半导体三极管与基本放大电路

合集下载

第4章三极管及放大电路基础1

与的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明：例：UCE=6V时：曲线的疏密反映了的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管，所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数

扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理

三极管及放大电路基础教案

三极管及放大电路基础教案章节一：三极管概述教学目标：1. 了解三极管的定义、结构和工作原理。

2. 掌握三极管的类型和符号。

教学内容：1. 三极管的定义：三极管是一种半导体器件，具有放大电信号的功能。

2. 三极管的结构：三极管由发射极、基极和集电极组成。

3. 三极管的工作原理：通过基极控制发射极和集电极之间的电流。

4. 三极管的类型：NPN型和PNP型。

5. 三极管的符号：NPN型三极管符号为“N”，PNP型三极管符号为“P”。

教学活动：1. 讲解三极管的定义、结构和工作原理。

2. 展示三极管的实物图和符号图。

3. 引导学生通过实验观察三极管的工作状态。

章节二：放大电路基础教学目标：1. 了解放大电路的定义和作用。

2. 掌握放大电路的基本组成和原理。

教学内容：1. 放大电路的定义：放大电路是一种通过反馈作用放大电信号的电路。

2. 放大电路的作用：放大微弱的信号，使其具有足够的功率驱动负载。

3. 放大电路的基本组成：电源、三极管、输入电阻、输出电阻和反馈电阻。

4. 放大电路的原理：通过三极管的放大作用，实现电信号的放大。

教学活动：1. 讲解放大电路的定义、作用和基本组成。

2. 展示放大电路的原理图和实际电路图。

3. 引导学生通过实验观察放大电路的工作状态。

章节三：三极管的放大特性教学目标：1. 了解三极管的放大特性。

2. 掌握三极管的放大原理。

教学内容：1. 三极管的放大特性：三极管的放大能力与基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系。

2. 三极管的放大原理：通过基极电流的控制，实现发射极和集电极之间电流的放大。

教学活动：1. 讲解三极管的放大特性和放大原理。

2. 分析三极管放大电路的输入和输出特性曲线。

3. 引导学生通过实验观察三极管的放大特性。

章节四：三极管放大电路的设计与应用教学目标：1. 了解三极管放大电路的设计方法。

2. 掌握三极管放大电路的应用。

教学内容：1. 三极管放大电路的设计方法：根据输入和输出信号的要求，选择合适的三极管、电阻等元件，设计合适的电路。

半导体三极管及放大电路基础知识讲解

半导体三极管及放大电路基础知识讲解第一节学习要求第二节半导体三极管第三节共射极放大电路第四节图解分析法第五节小信号模型分析法第六节放大电路的工作点稳固问题第七节共集电极电路第八节放大电路的频率响应概述第九节本章小结第一节学习要求〔1〕把握差不多放大电路的两种差不多分析方法--图解法与微变等效电路法。

会用图解法分析电路参数对电路静态工作点的阻碍和分析波形失真等；会用微变等效电路法估算电压增益、电路输入、输出阻抗等动态指标。

〔2〕熟悉差不多放大电路的三种组态及特点；把握工作点稳固电路的工作原理。

〔3〕把握频率响应的概念。

了解共发射极电路频率特性的分析方法和上、下限截止频率的概念。

第二节半导体三极管〔BJT〕BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，由于PN结之间的相互阻碍，使BJT表现出不同于单个 PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。

本节将围绕BJT什么缘故具有电流放大作用那个核心问题，讨论BJT的结构、内部载流子的运动过程以及它的特性曲线和参数。

一、BJT的结构简介BJT又常称为晶体管，它的种类专门多。

按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有小、中、大功率管；按照半导体材料分，有硅管、锗管；依照结构不同，又可分成NPN型和PNP型等等。

但从它们的外形来看，BJT 都有三个电极，如图3.1所示。

图3.1是NPN型BJT的示意图。

它是由两个 PN结的三层半导体制成的。

中间是一块专门薄的P型半导体(几微米~几十微米)，两边各为一块N型半导体。

从三块半导体上各自接出的一根引线确实是BJT的三个电极，它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。

尽管发射区和集电区差不多上N型半导体，然而发射区比集电区掺的杂质多。

在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的大，这从图3.1也可看到，因此它们并不是对称的。

二、BJT的电流分配与放大作用1、BJT内部载流子的传输过程BJT工作于放大状态的差不多条件：发射结正偏、集电结反偏。

三极管及放大电路基础

IC(mA ) 4
3
2
1 36
截止区
100A 80A
IB= 60A 40A 20A 0 9 12 VCE(V)
IC RC
IB B C
VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
（1-13）
特点:VBE＜死区电压, IB≤0≈0, IC ≤ICEO≈ 0,VCE ≈EC
这时三极管C 、 E端相当于: 一个断开的开关。
过大，温升过高会烧坏三极管。所以要求：
PC =IC VCE≤PCM 6.集-射极反向击穿电压V(BR)CEO ——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。
（1-22）
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
IC ICM
ICVCE=PCM
安全工作区
O
V(BR)CEO
VCE
（1-23）
八、晶体管参数与温度的关系
IC RC
IB B
C VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
如何判断是否截止？
若：VBE ≤0(死区电压)
或 VC＞VE ＞VB 三极管可靠截止
IC
VCE
C RC
E
EC
（1-14）
(3) 放大区：IC=IB区域 , 发射结e正偏，集电结c反偏特点: IC=IB , 且 IC = IB , VCE＝EC－IC RC
（1-29）
三极管在电路中的应用
1、放大电路对三极管放大电路的分析，包括静态分析和动态分析两部分。也就是直流方面的分析和交流方面的分析直流方面的分析主要是判断三极管是否有合适的直流工作条件交流方面的分析主要是判断放大电路是否能够正常的放大信号。

第03章-半导体三极管及放大电路基础

VCC 、 VCC /Rc 2. 由直流负载线 VCE =VCC－ICRC 3. 得到Q点的参数IB 、IC 和VCE 。
退出
放大电路的动态图解分析
（1）交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，
其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc，
是交流负载电阻。
3.交流负载线是有交流输入信号时Q 点的运动轨迹。
退出
三极管电流分配
半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
退出
三极的工作原理
发射结加正偏时，从发射区将
有大量的电子向基区扩散，形成
的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩
散运动，但其数量小，形成的电
流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓
Av Vo /Vi
A I / I
i
oi
Ap Po / Pi Vo Io /Vi Ii
退出
(2) 输入电阻 Ri
输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数，Ri大放大电路从信号源吸取的电流小，反之则大。
Ri
Vi Ii
退出
(3) 输出电阻Ro
输出电阻是表明放大电路带负载的能力，
Ro大表明放大电路带负载的能力差，反之则强。
退出
双极型三极管的参数
参数型号
PCM
I CM
mW mA
3AX31D 125 125
3BX31C 125 125
3CG101C 100 30
3DG123C 500 50
3DD101D 5A
5A
3DK100B 100 30
3DKG23 250W 30A

电子技术课件第二章三极管及基本放大电路

10
2．三极管的主要参数
（1）直流参数反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料高频小功率序号
第四部分用数字表示器件的序号。第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响（2）电源电压波动（3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形

第三章半导体三极管及放大电路基础2

T VBE IB IC
温度与Q点动画五温度每升高1 °C ，要增加0.5%1.0%
温度T 输出特性曲线族间距增大
3.5.2 射极偏置电路
1. 稳定工作点原理
目标：温度变化时，使IC维持恒定。如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。
.
.
.
be
3.6.1 共集电极电路
2. 复合管
作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe
复合管也称为达林顿管
3.6.2 共基极电路
1. 静态工作点直流通路与射极偏置电路相同
VB Rb2 VCC Rb1 Rb2
VB VBE IC IE Re
VCE VCC IC Rc IE Re VCC IC ( Rc Re )
得
VCC VBE IB Rb (1 ) Re
VCE VCC I E Re VCC I C Re
3.6.1 共集电极电路
1. 电路分析
②电压增益
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
其中
Vi I b rbe ( I b I b ) RL I b rbe I b (1 ) RL V ( I I ) R I (1 ) R
VB VBE IC IE Re
VCE VCC I C ( Rc Re ) I IB C
3.5.2 射极偏置电路
3. 固定偏流电路与射极偏置电路的比较
Ib Ic I b Rc
RL VO
Vii v
Rb

第4章三极管及放大电路基础

综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。从电位上来看对于NPN型三极管，
UC＞UB＞UE
4.1.3 BJT的特性曲线
iB/uA
vvio与iBv/iu相vABE位相反6i0B；
iC
vCE
Q`
|-vo|

iC/mA
可以测量出放40大电路的电Q压放大倍数；
可以确定最大不失真输出幅度。
20 IBQ
Q``
iC/mA 交流负载线
Q`
60uA
Q
40uA
ICQ
Q`` 20uA
t
vBE/V
t
共vB射E/V极放大电路
end
4.2 共射极放大电路
电路组成简化电路及习惯画法简单工作原理放大电路的静态和动态直流通路和交流通路
4.2 共射极放大电路
1. 电路组成
输入回路（基极回路）输出回路（集电极回路）
3.2 共射极放
2. 简化电路及习惯画法
大电路
共射极基本放大电路
习惯画法
注意：判断一个电路能否正常放大一般从以下几点考虑（1）保证三极管处于放大状态，因此直流电源及其极性要接正确。直流电源要保证发射结正偏、集电结反偏。（2）输入信号Ui能够加在三极管的B、E之间（RB不能为0），输出信号U0能够从C、E两点取出（RC不能为0）。（3）耦合电容作用是通交流阻直流。它的极性及位置要接正确
4.2 共射极放
4. 放大电路的静态和动态

第3章半导体三极管及其基本放大电路

上一页下一页

3.2 三极管基本应用电路及其分析方法

3.2.3图解分析法
1.用图解法确定静态工作点在分析静态值时，只需研究直流通路，图3-19用图解法分析电路的步骤如下: 1)作直流负载线

U CE U CC I C RC

上式确定的直线就是直流负载线。 2)确定静态工作点利用 I BQ (UCC U BEQ ) I RB ，求得IBQ的近似值。在输出特性曲线上，确定IB=IBQ的一条曲线。该曲线与直线MN的交点Q就是静态工作点。上一页下一页

3.1.5温度对三极管的特性与参数的影响
1.温度对UBE的影响三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似，温度升高，曲线左移，如图3-9所示。 2.温度对ICBO的影响三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动，如图3 -10所示。 3.温度对β的影响温度升高，输出特性各条曲线之间的间隔增大，从而β值增大，如图3-10所示。

上一页
下一页
3.1 双极型半导体三极管

3.1.6三极管的判别及其手册的查阅方法
1.三极管型号的意义三极管的型号一般由五大部分组成如3AX31A、3DG12B、 3CG14G等。 2.三极管手册的查阅方法 1)三极管手册的基本内容 (1)三极管的型号。 (2)电参数符号说明。 (3)主要用途。 (4)主要参数。 2)三极管手册的查阅方法 (1)已知三极管的型号查阅其性能参数和使用范围。 (2)根据使用要求选择三极管。

3.1.4三极管的主要参数
3.极限参数 1)集电极最大允许电流ICM 2)反向击穿电压U(BR)CEO 3)集电极最大允许功耗PCM 根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图3-8所示，由 PCM、ICM和U(BR)CEO包围的区域为三1 双极型半导体三极管

第一章基本放大电路

2.实验电路以下是说明晶体管的放大原理和其中的电流分配的实验电路. IC
IB
A
mA
+ + V UCE + EC
RB
V UBE – 输出回路输入回路 – – + – EB 共发射极放大电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
3. 各电极电流关系及电流放大作用
IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
带正电
空穴
价电子
温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，有空穴的原子吸引相邻原子的价电子来填补空穴，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流
(1)自由电子作定向运动电子电流 (2)价电子递补空穴空穴电流
P
IR
内电场外电场
N
–
内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。
+
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
总目录章目录返回上一页下一页
PN结具有单向导电性
正偏时，结电阻小，正向电流大——导通
例1：
+ ui –
R D + uo –
已知：二极管是理想的，
ui 10sin t V, E 5V, R 1K
试画出 uo 波形。
二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。
E
ui
E

三极管及其放大电路

第2章半导体三极管及其基本放大电路
2.1.3 .BJT的特性曲线
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。
工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特性曲线。
第2章半导体三极管及其基本放大电路
以共射放大电路为例：
输入特性：iBf vBEvCE 常数输出特性： iCf vCEiB常数
第2章半导体三极管及其基本放大电路
输出特性曲线可以划分为三个区域：饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
25℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
第2章半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小。此时Je正偏，Jc正偏。
电压增益2＝ 0lgAV dB 电流增益2＝ 0lgAI dB
由于功率与电压（或电流）的平方成比例，因此功率增益表示为：
功率增益＝10lgAP
【 AP
Po 】 Pi
第2章半导体三极管及其基本放大电路
2.2.2
+
VS
-
R
＝
i
Vi I i
输入电阻Ri
I i
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
2.3 共射基本放大电路
共射基本放大电路组成
放大的外部条件
输入回路
输出回路
两个回路正确的直流偏置
ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻
RC为集电极偏置电
阻
第2章半导体三极管及其基本放大电路

第2章半导体三极管及基本放大电路(精)

第2章半导体三极管及基本放大电路1．温度升高时，晶体管的电流放大系数和反向饱和电流I CBO______，正向结压降V BE______；共射输入特性曲线将______，输出特性曲线将______，而且输出特性曲线之间的间隔将______。

A．变大，变小，左移，上移，增大B．变大，变大，右移，上移，增大C．变大，变小，左移，下移，增大D．变小，变大，右移，上移，增大2．现有八种半导体器件，其型号分别是3AX22，2CZ11，3DG6，2AP9，3DJ13，2CP10，3DD1，2CW11。

说明哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管。

A．2AP9 二极管，2CZ11锗二极管，2AP9硅稳压管B．2AP9硅二极管，2CP10锗二极管，2CW11硅稳压管C．2CW11硅二极管，2AP9锗二极管，2CP10硅稳压管D．2CP10硅二极管，2AP9锗二极管，2CW11硅稳压管3．三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V(BR)CEO=30V，若其工作电压V CE=10V，则工作电流不得超过______mA；若V CE=1V，则工作电流不得超过______mA；若工作电流I C=1mA，则工作电压V CE不得超过______V。

A．15；100；150B．15；150；150C．15；150；30D．15；100；304．对双极型晶体管下列说法正确的是( )A．发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构对称B．发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的电流基本相同C．发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射极掺杂浓度比集电极高D．发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射极掺杂浓度比集电极低5．晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时的关系是：A．饱和区的电流放大系数大于放大区工作时的电流放大系数B．饱和区的电流放大系数等于放大区工作时的电流放大系数C．饱和区的电流放大系数小于放大区工作时的电流放大系数D．饱和区的电流放大系数与放大区的电流放大系数的关系不能确定6．对于晶体基区的叙述下面正确是是。

第三章半导体三极管及其放大电路基础3.1

IB/mA -0.001 IC/mA 0.001 IE/mA 0
0 0.01 0.01
0.01 0.56 0.57
0.02 1.14 1.16
0.03 1.74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
I B IC I E , IC I E

IC IB
U CE
(b ) 共发射极
(c) 共集电极
图3 -
三极管的三种组态
下面以共发射极组态为例分析：
1）NPN型晶体管
2）依据外部条件建立电路：
发射结（BE结）须正向偏置→ 输入回路（基极回路）集电结（BC结）须反向偏置→ 输出回路（集电极回路）发射极接地（原因） 3）VCC(EC)
＞VBB(EB)
第三章
半导体三极管及其放大电路基础
3.1 半导体三极管
3.2 基本共射极放大电路
3.3 放大电路的静态分析 3.4 放大电路的动态分析 3.5 静态工作点的稳定 3.6 共集与共基极放大电路
3.1 半导体三极管
晶体管
半导体二极管（第二章）双极型半导体三极管（第三章）半导体三极管单极型半导体三极管（第四章）
发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极管类型。它们对应的型号分别为： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。
围绕内部结构阐述晶体管的电流放大作用：
二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 1.三极管放大的两个条件： 1）内部条件：三个区（发射区、基区和集电区）的掺杂浓度与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N

半导体三极管及基本放大电路教案

半导体三极管及基本放大电路教案一、课程目标：1.了解半导体三极管的结构和工作原理；2.掌握基本放大电路的设计和分析方法；3.培养学生动手实验和分析实验结果的能力。

二、教学内容：1.半导体三极管的结构和工作原理；2.基本放大电路的设计和分析方法；3.实验：利用半导体三极管构建基本放大电路。

三、教学过程：1.导入（10分钟）引入半导体三极管的概念和作用，和学生一起思考半导体三极管在现代电子设备中的重要性和应用。

2.半导体三极管的结构和工作原理（20分钟）2.1.引入半导体三极管的结构和符号表示，解释其由三个半导体材料构成的特点；2.2.介绍半导体三极管的三个结：发射结、基极结和集电结；2.3.描述半导体三极管的工作原理，包括截止区、饱和区和放大区的区别。

3.基本放大电路的设计和分析方法（40分钟）3.1.介绍基本放大电路的概念和作用；3.2.引入电流放大倍数和电压放大倍数的概念；3.3.讲解共射放大电路和共集放大电路的基本原理和特点；3.4.教授基本放大电路的设计和分析方法，包括选择电阻值和计算放大倍数。

4.实验（30分钟）4.1.实验目的：通过实际操作半导体三极管和元器件，构建基本放大电路并测试其放大性能；4.2.实验步骤：a.准备实验所需材料：半导体三极管、电阻、电源等；b.按照电路图连接元器件；c.接通电源，调整电阻和电压，观察输出信号；d.测量输出信号的放大倍数；e.记录实验结果并分析。

五、小结（10分钟）总结本节课的重点和难点，并对实验结果进行分析和讨论，对半导体三极管及基本放大电路的原理和实际应用进行探讨。

六、作业（10分钟）布置作业：要求学生选择一个电子设备（如手机、电脑等），研究其中一个关键元器件的工作原理和作用，并写一份报告。

七、教学反思通过本节课的教学，学生能够了解半导体三极管的结构和工作原理，掌握基本放大电路的设计和分析方法，并通过实验加深对相关知识的理解。

同时，通过作业的布置，培养了学生自主学习和研究的能力。

第二章半导体三极管及放大电路

(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
现以iB=60uA一条加以说明。
（1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。
（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。
i C(mA)
IB =100uA IB =80uA
（3）当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加， iC基本保持不变。同理，可作出iB=其他值的曲线。
3dB带宽 fL 下限截止频率上限截 fH 止频率 f
通频带： fbw=fH–fL
2.4 单管共射放大电路的工作原理
一．三极管的放大原理
三极管工作在放大区：发射结正偏，集电结反偏。
IC +△IC I B +△IB T
+ +
+△UCE UCE
+
放大原理：
Rb VBB
ui →△UBE→△IB
UBE+△ UBE -
IC IB
i ＝ C i B
△ iC
2.3 1.5
△ iB
IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
I C 2.3mA 38 I B 60A
iC (2.3 1.5)mA ＝ 40 iB (60- 40)A
（2）共基极电流放大系数：
放大区——
放大区
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。该区中有：
IC＝IB
截止区
四. BJT的主要参数