单晶硅太阳能电池地光电转换效率为15

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单晶硅太阳能电池板详细参数

单晶硅太阳能电池板详细参数

单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板详细参数:单晶硅太阳能板100W 尺寸:963x805x35MM 净重:11KGS 工作电压:33.5V 工作电流:2.99A 开路电压:41.5V 短路电流:3.57A 蓄电池:24v 二、产品特点:采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合IEC61215 和电气保护II 级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。

阳极氧化铝边框:机械强度高,具有良好的抗风性和防雹性,可在各种复杂恶劣的气候条件下使用,便于安装。

太阳能电池板在制造时,先进行化学处理,表面做成了一个象金字塔一样的绒面,能减少反射,更好地吸收光能。

采用双栅线,使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳,符合IEC 国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA 材料以及TPT 复合材料,组件气密性好,抗潮,抗紫外线好,不容易老化。

直流接线盒:采用密封防水、高可靠性多功能ABS 塑料接线盒,耐老化防水防潮性能好;连接端采用易操作的专用公母插头,使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度:-40℃~+90℃使用寿命可达20 年以上,衰减小于20%。

三、问题集锦:1、什么是太阳能电池答:太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池,目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池需要高纯度的硅原料,一般要求纯度至少是99. 99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许2 个杂质原子存在。

硅材料是用二氧化硅(SiO2,也就是我们所熟悉的沙子)作为原料,将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理性能及特点:太阳能电池分为单晶硅太阳电池〔坚固耐用,使用寿命一般可达20年。

光电转换效率为15%。

〕多晶硅太阳电池〔其光电转换效率约14.5%,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低非晶硅太阳电池。

〕非晶硅太阳能电池〔其光电转换率为10%,成本低,重量轻,应用方便。

〕太阳能发电原理:太阳能不象煤和石油一样用交通工具进行运输,而是应用光学原理,通过光的反射和折射进行直接传输,或者将太阳能转换成其它形式的能量进行间接传输。

直接传输适用于较短距离。

基本上有三种方法:基本上有三种方法:通过反射镜及其它光学元件组合,改变阳光的传播方向,到达用能地点;通过光导纤维,可以将入射在其一端的阳光传输到另一端,传输时光导纤维可任意弯曲;采用外表镀有高反射涂层的光导管,通过反射可以将阳光导入室内。

间接传输适用于各种不同距离。

将太阳能转换为热能,通过热管可将太阳能传输到室内;将太阳能转换为氢能或其它载能化学材料,通过车辆或管道等可输送到用能地点;空间电站将太阳能转换为电能,通过微波或激光将电能传输到地面。

太阳能的光电转换是指太阳的辐射能光子通过半导体物质转变为电能的过程,通常叫做"光生伏打效应”,太阳电池就是利用这种效应制成的。

当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被外表反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。

被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子-空穴对。

这样,光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能、如果半导体内存在P-n结,则在P型和n型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向n区,空穴驱向P区,从而使得n区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P-n结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。

光生电场的一部分除抵销势垒电场外,还使P型层带正电,n型层带负电,在n区与p 区之间的薄层产生所谓光生伏打电动势。

假设分别在P型层和n型层焊上金属引线,接通负载,则外电路便有电流通过。

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板详细参数:单晶硅太阳能板100W 尺寸:963x805x35MM 净重:11KGS 工作电压:33.5V 工作电流:2.99A开路电压:41.5V 短路电流:3.57A 蓄电池:24v 二、产品特点: 采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合 IEC61215和电气保护 II 级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。

阳极氧化铝边框:机械强度高,具有良好的抗风性和防雹性,可在各种复杂恶劣的气候条件下使用,便于安装。

太阳能电池板在制造时, 先进行化学处理, 表面做成了一个象金字塔一样的绒面,能减少反射,更好地吸收光能。

采用双栅线,使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳, 符合 IEC 国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层 EVA 材料以及 TPT复合材料,组件气密性好,抗潮,抗紫外线好,不容易老化。

直流接线盒:采用密封防水、高可靠性多功能 ABS塑料接线盒,耐老化防水防潮性能好;连接端采用易操作的专用公母插头,使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度:-40℃~+90℃使用寿命可达 20 年以上,衰减小于 20%。

三、问题集锦:1、什么是太阳能电池答:太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池,目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅(单晶、多晶太阳能电池需要高纯度的硅原料,一般要求纯度至少是 99. 99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许 2个杂质原子存在。

单晶硅的光电转换效率

单晶硅的光电转换效率

单晶硅的光电转换效率
单晶硅是目前最为常见的太阳能电池材料之一,因其具有优异的光电
转换效率而备受瞩目。

所谓光电转换效率,就是指太阳能电池从接收
太阳能到将其转化为电能的过程中,实际能量转换比例的大小。

单晶
硅的光电转换效率之高,源于其材料特性和制备方法的优良。

单晶硅的材料特性
单晶硅的原子结构非常密集,没有缺陷和杂质,能够将入射光线完全
转化为电能。

由于其晶格高度有序,能够捕获光线的效率非常高,因
此单晶硅太阳能电池的转化效率也非常高,可以达到20%以上。

此外,单晶硅还具有优良的光学稳定性和机械强度,可以在极端的环境条件
下使用。

单晶硅的制备方法
单晶硅太阳能电池的制备方法非常繁琐,需要经过多个工序。

首先,
需要将硅材料熔化,将其转化为高纯度的硅棒。

然后,将硅棒切割成
非常薄的硅片,通常只有几纳米厚。

接下来,需要通过精密的工艺控
制晶格的生长方向,使得硅片成长为单晶硅。

最后,将单晶硅片覆盖
上金属线和反光层,将其转化为太阳能电池。

总的来说,单晶硅的光电转换效率非常高,可以达到20%以上。

由于其材料特性和制备方法的优良,单晶硅太阳能电池被广泛应用于生产太阳能电力的领域。

虽然该制备方法十分繁琐,但其在太阳能电池领域的应用前景仍然非常广阔,未来也将继续得到更多的关注和推广。

太阳能发电技术分类介绍

太阳能发电技术分类介绍

电池可吸收300~1900nm波长之能量相对其转换效率可
大幅提升,而且聚光型太阳能电池的耐热性比一般晶圆 型太阳能电池又来的高。
聚光光伏的特点
与其他光伏形式相比聚光光伏具有以下优点:
第一, CPV技术由于光电转化效率高等特点,在相同装机容量情况下发电量较 精贵电站有显著提高,是能用于建造大型支撑电源的最理想的太阳能发电技术。 第二,与晶硅和薄膜太阳能发电技术相比,CPV目前1.5~3美元/Wp的建设成本 并无优势,但随着生产规模的扩大、电池效率的提高、聚光模块的改进等,成 本会大幅下降,潜在优势大。 第三,同等发电量情况下CPV电厂占地面积小,而且由于跟踪系统的倾角改变,
三、太阳能光伏发电技术
原理“光生伏特效应”,简称“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或
半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子(光 波)转化为电子、光能量转化为电能量的过程;其次,是形成电压过程。有
了电压,就像筑高了大坝,如果两者之间连通,就会形成电流的回路。
光伏系统构成
以地面并网电站为例,其光伏系统主要由:光伏阵列、汇流箱、逆变器、 变配电设备、二次保护设备、SVG、计量设备等组成。
薄膜电池特点
薄膜太阳电池的主要优点有:质量小、厚度极薄(几个微米)、可弯曲、制造工
艺简单等。. 传统晶体硅太阳电池由于由硅组成,电池主要部分易碎,易产生隐形裂纹,大多有一 层钢化玻璃作为防护,造成重量大,携带不便,抗震能力差效率或多或少降低.
薄膜太阳电池克服了上述缺点,前些年由于技术落后,薄膜太阳电池的光电转化效
2015年11月ຫໍສະໝຸດ 一、太阳能发电技术概述及分类
太阳能发电主要有太阳能光发电和太阳能热发电两种基本方式。 不通过热过程直接将太阳的光能转换成电能的利用方式称为太阳能光发电,目前得 到实际应用的是光伏电池。太阳能热发电是将吸收的太阳辐射热能转换成电能的装 置。

(效率管理)太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率

(效率管理)太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率

太阳能电池板太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率.1.效率越大,相同面积的太阳能电池板输出功率也就越大, 用高效率的太阳能电池板可以节省安装面积, 但是价格更贵.2.太阳能电池的功率, 在太阳能电池板的背面标牌中, 有关于太阳能电池板的输出参数, 如VOC开路电压,ISC短路电流,VMP工作电压,IMP工作电流, 等. 但我们只需要用工作电压和工作电流就可以了, 这两个相乘就可以得这块太阳能电池板的输出功率.太阳能电池板介绍:采用高质量单晶/多晶硅材料,经精密设备树脂封装生产出来的太阳能板,有良好的光电转换效果,外形美观,使用寿命长。

太阳能电池板的作用是将太阳的光能转化为电能后,输出直流电存入蓄电池中。

太阳能电池板是太阳能发电系统中最重要的部件之一。

太阳能电池组件可组成各种大小不同的太阳能电池方阵,亦称太阳能电池阵列。

太阳能电池板的功率输出能力与其面积大小密切相关,面积越大,在相同光照条件下的输出功率也越大。

2.太阳能电池板的种类(1)单晶硅太阳能电池目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。

由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用,使用寿命一般可达15年,最高可达25年。

(2)多晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多,但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%的世界最高效率多晶硅太阳能电池)。

从制作成本上来讲,比单晶硅太阳能电池要便宜一些,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。

此外,多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。

从性能价格比来讲,单晶硅太阳能电池还略好。

:太阳能电池板solar cell panel由若干个太阳能电池组件按一定方式组装在一块板上的组装件。

暖通空调知识:太阳能发电的现状[工程类精品文档]

暖通空调知识:太阳能发电的现状[工程类精品文档]

暖通空调知识:太阳能发电的现状[工程类精品文档]本文内容极具参考价值,如若有用,请打赏支持,谢谢!太阳能发电主要分为太阳能光伏发电和太阳能热能发电两种,2011年全球新增太阳能发电装机容量约2800万千瓦。

累计装机容量达6900万千瓦,当年全球太阳能产值为930亿美元。

欧盟在太阳能发电方面居于领先地位,但美国和中国的发展势头迅猛。

今年3月美国太阳能产业协会和GTM市场调研公司共同发布的报告预计,到2016年美国占全球太阳能板市场的份额将由2011年7%提升至15%.届时,美国与中国可能将成为全球两大领先的太阳能市场[1].太阳能光伏发电是利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能。

光伏发电系统主要由太阳能电池、蓄电池、控制器和逆变器组成,其中太阳能电池是光伏发电系统的关键部分,太阳能电池板的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。

太阳能电池主要分为晶体硅电池和薄膜电池两类,前者包括单晶硅电池、多晶硅电池两种,后者主要包括非晶体硅太阳能电池、铜铟镓硒太阳能电池和碲化镉太阳能电池。

单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高可达23%,在太阳能电池中光电转换效率最高,但其制造成本高。

单晶硅太阳能电池的使用寿命一般可达15年,最高可达25年。

多晶硅太阳能电池的光电转换效率为14%到16%,其制作成本低于单晶硅太阳能电池,因此得到大量发展,但多晶硅太阳能电池的使用寿命要比单晶硅太阳能电池要短。

提高太阳能发电竞争力的途径,就是要提高其光电转换效率,降低生产成本。

因此,硅太阳能电池的研发主要围绕以下两个方面进行:一是提高太阳光辐照能转化为电能的光电转换效率;二是大幅度降低单瓦成本。

2010年美国能源部启动了太阳计划,旨在降低太阳能发电的均化成本,计划到2020年在没有补贴的前提下将其降为每千瓦50到60美元。

就公用事业电站项目的太阳能发电而言,其安装成本必须降至每瓦1美元,其中太阳能电池模块的成本为每瓦0.5美元,并入常规电网的成本为每瓦0.1美元,软性成本(包括安装、许可证的获取和其他成本等)为每瓦0.4美元。

单晶硅,多晶硅,非晶硅的区别和性能差异

单晶硅,多晶硅,非晶硅的区别和性能差异

单晶硅,多晶硅,非晶硅的区别和性能差异一、单晶硅太阳能电池名称:单晶硅英文名:Monocrystalline silicon单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分。

硅的单晶体,具有基本完整的点阵结构的晶体。

不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。

纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。

用于制造半导体器件、太阳能电池等。

用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。

超纯的单晶硅是本征半导体。

在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途:是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。

二、多晶硅太阳能电池名称:多晶硅英文名:polycrystalline silicon性质:灰色金属光泽。

密度2.32~2.34。

熔点1410℃。

沸点2355℃。

溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。

硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。

加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。

常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。

高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。

具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。

多晶硅是单质硅的一种形态。

熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

单晶硅型太阳能电池转换效率达到15.9%

单晶硅型太阳能电池转换效率达到15.9%
20 年 第 9 09 期 后半年钴价可能在 1 ̄ 0 52 美元/b范围内波动。 l 日本 20 09年 l4月进 口钴 块材 、粉末 ( ~ 包括 中间产 品 )3 1t 比上 年 同期 减少 2% 38 , 3。 其 中,从 芬兰进 口 10 t 4 5 ,加拿 大进 口 8 2 ,挪威 进 口 2 9 ,赞 比亚进 口 4 t 1t 3t 1 。从赞 比亚进 口同比大幅下 降 8% 0 。这是因为赞 比亚谦 比希精炼厂因钴价下跌从 20 年 l 0 8 2月开始停产, 仅出售库存。 另外, 日本买家也因需求下降而减少购买。 日本 20 年 14月进口氧化钻 12 , 09  ̄ 6t 同比减少 5% 1,其中从中国大陆进 口 l8 ,台湾进 口 1t 1t 7 ,芬兰进 口 7 。l4 t  ̄ 月进 口氢氧化 钴 7t 9 ,同比下降 49 9 ,从 比利时进口 3 ,同比减少 9% 6 t 8 ,从台湾进口 7 t 6 ,同比增加 12 。 7% ( 杨晓 婵 摘译 )
当。
此 次产综 研还介 绍 ,10 厚多 晶硅型 单元 的转换 效率达 到 了最初 预测 的数 值 ,即约 0 m u 为 l %。 由于 多 晶硅 晶圆含 有 晶界等 ,因此 与单 晶硅相 比 ,更难实 现薄 型化 。 5
1 9Βιβλιοθήκη ・ 技信 息 ・ 科 日 试制出利用 GN a 系半导体的红色 L I E 元件 ) 大 阪大学研 究生 院工学研 究系材 料 生产科 学专业教 授藤 原康 文试制 出了利用 G N系半 导 a 体 的红色 L D元件 。利用 G N 系半 导体 的蓝色 L D 元件 及绿 色 L D元 件现 已达 到实 用水 E a E E 平 ,但 试制 出红色 L D 元 件 “ E 还是全球 首 次 ”( 原 ) 果可 与蓝色 L D元 件及绿 色 L D 藤 。如 E E 元 件 一样 ,利用 Ga 系 半导体制 造 出红色 L D元 件 ,便 可在 相 同底 板 内实现 RG 的 3原 N E B 色。这样一来,估计将有助于实现像素尺寸较小且精细度较高的 L D显示器。 E 此 次,通过 在发 光层上 利用添 加稀土 类元 素 “ ( u ”的 G N,实 现 了红色 L D 元 铕 E) a E 件 。此 前也进行 过 向 Ql 添 加 E N u以获得 红色光 的研究 ,但 原来采 用离 子注入 法添 加 E , u 通 过 光致激 发 ( htecain P ooxi t )获得 红色 光 。而 藤 原的研 究小组采 用 MOC t o VD 法添加 E , u 同时通过注 入 电流 成功 地获 得 了红 色光 。这是 “ 全球 首次 ”采用 该方法 获得 红色 激光 。 试 制 品在驱动 电流 为 2 mA,驱动 电压 为 6 时 ,光输 出功率 为 1 W 。虽然 光输 出功 0 V . 3 率 尚小 ,但 作为 L D元件 ,如 果进一 步优化 电极 结构等 ,预 计还 可大 幅提 高光输 出功率 。 E 单晶硅型太阳能电池转换效率达到 1. % 9 5 日本的产业技术综合研究所太阳能发 电研究中心在太阳能电池技术相关会议 “ 5 第 届成 果报告会”上宣布,采用 8 ~10 1厚度的薄硅晶圆制造的单晶硅型太阳能 电池的能量转 0 0 1 1 换效 率达 到 了 1. 5 % ̄ 1. 9 73 %。 该单元的电极采用 网印以及名为 “ 两面同时烧结工艺 ”制作而成。2m 见方、10 c 0 ul I l 厚 的硅 单元 的发 电能力方 面 ,效率 为 l.%,开 放 电压 为 067 73 .1V,短路 电流 为 3 . /m: 55 c . mA

最低光电转换效率

最低光电转换效率

最低光电转换效率光电转换效率是用来衡量光电器件将光能转化为电能的能力的指标,通常以百分比表示。

光电转换效率越高,说明光电器件的能量转换效率越高,能够更有效地利用光能。

然而,不同类型的光电器件具有不同的最低光电转换效率。

下面将以太阳能电池、光电二极管和光电倍增管为例,分别介绍它们的最低光电转换效率。

首先是太阳能电池,它是将太阳光转化为电能的光电器件。

太阳能电池是目前应用最广泛的光电器件之一,其最低光电转换效率主要取决于材料的能带结构。

常见的太阳能电池材料有硅、钙钛矿等。

其中,单晶硅太阳能电池的最低光电转换效率约为15%左右,而多晶硅太阳能电池的最低光电转换效率约为13%左右。

钙钛矿太阳能电池的最低光电转换效率可以达到20%以上,甚至可以超过25%。

可以看出,太阳能电池的最低光电转换效率已经相当高,但仍有提升空间。

其次是光电二极管,它是一种将光能转化为电能的半导体器件。

光电二极管的最低光电转换效率主要取决于材料的能带结构和光吸收能力。

常见的光电二极管材料有硒化铟、硒化镉等。

其中,硒化铟光电二极管的最低光电转换效率约为10%左右,而硒化镉光电二极管的最低光电转换效率约为5%左右。

可以看出,光电二极管的最低光电转换效率相对较低,主要原因是光电二极管的结构和材料的限制。

最后是光电倍增管,它是一种将光信号放大的器件。

光电倍增管的最低光电转换效率主要取决于灵敏度和放大倍数。

常见的光电倍增管材料有碱金属和硒化铟等。

其中,碱金属光电倍增管的最低光电转换效率约为10%左右,而硒化铟光电倍增管的最低光电转换效率约为5%左右。

可以看出,光电倍增管的最低光电转换效率相对较低,主要原因是光电倍增管的结构和材料的限制。

太阳能电池的最低光电转换效率约为15-25%,光电二极管和光电倍增管的最低光电转换效率约为5-10%。

不同类型的光电器件具有不同的最低光电转换效率,这是由于它们的结构和材料的差异所致。

未来,随着材料科学和器件工艺的不断发展,相信光电器件的光电转换效率还会得到进一步提高。

单晶硅的制备及其太阳能电池中的运用毕业论文

单晶硅的制备及其太阳能电池中的运用毕业论文

昆明学院2015届毕业论文(设计)论文(设计)题目单晶硅的制备及其在太阳能电池中的运用子课题题目无姓名胡渐平学号 201117030207所属院系物理科学与技术系专业年级物理学2班指导教师张连昌2015年5月单晶硅的制备及其在太阳能电池中的运用摘要本文研究单晶硅材料的制备及其在太阳能电池中的运用。

制造太阳能电池的半导体材料已知的就有十几种,因此太阳电池的种类也很多。

硅材料分为单晶硅、多晶硅、铸造硅以及薄膜硅等许多形态。

虽然形态不一制作方法不尽相同,但是实现的目的是一样的。

都是尽可能多的将太阳光的光能转化为电能,硅是地球上储藏最丰富的元素之一。

目前作为单晶硅的制备方法分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ),并且这两种方法是工业上运用最广的方法。

从多晶硅中提炼出单晶,然后通过拉硅单晶棒、切割得到单晶硅圆片,再经过刻蚀,最后生产成太阳能电池组件。

生产过程大致可分为五个步骤:(a)提纯过程(b)拉棒过程(c)切片过程(d)制电池过程(e)封装过程。

本文就单晶硅的制备和在太阳能电池中的运用略作讨论。

本文中提高单晶硅太阳能电池的绒面工艺及电化学刻蚀工艺的原理及应用于太阳能电池中对效率所带来的影响的研究。

单晶硅太阳能电池,是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池,是当前开发得最快的一种太阳能电池。

它的构造和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。

采用的来提高单晶硅太能电池效率的各种理论研究,首先采用了电化学刻蚀工艺和绒面工艺两者对太阳能电池效率的影响,从理论上的结果来看采用两者工艺结合所形成的抗反射层可以使太阳能电池的平均反射率降到2%,并进一步研究了在电化学刻蚀中各种参数对太阳能电池表面形貌的影响。

此外,论文还提出了另一种制备纳米硅抗反射层的方法及其在太阳能电池中的抗反射效果,研究发现这种制各纳米硅抗反射层的方法十分简单,且能够取得十分优异的降低反射率的效果,并且采用结合绒面工艺的纳米硅工艺所制得抗反射膜可以使得太阳能电池表面的反射率降到1%左右,甚至优于电化学刻蚀工艺和绒面工艺两者的结合。

硅太阳能电池工作效率

硅太阳能电池工作效率

硅太阳能电池工作效率
硅太阳能电池的工作效率因技术发展和材料改进而有所提高。

目前,
单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,实验室最高效率可达到24.7%。

因此,硅太阳能电池的效率在不断提高,但具体数值还需要根
据当前的技术发展情况而定。

此外,影响硅太阳能电池效率的因素有很多,包括电池厚度、表面状态、污染程度以及电池的安装方式等。

为了提高硅太阳能电池的效率,需要采取一系列措施来保持其清洁和状态良好,以提高光电转换效率。

请注意,这些信息可能随着技术的进步而变化,因此建议您查阅相关
资料以获取最新信息。

半导体技术的发展历程

半导体技术的发展历程
17
3.9 5-6 7 10 10-20 15-30 30

High k介质材料
淀积方法: • MOCVD • PVD (溅射, 蒸发) • ALE (原子层淀积) • MBE

18
High k介质材料 ALD (原子层淀积)

15
High k介质材料
材料要求 : • • • • • 高介电常数 热稳定性 界面质量 易于处理 可靠性

16
High k介质材料
• • • • • • •
SiO2 Si3N4/SiO2 stack Si3N4 Al2O3 ZrSiOy, HfSiOx, LaSiOx ZrO2, HfO2, La2O3, Y2O3 crystal Pr2O3

9
2、太阳能电池技术;
(3)异质结结构: 最早专利申请始于1956年 (4)肖特基结结构: 专利申请始于1966年

10
2、太阳能电池技术;
(5)MIS结结构 专利申请始于1971年 (6)超晶格能带结构 专利申请始于1982年 (7)能带渐变结构 最早专利申请始于1977年
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二、半导体技术的热点
1、纳米技术; 2、太阳能电池技术(光电); 3、LED技术(OLED技术,电光); 4、FinFET技术。

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2、太阳能电池技术;
(1)单晶硅太阳能电池 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,单晶 硅太阳能电池一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用, 使用寿命一般可达15年,最高可达25年。 (2)多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电 池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约12%左右。 (3)非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池,目前国际先进水平为 10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减。

太阳能发电的原理与效率

太阳能发电的原理与效率

太阳能发电的原理与效率在当今能源需求不断增长,环境问题日益严峻的背景下,太阳能作为一种清洁、可再生的能源,其发电技术备受关注。

太阳能发电不仅为我们提供了可持续的能源解决方案,还对减少温室气体排放、保护生态环境具有重要意义。

接下来,让我们深入了解一下太阳能发电的原理与效率。

太阳能发电的原理主要基于光电效应。

简单来说,就是当光线照射到某些特定的材料(如硅)上时,材料中的电子会吸收光子的能量,从而获得足够的能量摆脱原子核的束缚,形成电流。

这个过程就好像是光子给了电子一把“钥匙”,让它们能够从材料中“跑出来”,形成可以被利用的电能。

在太阳能发电系统中,最核心的部件是太阳能电池板。

太阳能电池板通常由多个太阳能电池单元组成,这些单元就像是一个个小小的“发电站”。

常见的太阳能电池主要有晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池两种类型。

晶体硅太阳能电池是目前应用最广泛的一种。

它分为单晶硅和多晶硅两种。

单晶硅太阳能电池的光电转换效率相对较高,但成本也较高;多晶硅太阳能电池的成本相对较低,但光电转换效率略逊一筹。

薄膜太阳能电池则具有轻薄、灵活的特点,可以制作在柔性基底上,适用于一些特殊的应用场景。

不过,它的光电转换效率目前普遍低于晶体硅太阳能电池。

那么,太阳能发电的效率究竟受到哪些因素的影响呢?首先是光照强度和角度。

就像我们晒太阳时,不同的时间和角度感受到的热度不同一样,太阳能电池板接收的光照强度和角度直接影响着发电效率。

充足且垂直的光照能够让电池板最大限度地吸收光能。

其次是温度。

太阳能电池板在工作时会发热,如果温度过高,会影响电子的运动,从而降低发电效率。

所以,在实际应用中,常常需要采取散热措施来保持电池板在适宜的温度范围内工作。

再者是电池板的质量和工艺。

高质量的材料、先进的制造工艺能够减少电子在传输过程中的损失,提高光电转换效率。

还有一个重要因素是阴影遮挡。

如果电池板的部分区域被阴影遮挡,不仅被遮挡的部分无法正常发电,还会对整个电池板的输出功率产生负面影响。

太阳能电池片哪面是正极

太阳能电池片哪面是正极

太阳能电池片哪面是正极太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。

以光电效应工作的晶硅太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。

那么太阳能电池片哪面是正极呢?具有使用寿命长,机械抗压外力强等特点。

EV A一种热固性有粘性的胶膜,用于放在夹胶玻璃中间(EV A 是Ethylene乙烯Vinyl乙烯基Acetate醋酸盐的简称)。

由于EV A胶膜在粘着力、耐久性、光学特性等方面具有的优越性,使得它被越来越广泛的应用于电流组件以及各种光学产品。

太阳能背板位于太阳能电池板的背面,对电池片起保护和支撑作用,具有可靠的绝缘性、阻水性、耐老化性。

一般具有三层结构( PVDF/PET/PVDF),外层保护层PVDF 具有良好的抗环境侵蚀能力,中间层为PET 聚脂薄膜具有良好的绝缘性能,内层PVDF 和EV A 具有良好的粘接性能。

太阳能电池板主要分为以下几种(1)多晶硅太阳能电池:多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约12%左右。

从制作成本上来讲,比单晶硅太阳能电池要便宜一些,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。

此外,多晶硅四川太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。

从性能价格比来讲,单晶硅太阳能电池还略好。

(2)非晶硅太阳能电池:非晶硅四川太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池,它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同,工艺过程大大简化,硅材料消耗很少,电耗更低,它的主要优点是在弱光条件也能发电。

但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低,国际先进水平为10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减。

(3)单晶硅太阳能电池:单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,这是所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被普遍地使用。

单晶硅太阳能板效率

单晶硅太阳能板效率

单晶硅太阳能板效率
单晶硅太阳能板电池组件生产线的技术改造主要技术经济指标:组件效率14%~15%,组件寿命20~25年。

单晶太阳能板是由若干个单晶硅太阳能电池片按一定方式组装在一块板上的组装件。

单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。

由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用,使用寿命一般可达15年,最高可达25年。

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实用标准文案
精彩文档太阳能电池硅板的区别
单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%
多晶硅太阳能电池的光电转换效率为12%左右,最高的达到14.8%
非晶硅太阳电池是指薄膜式太阳电池,光电转换效率为10%左右
非晶硅(a-Si)
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以无规网络形态排列成许多晶核,这些晶粒结合起来,就结晶成非晶硅。

多晶硅(p-Si)
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

单晶硅(c-Si)
以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种(籽晶)上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齐排列所以称为单晶硅。

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