1.2半导体三极管同步练
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
最新1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放
1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
三极管练习题
晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。
5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。
7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的极限参数分别是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。
（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。
（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。
A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第一章二级管和三极管习题5页
一、选择合适答案填入空内。
1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小3、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 1001、A ，C2、A3、C4、A二、计算1、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
2、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
解：u i和u o的波形图所示。
3、电路如下图所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
解：波形如解图所示。
4、电路如图所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5第 1 页第 2 页解：u O 的波形如下图所示。
5、 电路如下图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管的直流电流I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1mA 6、 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
半导体三极管基础知识测试题
2020秋季电子技术基础第二次月考半导体三极管基础知识测试题（满分100分，时间：1.5小时）一、填空题（每空0.5分，共32分）1、三极管有两个PN结，即结和结；有三个电极，即极、极和极,分别用符号、、或、、表示。
2、半导体三极管有型和型,前者的图形符号是，后者的图形符号是。
3、某半导体三极管的（集电极与发射极之间的电压）UCE 不变，基极电流IB=30μA时，Ic=1.2 mA。
则发射极电流IE = mA.如果基极电流IB增大到50μA时, IC增加到2 mA,则发射极电流IE= mA,三极管的电流放大系数β= 。
4、三极管基极电流IB 的微小变化，将会引起集电极电流IC的较大变化,这说明三极管具有作用。
5、当UCE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性。
6、硅三极管发射结的死区电压约为 V。
锗三极管的死区电压约为 V。
半导体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为 V，锗管的约为 V。
7、三极管工作在放大状态时,其结必反偏，结必正偏。
集电极电流与基极电流的关系是，其中最大，最小。
由于IB的数值远远小于Ic，如忽略IB ，则Ic IE。
8、当三极管的发射结，集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或，集电结时，工作在截止区。
9、半导体三极管放大的实质是。
10、三极管工作在饱和区时，IC决定于，而与无关，这时三极管（有,无)电流放大作用。
11、三极管的输出特性分为、放大、三个区。
工作在放大区时必须使三极管的结保持正向偏置，结保持反向偏置。
12、当温度升高时，三极管的β将，反向饱和电流ICEO，正向结压降UBE ，,三极管的输入特性曲线将。
13、半导体三极管的ICEO，是指极开路的情况下，电流。
14、三极管电流放大系数太小,电流放大作用；电流放大系数太大，会使三极管的性能。
15、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
16、三极管的极限参数分别是、和、。
半导体二极管和三极管习题及答案
半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，（）。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由（）构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是（）器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是（）器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是（）。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（）。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1
电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1202311半期考前复习题-电子技术1.自然界的物质按照导电能力不同,可分为________三大类型。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
[填空题] *空1答案：导体、绝缘体和半导体2.目前用来制造半导体器件的材料是 __________，它们都是四价元素具有晶体结构。
[填空题] *空1答案：硅和锗3. 半导体又称_______ [填空题] *空1答案：晶体4.半导体具有3个奇妙且可贵的特性:_________。
在纯净的半导体中掺人微量的三价或五价元素,它的导电性能将大大增强。
应用掺杂技术可以制造出二极管、三极管、场效晶体管、晶闸管和集成电路等半导体器件。
[填空题] *空1答案：掺杂性5._________. 导温度对半导体的导电能力影响很大。
温度越高，价电子获得的能量越大，挣脱共价键柬缚形成自由电子和空穴就越多，导电能力就越强。
利用平导体对温度十分敏感的特性，可以制成热敏电阻及其他热敏器件。
[填空题] *空1答案：热敏性6._________. 半导体受到光照时，自由电子和空穴数量会增多，导电能力随之增强,这就是半导体的光电性。
利用这种特性能制造各种光电器件，如光电二极管、光电三极管、光控晶闸管等，如图1-3所示，从而实现路灯、航标灯的自动控制或制成火灾报。
[填空题] *空1答案：光电性7.在硅、锗半导体中，人为掺人微量的其他元素后,所得的半导体称为________,其类型有P型半导体和N型半导体,这两种半导体是制造各种半导体器件的基础材料。
[填空题] *空1答案：杂质半导体8.在纯净半导体硅或锗中掺人硼、铝等三价元素就形成_________。
特点是:空穴数量多，自由电子数量少，参与导电的主要是带正电荷的空穴，所以又称空穴半导体[填空题] *空1答案：P型半导体9.在纯净半导体硅或锗中掺人微量磷、砷等五价元素就形成________。
特点是:自由电子数量多，空穴数量少，参与导电的主要是带负电荷的自由电子，所以又称自由电子半导体。
模拟电子技术课程习题 第一章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
第二章--半导体三极管练习题
第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定 4. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定5. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定6. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U 7. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>> 8. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBOI I )1(β+= D. βααβ=+9. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a0.1Vb0.5Vc0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a0.1Vb0.3Vc0.5V答案：b5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的β为_____a40b50 c60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a升高b降低c不变答案：b10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。
a发射极b基极c集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案：a15.当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真a饱和b截止c饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案：c25.既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。
第1章半导体二极管三极管(例题)
(二)光电二极管 光电二极管工作于反向偏置状态. 光电二极管工作于反向偏置状态.无光照时电路 中电流很小,有光照时电流会急剧增加. 中电流很小,有光照时电流会急剧增加.
D E
D I E
RL
光电二极管电路
发光二极管电路
(三)发光二极管 发光二极管工作于正向偏置状态. 发光二极管工作于正向偏置状态.正向电流通过 发光二极管时,它会发出光来, 发光二极管时,它会发出光来,正向工作电压一般不 左右. 超过 2 V,正向电流为 mA左右.发光二极管常用 ,正向电流为10 左右 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源. 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源.
∵ UDA > UDB VY 优先导通, 截止. ∴ DA 优先导通, DB截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VA = 3V 锗二极管: 锗二极管:VY = VA - UD = 2.7V R 硅二极管: 硅二极管:VY = VA - UD = 2.3V -6V
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, 时 分析输出端的电位V 例4: 当VA = 3V,VB = 0V时,分析输出端的电位 Y.
+6V
DA
R VY
VA VB VA VB
DB DB DA
∵ UDB > UDA 优先导通, 截止. ∴ DB 优先导通, DA截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VB = 0V 锗二极管: 锗二极管:VY = VB B + UD = 0.7V
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分别为3 , 例6 当Us 分别为 2 V,4 V,而 ui 分别为 V, , , 3 V 时,试画出 uo 的波形. 的波形.
九年级物理 半导体同步练习 沪科版
沪科九下《19.2 半导体》节节练及答案
1·家庭电路中常用铜材料做导电的元件，如导线的铜芯、灯头、灯座、插头、插座等接头处·这是因为铜是良好的_________体·而大地、油、人体、石墨、汞、空气中，容易导电的是______________
2·塑料、橡胶、玻璃它们都是_________体·但玻璃加热后、塑料、橡胶烧焦后都可能变为____________ 体·导体和绝缘体并没有严格的界限，当条件改变时绝缘体也会变为导体·
3·常用的二极管、三极管中的主要材料都是用__________体做成的·半导体有很多特性，如单向导电性、热敏性、光敏性、压敏性等，有些半导体受光照射时还会产生电流，太阳电池就是一例·
4·空气会导电吗?请举例说明·
5·如果把半导体二极管与灯泡串联后再接人交流电路，灯泡会亮吗?
6·压敏电阻受到的压力增大时，电阻会随之变小·试利用压敏电阻设计一个可以表示汽车油箱内油量多少的示意图·(油量表可用电流表)·
答案。
半导体三极管同步练
课题 3 ：半导体三极管【任务一】半导体三极管基础知识1．三极管的构造包括：（ 1）三个区，即：区、区、区；（ 2）三个极，即：极，用字母表示，极，用字母表示，极，用字母表示，（ 3）两个结，即：结、结。
2．因为半导体基片资料的不一样，三极管可分为型和型两类。
3．在下表中画出PNP、 NPN型三极管的构造图和图形符号。
NPN型三极管PNP型三极管结构符号结构符号4．三极管的电流放大作用（ 1）在下表中记录仿真切验数据，并进行剖析。
I B (mA)I C ( mA)I E ( mA)由表格中的数据可知，I B、 I C和 I E之间的关系式为：。
（ 2）依据基尔霍夫节点电流定律，在以下横线上写出NPN型和 PNP型三极管三个电极上的电流关系式综上所述三极管的电流分派规律为：。
（ 3）由仿真切验数据表能够得出，三极管的电流放大原理为：，即本质上是用基极电流I B的变化控制集电极电流I C的变化。
5．判以下三极管的基本联接方式（ a）（b）（c）【任务二】三极管的特征曲线及主要参数1．三极管的输入特征指的是在必定的条件下，加在三极管与之间的电压，和它产生的电流之间的关系。
2．三极管的输出特征指的是在必定的条件下，三极管与之间的电压与电流之间的关系。
3．在下表中画出三极管的输入输出特征曲线。
三极管输入特征曲线三极管输出特征曲线4．三极管的输出特征曲线分为以下三个区，在这三个区中，三极管的偏置电压特色为：（ 1）截止区：；（ 2）放大区：；（ 3）饱和区：。
【任务拓展】1．在晶体三极管放大电路中，测得三极管的三只脚的电位如右图所示，则该三极管所用资料为，管型为，1、2、3脚的名称分别1232V 2.7V 6V为、、。
2． 9012 和 9013 是我们最常用到的三极管，依据平常技术训练课老师所讲的，我们知道：图（a）所示9012 是（NPN型或是PNP型）三极管，图（ b）所示9013 是（ NPN型或是PNP型）三极管，图（a）所示的1、 2、 3 脚分别是极、极、极。
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课题3：半导体三极管
【任务一】半导体三极管基础知识
1．三极管的结构包含：
（1）三个区，即： 区、 区、 区；
（2）三个极，即： 极，用字母 表示， 极，用字母 表示， 极，用字母 表示，
（3）两个结，即： 结、 结。
2．由于半导体基片材料的不同，三极管可分为 型和 型两类。
3．在下表中画出PNP 、NPN 型三极管的结构图和图形符号。
4．三极管的电流放大作用
（1）在下表中记录仿真实验数据，并进行分析。
由表格中的数据可知，B I 、C I 和E I 之间的关系式为： 。
（2）根据基尔霍夫节点电流定律，在下列横线上写出NPN 型和PNP 型三极管三个电极上的电流关系式
综上所述三极管的电流分配规律为： 。
（3）由仿真实验数据表可以得出，三极管的电流放大原理为：
，
即实质上是用基极电流B I 的 变化控制集电极电流C I 的 变化。
5．判下列三极管的基本联接方式
（a ） （b ） （c ）
【任务二】三极管的特性曲线及主要参数
1．三极管的输入特性指的是在 一定的条件下，加在三极管 与 之间的电压 ，和它产生的 电流 之间的关系。
2．三极管的输出特性指的是在 一定的条件下，三极管 与 之间的电压 与 电流 之间的关系。
3．在下表中画出三极管的输入输出特性曲线。
4．三极管的输出特性曲线分为如下三个区，在这三个区中，三极管的偏置电压特点为： （1）截止区： ； （2）放大区： ； （3）饱和区： 。
【任务拓展】
1．在晶体三极管放大电路中，测得三极管的三只脚的电位如右图所示，则该三极管 所用材料为 ，管型为 ，1、2、3脚的名称分别 为 、 、 。
2．9012和9013是我们最常用到的三极管，根据平时技能训练课老师所讲的， 我们知道：图（a ）所示9012是 （NPN 型或是PNP 型）三极管， 图（b ）所示9013是 （NPN 型或是PNP 型）三极管，图（a ）所 示的1、2、3脚分别是 极、 极、 极。
1
3
26V 2.7V 2V
3．已知某三极管10.02B I mA =,1 1.22C I mA =,20.03B I mA =，2 1.73C I mA =， 则该三极管的β值为 。
4．晶体三极管工作在饱和状态时，它的C I 将（ ）
A ．随
B I 增加而增加 B ．随B I 增加而减小
C ．只决定于C R 和G V 而与B I 无关
D ．无法确定 5．用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN 型晶体管，各电极对地的电位分别为12V V =，26V V =，
3 2.7V V =，则该晶体管各脚的名称是（ ）
A ．脚1为C ，脚2为
B ，脚3为E B ．脚1为E ，脚2为
C ，脚3为B C ．脚1为B ，脚2为E ，脚3为C
D ．无法判断
6．用直流电压表测量PNP 型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是 4.7B V V =-， 4.3C V V =-，4E V V =-，则该晶体管的工作状态是（ ）
A ．饱和状态
B ．放大状态
C ．截止状态
D ．无法判断 7．NPN 型和PNP 型晶体管的区别是（ ）
A ．由两种不同的材料硅和锗制成
B ．掺入的杂质不同
C ．P 区和N 区的位置不同
D ．电流放大倍数不同 8．当晶体管集电极电流大于它的最大允许电流CM I 时，该管子（ ）
A ．放大能力降低
B ．必定过热至烧毁
C ．仍能正常工作
D ．被击穿 9、判断下列各三极管的工作状态（设NPN 型为硅管，PNP 型为锗管）。