨯=1B C i i EB i i ⨯-=)1(αEC i i ⨯=α4. 放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。

实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。

（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。

3.1.3 BJT 的特性曲线1. 输入特性曲线const V BE B CE V f i ==|)(。

(1) 当V V CE0=时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。

(2) 当V V CE 1≥时，V V V V BE CE CB 0>-=，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的V BE 下，I B 减小，特性曲线右移。

(3) 输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区。

2. 输出特性曲线放大区：v CE = 0V v CE ≥ 1VBJT 的三种组态consti CE C B V f i ==|)(i C平行于v CE轴的区域，曲线基本平行等距。

三极管百科

三极管三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。

目录三极管的主要参数判断基极和三极管的类型测判三极管的口诀展开什么是三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。

其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal OxideSemi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。

三极管参数大全

三极管知识简介概述半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。

它最主要的功能是电流放大和开关作用。

三极管顾名思义具有三个电极。

二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。

其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。

由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。

三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。

实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。

它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。

在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等，它们的型号也都印在金属的外壳上。

我国生产的晶体管有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。

符号的第一部分“3”表示三极管。

符号的第二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。

符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。

另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。

三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

三极管有一个重要参数就是电流放大系数 b。

当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流b 倍的电流，即集电极电流。

三极管ppt课件

生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号的能力，当输入信号频率接近或超过截止频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影响，使得输出信号的幅度和相位发生变化。
05
三极管功率放大电路设计与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源

3 三极管

IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
（2）观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明：放大状态
在三极管型号命名方法中，涉及到材料、结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列，例如C90系列的三极管，平面朝向自己时，从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率：小、大、中功率管 (4) 按工作频率：低频管、高频管 (5) 按用途分：普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；
这些特点使BJT不同于两个单独的PN结，而呈现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理实验电路接线图
输出回路
输入回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小信号）在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做数字开关）。
数字开关：

1-2_半导体三极管

场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。

载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率：功率：材料：类型：1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；示向。

集电结反偏集电结反偏，有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。

CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。

进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN数扩散到集电结。

3、三极管的电流分配关系I B定义：发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化，则会导致在流在定义：流放大倍数流放大倍数：的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。

所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画，即各电极电压与电流的关系曲线，是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线：好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即：结和发射结的两个性曲线。

（反偏状态，可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区，且基区复合减少，明显增大，特性曲线将向右稍微移动一些。

输出特性曲线=0V时，因集电极无收集作用，i C=0。

当uCEu稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时，如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集，此后uCE电流没有明加，电流也没有明显的增加，特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。

三极管的基本知识

三极管的基本知识概念：半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。

作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 作无触点开关。

三极管工作原理半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。

三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

主要参数特征频率f T当f= f T时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率f大于f T,电路将不正常工作.工作电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.h FE电流放大倍数.V CEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.P CM最大允许耗散功率.晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。

为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。

名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）频率特性高频差好好应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路应用NPN型三极管相当于常闭型水龙头，在没有用力打开水闸时，水龙头是关着的，NPN型三极管在基极（b）没有电压或接地时，集电极（c）到发射极（e）是关掉的，处于断路状态。

三极管

1.3.4 T的主要参数的主要参数
一、直数 β 2. 共基直流电流放大系数直流电流放大系数 α 3. 极间反向电流
___
___
___
IC β ≈ IB ___ IC α ≈ IE
I CBO I CEO
I CBO — e极开路时结的反向饱和电流极开路时c结的反向饱和电流极开路时
E
ICEO = (1 + β ) ICBO
二、交流参数交流参数
1. 共射交流电流放大系数 2. 共基交流电流放大系数交流电流放大系数 3. 特征频率
∆iC β≈ ∆iB
∆iC α≈ ∆iE
数值下降到1的信号频率称为使 β 数值下降到的信号频率称为特征频率
例：UCE=6V时：IB = 40 µA, IC =1.5 mA；时； IB = 60 µA, IC =2.3 mA。求共射极放大电路的直。流放大倍数和交流放大倍数
4 3 2 1
IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏，集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ，饱和区。称为饱和区称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
2011-10-13
1.3.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol)
一、结构两种: 两种 NPN PNP
发射区集电区
三极: 三极 e(Emitter) ：发射极 b(Base）：基极 c(Collector)：集电极三区: 三区 e,b,c 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大两节: 两节 Je,Jc

半导体三极管的参数

半导体三极管的参数摘要：一、半导体三极管的基本结构和种类二、半导体三极管的主要极限参数三、半导体三极管的电性能参数及其意义四、半导体三极管的应用和型号正文：一、半导体三极管的基本结构和种类半导体三极管，顾名思义，具有三个电极，由两个PN 结构组成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b 表示）。

其他的两个电极成为集电极（用字母c 表示）和发射极（用字母e 表示）。

由于不同的组合方式，形成了一种是npn 型的三极管，另一种是pnp 型的三极管。

二、半导体三极管的主要极限参数半导体三极管的主要极限参数包括以下几个：1.集电极最大允许电流icm：半导体三极管允许通过的最大电流即为icm。

当集电极电流ic 增大到一定程度时，值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。

因此，规定值下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流icm。

2.集电极最大允许耗散功率pcm：集电极耗散功率实际上是集电极电流ic 和集电极电压uce 的乘积。

三、半导体三极管的电性能参数及其意义半导体三极管的电性能参数包括以下几个：1.VCEO--集电极- 发射结饱和电压：表示集电极和发射极之间的电压达到最大值时，三极管的电流不再增加，此时的电压即为集电极- 发射结饱和电压。

2.ICBO--集电结反向饱和电流：表示当集电极和发射极之间的电压为负时，三极管的电流不再减小，此时的电流即为集电结反向饱和电流。

四、半导体三极管的应用和型号半导体三极管主要用于电流放大和开关作用，广泛应用于各种电子电路和设备中。

由于不同的型号和生产厂家，三极管的性能和参数可能会有所不同。

常见的三极管型号有2SC33740（或2SC3374B），蓝箭电子、江苏长江电子等。

第三节三极管

国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管
第二位：锗第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、管锗管 C硅PNP管、D硅NPN管硅管硅管第三位：低频小功率管低频小功率管、低频大功率管低频大功率管、第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管高频小功率管、高频大功率管高频大功率管、开关管高频小功率管
BJT是由两个结组成的。是由两个PN结组成的是由两个结组成的。
一.BJT的结构的结构
NPN型
发射结集电结
PNP型
发射结集电结
e 发射极
N
-
P
N
c
集电极
e 发射极
P
-
N
P
c
集电极
发射区基区集电区
发射区基区集电区
基极
基极
b
eb
-
-
c
b
符号: 符号
eb
-
-
c
三极管的结构特点: 三极管的结构特点＞＞集电区掺杂浓度（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。）基区要制造得很薄且浓度很低。
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const 输出特性曲线
现以i 一条线加以说明。现以 B=60uA一条线加以说明。一条线加以说明（1）当uCE=0 V时，iC=0。）时。（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。）（3）当uCE ＞1V后，收）

半导体三极管的参数

半导体三极管的主要参数有以下几个：1. 集电极最大允许电流（ICM）：半导体三极管允许通过的最大电流。

当集电极电流IC 增大到一定程度时，三极管的电流放大系数会明显下降，此时三极管尚可使用，但已不宜继续加大电流。

因此，规定IC 下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。

2. 集电极最大允许耗散功率（PCM）：集电极耗散功率实际上是集电极电流IC 和集电极电压UC 的乘积。

这是三极管能够正常工作的最大功耗，超过这个功耗值三极管可能会过热损坏。

3. 电流放大系数（hFE）：也称为电流增益，是指三极管输出电流与输入电流之比。

电流放大系数越大，说明三极管的放大能力越强。

4. 带宽（fT）：三极管在工作状态下，输出信号的频率响应受到限制，这个限制频率称为带宽。

带宽反映了三极管响应速度的快慢，带宽越宽，响应速度越快。

5. 输入阻抗（Zi）：三极管输入端的阻抗，影响三极管对输入信号的吸收能力。

输入阻抗越大，吸收能力越强。

6. 输出阻抗（Zo）：三极管输出端的阻抗，影响三极管驱动外部负载的能力。

输出阻抗越小，驱动能力越强。

7. 极性：半导体三极管有npn 型和pnp 型两种极性，分别由n 型半导体基底、p 型半导体基底和n 型半导体构成。

8. 温度系数：三极管的性能参数（如电流放大系数、带宽等）随温度的变化而变化的程度。

9. 饱和电压（Vceo）：当三极管的集电极电流IC 增大到一定程度时，集电极与发射极之间的电压达到峰值，此电压称为饱和电压。

10. 开启电压（Vge）：当三极管的基极电压Vb 大于开启电压时，三极管开始导通。

11. 关闭电压（Vce）：当三极管的基极电压Vb 小于关闭电压时，三极管截止。

半导体三极管概述

4. 结电容
结电容是指PN结在结两端电压作用下形成的电容效应。结电容主要由两部分组成：一是PN结在正向电压作用下，扩散电流的变化形成的电容效应，称之为扩散电容，通常记作，它与通过PN结的扩散电流的大小成正比例；二是PN 结在反向电压作用下，电场的变化形成的电容效应，称之为势垒电容，通常记作，它与作用在PN结两侧的反向电压的大小成反比例。结电容是造成三极管产生频率响应的主要原因，也是影响三极管开关速度的主要原因。
实验如图，把三极管接成二个电路，基极电路和集电极电路，发射极是公共端，这种接法称为三极管的共发射极接法。以NPN管为例，发射结加正向电压，集电极加反向电压，三极管才能起放大作用。
IC
mA
IB
+
A
RB
+ V UBE
V UCE
+ EC
–
+– –
–
EB
三极管电流测量数据
IB(mA) IC(mA) IE(mA)
五. 三极管的工作状态
三极管的工作状态主要由三极管的二个PN结各自所承受的偏置电压的大小和极性所决定的。三极管有二个PN结，而每一个偏置电压又有二种可能的极性，即正向偏置和反向
偏置，因此，可构成三极管的三种工作状态：饱和、放大、截止。
单极型三极管
双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。
把基极电流的微小变化
能够引起集电极电流较大变
C
化的特性称为晶体管的电流放大作用。

半导体二极管三极管

例 1 的图
[例 1] 图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少？R 是限流电阻，
其值是否合适？
[解]
IZ12 .6 0 1 130 2 A510 3A5m A
IZ < IZM ，电阻值合适。
9.4 半导体三极管
9.4.1 基本结构 BE
二氧化硅保护膜
E 铟球
N 型硅 P 型硅 N 型硅
C
(a) 平面型
发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。
晶体管的三种工作状态如下图所示
IB
UBC
<
0
IC +
+
+
UCE
UBE > 0
(a)放大
IB
=
0
+
+
UBC
<
IC
0
+ E
IB
UBC >
0IC
+
U CC RC
+
+
UCE 0
IB/m
0
A
0.10
0.02 0.04 0.06 0.08
IC/m < 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10
A
3.95
结论IAE/：m((12))
< I0E.00I1C0I.B72 1符.5合4 基2尔.3霍6 夫3定.1律8 4IC.0和5 IE 比 IB 大得多。从第三列和第四列的数据可得
(3)当 IB = 0(将基极开路)时，IC = ICEO，表中 ICEO <
0.001 mA = 1 A。
(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。