罗姆(ROHM)SiC产品介绍
罗姆半导体简介
罗姆半导体简介
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）是一家日本的半导体制造公司，成立于1958年，总部位于京都市。
该公司是全球领先的半导体供应商之一，提供广泛的产品和解决方案，包括集成电路、功率半导体、传感器、光电子器件等。
以下是罗姆半导体的简介：
1.产品范围：罗姆半导体生产的产品涵盖多个领域，包括但不限于：
2.集成电路（IC）：包括微控制器、存储器、模拟IC等。
3.功率半导体：如MOSFET、IGBT、二极管等，用于电源管理、电机驱动等应用。
4.传感器：包括温度传感器、压力传感器、加速度传感器等，用于汽车、工业、消费电子等领域。
5.光电子器件：如激光二极管、LED、光电传感器等，应用于光通信、显示、照明等领域。
6.技术创新：罗姆半导体在技术创新方面有着深厚的积累，不断推出具有竞争优势的产品和解决方案。
例如，该公司在功率半导体领域具有领先地位，并不断推出高效、高性能的功率器件。
7.市场应用：罗姆半导体的产品广泛应用于汽车、工业、通信、消费电子等多个领域。
特别是在汽车电子领域，该公司的产品被广泛应用于电动车、混合动力车、自动驾驶技术等关键领域。
8.可持续发展：罗姆半导体致力于可持续发展，在产品设计、生产过程中注重环保和资源利用效率，努力减少对环境的影响。
总的来说，罗姆半导体作为一家全球知名的半导体公司，以其丰富的产品线、技术实力和市场影响力，在半导体行业中扮演着重要角色。
R O H M 为新基建带来的功率器件和电源产品
责任编辑：王莹8 2020.9ROHM为新基建带来的功率器件和电源产品罗姆 （ROHM）1 无线基站罗姆（ROHM ）针对无线基站推出了多款解决方案，包括一系列高耐压MOSFET 和高效率DC /DC 转换器等，有助于降低功耗。
SiC MOSFET 具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性，即使在高温环境下也能显示出色的电器特性，有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。
罗姆备有650 V 、1 200 V 、1 700 V SiC MOSFET 产品。
其中，第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V 和1 200 V 的六款产品，特点是导通电阻比第2代平面型产品小50%，这使其非常适合需要高效率的大型服务器电源、UPS 系统、太阳能转换器以及电动汽车充电桩。
SCT3系列以能更大限度提高开关性能的4引脚封装（TO -247-4L ）（图1右）形式提供。
与传统3引脚封装类型相比，开关损耗最大可以减少35%，有助于在各种应用中降低功耗。
此外，与传统3引脚封装SiC MOSFET 中的栅极电压因电源终端的电感元件而下降、导致开关速度延迟不同的是，这种新型4引脚封装包含的栅极驱动器电源终端与传统电源终端分离，可更大限度减少栅极电压的下降，从而能够大幅度提高开关性能。
2 80 V工业应用罗姆的耐高压DC /DC 转换器输入电压达80 V ，输出电流达3 A ,支持广泛的工业应用。
其中，BD9G341AEFJ -LB （图2）内置80 V 耐压3.5 A 额定电流、导通电阻150 mΩ的功率MOSFET ，还通过电流模式控制方式，实现了高速瞬态响应和简便的相位补偿设定。
频率在(50～750) kHz 的范围内可变，内置低电压误动作防止电路、过电流保护电路等保护功能。
此外，可通过高精度的EN 引脚阈值进行低电压锁定，及使用外接电阻设定滞后。
图２ 罗姆耐高压ＤＣ／ＤＣ转换器ＢＤ９Ｇ３４１ＡＥＦＪ－ＬＢ3 48 V汽车、工业与基站设备此外，在罗姆高耐压、同步整流降压DC /DC 转换器产品中，BD9V101MUF -LB （图3）采用了罗姆专有的超高速控制技术——Nano Pulse Control ，开关导通时间短，使用单芯片即可从48 V 转换为3.3 V （2.1 MHz 开关频率下）。
rohm p02sct3040kr-evk-001 sic mosfet for to-247-4l
TO-247-4LHalf-Bridge Evaluation Board Operation ManualNotice ＜High Voltage Safety Precautions＞◇ Read all safety precautions before usePlease note that this document covers only the SiC MOSFET for TO-247-4L evaluation board (P02SCT3040KR-EVK-001) and its functions. For additional information, please refer to the product specification.To ensure safe operation, please carefully read all precautions before handling the evaluation boardDepending on the configuration of the board and voltages used,Potentially lethal voltages may be generated.Therefore, please make sure to read and observe all safety precautions described inthe red box below.This evaluation board is intended for use only in research and development facilities and should by handled only by qualified personnel familiar with all safety and operating procedures.We recommend carrying out operation in a safe environment that includes the use of high voltage signage at all entrances, safety interlocks, and protective glasses.User’s GuideSiC MOSFET 评估板TO-247-4L 半桥评估板 使用说明书在SiC MOSFET 等功率元器件的评估中，一般会涉及到高电压和大电流，因此要求恰当地构建其评估环境。
罗姆解决方案模拟器电源器件用户指南 (PFC 篇)说明书
ROHM Solution Simulator Power Device用户指南(PFC篇)User’s Guide ROHM Solution SimulatorPower Device 用户指南(PFC篇)前言本用户指南是为了便于充分灵活运用「Power Device Solution circuit」的PFC电路，对各参数的基本调整方法和知识的总结。
对于PFC电路设计时遇到的各个难题，这里分别介绍具体的解決方法，请在面对「不能正常运行」「进一步优化条件」等课题时作为参考。
此外，「PFC篇」的后续还有「逆变器篇」「DC-DC转换器篇」等篇章会在今后依次公开，请一同在电路设计中灵活运用。
目次■ 1. PFC电路一览・・・・・・・・・・・・・・・・・p.1■ 2. 电感值L的调整・・・・・・・・・・・・・・・・p.2■ 3. Switching频率fsw的调整・・・・・・・・・・・・・・・p.4■ 4. 栅极驱动电圧Vgs值的检讨・・・・・・・・・・・p.6■ 5. 栅极电阻Rg的变更・・・・・・・・・・・・・・・p.8■ 6. Dead time最佳值的检讨・・・・・・・・・・・・・p.101. PFC电路一览Table 1.是「Power Device Solution circuit」的PFC电路的总结。
表中包含通常使用的临界(BCM)、连续(CCM)、不连续(DCM)各动作模式，以及大功率３相PFC电路。
从基本的单机驱动，到交错式驱动、同步整流、无桥、Totem-pole等，我们针对不同情况均准备了介绍内容，请根据实际用途参考并应用。
Table 1. Power Device Solution Circuit PFC电路一览2. 电感值L的调整这里介绍的是通过调整线圈电感值来调整电感电流的波动率的方法。
调整的前提是动作模式为CCM（连续模式）。
2-1. 电路举例这里以Figure 1.的电路「A-4 PFC CCM Vin=200V Iin=2.5A」为例，变更黄色方框内的条件，并针对变更后的条件来调整L值。
罗姆首家量产采用沟槽结构SiC—MOSFET
龙源期刊网
罗姆首家量产采用沟槽结构SiC—MOSFET 作者：万林
来源：《中国电子报》2015年第44期
本报讯罗姆公司（ROHM）近日开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。
与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降
低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了
完备的功率模块产品的量产体制。
今后计划还将逐步扩充产品阵容。
近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的“功率转换”备受关注。
SiC.功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。
ROHM -直在进行相关产品研发，于2010年成功实现SiC-MOSFET的量产，并在
持续推进可进一步降低功率损耗的元器件开发。
臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室
THE WORLD OF INVERTERS《变频器世界》June,2020宇通客车与斯达半导体合作开发基于Sic技术的商用车电机控制器系统解决方案客车行业规模领先的宇通客车宣布，其新能源技术团队正在采用斯达半导体和CREE合作开发的1200V SiC功率模块，开发业界领先的高效率电机控制系统，各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应用。
宇通零部件电子部件事业部总经理魏伟表示：“斯达和CREE在SiC方面的努力和创新，与宇通电机控制器高端化的产品发展路线不谋而合，同时也践行了宇通“为美好出行”的发展理念，相信三方在SiC方面的合作一定会硕果累累！”斯达半导体CEO沈华先生指出：“斯达从2008年进入新能源汽车领域，至今已经12年，12年来得到了国内外新能源汽车客户的认可，很荣幸成为宇通客车电控系统的功率模块供应商，我们将持续为客户带来更有优势的产品，不断提升自己的竞争力。
”斯达作为国内IGBT行业的领导者，中国车用功率器件的主要供应商，提供基于Si芯片和SiC芯片的功率模块,丰富的产品线给客户带来更多的选择，并于2017年启用了上海车用模块生产基地，给客户更好的产能和质量保障。
CREE汽车业务亚太区域销售总监邹聪先生指出：“CREE专注于通过碳化硅技术创新提供最一流的新能源解决方案，我们非常欣喜地看到CREE第三代MOSFET被宇通应用于新能源客车的核心电控系统中，并带来技术突破。
”CREE致力于引领功率半导体从Si 向SiC的全球转型，并于2019年宣布SiC产能扩大计划，计划在美国北卡罗莱纳州达勒姆建设超级材料工厂，以及在美国纽约州建设全球最大SiC器件制造工厂。
科锐Wolfspeed事业部提供基于SiC和GaN的功率与射频的丰富解决方案。
臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称"臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co.,Ltd.（以下简称"罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室"，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。
SiC-碳化硅-功率半导体介绍
7
SiC
Si
SiC在高频下也工作
100
200
300
400
频率（kHz)
使用SiC功率半导体 重量 0.72kg
50mm 40mm
PFC电路 SiC-SBD的优点
SiC-SBD 优点
PFC电路：升压+直流 化
電圧 [V] 電圧 [V]
SiC-SBD
200
1000
Di 電流
160
Di 電圧
800
120
600
80
400
40
200
0
0
-40
-200
-80 0
-400
100
200
300
400
時間 [nsec]
顺⇒逆 切换时的过渡电流大幅消减
恢复损失1/10！
SiC-SBD的使用可以使PFC电路高速化。⇒ 使扼流线圈小型化 。
PFC电路：升压+直流化
Confidential 5
电流 电压 Main电路：SW电源
+ IC
IC
電流 [A] 電流 [A]
Si-FRD
200
Di 電流
160
Di 電圧
1000
V
800
120
600
80 I
40
损失 400200来自00-40
-200
-80 0
100
200
300
時間 [nsec]
-400 400
Infineon・・・量产中 CREE（ Nihon Inter ）・・・量产中 STMicro・・・量产中 新日本无线・三菱等・・・准备量产
sic mosfet 器件手册解读
一、SIC MOSFET器件简介1. 介绍SIC MOSFET器件的基本结构和工作原理2. 分析SIC MOSFET器件的优势和应用领域二、SIC MOSFET器件的性能参数解读1. 主要包括导通特性、开关特性、静态特性和动态特性等方面的参数2. 对每个性能参数进行详细解读和分析三、SIC MOSFET器件的设计与制造工艺1. 介绍SIC MOSFET器件的设计流程和关键技术2. 分析SIC MOSFET器件的制造工艺及其对器件性能的影响四、SIC MOSFET器件在电力电子领域的应用1. 分析SIC MOSFET器件在变流器、逆变器、充电桩等领域的应用2. 探讨SIC MOSFET器件在电力电子领域的发展趋势五、SIC MOSFET器件的可靠性与封装技术1. 分析SIC MOSFET器件的可靠性测试技术和参数2. 探讨SIC MOSFET器件的封装技术及其对器件可靠性的影响六、SIC MOSFET器件的市场前景与发展趋势1. 分析SIC MOSFET器件在全球范围内的市场占有率和竞争态势2. 探讨SIC MOSFET器件的未来发展趋势和发展方向七、结语总结SIC MOSFET器件的特点和优势，展望其在未来的应用前景。
一、SIC MOSFET器件简介SIC MOSFET器件是一种新型的金属氧化物半导体场效应晶体管，基于碳化硅（SiC）材料制造。
相比传统的硅基MOSFET器件，SIC MOSFET器件具有更低的导通损耗、更快的开关速度、更高的工作温度和更好的耐压性能，适用于高压高温环境下的电力电子系统和射频功率放大器。
SIC MOSFET器件的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流，因而在电力电子领域有着广泛的应用前景。
SIC MOSFET器件的优势主要表现在以下几个方面：SIC MOSFET器件的导通损耗较低，能够显著降低功率器件在工作状态下的热量损失，提高整体功率系统的效率。
SIC MOSFET器件的开关速度非常快，开启和关闭时间短，这对于电路的稳定性和响应速度都有着显著的提升。
第三代半导体SIC MOSFET 碳化硅MOS管产品应用介绍,国产替换：罗姆 ROHM-科锐 CERR
32A
16A
200～450V
20A
10A
6.6kw
85～265V
3.3kw
95%
300X210X78mm
116X180X295mm
水冷 6.5kg -40℃～+80℃ 5%～95% CAN
15kW特种移动充电机
工作电压 额定输入电流
功率因素 THD
输出电压范围 输出功率 稳定精度 最高效率
本体尺寸（宽X深X高） 工作温度 湿度 冷却方式 通讯方式 保护功能
TO268-7L ASC100N650MB ASC50N650MB ASC30N650MB ASC15N650MB ASC60N900MB ASC30N900MB ASC20N900MB ASC60N1200MB ASC30N1200MB
Bare Chip ASC100N650MB ASC50N650MB ASC30N650MB ASC15N650MB ASC60N900MB ASC30N900MB ASC20N900MB ASC60N1200MB ASC30N1200MB
主要应用：高频/高压/高功率电源 产品特性：
● 新能源车充电：EV Charging
● 塑封品结温175°C ，最高芯片结温高达300°C
● 高压逆变应用： DC/DC Converters ● 优良品质因子FOM，适合高频应用
● 功率因素校正电源：PFC
● 高电压应用下具有低导通损耗
● 电机驱动：Motor Drives
● 导通特性正温度特性，易并联驱动
SiC MOSFET产品系列：
Vds 650V
900V 1200V
Rdson 20mohm 50mohm 100mohm 200mohm 30mohm 60mohm 100mohm 40mohm 80mohm
采用SiC 器件的三电平功率模块介绍
采用SiC 器件的三电平功率模块介绍Vincotech FAE China 吴鼎 摘要：对于光伏逆变器而言，更高效率和更小体积一直是厂家追求的目标。
这就对功率器件提出了更高的要求，既要能够实现更高的开关频率，又要获得更高的转换效率。
普通的Si功率器件在高频时效率较低，而SiC 器件则可以很好的实现高频化的同时获得很高的转换效率。
关键词：SiC 器件高效率 光伏逆变器 一 引言 近年来，SiC 肖特基二极管已经在一些快速切换的应用场合取得了成功，比如PFC 应用。
SiC 二极管卓越的反向恢复特性可以确保在增加开关频率的同时，不会降低效率。
而开关频率的提升，可以减小磁性元件的体积，这样就可以降低整个系统的成本。
而本文所说的SiC器件和SiC 二极管完全是两回事，主要指的是SiC JFET 和 SiC MOSFET。
现代光伏逆变器和 UPS 大量的采用基于Si 技术的IGBT。
尽管IGBT 的导通压降是比较低的，但是它的拖尾电流会带来很高的开关损耗。
工程师们一直在试图找到一种器件，既具有较低的导通损耗，又具有较低的开关损耗。
SiC JFET 和 SiC MOSFET 则是这种应用的理想开关器件。
二 SiC 器件性能介绍 SiC MOSFET 特性类似于普通Si MOSFET，具有兼容的门极驱动，并且具有低的正温度系数，但是门极氧化层的可靠性是SiC MOSFET 应用的瓶颈。
SiC JFET 主要有两种，常通和常关的。
JFET 没有门极氧化层，从当今的技术来看，具有更好的可靠性。
图 1 是采用常关SiC JFET 的混合中性点钳位（MNPC）功率模块拓扑。
由于JFET 具有类似二极管的门极驱动特性，它的驱动电路要求在门极两端施加正向电压来开启JFET 沟道，为了保证JFET 最好的性能，要求驱动电压刚好在二极管正向压降附近。
该正向压降在不同的JFET 芯片有差异，且随着温度变化，所以它的驱动不同于MOSFET 和IGBT，需要采用电流源驱动。
罗姆SiC器件使用手册
SiC功率器件・模块使用手册Rev. 0012013年3月发行13103CAY01目录1. SiC半导体 (3)1.1 SiC材料的物性和特征 (3)1.2SiC功率器件的特征 (3)2. SiC SBD的特征 (4)2.1 器件结构和特征 (4)2.2SiC‐SBD的正向特性 (4)2.3SiC‐SBD的恢复特性 (5)3. SiC‐MOSFET的特征 (7)3.1器件结构和特征 (7)3.2标准化导通电阻 (8)3.3Vd‐Id特性 (9)3.4驱动门极电压和导通电阻 (9)3.5Vg‐Id特性 (10)3.6Turn‐on（导通）特性 (11)3.7Turn‐off（关断）特性 (12)3.8内部门极电阻 (13)3.9门极驱动电路 (14)3.10体二极管的Vf和反向导通 (15)3.11体二极管的恢复特性 (16)4. SiC功率模块的特征 (17)4.1SiC模块的特征 (17)4.2电路结构 (17)4.3开关特性 (18)4.3.1漏极电流依赖性以及温度依赖性 (18)4.3.2门极电阻依赖性 (19)4.3.3门极偏压依赖性 (21)4.4与IGBT模块的开关损耗比较 (21)4.4.1总开关损耗的比较 (21)4.4.2恢复损耗(Err)的比较 (22)4.4.3Turn‐on损耗(Eon)的比较 (22)4.4.4Turn‐off损耗(Eoff)的比较 (23)5. SiC‐SBD的可靠性 (24)5.1dV/dt破坏、 dI/dt破坏 (24)5.2SiC‐SBD可靠性测试结果 (24)6. SiC‐MOSFET的可靠性 (25)6.1门极氧化膜 (25)6.2阈值稳定性（门极正偏压） (26)6.3阈值稳定性（门极负偏压） (26)6.4与体二极管导电相关的可靠性 (27)6.5短路耐量 (28)6.6dV/dt破坏 (29)6.7由宇宙射线引起的中子耐量 (29)6.8静电破坏耐量 (29)6.9SiC‐MOSFET可靠性测试结果 (30)7. SiC功率模块的使用方法和可靠性 (31)7.1针对浪涌电压的对策 (31)7.2针对误触发动作的对策 (31)7.3RBSOA（反向偏压安全操作区） (32)7.4SiC功率模块的可靠性测试结果 (33)8. 型号的构成 (34)8.1SiC‐SBD（分立器件） (34)8.2SiC‐MOSFET（分立器件） (34)8.3SiC功率模块 (35)8.4SiC‐SBD（Chip） (35)8.5SiC‐MOSFET（Chip） (35)9. 应用电路举例 (36)9.1功率因数改善电路（PFC）（连续模式） (36)9.2用于功率调节器的逆变器 (36)9.3DC/DC转换器 (36)9.4双向转换器 (37)9.5用于IH的逆变器 (37)9.6马达驱动 (37)9.7降压斩波 (38)9.8音频直流放大器 (38)1. SiC半导体1.1SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料，不仅绝缘击穿场强是Si 的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件用材料。
德国Rohm罗姆MANDRELS膨胀芯轴
Turning, grinding, cutting, toothcutting, balancing, etc.
internal
Turning, grinding, measuring, toothcutting
internal
Turning, grinding, cutting, toothcutting, balancing, etc.
7004
Mandrels
Segment clamping mandrel
ABSIS
Power-operated segment mandrel with flanged seat, for internal clamping
Adapter for power assisted operation
Basic mandrel
Cartridge Mandrel KFS MFS Accessories KFS/MFS
Cartridge Mandrel with workstop ring MZS
Segment clamping mandrel KFR / MFR Accessories KFR / MFR
Cartridge Mandrel KFR - without axial tightening KFR - with axial tightening MFR Accessories KFR / MFR
7005
rigid clamping, for long workpieces, resp. great span length
7013
between centers or cylindrical mount, can be catched at the shaft
用SiC打造节能可持续系统——SiC在光伏和车载领域的应用
用SiC 打造节能可持续系统—SiC 在光伏和车载领域的应用・罗姆（ROHM ）微信公众号：rohmsemi—、刖旨SiC （碳化硅）是用于功率转换和控制的功率元器件，是半导体界公认的“一种未来的材料”。
与传统的Si （硅）元器件相比，SiC （碳化硅）元器件可实现低导通电阻、高速开关、高温工作，应用在电源、汽车、铁路、工业设备和家用消费电子设备等各个领域，实现系统的 小型化和节能化。
以汽车为例，应用于混合动力汽车和 电动汽车上，可大幅降低油耗，扩大驾驶舱空间。
用于 太阳能发电时，功率损耗可减少约47%,提高功率调节器的效率。
这些都有望为地球环境问题的缓解做出巨大 贡献。
着眼于SiC 的先进性，全球知名半导体厂商罗姆（ROHM ）很早便开始关注，并与多方开展合作，不断积累技术经验。
作为业界领军企业之一，拥有SiCMOSFETs SiC SBD 、全SiC 功率模块以及SiC 晶圆等丰富的产品阵容，用SiC 助力打造节能可持续系统。
本文将重点阐述ROHM 的SiC 功率元器件在光伏和车载领域的应用。
关于罗姆（ROHM ）罗姆是成立于1958年的半导体和电子元件制造商。
通过遍及全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC 、分立半导体和电子元器件产品。
在罗姆擅长的模拟电源领域，罗姆的优势是提供包括SiC 功率元器件及充分发挥其性能的驱动IC 以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。
图1传统型半导体与SiC 餡性能差异图2 ROHM 的SiC 功率元器件产品阵容可以使用更小尺寸和更轻重量的线圈，从而做出“更小体 积”的光伏逆变器。
ROHM 的SiC MOSFET 采用双沟槽结构，可进一步降低功率元器件的损耗。
并且，对于不同功率段的光伏逆变器，ROHM 可以提供不同封装的产品与合作方式。
客户可以从ROHM 选择封装后的分立器件和模组，也可以选择合适的晶圆经由模组厂封装成客户特定规格的模块进行使用。
ROHM罗姆代理
万联芯城提供ROHM（罗姆）品牌电子元器件，一片起订，价格优势。
万联芯城成立于2014年，是国内首批电子元器件垂直电商之一，拥有大型元器件仓库，所售产品均为原装现货，可提供一站式报价服务。
点击进入万联芯城点击进入万联芯城ROHM代理株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM代理公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM代理，于1967年和1969年逐步进入了晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM代理作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM代理及ROHM代理代理商迅速发展。
今天作为业内惯例被其它公司所接受。
ROHM代理作为半导体、电子零部件的全球知名的半导体生产企业，始终坚持品质第一的企业宗旨，从事着EEPROM、时钟发生器、复位IC、电机驱动器等电子元器件的生产销售罗姆代理株式会社在官方网页上开始实行网络销售，旨在把以中国企业为中心的非日系企业的营业额从30%提高到40%。
罗姆代理方面希望借助网络销售可轻松便利地购入样品的特点吸引中国顾客。
罗姆代理（ROHM代理）利用的网络销售平台为中国专业元器件在线订购网站--Right IC。
在此平台上，除了能购买到罗姆代理株式会社的产品外，还购买到罗姆代理集团旗下OKI SEMICONDUCTOR的产品。
Right IC平台除支持现金支付和中国银联之外，也可支持支付宝、快钱等第三方支付在内的多种支付方式，并可提供发票。
除此之外，在罗姆代理的官方网页上还设置了覆盖全球的网络销售平台——Digi-key、RS、chip1stop的链接。
罗姆代理为发展强化在中国的营业体系，于2010年新设了成都，西安，武汉，重庆，长春5家分公司。
网络销售不仅可对应小批量购买顾客以及零售顾客的需求，顾客在选择商品时也可更方便地购买样品。
顾客如遇商品方面的问题，无论是购入前还是购入后均可通过邮件的方式咨询，罗姆代理（ROHM代理）会以邮件方式一一作答。
第4代SiC MOSFET半桥评估板 产品规格书说明书
第4代SiC MOSFET 半桥评估板产品规格书＜关于高压电注意事项＞◇在开始操作之前请务必阅读使用说明书并正确使用！本文档仅限于SiC MOSFET用评估板(P04SCT4018KE -EVK-001, P05SCT4018KR-EVK-001)的电路图、BOM、电气特性和电路板布局。
有关操作的详细信息，请参使用说明书。
为了您的操作安全，在使用评估板前请务必阅读本文档全文！此外，根据所使用的电压和电路板结构的不同，可能会产生危及生命安全的电压。
请务必严格遵守下述方框内的注意事项。
＜使用前＞①请确认无因基板掉落等导致的零件损坏或脱落现象。
②请确认无导电性物体掉落在基板上。
③焊接模块和评估板时，请注意焊锡飞溅。
④请确认基板上无结露或水滴。
＜通电时＞⑤请注意勿使导电性物体接触基板。
⑥在操作过程中，即使是偶发的短时间接触或手靠近时的放电，也有可能导致严重事态或危及生命安全。
请务必不要徒手触摸基板或靠基板太近。
另外，使用镊子、螺丝刀等导电性器具进行操作作业时也同样请注意上述内容。
⑦施加超过额定值的电压时，可能会因为短路等导致零件破裂。
因为也请注意由于零件飞散等原因导致的危险。
⑧基板工作状态下进行操作时请注意因热等引起的基板、零件变色和漏液等、以及低温评估时产生的结露。
＜使用后＞⑨评估板中可能会有储存高电压的电路。
即使切断了所连接的电源回路，也有可能仍储存有电荷，因此使用后请务必进行放电，确认放电完成后再进行相关处理。
⑩请注意与过热部件接触导致的烫伤等。
由于本评估板是用于研究开发设备的基板，因此只有各设备中被允许处理高电压的人员才可以使用。
此外，在使用高电压进行操作作业时，建议明示「高电压作业中」等，并在安全环境下操作，如带有联锁装置等的防护罩或佩戴护目镜等。
此外，请一并阅读本文开篇中与本评估板短路保护相关的注意事项。
SiC MOSFET 评估板第4代SiC MOSFET 评估板 产品规格书一般来说，在SiC MOSFET 等功率器件的评估中，需要处理高电压和大电流，因此需要适当构建评估环境。
先进的电机驱动解决方案，加速高效电机系统创新
8 2022.3电子产品世界技术专题电机控制otor Controll先进的电机驱动解决方案，加速高效电机 系统创新顾伟俊 （罗姆半导体（上海）有限公司技术中心 高级经理）随着碳中和和碳达峰问题越来越重要，作为耗电大户的电机控制系统对能效的要求越来越高，电机控制系统的设计以及相关的半导体器件提出了全新的要求。
为了进一步降低电机的功耗，罗姆在坚持不懈地开发效率更高、功率更低的功率元器件以及驱动器技术。
输出功率是电机系统最重要的指标之一，输入输出功率比则是代表了电机的工作效率，如何充分的提升工业电机系统的能源转换效率需要充分的提升电机的输出功率，采用先进的功率器件能够直观的提升系统的效率。
作为第三代半导体代表性技术，SiC 材料的功率器件具有高耐压大功率等特点，非常适合追求更高的频率和更高效率的系统，罗姆作为研究SiC 材料最早的厂商之一，不仅能提供以功率插件封装、表面贴片封装等多种规格的高性能SiC MOSFET 和SiC SBD （肖特基势垒二极管）等产品，而且可以提供内置多单元高电压、大电流功率元器件的高性能SiC 模块，即使频率不断提高也能维持整个系统的高效率，从而加快客户面向工业设备电机的创新。
除了以SiC 为中心的功率器件产品，在驱动器技术上，罗姆利用自动进角调整等功能，在低速旋转到高速旋转的大范围转速区域内，不断地追求高效率、低功耗。
拥有从有刷直流电机驱动器到单相无刷直流电机驱动器、三相无刷直流电机驱动器和步进电机驱动器等丰富的产品阵容。
此外，还有如IPM （智能功率模块）、输出级功率MOSFET 、电流检测分流电阻等周边器件，助力电机控制系统设计。
在工业电机领域，借助自身元器件在高效和高可靠性的优势，罗姆将功率器件，电源系统以及传感控制三大应用方面适合的产品组成解决方案，希望能够帮助客户借助罗姆的技术更快速高效地开发先进的电机系统，从而更好地服务于不断变革的工业自动化产业。
具体包括：三相AC400 V 输入工业用逆变器驱动方案、三相AC100~240 V 输入工业用AC 伺服系统、AC100~240 V 、DC24V ~48 V 非绝缘电机驱动系统方案。
ROHM 产品 SiC MOSFET SCT4036KW7 HB2637L-EVK-301 快速启动
QUICK START GUIDEEvaluation board for SiC MOSFET SCT4036KW7HB2637L-EVK-301This quick start guide will help you understand the connection, operating Instructions and important notices and warnings that need to be carefully reviewed prior to use of the board (Figure 1). For further information please refer to the user guide (No. 65UG002E Rev .001).The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFET s (SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.Figure 1: Evaluation board without heatsink (left) and with heatsink (right)Important NoticeThis evaluation board is intended for product evaluation in a research and development context only and is not intended for resale to end consumers and it is not authorized for end customer or household use. This board may not comply with CE or similar standards (including, but not limited to the EMC directive 2004/EC/108) and may not fulfil other requirements of the country it will be operated in by the user. The user shall ensure that the evaluation board will be handled in a way that is compliant with all the standards and regulations in the country it will be operated in.The evaluation board provided here has only been subjected to functional testing under typical load conditions. The design of this evaluation board is tested by ROHM only as described in the user guide for this board. The design is not qualified in terms of safety requirements, manufacturing and operation over the entire operating temperature range or lifetime.This evaluation board may only be used by authorized personnel that is properly trained in recognizing and dealing with the dangers of testing high voltage equipment and generally experimenting with high voltage circuits. Ensure you review this user guide as it contains important safety warnings. At all times, follow the applicable safety rules for dealing with high voltages. Do not connect or disconnect any wires or probes to the evaluation board, while it is connected to a power supply . T ake care that capacitors on the board have discharged fully before touching any part of the board. Always place the evaluation board under appropriate covers, such as in a Perspex box, to protect against accidental touching of high voltage parts BEFORE applying a voltage supply to the board.＜High Voltage Safety Precautions＞◇ Read all safety precautions before usePlease note that this document covers only the SCT4036KW7 evaluation board and its functions. For additional information, please refer to the datasheet.To ensure safe operation, please carefully read all precautions before handling the evaluation boardDepending on the configuration of the board and voltages used,Potentially lethal voltages may be generated.Therefore, please make sure to read and observe all safety precautions described inthe red box below.Before Use[1] Verify that the parts/components are not damaged or missing (i.e. due to the drops).[2] Check that there are no conductive foreign objects on the board.[3] Be careful when performing soldering on the module and/or evaluation board toensure that solder splash does not occur.[4] Check that there is no condensation or water droplets on the circuit board.During Use[5] Be careful to not allow conductive objects to come into contact with the board.[6] Brief accidental contact or even bringing your hand close to the board mayresult in discharge and lead to severe injury or death.Therefore, DO NOT touch the board with your bare hands or bring them too close to the board.In addition, as mentioned above please exercise extreme caution when using conductive tools such as tweezers and screwdrivers.[7] If used under conditions beyond its rated voltage, it may cause defects such as short-circuit or, depending on the circumstances, explosion or other permanent damages. [8] Be sure to wear insulated gloves when handling is required during operation.After Use[9] The ROHM Evaluation Board contains the circuits which store the high voltage. Since itstores the charges even after the connected power circuits are cut, please discharge the electricity after using it, and please deal with it after confirming such electricdischarge.[10] Protect against electric shocks by wearing insulated gloves when handling.This evaluation board is intended for use only in research and development facilities and should by handled only by qualified personnel familiar with all safety and operating procedures.We recommend carrying out operation in a safe environment that includes the use of high voltage signage at all entrances, safety interlocks, and protective glasses.Safety PrecautionsCaution: This evaluation board may only be used by authorized personnel that is properly trained inrecognizing and dealing with the dangers of testing high voltage equipment and generallyexperimenting with high voltage circuits. This board should only be used in a lab facility properlyequipped for the safe testing of power electronic systems at the relevant voltage levels. Failure tocomply may result in damage to equipment, personal injury or death.Warning: The DC link and input voltage of this board may reach up to 900 V. Ensure that onlysuitable high voltage differential probes are used to measure at this voltage. Failure to do so mayresult in damage to equipment, personal injury or death.Warning:This evaluation board contains DC bus capacitors which take time to discharge afterremoval of the power supplies. Before working on the evaluation board wait at least six minutes afterdeactivating all connected power supplies to ensure that the capacitors have discharged to a safelevel.Warning:Ensure that you use only appropriate measurement equipment for the voltage levelspresent on the board. Ensure not to ground live parts through unsuitable measurement probes or tiedifferent grounds together using passive probes. Suitable high voltage differential probes should beused. Failure to do so may result in damage to equipment, personal injury or death.Warning: Before disconnecting, connecting or reconnecting wires or measurement probes to theboard or before touching the board or performing any manipulations on the board ensure that allexternal power is removed or disconnected from the board and at least six minutes have passed toensure the capacitors have discharged to a safe level and then ensure that the capacitor voltageshave dropped to a safe level.Failure to do so may result in damage to equipment, personal injury or death.Caution: The heatsink and some component surfaces on the evaluation board may become hotduring testing and remain hot for a certain time after turn-off. Take appropriate measures whilehandling the board after use. Failure to do so may cause personal injury.Caution: Incorrect connection of power supplies or loads can damage the board. Carefully reviewthe information in this document.Board detailsThe main specifications for the evaluation board are summarized in Table 1 below.Parameter Description Value V HVDC Input voltage≤ 900 V (DC)V OUT Output voltage≤ 900 V (DC)LV_VCC Board SupplyVoltage15V to 18Vf SW Switchingfrequency≤ 100 kHzI OUTOutput current(Note: continuous inbuck/boost/inverter operation)≤ 10A(Note: derate if necessary, addheatsink, keep an eye on thecase temperature of MOSFET)V GS-ON Turn on gatevoltage16V to 20VV GS-OFF Turn off gatevoltage0V to -4VHS_PWM High side PWMInput voltage0V to 5.5VLS_PWM Low side PWMInput voltage0V to 5.5VT OPROperatingtemperature-25°C to 85°C Table 1: Specification of evaluation boardEvaluation board overviewLocations of connectors and Jumpers in the evaluation boardFigure 2: Top view of the evaluation board highlighting connectors, Jumpers and input interfaces Operating InstructionsThe below procedures must be followed before beginning with the tests.1. Mounting spacers and screws have been provided ina separate packet along with the board. Beforestarting any kind of tests, these spacers must bemounted.2. Solder pin headers on all the necessary test points ofthe signals that are to be measured.3. If the device current is to be measured with aRogowski coil, ensure that jumper J1 is shorted andif co-axial shunt is used then it must be soldered onto J1.4. Decide if a 0V turn off or negative gate turn off isnecessary and then place the jumpers J2, J3, J4 andJ5 accordingly. Do not leave the jumpers J2 and J4open.5. Decide if a simple double pulse measurement is tobe performed or if a measurement in continuouspower operation has to be performed. For doublepulse tests heatsink need not be mounted, but forcontinuous operation heatsink might be needed.6. Supply 15-18V at the connector CO1 and check forcorrect polarity.7. Three LEDs: 5V Supply, HS Supply and LS Supplymust be lit.8. Digital pulse signal interfaces for high side or low sideshould be connected to CO2 (pin 1-2 and 5-6) or theBNC adaptors.9. Connect DC+ of high voltage supply to CO3 and DC-to CO4. It has to be noted that a 5uF capacitor isavailable on board, but in most cases an externalbulk capacitor has to connected for voltagestabilization. The applied voltage on this connector must not exceed 900V10. Depending on type of the test and load, connect theload appropriately.11. The board can now be tested.NoticeROHM Customer Support System/contact/Thank you for your accessing to ROHM product informations.More detail product informations and catalogs are available, please contact us.N o t e sThe information contained herein is subject to change without notice.Before you use our Products, please contact our sales representative and verify the latest specifica-tions :Although ROHM is continuously working to improve product reliability and quality, semicon-ductors can break down and malfunction due to various factors.Therefore, in order to prevent personal injury or fire arising from failure, please take safety measures such as complying with the derating characteristics, implementing redundant and fire prevention designs, and utilizing backups and fail-safe procedures. ROHM shall have no responsibility for any damages arising out of the use of our Poducts beyond the rating specified by ROHM.Examples of application circuits, circuit constants and any other information contained herein areprovided only to illustrate the standard usage and operations of the Products. The peripheral conditions must be taken into account when designing circuits for mass production.The technical information specified herein is intended only to show the typical functions of andexamples of application circuits for the Products. ROHM does not grant you, explicitly or implicitly, any license to use or exercise intellectual property or other rights held by ROHM or any other parties. ROHM shall have no responsibility whatsoever for any dispute arising out of the use of such technical information.The Products specified in this document are not designed to be radiation tolerant.For use of our Products in applications requiring a high degree of reliability (as exemplifiedbelow), please contact and consult with a ROHM representative : transportation equipment (i.e. cars, ships, trains), primary communication equipment, traffic lights, fire/crime prevention, safety equipment, medical systems, servers, solar cells, and power transmission systems.Do not use our Products in applications requiring extremely high reliability, such as aerospaceequipment, nuclear power control systems, and submarine repeaters.ROHM shall have no responsibility for any damages or injury arising from non-compliance withthe recommended usage conditions and specifications contained herein.ROHM has used reasonable care to ensur e the accuracy of the information contained in thisdocument. However, ROHM does not warrants that such information is error-free, and ROHM shall have no responsibility for any damages arising from any inaccuracy or misprint of such information.Please use the Products in accordance with any applicable environmental laws and regulations,such as the RoHS Directive. For more details, including RoHS compatibility, please contact a ROHM sales office. ROHM shall have no responsibility for any damages or losses resulting non-compliance with any applicable laws or regulations.W hen providing our Products and technologies contained in this document to other countries,you must abide by the procedures and provisions stipulated in all applicable export laws and regulations, including without limitation the US Export Administration Regulations and the Foreign Exchange and Foreign Trade Act.This document, in part or in whole, may not be reprinted or reproduced without prior consent ofROHM.1) 2)3)4)5)6)7)8)9)10)11)12)13)。
罗姆(ROHM)企业介绍
罗姆企业介绍一、罗姆集团罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一，创立于1958年，是总部位于日本京都市的跨国集团公司。
“品质第一”是罗姆的一贯方针。
罗姆始终将品质放在第一位。
无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献。
历经半个多世纪的发展，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。
产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块产品、半导体应用产品、医疗器具。
在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
罗姆十分重视中国市场，已陆续在全国设立多家代表机构，在大连和天津先后开设工厂，并在上海和深圳设立设计中心，在上海和香港设立品质保证中心，提供技术和品质支持。
二、罗姆在中国的业务发展作为在中国市场的销售基地，最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司，随后，随着中国电子市场的扩大，在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司，2003年成立了罗姆半导体贸易（大连）有限公司，2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，至今已形成了以这4家销售公司和18家分公司为结构的销售网络（分公司：北京、天津、青岛、长春、南京、无锡、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、惠州、厦门、珠海、成都、重庆）。
并且，作为技术支持基地，2000年开设了上海设计中心，2006年开设了深圳设计中心。
作为生产基地，1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。
在天津进行晶体管、二极管、LED、激光二极管、LED 显示器、光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感头、图片链接模块、LED照明模块、光学传感器、LED显示器的生产，作为罗姆半导体集团的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。
此外，作为社会贡献活动中的一环，罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。
罗姆（RO
罗姆（RÖHM ）产品速览手册 世界一流的夹具产品和夹紧技术解决方案提供商罗姆（RÖHM ）－ 我们专注技术历经百年，罗姆（RÖHM ）品牌始终是速度、力量和精度的代表。
在夹具领域，罗姆（RÖHM ）也是您最可信赖的合作伙伴和系统集成商。
我们持续地致力于改善我们的产品和服务，不断地用我们的创造力和最优的生产流程开拓新兴市场。
从德国到美国，从中国到日本，罗姆（RÖHM ）正通过遍及世界各地的分公司和代理机构，将产品和服务源源不断地传输给我们的客户。
2 |罗姆（RÖHM ）产品速览手册Web2产品罗姆（RÖHM ）电子商务 通过Web2产品，可以在网页上自行设计卡爪的形状，并提交给罗姆进行生产制造，让您足不出户做非标。
首家以夹具产品销售的B2B 商务平台，让您足不出户选择罗姆的各种标准夹具产品。
“根据不同工业领域的特点来设计和制造夹具产品”1非常超前的技术设计能力。
产品在面对最严酷的工作条件下，也能发挥最专业的持久性和保持精密性。
钻夹头罗姆（RÖHM）产品速览手册工业用快速装夹钻夹头快速装夹钻夹头| 3钥匙式钻夹头2高刚性，高精度，多功能，非常耐用。
最高标准保证精密的生产过程。
顶尖端驱卡盘4 |活络顶尖死顶尖罗姆（RÖHM）产品速览手册旋转定心顶尖端驱顶尖／卡盘3令人印象深刻的夹紧力和高效率， 大型，重型的零件也可以被很好地夹紧。
自定心手动卡盘卡爪单动手动卡盘| 5罗姆（RÖHM ）产品速览手册快换键条式卡盘齿轮驱动卡盘卡爪单动卡盘卡爪动态夹紧力测量仪4这里没有退让，即使很重的零件也可以被安全可靠地，精密的夹紧。
6 |紧凑型精密虎钳罗姆（RÖHM）产品速览手册精密虎钳紧凑型双工位精密虎钳五轴机床用自定心精密虎钳铣床用精密虎钳钻床用精密虎钳磨削或质量检测用精密虎钳虎钳卡爪零点定位系统5令人印象深刻的灵活的解决方案，实现快速、动态的夹紧功能。
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长 春 +86-431-8863-5618 东 莞 +86-769-8393-3320 新加坡ɹɹ+65-6332-2322
北 京 +86-10-8525-2483 广 州
+86-20-3878-8100 菲律宾ɹɹ+63-2-807-6872
天 津 +86-22-2302-9181 惠 州
日本京都市右京区西院溝崎町21号 615-8585
电话:+81-75-311-2121 传真:+81-75-315-0172
功率器件
“全碳化硅”功率模块 罗姆在全球首家量产
碳化硅功率器件具有高耐压、低损耗、高速开关性能等 传统的硅材料器件所不具备的优异特性。 如今，对它的期待正以不可估量的势态高涨。 全球瞩目的最尖端功率器件—碳化硅 (SiC)， 罗姆已正式开始量产。 通过全球领先的研发投入， 罗姆将满足对功率器件的需求。
50 QJO
ˑɿ开发中
4$4"& 4$4"&
4$4,& 4$4,&
07 SiC Power Device
采用罗姆独创的LSI技术 最大限度发挥碳化硅的特性
DRIVER
内置绝缘元件的栅极驱动器
开发中
采用碳化硅实现高速工作
ɾ输入输出延迟时间Max.400ns的高速工作 ɾ使用无铁芯变压器，内置2500Vrms绝缘元件 ɾ采用独创的消音技术，实现高CMR ɾ支持高VGS、负电源˞˞BM6103FV-C ɾ小型封装ʢ 6.5×8.1×2.01mmʣ
ɾ冷却机构小型化 ɾ高功率密度 ɾ设备小型化
碳化硅器件活跃于各种领域， 包括电源、汽车、铁路、工业设备、 家用消费类电子设备等
ɹ 通过使用碳化硅器件，使设备小型化、低功耗化。 优异的高耐压、高耐热性能使其在比以往更狭小 的空间和更严苛的环境下得以使用。以汽车为例， 通过在混合动力车、电动汽车中使用，大幅降低 燃油消耗率，扩大室内空间。另外，使用太阳能 发电时，降低电力损耗50%左右，为地球环保做 出巨大贡献。
&TXʢN+ʣ 电流ʢ"ʣ
导通电阻ʢЊʣ
“全碳化硅”功率模块
量产产品
开关损耗最大减少ˋ
采用罗姆生产的碳化硅器件，推出低浪涌噪音的功率 模块。最大限度发挥碳化硅的高速性能。大幅降低开关 损耗。比Si-IGBT大幅降低损耗。
特 点ʢ#4.%1$ʣ
开关损耗最大降低ˋ˞ 体积减少约ˋ˞ 高速开关 额定电压̫／额定电流̖
˞同一条件下评估结果参考值
G1
G2
05 SiC Power Device
4J$.04'&5
量产产品
实现高速、低导通电阻
同时实现硅器件无法实现的高速开关和低导通电阻， 高温下也具备优良的电气特性。 大幅降低开关损耗，并实现周边元器件的小型化。
50
关断特性ʢ7产品间的比较ʣ
25
7EE7
开关损耗比较
60
7ET7 50 *E"
7HʢPOʣ7 7HʢP⒎ʣ7 40 5Kˆ *OEVDUJWFMPBE
30
4J*(#5模块 ʢ其它公司ʣ
˙内部电路图 (半桥电路)
D1
S1D2
S2
SS1
SS2
20
最大降低
10 “全碳化硅”功率模块
0
1
10
100
(BUFSFTJTUBODF3HʢЊʣ
˞与传统产品4J * ( #5 模块比较
˙与4J*(#5可以进行替换
碳化硅可以大幅降低开关损耗，根据使用条件可以与Si-IGBT进行替 换。
4J*(#5ʢ "ʙ"ʣ
“全碳化硅”功率模块ʢ "ʣ
碳化硅功率 损耗小
所以可以替换
体积减少 约ˋ
NN
NN NN
电流ʢ"ʣ
开关波形ʢ4$4"(ʣ
12
4J$4#%
10
8
6
开关损耗
4
降低约ˋ
2
0
-2 737
-4 EJEU"ЖTFD
4J'3%
-6
100
200
时间ʢOTFDʣ
50"$ QJO
50'. QJO
50 QJO
碳化硅功率器件产品线
碳化硅特设网站ɹIUUQXXXSPINDPNDOQSPEVDUTEJTDSFUFTJD
“全碳化硅”功率模块
1BDLBHF
7%4 *%
模块
7 " #4.%1$
4J$.04'&5 1BDLBHF
50 QJO
7%44 3%4 0/ʣ
7 NЊ 4$),&
4J$4#%ʢ碳化硅-肖特基势垒二极管
73
1BDLBHF
*' "
"
50"$ QJO
无 锡 +86-510-8270-2693 成 都 +86-28-8526-8670 韩 国ɹɹ+82-2-8182-700
苏 州 +86-512-6807-1300 重 庆 +86-23-6370-8809 欧洲
杭 州 +86-571-8765-8072 香 港
+852-2-740-6262 德 国ɹɹɹ+49-2154-921-0
4J.04'&5
ˆ时 仅ʙЊ
4J4VQFS+VODUHale Waihona Puke PO .04'&5
4J$.04'&5
50
100
150
200
温度ʢˆʣ
逆变电路
.PUPS
SiC Power Device 06
4J$4#%ʢ碳化硅-肖特基势垒二极管ʣ
量产产品
大幅降低开关损耗
开发出采用碳化硅材料的SBD (肖特基势垒二极管) ，适用于 PFC电路和逆变电路。具有Si-FRD (硅-快速恢复二极管) 无 法达到的极短反向恢复时间 (trr) ，实现高速开关。反向恢复 电荷量 (Qrr) 小，可降低开关损耗，有助于设备的小型化。
本资料所记载的内容是截至 2012年 6 月 1 日的材料。 严厉禁止在没有得到罗姆公司许可的情况下转载、翻印本资料的部分或全部内容。 本资料所记载的内容，有基于为使其更加完善等原因而未先预告便进行修改的情况。 本资料所记载的内容只是产品的情况介绍。要使用该产品时，请务必通过别的途径获取规格说明书，进一步确认产品的规格及其性能。 关于本资料所记载的应用电路实例和它的参数等信息是说明本产品在标准动作和使用方法的条件下。所以在量产设计时请充分地考虑外部诸条件。 本资料所记载的内容是力求准确无误而慎重编制成的，但万一用户方出现因该内容存在错误或打字差错造成损失的情况，罗姆公司不予承担责任。 本资料所介绍的技术内容是产品的典型工作状况和应用电路举例等，对于罗姆或其他公司的知识产权及其他所有权利未做明确的、暗示的准予实施或使用的承诺。如因使用这些技术内容而引发纠纷，罗姆 公司不予承担责任。 本资料所介绍的产品可应用于一般的电子设备。 本资料所述产品未作“防辐射设计”。 罗姆公司一直在努力提高产品的质量和可靠性，但有时还会出现这样那样的原因引发的故障。 希望所使用机器的减载、冗余设计、防火势蔓延、故障无碍等安全保障措施能够发挥作用，在罗姆产品出现故障时不至于产生人身安全事故、火灾损失等。如果超额使用或违反说明书上的使用注意事项， 罗姆公司概不承担任何责任。 本产品不是为应用于要求有极高可靠性的、一旦该产品出现故障或误动作即会直接危及人命或损害人体的机器、装置和系统（如医疗器械、运输机器、航空宇航装置、原子能控制、燃料控制及各种安全装 置，等等）而设计、制造的。如果应用于上面所列特定用途，罗姆概不承担任何责任。在考虑将本产品应用于上面所列特定用途时，请事先与罗姆的营业部门取得联系，共同讨论研究。 在输出本资料所介绍的产品及技术中符合「外国汇兑及外国贸易法」的产品或技术时，或者向国外提供时，必需取得依照该法发放的许可。
Catalog No.54P6597C 06.2012 ROHM © 1200ɾSH
法 国+33(0)140608730 英 国ɹɹ+44-1-908-272400 美洲 圣地亚哥 +1-858-625-3600 亚特兰大 +1-770-754-5972 达拉斯 +1-972-437-3748 巴西 +55-11-3539-6320 日本 京 都 +81-75-365-1216 横 浜 +81-45-476-2121
ROHM Sales Offices
大 连 +86-411-8230-8549 宁 波 +86-574-8765-4201 台 北
+886-2-2500-6956
上 海 +86-21-6279-2727 西 安 +86-29-8833-7848 高 雄
+886-7-237-0881
深 圳 +86-755-8307-3008 武 汉 +86-27-8555-7905 亚洲
03 SiC Power Device
工业设备 降低工业设备的电力损耗 实现小型化