半导体三极管1

第4章三极管及放大电路基础1

与的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明：例：UCE=6V时：曲线的疏密反映了的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管，所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数

扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理

1gm 贴片三极管长电

1gm 贴片三极管长电（实用版）目录1.1gm 贴片三极管的概述2.1gm 贴片三极管的特点3.长电公司的简介4.长电公司生产的 1gm 贴片三极管的优势5.1gm 贴片三极管的应用领域正文一、1gm 贴片三极管的概述1gm 贴片三极管是一种常见的半导体元器件，具有体积小、性能稳定、可靠性高等优点。

它广泛应用于各类电子设备中，如放大器、振荡器、信号处理器等。

二、1gm 贴片三极管的特点1.体积小：1gm 贴片三极管采用贴片封装，具有较小的体积，适合高密度安装。

2.性能稳定：1gm 贴片三极管具有稳定的电流放大特性，可以提供可靠的信号放大功能。

3.可靠性高：1gm 贴片三极管具有较高的工作稳定性，可以在较恶劣的环境条件下稳定工作。

三、长电公司的简介长电公司是一家专业生产半导体元器件的企业，拥有丰富的生产经验和先进的生产设备。

公司产品涵盖了各类三极管、场效应管、集成电路等，广泛应用于通信、家电、工业控制等领域。

四、长电公司生产的 1gm 贴片三极管的优势1.高质量：长电公司生产的 1gm 贴片三极管采用优质的材料和先进的生产工艺，保证了产品的高质量。

2.稳定性能：长电公司生产的 1gm 贴片三极管具有稳定的电流放大特性，可以提供可靠的信号放大功能。

3.多样化产品：长电公司提供多种封装形式的 1gm 贴片三极管，满足不同客户的需求。

五、1gm 贴片三极管的应用领域1.电子设备：1gm 贴片三极管广泛应用于各类电子设备中，如放大器、振荡器、信号处理器等。

2.家电产品：1gm 贴片三极管在家电产品中也有广泛应用，如电视机、收音机、洗衣机等。

三极管

Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决定的那一条输出特性曲线的交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路中交流分量流过的通路。画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。

三极管的概念

三极管的概念
三极管的概念：
三极管，也称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

其主要功能是将微弱信号放大成幅度值较大的电信号，同时也用于实现无触点的开关操作。

三极管通常由一个N型半导体和一个P型半导体组成的两个PN结构成，这两个PN结将半导体基片分割成三个区域：基区、发射区和集电区。

基区位于中间，两侧分别为发射区和集电区。

三极管的结构包括三个端子，分别是基极（用字母b表示）、集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。

这些端子允许电流从一个区域流向另一个区域，从而实现了信号的放大和切换功能。

三极管的工作状态可以是放大状态，此时它起到放大作用；也可以是饱和状态，这时它可以作为开关使用。

三极管是电子电路的核心元件，广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、振荡器、开关电路以及稳压器等。

此外，根据三极管的类型不同，可以分为NPN型和PNP型。

在使用三极管时，可以通过对其电流放大系数的测量来确定其好坏，这个系数通常用符号β表示。

总结来说，三极管是一种能够控制电流的半导体设备，主要用于信号放大和开关应用，它是电子学中最基本的组件之一。

半导体三极管及其放大电路专题

（1）U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=12V （2）U1=3V、 U2=2.8V、 U3=12V （3）U1=6V、 U2=11.3V、 U3=12V （4）U1=6V、 U2=11.8V、 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。
解：原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。
2
1
03 6 ICEO
截止条件：
100A 发射结反偏（或零偏），集电结反偏。
80A
60A 特点：
40A （1）三极管无电流放大作用，相当于一
20A 个断开的开关。uBE小于死区电压，发射结 IB=0 反偏。
9 12 UCE(V) （2)IB=0，IC不为0，IC=ICEO≈0。
截止区
ICEO叫穿透电流。
三极管的开关特性
• 三极管同二极管一样，也可以作为电子开关器件，构成电子开关电路。当三极管用于开关电路中时，三极管工作在截止区和饱和区。如下表是三极管开关特性说明。
开关状态三极管工作状态内阻特性
解说
开关接通饱和状态开关断开截止状态
集电极与发射极间内阻很小
集电极与发射极间内阻很大
二、三极管的电流放大作用
1。放大作用的内部条件：
发射区掺杂浓度最高基区掺杂浓度最低且最薄
2. 放大作用的外部条件：集电区面积最大
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看：
C
NPN
发射结正偏集电结反偏
发射结正偏集电结反偏
VB>VE
VC>VB PNP
VB<VE VC<VB
N
B
P

半导体三极管

放大截止饱和倒置
正向反向三极管饱和反向时的管压降反向正向UCE被称作正向
为三极管的反向饱和压降
放大状态时有： IC=β IB+ICEO≈βIB
UCE=UCC-IC*Rc 减小Rb，IB增大； IC增大，UCE减小集电结反偏电压减小。饱和后，UCE≈0, IC=(UCC-UCES)/Rc IC≈UCC/Rc 饱和条件： IB>IC/β IB>(UCC-UCES)/βRc≈UCC/(β Rc）
半导体三极管
3.1 概述
半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT）
c
N P N 集电极集电结
NPN型 c b
PNP型
c b
b
基极
发射结
e
e
发射极
e
三极管的发射极的箭头方向，代表三极管工作在放大，饱和状态时，发射极电流（IE）的实际方向。
半导体三极管的分类：
按材料分：按结构分：按使用频率分：按功率分：硅管、锗管 NPN、 PNP 低频管、高频管小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
NPN: 0.35V,0.3V,1V 1V
+VCC
-VCC
PNP: -0.2V,0V,-0.05V -0.05V -0.2V
PNP
0.35V
NPN
0.3V
0V
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态发射结电压集电结电压
放大截止饱和
正向反向正向
反向反向正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 4、不饱和则看有没有两个电压差为正向导通电压例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V

【高中通用技术】三级管

放
大
状
态
IBQ=(VCCVICBQE=Q)β/*RIBBQ VCEQ=VCC-ICQ*RC
放
大
状
分压式偏置放大电路
特点：稳定静态工作点
态
VBQ=VCC*RB2/(RB1+RB2) VBEQ=VBQ-VEQ IEQ=VEQ/RE ICQ≈IEQ IBQ=ICQ/β VCEQ=VCC-ICQ*RE-IEQ*RE
02 三极管的接法
三极管的接法
03 三极管放大电路
放
大
状
态
放大器无信号输入时的直流工作状态叫做静态。设置静态工作点的目的就是要保证在被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。
可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。所谓静态工作点，是指当放大电路处于静态时，电路所处的工作状态。
电阻。当室内温度上升到一定值时，R2值变小，UCE 小于0.3V，风扇电
机 M启动运转。此时三极管处于
C
A.放大状态 B.截止状态
C.饱和状态
D.触发状态
练
习
现要将该电路用于下雨提示，当湿敏传感器MS检测到雨水时，接通电路，使V2发光。下列元器件与电路的连接中正确的是( B)
练
习

三极管
01 场效应管
场
效
应
管
半导体三级管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为电流控制型器件。场效应管（FET）是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件,称为电压控制型器件。

三极管

N
E EB
PNP VB<VE VC<VB
EC
第一章半导体二极管、三极管
晶体管放大的条件
发射区掺杂浓度高 1.内部条件基区薄且掺杂浓度低 I B
集电结面积大 2.外部条件发射结正偏集电结反偏
RB
mA A
IC
mA
C B
3DG6
E
IE
EC
晶体管的电流分配和放大作用
电路条件: EC>EB 发射结正偏集电结反偏
基极开路
第一章半导体二极管、三极管
三、极限参数
1. 集电极最大允许电流 ICM
集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 2.反向击穿电压
（1）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。基极开路时 C、E极间反向击穿电压。（2）集电极－基极反向击穿电压U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B极间反向击穿电压。（3）发射极－基极反向击穿电压U(BR)EBO — 集电极开路时 E、B极间反向击穿电压。
第一章半导体二极管、三极管
一、输入特性
iC
iB f (uBE ) u
uCE 0
iB
RB + + uBE

CE常数
与二极管特性相似
RB +

B + RC + 输出 RB E uCE 输入回路 + uBE + EC 回路 EB IE

iB
C

1A贴片三极管丝印参数

Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol VCBO
VCEO VEBO ICBO
ICEO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat)
fT
Cob
Test conditions
IC= 10µA, IE=0
IC= 10mA, IB=0
Min.
Max.
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
2.550
0.950 TYP.
1.800
2.000
0.550 REF.
0.300
0.500
0°
8°
Dimensions In Inches
f=100MHz VCB=10V,f=1MHz
Min Typ 80 50 30 65 45 30 6
Max Unit V
V V
0.1 μA
0.1 μA
0.1 μA
110
220
200
450
420
800
0.5 V
1.1 V
100
MHz
4.5 pF
A,May,2011
Typical Characteristics
BC846 BC847 BC848
BC846 BC847 BC848
DEVICE MARKING BC846A=1A; BC846B=1B; BC847A=1E; BC847B=1F; BC847C=1G; BC848A=1J; BC848B=1K: BC848C=1L

半导体三极管和场效应管(1)

击穿电压。
ＢＵCES——基射极间短路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。ＢＵEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此
电压一般较小, 仅有几伏左右。上述电压一般存在如下关系：
BUCBO BUCES BUCEO BU EBO
2.2 单极型半导体三极管
场效应管（简称FET）是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故也叫单极型半导体三极管。因它具有很高的输入电阻，能满足高内阻信号源对放大电路的要求，所以是较理想的前置输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，因而得到了广泛的应用。
一般硅三极管的穿透电流小于１μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。
当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处
于反向偏置状态。对ＮＰＮ三极管, ＵＢＥ＜０, ＵBC＜０。
(2) 放大区。
此时发射结正向运用, 集电结反向运用。在曲线上是
2.37 1.16
1.74
0.983
1.77
2.1.2 三极管的特性曲线
Rc IC ＋
mA
－
Rb
IB
A
＋
＋
UCCBiblioteka UBBuBEV －
V UCE －
图 2 – 6 三极管共发射极特性曲线测试电路
1.
当ＵＣＥ不变时, 输入回路中的电流ＩＢ与电压ＵＢＥ之间的关系曲
线称为输入特性, 即
IB / mA
IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.96

3 三极管

IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
（2）观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明：放大状态
在三极管型号命名方法中，涉及到材料、结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列，例如C90系列的三极管，平面朝向自己时，从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率：小、大、中功率管 (4) 按工作频率：低频管、高频管 (5) 按用途分：普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；
这些特点使BJT不同于两个单独的PN结，而呈现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理实验电路接线图
输出回路
输入回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小信号）在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做数字开关）。
数字开关：

三极管简介

半导体双极型三极管又称晶体三极管，通常简称晶体管或三极管，它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。

它具有结构牢固、寿命长、体积校、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。

基本介绍双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。

双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。

这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。

这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。

两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。

双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。

在基极区域，空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。

由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。

双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。

而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。

1-2_半导体三极管

场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。

载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率：功率：材料：类型：1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；示向。

集电结反偏集电结反偏，有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。

CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。

进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN数扩散到集电结。

3、三极管的电流分配关系I B定义：发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化，则会导致在流在定义：流放大倍数流放大倍数：的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。

所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画，即各电极电压与电流的关系曲线，是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线：好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即：结和发射结的两个性曲线。

（反偏状态，可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区，且基区复合减少，明显增大，特性曲线将向右稍微移动一些。

输出特性曲线=0V时，因集电极无收集作用，i C=0。

当uCEu稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时，如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集，此后uCE电流没有明加，电流也没有明显的增加，特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。

三极管的基本知识

三极管的基本知识概念：半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。

作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 作无触点开关。

三极管工作原理半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。

三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

主要参数特征频率f T当f= f T时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率f大于f T,电路将不正常工作.工作电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.h FE电流放大倍数.V CEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.P CM最大允许耗散功率.晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。

为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。

名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）频率特性高频差好好应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路应用NPN型三极管相当于常闭型水龙头，在没有用力打开水闸时，水龙头是关着的，NPN型三极管在基极（b）没有电压或接地时，集电极（c）到发射极（e）是关掉的，处于断路状态。

三极管基本知识

RB EB
ICE N P E IBE N
C
E
IE
从基区扩散来的电子作为集电结的少子，少子，漂移进入集电结而被收集，收集，形成I 形成 CE。
2、各极电流关系、
IC=ICE+ICBO ≈ICE C B
ICBO
IB=IBE-ICBO≈IBE
RB EB
IB
ICE N P IBE N IE
0.4
0.8
UBE(V)
2、输出特性、 4
此区域满足IC=βIB β 称为线性区（放大区）。
IC(mA )
当UCE大于一定的数值时，的数值时，IC只有关，与IB有关， 100µA µ IC=βIB。 β
3 2 1 3 6 9
80µA µ 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
1.三极管的结构是由二个PN结形成的，它的类型有 PNP型和NPN型。 2.三极管的电流放大作用，三极管的输入、输出特性。 3.三极管有电流放大的特性，三极管有三种工作状态：放大状态、截止状态、饱和状态。作业：见参考书2、P 102 4 ，P 103 12
5.集-射极反向击穿电压集射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压U 超过一定的数值时，当集---射极之间的电压 CE超过一定的数值时，三极 ---射极之间的电压管就会被击穿。手册上给出的数值是25° 、管就会被击穿。手册上给出的数值是 °C、基极开路时的击穿电压U 时的击穿电压 (BR)CEO。
6. 集电极最大允许功耗 CM 集电极最大允许功耗P
• 集电极电流 C 集电极电流I 流过三极管，流过三极管，所发出的焦耳热为：热为： PC =ICUCE • 必定导致结温上升，所以PC 上升，所以有限制。有限制。 PC≤PCM

第三节三极管

国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管
第二位：锗第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、管锗管 C硅PNP管、D硅NPN管硅管硅管第三位：低频小功率管低频小功率管、低频大功率管低频大功率管、第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管高频小功率管、高频大功率管高频大功率管、开关管高频小功率管
BJT是由两个结组成的。是由两个PN结组成的是由两个结组成的。
一.BJT的结构的结构
NPN型
发射结集电结
PNP型
发射结集电结
e 发射极
N
-
P
N
c
集电极
e 发射极
P
-
N
P
c
集电极
发射区基区集电区
发射区基区集电区
基极
基极
b
eb
-
-
c
b
符号: 符号
eb
-
-
c
三极管的结构特点: 三极管的结构特点＞＞集电区掺杂浓度（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。）基区要制造得很薄且浓度很低。
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const 输出特性曲线
现以i 一条线加以说明。现以 B=60uA一条线加以说明。一条线加以说明（1）当uCE=0 V时，iC=0。）时。（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。）（3）当uCE ＞1V后，收）

半导体三极管概述

4. 结电容
结电容是指PN结在结两端电压作用下形成的电容效应。结电容主要由两部分组成：一是PN结在正向电压作用下，扩散电流的变化形成的电容效应，称之为扩散电容，通常记作，它与通过PN结的扩散电流的大小成正比例；二是PN 结在反向电压作用下，电场的变化形成的电容效应，称之为势垒电容，通常记作，它与作用在PN结两侧的反向电压的大小成反比例。结电容是造成三极管产生频率响应的主要原因，也是影响三极管开关速度的主要原因。
实验如图，把三极管接成二个电路，基极电路和集电极电路，发射极是公共端，这种接法称为三极管的共发射极接法。以NPN管为例，发射结加正向电压，集电极加反向电压，三极管才能起放大作用。
IC
mA
IB
+
A
RB
+ V UBE
V UCE
+ EC
–
+– –
–
EB
三极管电流测量数据
IB(mA) IC(mA) IE(mA)
五. 三极管的工作状态
三极管的工作状态主要由三极管的二个PN结各自所承受的偏置电压的大小和极性所决定的。三极管有二个PN结，而每一个偏置电压又有二种可能的极性，即正向偏置和反向
偏置，因此，可构成三极管的三种工作状态：饱和、放大、截止。
单极型三极管
双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。
把基极电流的微小变化
能够引起集电极电流较大变
C
化的特性称为晶体管的电流放大作用。