单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15

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晶体硅太阳电池技术的发展

晶体硅太阳电池技术的发展

第二节晶体硅太阳电池技术的发展2.1 简介尽管硅太阳电池的.历史可以追溯到20世纪60年前硅双极性器件刚开发的时期,但直到80年代末、90年代初,太阳电池技术才得到高速发展。

现阶段无论是电池理论的研究还是实验室研制的电池性能的研究,都取得了很大的进展,电池性能已经提高到以往难以想象的水平。

目前实验室单晶硅和多晶硅电池的光电转换效率已经分别达到25%和20.5%,远远高于过去认为20%的极限值。

硅太阳电池的设计和对硅材料的要求都不同于其他的硅电子器件。

为了获得高转换效率,不仅要求表面有理想的钝化,同时也要求体材料特性均匀、高质量。

这是因为较长波段的光必需穿过几百微米的硅层后才被完全吸收,而由这些波长的光所产生的载流子必须要有较长的寿命才能被电池收集。

本节主要回顾硅太阳电池发展的历史,讨论现代电池设计的特点以及概括未来可能实现的电池性能改进的方向。

2.2 早期的硅太阳电池最早的晶体硅电池起源于硅在点接触整流器中应用的研究。

早在1874年金属接点和各种晶体接触的整流特性就为人所知了。

在无线电发展的早期,这种晶体整流器普遍用作无线电接收器的探测元件。

但是,随着热电子管的普及,除了在超高频领域,晶体整流器已经被替代。

实践证明,最恰当的方法是钨接点与硅表面的接触。

该发现对提高硅的纯度和对硅特性的进一步研究起到了推动作用。

贝尔实验室的Russell Ohl在研究纯硅材料的融熔再结晶时,意外发现在很多商用高纯硅衬底上生长出的多晶硅锭显示了清晰的势垒。

这种“生长结”是重结晶过程中杂质分凝的产物。

Ohl还发现,当样品受光照或加热时,结的一端会产生负电势,而另一端必须在加负偏压时,才能降低电阻使电流通过“势垒”,这个现象导致了pn结的诞生。

加负压的这一端材料被称为“n型”硅,相反的一端则称为“p型”硅。

这一初步实验很明确地显示了施主杂质和受主杂质在pn结特性中各自的掺杂效果。

1941年,首个基于这种“生长结”的光伏器件被报道。

太阳能光伏系统知识-太阳能电池板

太阳能光伏系统知识-太阳能电池板

四、太阳能电池板性能测试环境
地面上的太阳光,一部分来自太阳直接照射,另一部分来自大气层或
周围环境的散射,前者称为直接辐射,后者称为天空辐射,二者合起 来称为总辐射,在正常大气条件下直接辐射占总辐射的75%以上。 太阳光的辐射线都属于波长不等的电磁波。太阳能电池板对不同波长 的光具有不同响应,辐照度相同、光谱成分不同的光照射到同一块板 上,其效果不同;太阳光是各种波长的复合光,它所含的光谱成分组 成光谱分布曲线,而其光谱分布也随地点、时间及其它条件的差异而 不同,大气层外情况很单纯,太阳光谱几乎相当于6000K 的黑体辐射 光谱,称为 AMO 光谱。国际标准规定,在晴朗气候条件下,当太阳 透过大气层到达地面所经过的路程为大气层厚度的1.5 倍时,光谱为 标准地面太阳光谱,简称AM1.5 ,此时太阳天顶角为48.19°。
七、太阳能电池板使用注意事项
偶然遮挡不可避免,故需用旁路二极管来起保护作用。
若所有组件并联,就不需要旁路二极管;若要求输出电 压为24V(或更高),那么必须有2个(或更多)组件串联, 这时就需加旁路二极管来控制光伏系统中电流。阻塞二 极管既可在每一并联支路,又可在阵列与控制器之间的 干路上,但当多条支路并联接成一个大系统,则应在每 条支路上用阻塞二极管以防止由于支路故障或遮蔽引起 的电流由强电流支路流向弱电流支路的现象(控制器没 有这项功能)。小系统在干路上用一个阻塞二极管就够 了,不要两种都用,因为每个二极管会降压0.4~0.7V是 一个12V系统的6%。
九、太阳能电池片设计举列
用Φ 40mm单晶硅片(效率8.5%)设计一电压1.5V,功率为1.2W的组件:
1.单晶硅片的工作电压为:V=0.41V
2.则串联电池数:Ns=1.5/0.41=3.66片,取Ns=4片 3.单体电池板面积:S=π d2/4=π ×42/4=12.57cm2 4.单体板封装后功率:Pm=100MW/CM2×12.57×8.5%×95%=100MW=0.1W (95%是封装时的失配损失) 5.需太阳电池总的片数:N=1.2÷0.1=12片

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板详细参数:单晶硅太阳能板100W 尺寸:963x805x35MM 净重:11KGS 工作电压:33.5V 工作电流:2.99A开路电压:41.5V 短路电流:3.57A 蓄电池:24v 二、产品特点: 采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合 IEC61215和电气保护 II 级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。

阳极氧化铝边框:机械强度高,具有良好的抗风性和防雹性,可在各种复杂恶劣的气候条件下使用,便于安装。

太阳能电池板在制造时, 先进行化学处理, 表面做成了一个象金字塔一样的绒面,能减少反射,更好地吸收光能。

采用双栅线,使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳, 符合 IEC 国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层 EVA 材料以及 TPT复合材料,组件气密性好,抗潮,抗紫外线好,不容易老化。

直流接线盒:采用密封防水、高可靠性多功能 ABS塑料接线盒,耐老化防水防潮性能好;连接端采用易操作的专用公母插头,使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度:-40℃~+90℃使用寿命可达 20 年以上,衰减小于 20%。

三、问题集锦:1、什么是太阳能电池答:太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池,目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅(单晶、多晶太阳能电池需要高纯度的硅原料,一般要求纯度至少是 99. 99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许 2个杂质原子存在。

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理性能及特点:太阳能电池分为单晶硅太阳电池〔坚固耐用,使用寿命一般可达20年。

光电转换效率为15%。

〕多晶硅太阳电池〔其光电转换效率约14.5%,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低非晶硅太阳电池。

〕非晶硅太阳能电池〔其光电转换率为10%,成本低,重量轻,应用方便。

〕太阳能发电原理:太阳能不象煤和石油一样用交通工具进行运输,而是应用光学原理,通过光的反射和折射进行直接传输,或者将太阳能转换成其它形式的能量进行间接传输。

直接传输适用于较短距离。

基本上有三种方法:基本上有三种方法:通过反射镜及其它光学元件组合,改变阳光的传播方向,到达用能地点;通过光导纤维,可以将入射在其一端的阳光传输到另一端,传输时光导纤维可任意弯曲;采用外表镀有高反射涂层的光导管,通过反射可以将阳光导入室内。

间接传输适用于各种不同距离。

将太阳能转换为热能,通过热管可将太阳能传输到室内;将太阳能转换为氢能或其它载能化学材料,通过车辆或管道等可输送到用能地点;空间电站将太阳能转换为电能,通过微波或激光将电能传输到地面。

太阳能的光电转换是指太阳的辐射能光子通过半导体物质转变为电能的过程,通常叫做"光生伏打效应”,太阳电池就是利用这种效应制成的。

当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被外表反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。

被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子-空穴对。

这样,光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能、如果半导体内存在P-n结,则在P型和n型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向n区,空穴驱向P区,从而使得n区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P-n结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。

光生电场的一部分除抵销势垒电场外,还使P型层带正电,n型层带负电,在n区与p 区之间的薄层产生所谓光生伏打电动势。

假设分别在P型层和n型层焊上金属引线,接通负载,则外电路便有电流通过。

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区别1

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区别1

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区别硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。

其中基本材料为P型单晶硅,厚度为0.3—0.5mm左右。

上表面为N+型区,构成一个PN+结。

顶区表面有栅状金属电极,硅片背面为金属底电极。

上下电极分别与N+区和P区形成欧姆接触,整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。

当入发射光照在电池表面时,光子穿过减反射膜进入硅中,能量大于硅禁带宽度的光子在N+区,PN+结空间电荷区和P区中激发出光生电子一一空穴对。

各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区,就对发光电压作出贡献。

光生电子留于N+区,光生空穴留于P区,在PN+结的两侧形成正负电荷的积累,产生光生电压,此为光生伏打效应。

当光伏电池两端接一负载后,光电池就从P区经负载流至N+区,负载中就有功率输出。

太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。

靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光(或紫外光)敏感,约占总光源电流的5—10%(随N+区厚度而变),PN+结空间电荷的光生电流对可见光敏感,约占5%左右。

电池基体域产生的光电流对红外光敏感,占80—90%,是光生电流的主要组成部分。

iS电E1•太阳能电池的基本结构及工作原理2.单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池,它的构成和生产工艺已定型,产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。

这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料,纯度要求99.999%。

为了降低生产成本,现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。

有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。

将单晶硅棒切成片,一般片厚约0.3毫米。

硅片经过成形、抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。

加工太阳能电池片,首先要在硅片上掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。

扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。

这样就在硅片上形成PN 结。

然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳能电池的单体片就制成了。

太阳能电池的原理与特性

太阳能电池的原理与特性

简述太阳能电池的原理与特性一、太阳能电池的基本工作原理太阳能是一种辐射能,它必须借助于能量转换器才能变换成为电能。

这个把太阳能(或其他光能)变换成电能的能量转换器,就叫做太阳能电池。

太阳能电池工作原理的基础,是半导体p-n 结的“光生伏打”效应。

所谓光生伏打效应,简单地说,就是当物体受到光照时,其体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。

在气体、液体和固体中均可产生这种效应,但在固体尤其是在半导体中,光能转换为电能的效率特别高。

因此半导体中的光电效应引起人们的格外关注,研究得最多,并发明制造出了半导体太阳能电池。

可将半导体太阳能电池的发电过程概括成如下4点:(1)首先是收集太阳光和其他光使之照射到太阳能电池表面上。

(2)太阳能电池吸收具有一定能量的光子,激发出非平衡载流子(光生载流子)—电子-空穴对。

这些电子和空穴应有足够的寿命,在它们被分离之前不会复合消失。

(3)这些电性符号相反的光生载流子在太阳能电池p-n 结内建电场的作用下,电子- 空穴对被分离,电子集中在一边,空穴集中在另一边,在p-n 结两边产生异性电荷的积累,从而产生光生电动势,即光生电压。

(4)在太阳能电池p-n 结的两侧引出电极,并接上负载,则在外电路中即有光生电流通过,从而获得功率输出,这样太阳能电池就把太阳能(或其他光能)直接转换成了电能。

下面以单晶硅太阳能电池为例,对太阳能电池的基本工作原理进行具体阐述。

众所周知,物质的原子是由原子核和电子组成的。

原子核带正电,电子带负电。

电子就像行星围绕太阳转动一样,按照一定的轨道绕着原子核旋转。

单晶硅的原子是按照一定的规律排列的。

硅原子的外层电子壳层中有4 个电子。

每个原子的外壳电子都有固定的位置,并受原子核的约束。

它们在外来能量的激发下,如在太阳光辐射时,就会摆脱原子核的束缚而成为自由电子,并同时在原来的地方留出一个空位,即空穴。

由于电子带负电,空穴就表现为带正电。

电子和空穴就是单晶硅中可以运动的电荷。

光伏系统工程师招聘笔试题与参考答案(某世界500强集团)

光伏系统工程师招聘笔试题与参考答案(某世界500强集团)

招聘光伏系统工程师笔试题与参考答案(某世界500强集团)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、太阳能电池板的主要材料是什么?A. 铜B. 硅C. 铝D. 碳答案:B解析:太阳能电池板的主要材料是硅,特别是单晶硅和多晶硅。

硅是一种半导体材料,具有光电效应,能够将光能转化为电能。

铜、铝和碳虽然在电子工业中有广泛应用,但它们不是太阳能电池板的主要材料。

2、在光伏系统中,逆变器的主要作用是什么?A. 将直流电转换为交流电B. 将交流电转换为直流电C. 增加太阳能电池板的发电量D. 降低光伏系统的成本答案:A解析:逆变器在光伏系统中的主要作用是将太阳能电池板产生的直流电(DC)转换为可供家庭、商业或工业使用的交流电(AC)。

这是因为大多数电网和用电设备都设计为使用交流电。

逆变器并不直接增加太阳能电池板的发电量,也不降低光伏系统的成本,尽管高效逆变器的设计可以提高系统的整体效率。

将交流电转换为直流电是整流器的功能,与逆变器相反。

3、光伏电池的效率是指:A. 电池输出功率与输入功率的比值B. 电池输出功率与电池面积的比值C. 电池输入功率与电池面积的比值D. 电池输入功率与输出功率的比值答案:A解析:光伏电池的效率是指电池在将光能转换为电能的过程中,实际输出的电功率与入射到电池上的光功率之比,也就是电池输出功率与输入功率的比值。

这一效率反映了电池将光能转换为电能的能力。

4、在光伏系统中,逆变器的主要作用是什么?A. 将直流电转换为交流电B. 将交流电转换为直流电C. 调节电压D. 储存电能答案:A解析:逆变器在光伏系统中起着将直流电(由光伏电池产生)转换为交流电的关键作用。

这是因为大多数电网和家用电器都是使用交流电的。

逆变器通过电子开关和控制技术,将直流电转换为与电网频率和相位相匹配的交流电,从而实现光伏系统与电网的并网和向负载供电。

5、太阳电池的效率是指:A. 电池输出功率与输入功率的比值B. 电池输出功率与电池面积的比值C. 电池输入功率与电池面积的比值D. 电池输入功率与输出功率的比值答案:A解析:太阳电池的效率是评价其性能的重要指标,它定义为电池在特定条件下输出的电功率与入射到电池表面的光功率之比。

功能材料及应用论文-单晶硅太阳能应用

功能材料及应用论文-单晶硅太阳能应用

生活中的功能材料——单晶硅太阳能电池研究及发展一、引言随着人类社会的不断发展,人与自然的矛盾也愈来愈突出。

目前全世界范围面临的最为突出的问题是环境与能源.即环境恶化和能源短缺。

人类的主要传统能源( 石油、煤炭、天然气) 的储存量是有限的,且对环境有污染,所以节能环保型能源的开发和利用迫在眉睫。

这个问题当然要通过各国政府采取正确的对策来处理。

发展新能源材料及相应的技术,将是解决这一些问题最为有效的方法之一。

太阳能是人类取之不尽,用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何的环境污染。

事实上近年来人们对太阳能材料的研制和利用,已显示了积极有效的作用。

这一新型能源材料的发展.既可解块人类面临的能源短缺问题,又不造成环境的污染。

从50年代的硅电池,60年代的G a A s 电池,70年代的非晶硅电池,80年代的铸造多晶硅电池,到90年代的I I一Ⅵ化合物电池的开发和应用,到现今有机聚合物太阳电池和纳米结构太阳电池的研究开发,构成了太阳能光电材料和器发展的历史脚印。

目前太阳能电池材料主要是单晶硅、多晶硅和非晶硅电池。

硅太阳能电池中以单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。

二、单晶硅太阳电池的生产制备工艺(一)、基本结构(二)、太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。

②断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。

③提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗。

④提高切割速度,实现自动化切割。

具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类:1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去除。

2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。

3、金属离子沾污:该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。

硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类:(1)、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。

半导体技术的发展历程

半导体技术的发展历程
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3.9 5-6 7 10 10-20 15-30 30

High k介质材料
淀积方法: • MOCVD • PVD (溅射, 蒸发) • ALE (原子层淀积) • MBE

18
High k介质材料 ALD (原子层淀积)

15
High k介质材料
材料要求 : • • • • • 高介电常数 热稳定性 界面质量 易于处理 可靠性

16
High k介质材料
• • • • • • •
SiO2 Si3N4/SiO2 stack Si3N4 Al2O3 ZrSiOy, HfSiOx, LaSiOx ZrO2, HfO2, La2O3, Y2O3 crystal Pr2O3

9
2、太阳能电池技术;
(3)异质结结构: 最早专利申请始于1956年 (4)肖特基结结构: 专利申请始于1966年

10
2、太阳能电池技术;
(5)MIS结结构 专利申请始于1971年 (6)超晶格能带结构 专利申请始于1982年 (7)能带渐变结构 最早专利申请始于1977年
4

二、半导体技术的热点
1、纳米技术; 2、太阳能电池技术(光电); 3、LED技术(OLED技术,电光); 4、FinFET技术。

5
2、太阳能电池技术;
(1)单晶硅太阳能电池 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,单晶 硅太阳能电池一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用, 使用寿命一般可达15年,最高可达25年。 (2)多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电 池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约12%左右。 (3)非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池,目前国际先进水平为 10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减。

单晶硅的光电转换效率

单晶硅的光电转换效率

单晶硅的光电转换效率
单晶硅是目前最为常见的太阳能电池材料之一,因其具有优异的光电
转换效率而备受瞩目。

所谓光电转换效率,就是指太阳能电池从接收
太阳能到将其转化为电能的过程中,实际能量转换比例的大小。

单晶
硅的光电转换效率之高,源于其材料特性和制备方法的优良。

单晶硅的材料特性
单晶硅的原子结构非常密集,没有缺陷和杂质,能够将入射光线完全
转化为电能。

由于其晶格高度有序,能够捕获光线的效率非常高,因
此单晶硅太阳能电池的转化效率也非常高,可以达到20%以上。

此外,单晶硅还具有优良的光学稳定性和机械强度,可以在极端的环境条件
下使用。

单晶硅的制备方法
单晶硅太阳能电池的制备方法非常繁琐,需要经过多个工序。

首先,
需要将硅材料熔化,将其转化为高纯度的硅棒。

然后,将硅棒切割成
非常薄的硅片,通常只有几纳米厚。

接下来,需要通过精密的工艺控
制晶格的生长方向,使得硅片成长为单晶硅。

最后,将单晶硅片覆盖
上金属线和反光层,将其转化为太阳能电池。

总的来说,单晶硅的光电转换效率非常高,可以达到20%以上。

由于其材料特性和制备方法的优良,单晶硅太阳能电池被广泛应用于生产太阳能电力的领域。

虽然该制备方法十分繁琐,但其在太阳能电池领域的应用前景仍然非常广阔,未来也将继续得到更多的关注和推广。

单晶硅多晶硅转换效率

单晶硅多晶硅转换效率

单晶硅多晶硅转换效率
单晶硅和多晶硅是两种常见的太阳能电池材料。

它们的主要区别在于晶体结构:单晶硅是由单个晶体组成的,而多晶硅是由多个晶体组成的。

这种差异使得它们在转换效率、光学性能和电学性能等方面有所不同。

单晶硅的转换效率通常高于多晶硅。

在太阳能电池中,单晶硅的转换效率可以达到15% 至20%,而多晶硅的转换效率则在13% 至15% 之间。

这主要是因为单晶硅具有较高的晶体质量和较少的晶界,从而减少了电子在晶体中的散射和损失。

然而,多晶硅也有一些优点。

与单晶硅相比,多晶硅的生产过程更为简单,成本较低。

此外,多晶硅在高温环境下的稳定性较好,因此更适用于太阳能热利用等领域。

影响单晶硅和多晶硅转换效率的因素包括材料质量、晶体结构、生产工艺和电池设计等。

随着技术的不断进步,单晶硅和多晶硅的转换效率都有一定程度的提高。

在光伏领域,单晶硅和多晶硅都得到了广泛的应用。

单晶硅太阳能电池在实验室条件下的转换效率已经达到了26%,多晶硅太阳能电池也在实际应用中表现出良好的性能。

随着光伏市场的不断壮大,单晶硅和多晶硅在光伏领域的应用将继续扩大。

未来,单晶硅和多晶硅的转换效率仍有很大的提升空间。

研究人员正在通过改进生产工艺、优化电池设计和寻找新型材料等途径,进一步提高太阳能电池的转换效率。

此外,随着新型太阳能电池技术的不断涌现,如有机太阳能电
池、钙钛矿太阳能电池等,单晶硅和多晶硅可能面临一定的竞争压力。

总之,单晶硅和多晶硅在转换效率、成本和应用领域等方面各有优劣。

光电功能晶体的实验报告

光电功能晶体的实验报告

一、实验目的1. 了解光电功能晶体的基本特性;2. 掌握光电功能晶体的制备方法;3. 分析光电功能晶体的光电性能;4. 探讨光电功能晶体在光电子领域的应用。

二、实验原理光电功能晶体是一种具有光电效应的晶体,能够将光能转化为电能。

在光电子领域,光电功能晶体广泛应用于太阳能电池、光探测器、光通信等领域。

本实验主要研究光电功能晶体的制备、性能分析及其应用。

三、实验仪器与材料1. 实验仪器:激光器、光谱分析仪、紫外-可见分光光度计、电子天平、高温炉、研磨机、切割机等;2. 实验材料:单晶硅、掺杂剂(如磷、硼等)、溶剂(如乙醇、丙酮等)、光敏材料等。

四、实验步骤1. 光电功能晶体的制备(1)单晶硅制备:将单晶硅原料放入高温炉中,加热至1500℃左右,进行熔融生长,得到单晶硅棒。

(2)掺杂:将制备好的单晶硅棒切割成薄片,用掺杂剂进行掺杂,得到掺杂硅片。

(3)光敏材料制备:将掺杂硅片放入溶剂中,加入光敏材料,进行浸泡、研磨,得到光敏材料涂层。

2. 光电性能测试(1)光谱分析:使用光谱分析仪对光敏材料涂层的光谱特性进行分析,研究其吸收光谱、发射光谱等。

(2)光电特性测试:将光敏材料涂层固定在电路板上,接入激光器和紫外-可见分光光度计,测试其在不同波长下的光电响应特性。

3. 光电功能晶体应用研究(1)太阳能电池:将制备的光电功能晶体用于太阳能电池,研究其在光电转换效率、稳定性等方面的性能。

(2)光探测器:将光电功能晶体用于光探测器,研究其在光敏度、响应速度等方面的性能。

五、实验结果与分析1. 光电功能晶体制备结果通过实验,成功制备了掺杂硅片和光敏材料涂层,其外观呈均匀、透明的薄膜状。

2. 光电性能分析(1)光谱分析:光敏材料涂层在可见光范围内具有较宽的吸收光谱,有利于提高光电转换效率。

(2)光电特性测试:光电功能晶体在可见光范围内具有较好的光电响应特性,光电流与光强呈线性关系。

3. 光电功能晶体应用研究(1)太阳能电池:制备的光电功能晶体太阳能电池在光照条件下,光电转换效率可达15%左右。

单晶硅太阳能板效率

单晶硅太阳能板效率

单晶硅太阳能板效率
单晶硅太阳能板电池组件生产线的技术改造主要技术经济指标:组件效率14%~15%,组件寿命20~25年。

单晶太阳能板是由若干个单晶硅太阳能电池片按一定方式组装在一块板上的组装件。

单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。

由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用,使用寿命一般可达15年,最高可达25年。

太阳能电池和光电催化

太阳能电池和光电催化

太阳能电池(Photovoltaic)原理
正极:P 型
太陽光
+
+
负极:N 型
+ +-
-
太阳能电池是以 P 型与 N 型 半导体材料接合构成正极与负 极。
正、負電荷
-
太陽光
+ +
P + +- N +
当太阳光照射太阳能电池时, 光的能量會使半导体材料內的 正、负电荷分离。 正、负电荷会分別往正、负极 方向移动并且聚集。 將太阳能电池正、负极接上负 载時,將有电流流出,可以對 负载作功(灯泡会亮、马达会转)。
太阳光谱图
UV Visible Infrared
48%
半导体的能带和掺杂原理
•费米能级(Er):在低温下,晶体的某一能级以下的所有可能能态 都将被电子占据,该能级称为费米能级(Er)。 •半导体导电:半导体的禁带宽度比绝缘体小,一些电子被激发后 占据导带中的能态,在价带中留下一个空穴,形成一定的导电能 力。电子和空穴为载流子。
• 低成本
• 晶体硅太阳电池的基本厚度为240-270um,硅片的成本就占 整个太阳电池成本的65-70%;非晶硅薄膜太阳电池的厚度 <0.5um。 • 主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷,这种气体, 化学工业可大量供应,且十分便宜,制造一瓦非晶硅太阳能 电池的原材料本约RMB3.5-4(效率高于6%)
1 太阳能电池造价高、电价贵:电池由1972 年500$/W,降低到4$/W; 2 太阳能转换效率低,一般小于20%; 3 太阳光能量密度低; 4 太阳能发电受时间和气候影响大; 5 太阳能电池的材料普遍资源少,价格高。
太阳能电池材料
按照所用材料的不同:

硅太阳能电池工作效率

硅太阳能电池工作效率

硅太阳能电池工作效率
硅太阳能电池的工作效率因技术发展和材料改进而有所提高。

目前,
单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,实验室最高效率可达到24.7%。

因此,硅太阳能电池的效率在不断提高,但具体数值还需要根
据当前的技术发展情况而定。

此外,影响硅太阳能电池效率的因素有很多,包括电池厚度、表面状态、污染程度以及电池的安装方式等。

为了提高硅太阳能电池的效率,需要采取一系列措施来保持其清洁和状态良好,以提高光电转换效率。

请注意,这些信息可能随着技术的进步而变化,因此建议您查阅相关
资料以获取最新信息。

单晶硅多晶硅转换效率

单晶硅多晶硅转换效率

单晶硅和多晶硅都是常用的太阳能电池材料,它们之间的转换效率有所不同。

单晶硅是经过特殊工艺生长出的完整晶体,具有高纯度和长晶体结构。

由于单晶硅晶体无晶界和杂质影响,因此具有较高的光电转换效率。

目前市场上常见的单晶硅太阳能电池的转换效率可以达到20%以上。

多晶硅是通过将多块硅块熔融后制成的晶体,晶格结构相对较乱,晶界较多,含有较多的杂质。

这些因素会导致多晶硅的光电转换效率较单晶硅略低。

目前市场上常见的多晶硅太阳能电池的转换效率一般在16%~18%左右。

总体来说,单晶硅太阳能电池的转换效率相对较高,但制造成本也较高。

多晶硅太阳能电池的转换效率略低,但制造成本相对较低。

选择使用哪种材料,需要根据具体的应用需求和预算来决定。

单晶硅太阳能光伏组件平均光电转换效率及计算公式

单晶硅太阳能光伏组件平均光电转换效率及计算公式

单晶硅太阳能光伏组件平均光电转换效率及计算公式单晶硅太阳能光伏组件的平均光电转换效率受到多种因素的影响,包括光伏组件的材质类型、光照时间、光照强度、安装角度、表面清洁程度、电池衰减程度等。

在特定条件下,其光电转换效率可以用以下公式计算:
η= Pm(电池片的峰值功率)/A(电池片面积)×Pin(单位面积的入射光功率)。

其中,Pin=1KW/㎡=100mW/cm²。

同时,也可以通过太阳能电池效率公式来计算:
太阳能电池效率=(开路电压x短路电流X填充因子)/电池面积X光照幅度x100%。

以上内容仅供参考,如需更多信息,建议查阅单晶硅太阳能光伏组件的相关书籍或咨询相关技术人员。

单晶硅的制备及其太阳能电池中的运用毕业论文

单晶硅的制备及其太阳能电池中的运用毕业论文

昆明学院2015届毕业论文(设计)论文(设计)题目单晶硅的制备及其在太阳能电池中的运用子课题题目无姓名胡渐平学号 201117030207所属院系物理科学与技术系专业年级物理学2班指导教师张连昌2015年5月单晶硅的制备及其在太阳能电池中的运用摘要本文研究单晶硅材料的制备及其在太阳能电池中的运用。

制造太阳能电池的半导体材料已知的就有十几种,因此太阳电池的种类也很多。

硅材料分为单晶硅、多晶硅、铸造硅以及薄膜硅等许多形态。

虽然形态不一制作方法不尽相同,但是实现的目的是一样的。

都是尽可能多的将太阳光的光能转化为电能,硅是地球上储藏最丰富的元素之一。

目前作为单晶硅的制备方法分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ),并且这两种方法是工业上运用最广的方法。

从多晶硅中提炼出单晶,然后通过拉硅单晶棒、切割得到单晶硅圆片,再经过刻蚀,最后生产成太阳能电池组件。

生产过程大致可分为五个步骤:(a)提纯过程(b)拉棒过程(c)切片过程(d)制电池过程(e)封装过程。

本文就单晶硅的制备和在太阳能电池中的运用略作讨论。

本文中提高单晶硅太阳能电池的绒面工艺及电化学刻蚀工艺的原理及应用于太阳能电池中对效率所带来的影响的研究。

单晶硅太阳能电池,是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池,是当前开发得最快的一种太阳能电池。

它的构造和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。

采用的来提高单晶硅太能电池效率的各种理论研究,首先采用了电化学刻蚀工艺和绒面工艺两者对太阳能电池效率的影响,从理论上的结果来看采用两者工艺结合所形成的抗反射层可以使太阳能电池的平均反射率降到2%,并进一步研究了在电化学刻蚀中各种参数对太阳能电池表面形貌的影响。

此外,论文还提出了另一种制备纳米硅抗反射层的方法及其在太阳能电池中的抗反射效果,研究发现这种制各纳米硅抗反射层的方法十分简单,且能够取得十分优异的降低反射率的效果,并且采用结合绒面工艺的纳米硅工艺所制得抗反射膜可以使得太阳能电池表面的反射率降到1%左右,甚至优于电化学刻蚀工艺和绒面工艺两者的结合。

单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异

单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异

单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异单晶硅,多晶硅,非晶硅的区别和性能差异一、单晶硅太阳能电池名称:单晶硅英文名: Monocrystalline silicon单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分。

硅的单晶体,具有基本完整的点阵结构的晶体。

不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。

纯度要求达到99.9999,,甚至达到99.9999999,以上。

用于制造半导体器件、太阳能电池等。

用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。

超纯的单晶硅是本征半导体。

在超纯单晶硅中掺入微量的?A族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的?A族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途:是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。

二、多晶硅太阳能电池名称:多晶硅英文名:polycrystalline silicon性质:灰色金属光泽。

密度2.32~2.34。

熔点1410?。

沸点2355?。

溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。

硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。

加热至800?以上即有延性,1300?时显出明显变形。

常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。

高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。

具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。

多晶硅是单质硅的一种形态。

熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

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太阳能电池硅板的区别
单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%
多晶硅太阳能电池的光电转换效率为12%左右,最高的达到14.8%
非晶硅太阳电池是指薄膜式太阳电池,光电转换效率为10%左右
非晶硅(a-Si)
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以无规网络形态排列成许多晶核,这些晶粒结合起来,就结晶成非晶硅。

多晶硅(p-Si)
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

单晶硅(c-Si)
以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种(籽晶)上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齐排列所以称为单晶硅。

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